Doping-dependent critical Cooper-pair momentum in thin, underdoped cuprate films
我们应用一个最近开发的低场技术感应测量的临界对动量$p_c$在薄，欠掺杂薄膜的Y $_{1-x}$钙$_{x}$钡$_{2}$铜$_{3}$ O $_{7-δ}$和Bi $_{2}$锶$_{2}$钙铜$_{2}$ O $_{8+δ}$反映了广泛的空穴掺杂。我们观察到，$p_c \propto \hbar/ξ$的规模与$T_c$，因此超流体密度$n_s(T\rightarrow0)$在我们的二维铜酸盐薄膜。这种关系是著名的预测与\textit{doping-independent}超导间隙的铜氧化物的通用模型，但尚未观察到的相干长度$ξ$的高场测量由于场诱导现象不包括在理论中。
2014-07-23 cond-mat.supr-con
Why there is a difference between optimal doping for maximal Tc and critical doping for highest ρ_s in cuprate superconductors?
一个长期存在的问题是，在铜氧化物超导体中，最大超导转变温度Tc的最佳掺杂值δ_{optimal}=0.15和最大超流密度ρ_s的临界掺杂值δ_{critical}=0.19之间为什么存在差异？这个谜题需要一个解释。在动能驱动的SC机制中，除了准粒子相干性外，ρ s主要由裸对能隙决定，而Tc主要由有效对能隙决定。通过计算有效带隙与裸带隙之比，发现耦合强度随掺杂浓度的增加而减小。这种耦合强度的掺杂依赖性导致了从裸对隙参数最大值的临界掺杂向有效对隙参数最大值的最佳掺杂的转变，从而导致最大Tc的最佳掺杂与最高ρ s的临界掺杂之间的差异。
2012-10-23 cond-mat.supr-con
Universal intrinsic doping behavior of in-plane dc conductivity for hole-doped high-temperature cuprate superconductors
理解空穴掺杂高温铜氧化物超导体（HTCSs）的正常态输运性质是一项具有挑战性的任务，被广泛认为是揭示高温超导配对机制的关键步骤之一。在这里，我们提出了一个真正的内在和普遍的掺杂依赖于所有欠掺杂HTCS的面内直流电导率。面内直流电导率归一化到最佳掺杂时的掺杂依赖性可以由简单的指数公式表示。由高分辨率激光角度分辨光电子能谱导出的超导态节点费米速度的平方的掺杂行为合理地遵循普遍的本征掺杂行为。我们的研究结果表明，无论是在正常状态和超导状态，放置一个真正的普遍和严格的约束HTCS高温超导机制的低能量准粒子的共性。
2011-05-25 cond-mat.supr-con
Cuprate interband model and doping dependence of the coherence length
发展了双带对转移超导体的自由能展开式。出现了临界温度和非临界相干长度。计算了“典型”铜氧化物的有效面内$ξ_{ab}$、$H_{c2}\sp c\sim ξ_{ab}\sp{-2}$和全空穴掺杂（$p$）尺度下的热力学临界磁场（$H_{c0}$）.一个掺杂制备裸光谱与正常状态的掺杂淬火间隙已被使用。相干长度$ξ_{ab}$随着$p$首先快速下降。当达到“冷”缺陷带与价带重叠时，开始适度增强。在过掺杂时，$ξ_{ab}$显著升高。$H_{c2}\sp c$曲线在$T_{cmax}$之前显示最大值。钟形的$H_{c0}$曲线与$T_c$、超导能隙和超流密度密切相关。理论上的$ξ_{ab}(p)$在整个掺杂范围内的非单调曲线与最近的实验结果一致。
2005-06-14 cond-mat.supr-con
Material and doping dependence of the nodal and anti-nodal dispersion renormalizations in single- and multi-layer cuprates
本文综述了从角分辨光电子能谱中观察到的玻色重整化效应对铜氧化物中电子载流子的影响。我们具体讨论的观点，这些重正化表示耦合的电子的晶格，并审查如何广泛的材料依赖性，如CuO $_2$层的数量，和掺杂的依赖性可以直接理解为由于新的电子-声子耦合。
2009-09-30 cond-mat.supr-con
Doping-driven transition to a time-reversal breaking state in the phase diagram of the cuprates
最近的隧道效应和Andreev反射实验的动机，我们研究的条件下的超导相内的铜氧化物，其中大量的虚（时间反转破缺）$id_{xy}$组件出现除了$d_{x^2 - y^2}$序参量的量子跃迁。我们详细研究了铜氧化物的一些重要物理特征的作用，特别是我们发现，一个封闭的费米面，双层分裂，正交畸变，以及接近量子临界点附近的最佳掺杂有利于虚部的出现。这些发现可以解释为什么在YBCO和LSCO中观察到混合$d_{x^2 - y^2}+ id_{xy}$序参量，并表明它也可能出现在Bi 2212中。我们还预测，在所有的铜酸盐，混合状态应该是稳定的，只有在一个有限的掺杂区域都包含在$d_{x^2 - y^2}$圆顶。讨论了二次相变时比热的行为。
2004-01-21 cond-mat.supr-con
Behaviour of superconductivity energetic characteristics in electron-doped cuprates. A simple model
本文提出了一个描述电子掺杂铜氧化物超导体能量相图的简单模型。带间配对在UHB和由掺杂产生并由两个掺杂HB提供的缺陷态之间操作。两个缺陷子带对应于（$π, 0$）和（$π/2,π/2$）动量区。扩展掺杂淬灭裸露的正常态间隙（赝间隙）。最大转变温度对应于重叠带系综由化学势。说明性的结果为$T_c$，伪和超导间隙计算在整个掺杂规模。再现了相图上的主要特征。预期表现的差距掺杂动力学进行了讨论。
2007-05-23 cond-mat.supr-con
Anomalous peak in the superconducting condensate density of cuprate high T_{c} superconductors at a unique critical doping state
本文用μ子自旋转动方法研究了Y_{0.8} Ca_{0.2} Ba_{2}（Cu_{1-z} Zn_{z}）_{3} O_{7-δ}和Tl_{0.5-y} Pb_{0.5+y} Sr_{2} Ca_{1-x} Y_{x} Cu_{2} O_{7}的超导凝聚态密度n_{s} ^{0}的掺杂依赖性.我们发现，n_{s} ^{o}在轻微过掺杂制度中的独特掺杂状态下表现出明显的峰。它的位置与临界掺杂状态相一致，在临界掺杂状态下，正常态赝能隙首先出现，耗尽了电子态密度。观察到n_{s} ^{o}和凝聚能U_{o}之间令人惊讶的相关性，这表明即使在过掺杂区域中也存在非常规行为。
2000-06-19 cond-mat.supr-con
Topological Doping and Superconductivity in Cuprates: An Experimental Perspective
空穴掺杂到一个相关的反铁磁体导致拓扑条纹的相关性，涉及电荷条纹，分离反铁磁自旋条纹的相反的相位。拓扑自旋条纹顺序导致电荷条纹内的自旋自由度感觉到与其环境的几何挫折。在铜氧化物的情况下，其中的电荷条纹具有空穴掺杂的两个腿的自旋梯的字符，与相应的配对相关。穿过自旋条纹的反相约瑟夫森耦合可以导致对密度波阶，其中超导波函数的破坏的平移对称性被具有有限动量的对容纳。最近报道的对La $_{2-x}$ Ba $_x$ CuO $_4$和$x=1/8$的测量证实了这种情况。虽然对密度波序作为铜酸盐基态并不常见，但它为理解在超导铜酸盐中更典型的均匀$d$波序提供了基础。
2021-12-08 cond-mat.supr-con
Superconducting condensate residing on small Fermi pockets in underdoped cuprates
在掺杂母体莫特绝缘体后，铜酸盐中的费米面是如何形成的？它是由大桶还是小口袋组成的？哪一种是超导的原因？赝能隙的作用是什么？这些都是有争议的问题，对于理解高温超导性很重要。在这里，我们分析了铜氧化物层间隧穿的掺杂依赖性。我们观察到，随着掺杂的减少，超电流迅速下降，但在高偏压下的准粒子电阻几乎保持不变。这表明库珀对和准粒子电流源自布里渊区的不同部分：库珀对仅驻留在小口袋上，这些口袋随着掺杂的减少而逐渐缩小，但准粒子电流在桶的整个长度上积分，这些桶仅弱掺杂依赖。沿桶扩大的赝间隙区域对对电流没有贡献。这为赝能隙的非超导起源提供了直接证据。
2014-12-19 cond-mat.supr-con
Local transformation of the Electronic Structure and Generation of Free Carriers in Cuprates and Ferropnictides under Heterovalent and Isovalent Doping
我们以前已经表明，在超导圆顶内的掺杂剂浓度下观察到的铜酸盐和铁磷属元素化物的超导特性中的大多数异常，以及圆顶在相图中的位置，不需要了解它们的电子结构的细节来解释，而是可以在描述超导相的团簇结构的简单模型的框架内高精度地理解和计算。这一事实表明，形成我们对HTSC理解的范式发生了变化。在本文中，我们提出了一个统一的观点上的转换的电子结构的铜酸盐和铁磷族化合物上的异价和等价掺杂，掺杂载流子的自定位的假设的基础上。在该表示中，在最初具有不同电子结构（莫特绝缘体和半金属）的未掺杂的铜酸盐和铁磷族化合物中，局部掺杂形成具有自掺杂激子绝缘体的相同电子结构的渗滤簇，其中实现了超导配对的特定机制，这在这样的系统中是遗传固有的。所提出的模型包括一个机制，用于产生额外的自由载流子下的异价和等价掺杂，并使其能够预测其符号，这在一般情况下，不符合掺杂载流子的符号。
2022-05-25 cond-mat.supr-con
The pseudogaps in multiband electron-doped cuprate superconductivity
在多带超导框架下分析了赝能隙激发。对电子掺杂铜氧化物超导体的掺杂相图进行了计算。非刚性多带模型已被使用。带间配对的行为之间的哈伯德带（UHB）和midgap状态创建（和向上移动）的掺杂。提出了两个PG和两个相图临界点（CP）的出现。较大的反节PG反映了长程反铁磁（AF）秩序的破坏。第二个较小的PG是一个近节点事件，暴露的掺杂依赖性后面的第一个CP。它到达T $_c$圆顶。已经进行了模型计算。相图的特性是由掺杂激发带重叠动力学决定的。与通过掺杂引入的载流子相比，对外来载流子的观察预期从PG消失开始。
2014-09-02 cond-mat.supr-con
Competing orders and the doping and momentum dependent quasiparticle excitations in cuprate superconductors
通过实验和理论研究了空穴型和电子型铜氧化物超导体中的低能准粒子激发。结果表明，经验低能准粒子激发的掺杂和动量依赖性与铜氧化物基态中竞争有序和超导电性共存的情形是一致的.这一发现，基于零场准粒子谱，进一步证实了部分解决的涡旋状态扫描隧道光谱，揭示了赝间隙的功能与剩余的竞争秩序内的涡核超导抑制一致。与经验观测相符的竞争秩序包括电荷密度波和自旋密度波。与此相反，光谱特性来自于将$d$ -密度波作为一个竞争秩序出现不利的实验相比。
2008-01-24 cond-mat.supr-con
Survival of the d-wave superconducting state near the edge of antiferromagnetism in the cuprate phase diagram
在铜氧化物超导体$YBa_2Cu_3O_{6+x}$中，$CuO_2$层中的空穴掺杂由氧含量和氧有序度两者控制。在组成$\rm YBa_2Cu_3O_{6.35}$下，可以在室温下发生有序化，从而调节空穴掺杂，使得超导临界温度从0逐渐上升到20 K。在这里，我们利用这一点来研究作为温度和掺杂的函数的c轴穿透深度。温度依赖性表明d波超导体存活到非常低的掺杂，没有迹象表明另一个有序相干扰的节点准粒子。唯一明显的掺杂依赖性是随着Tc的降低，超流密度平稳下降。
2003-12-19 cond-mat.supr-con
Doping dependence of d-wave bond-charge excitations in electron-doped cuprates
最近的实验报道的电子掺杂铜氧化物中的短程电荷序（CO）的掺杂依赖性的启发，我们研究了共振x射线散射光谱从d波键电荷起伏的二维t-J模型。我们发现（i）CO是短程的，（ii）CO峰在低温下是显著的，（iii）峰强度随着载流子掺杂$δ$的降低而增加，降低到$δ\approx$ 0.10，并且由于强阻尼而基本上被抑制在$δ\approx$ 0.10以下，以及（iv）CO的动量单调地降低到$δ\approx$ 0.10，并且上升到$δ\approx$ 0.10以下。这些结果合理地捕捉到的实验数据的主要特点，所观察到的短程CO可以一致地解释键电荷波动与内部d-波对称性。
2019-01-30 cond-mat.supr-con
Self-doping effect arising from electron correlations in multi-layer cuprates
研究了多层铜氧化物超导体中外、内CuO $_2$面（OP和IP）之间的自掺杂效应。当考虑从第一原理计算得到的基于Hg的三层铜酸盐的三层紧束缚模型时，与IP相比，OP中的电子浓度变大。这是不一致的实验事实，即更多的空穴载流子往往被引入到OP比IP。我们研究了三层哈伯德模型与两个粒子的自洽方法的多层系统，将电子相关。我们观察到，在IP中的双占有率（反铁磁不稳定性）减少（增加）比OP，也揭示了更多的电子往往被引入到IP比OP获得现场哈伯德相互作用的能量增益。这些结果与实验事实是一致的，这种OP和IP之间的电子分布可以解释为一个自掺杂效应所产生的强电子关联。
2017-04-18 cond-mat.supr-con
Contrasting Pathways to Mott Gap Collapse in Electron and Hole Doped Cuprates
最近的ARPES测量的电子掺杂的铜氧化物Nd_{2-x} Ce_xCuO_4可以解释在平均场模型的均匀掺杂的反铁磁体，与莫特间隙接近最佳掺杂。模式耦合计算证实了平均场的结果，同时澄清莫特间隙和短程磁序之间的关系。同样的计算发现，空穴掺杂的铜氧化物应该遵循一个显着不同的掺杂依赖性，涉及不稳定的螺旋相或条纹。然而，磁序（现在与条纹相关联）再次崩溃接近最佳掺杂。
2003-08-18 cond-mat.supr-con
Two-component scenario and related gaps in cuprates
本文提出了一个简单的铜氧化物超导模型，并给出了掺杂制备的电子谱。对转移相互作用将巡回带与缺陷子系统的两个分量（“热”和“冷”）耦合。有基本缺陷巡游间隙淬火渐进掺杂。带重叠出现作为新的来源临界掺杂浓度。在正常状态下，绝缘体到金属的转变是预期的。最小准粒子激发能决定了赝能隙和超导能隙的大小取决于能带的掺杂分布。两个赝能隙可以存在于欠掺杂和两个超导能隙可以表现在过掺杂。各种转换和连接之间的差距同意定性与多才多艺的实验结果。超导密度并不反映存在的“extrinsic”的差距，因为带间性质的配对。在欠掺杂进一步衰退的Uemura型次线性图。一个混合的费米液体恢复附近的最佳掺杂的化学势相交的所有带组件。“冷”子系统的金属化对于在传递到最佳掺杂时Tc的上升是必不可少的。
2004-08-26 cond-mat.supr-con
Momentum and doping dependence of spin excitations in electron-doped cuprate superconductors
铜氧化物的超导电性是通过在其莫特绝缘母体化合物中掺杂空穴或电子而产生的。自旋激发被认为是超导配对的中介粘合剂。本文基于动能驱动的超导机制，研究了电子掺杂铜氧化物超导体中动态自旋响应的动量和掺杂依赖性。结果表明，低能自旋激发的色散在电子掺杂时发生强烈的变化，而在电子掺杂时，由于电子-空穴的不对称性，空穴掺杂侧出现的低能自旋激发的沙漏形色散不存在.特别地，在超导态中出现相称共振，其共振能量与超导能隙的圆顶形掺杂相关。此外，超导态中高能自旋激发的谱权和色散与相应的正常态中的谱权和色散相当，表明高能自旋激发在电子对的形成中不起重要作用.
2017-01-25 cond-mat.supr-con
Identification of a Critical Doping for Charge Order Phenomena in Bi-2212 Cuprates via RIXS
确定量子临界点（QCP）及其相关的波动可能是解开在铜氧化物超导体中观察到的不寻常电子现象的关键。最近，与电荷序（CO）相关的量子涨落的签名已被推断从CO激发的异常增强，伴随着CO序参量的超导状态的减少。为了更深入地了解CO和超导性之间的相互作用，在这里，我们研究了整个Bi-2212铜酸盐相图使用共振非弹性X射线散射（RIXS）在Cu L3边缘的这种现象的掺杂依赖性。随着掺杂的增加，CO波矢量减小，在0.25 r.l.u.的相称值处饱和。超过特征掺杂Pc，其中相关长度变得短于表观周期（4a 0）。这样的行为是指示的波动性质的CO;和扩散的CO激发在超导状态也出现最强的在pc，符合预期的行为在CO QCP。有趣的是，pc似乎是接近最佳掺杂，超导转变温度Tc是最大的。
2022-10-18 cond-mat.supr-con
Doping asymmetry in the three-band Hamiltonian for cuprate ladders: failure of the standard model of superconductivity in cuprates
本文通过DMRG计算发现Cu$_2$O$_3$两腿阶梯的三带哈密顿量在电子与空穴掺杂下表现出超导的强不对称性，与实验发现的对称性相矛盾，质疑了铜氧化物超导标准模型。
2023-06-28 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Unconventional Pressure Dependent Interorbital and Interlayer Doping in Superconducting Nickelates
针对镍酸盐超导研究中电子计数与掺杂相图的矛盾，研究发现超导La₄Ni₃O₁₀存在非常规层间与轨道间本征掺杂效应，使相关轨道占据数与铜氧化物相近，建立了镍酸盐超导的自洽框架并维系两类超导体的关联。
2024-07-23 cond-mat.supr-con
Quantum Critical Point in Electron-Doped Cuprates
我们分析了掺杂依赖的光谱强度和费米表面最近获得的地图在Nd $_{2-x}$ Ce $_x$ CuO $_{4\pmδ}$（NCCO）通过高分辨率的ARPES测量，并表明，这种电子掺杂的化合物的行为可以理解为莫特（伪）间隙的关闭，导致一个量子临界点刚刚高于最佳掺杂。通过理论和实验谱的比较，推导出有效Hubbard $U$的掺杂依赖关系，与各种估计值和简单的筛选计算结果相符合。
2002-01-08 cond-mat.supr-con
Doping dependent quasiparticle band structure in cuprate superconductors
本文对二维t-t '-t''-J模型中的单粒子谱函数进行了精确对角化研究。作为一个关键的结果，我们发现，与“纯”t-J模型不同，空穴掺杂导致（pi，0）附近准粒子能带结构的主要重建：而对于未掺杂的系统，（pi，0）附近的准粒子态深低于能带的顶部，（pi/2，pi/2），空穴掺杂将这些状态移动到E_F，导致在E_F附近和（pi，0）周围的扩展的平带区域。这种强的掺杂诱导的形变可以直接与Sr_2CuCl_2O_2、欠掺杂Bi 2212和最佳掺杂Bi 2212的角分辨光电发射结果相比较。我们提出了这种变形的机制，长程跳跃和减少自旋相关的相互作用。
1996-11-05 cond-mat.supr-con
Shubnikov-de Haas quantum oscilations reveal a reconstructed Fermi surface near optimal doping in a thin film of the cuprate superconductor Pr$_{1.86}$Ce$_{0.14}$CuO$_{4\pmδ}$
研究了电子掺杂超导体Pr $_{2-x}$ Ce $_x$ CuO $_{4\pmδ}$（$x$ = 0.14）在92 T磁场下的磁输运性质，观察到了Shubnikov de-Haas磁量子振荡.振荡显示单频$F$ =255 $\pm$ 10~T，表明一个小的费米口袋，是二维布里渊区的$\sim$ ~ 1%，并与这些层状材料预测的大孔状圆柱体重建的费米表面一致。尽管低标称掺杂，所有的电子性质，包括有效质量和霍尔效应是一致的过掺杂的化合物。我们的研究表明，高品质的薄膜所提供的特殊的化学控制将使费米表面研究深入到过掺杂的铜酸盐相图。
2016-09-03 cond-mat.supr-con
Hartree-Fock Computation of the High-Tc Cuprate Phase Diagram
提出了一种计算铜氧化物相图的方法。假设绝热变形回到密度函数能带结构。对称性约束导致费米液体理论与5个相互作用参数。其中两个通过实验强制为零。剩下的3个适合于（1）半填充时反铁磁态的矩，（2）最佳掺杂时的超导能隙，（3）最大赝能隙，我将其确定为d密度波。Hartree-Fock方程的解给出了与实验定量一致的（1）在5%和16%p型掺杂下的量子相变，（2）低于5%的绝缘，（3）d波赝能隙准粒子谱，（4）赝能隙和超导能隙值随掺杂的变化，（5）超导能隙Tc随掺杂的变化，（6）伦敦穿透深度随掺杂的变化，（7）自旋波速度。拟合点的超交换介导的成键的O原子在Cu-O平面作为所有三个有序现象的原因。
2014-01-18 cond-mat.supr-con
Interband nodal-region pairing and the antinodal pseudogap in hole doped cuprates
最近的实验结果表明，在空穴掺杂的铜氧化物的配对相互作用驻留在节（FS弧）的区域，伴随着单独的波腹赝能隙。提出了相应的铜氧化物超导多带模型。它是基于电子光谱与掺杂的发展，并扩展了作者以前的方法。假设在巡回（主要是氧）带和由掺杂产生的节缺陷（极化子）带之间存在领先的对转移相互作用。这些组件是重叠的。在动量空间的波腹区域中产生的缺陷子带不参与对称性参数的配对。一个假定的裸露的差距，它从巡回带顶消失延长掺杂。相应的波腹赝能隙表现为微扰能带结构效应。在平均场近似下处理的低能激发谱包括两个节超导能隙和一个赝能隙。这些差距和其他配对特性的行为同意定性与整个掺杂规模的意见。
2009-09-11 cond-mat.supr-con
Effect of doping on the linear temperature dependence of the magnetic penetration depth in cuprate superconductors
本文报道了用一种新的单线圈技术测量了La_2-xSr_xCuO_4，Bi_2Sr_2CaCu_2O_8和YBa_2Cu_3O_6+x单晶在不同掺杂水平下（从欠掺杂到过掺杂）的磁穿透深度λ_ab的低温依赖性。我们已经发现，在所有的样品中，随着掺杂的减少，斜率dlambda_ab/dT迅速增加的lambda_ab的线性依赖。我们对数据的分析表明，具有d波对称性的超导能隙足以定量地解释最佳或过掺杂样品中的上述斜率值。在欠掺杂样品中，d波模型预测的值比通过假设零温度λ_ab和间隙δ的实际值测量的值小得多。实验数据与热力学相涨落的序参量模型是相容的。因此，我们提出了这样的假设，即在铜酸盐中观察到的无带隙性质可能具有取决于掺杂水平的质的不同的物理起源。
2000-01-05 cond-mat.supr-con
Doping-dependence of nodal quasiparticle properties in high-$T_{\rm c}$ cuprates studied by laser-excited angle-resolved photoemission spectroscopy
研究了d波超导体Bi $_{2.1}$ Sr $_{1.9}$ CaCu $_2$ O $_{8+δ}$（Bi 2212）中节状准粒子的掺杂依赖的低能低温（$T$ = 5 K）性质.利用高分辨激光激发角分辨光电子能谱，我们获得了准粒子在$E_{F}$附近的能带色散、平均自由程和散射率（$Γ$）。对于最佳和过掺杂，我们得到非常尖锐的准粒子峰的8 meV和6 meV的半峰全宽，分别符合太赫兹电导率。对于所有的掺杂水平，我们发现的能量依赖性的$Γ\sim |ω|$，而$Γ$（$ω=0$）显示从过掺杂到欠掺杂的单调增加。掺杂的依赖性表明在低温（5 K $\lsim 0.07T_{\rm c}$），显着的欠掺杂区域的节点准粒子散射的电子不均匀性的作用。
2007-10-16 cond-mat.supr-con
Experimental Evidence for Topological Doping in the Cuprates
最近的一些实验提供支持的概念，拓扑掺杂的铜氧化物超导体进行了讨论。与电荷分离的观点相一致，认为与YBa（2）Cu（3）O（6+x）和Bi（2）Sr（2）CaCu（2）O（8+δ）中发现的“共振”峰相关的散射来自Cu自旋，而不是来自掺杂空穴。
1999-03-31 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Thermal Conductivity across the Phase Diagram of Cuprates: Low-Energy Quasiparticles and Doping Dependence of the Superconducting Gap
在低温下测量了YBaPDMATHABMM、$_3$、$_{y}$和La $_{2-x}$ Sr $_x$ CuO $_4$中的热输运随掺杂的变化。剩余的线性项kappa_{0} /T在整个超导区观察到，它稳步减少莫特绝缘体接近过掺杂制度。从kappa_{0} /T中提取的低能准粒子能隙与赝能隙密切相关。无处不在的节点和跟踪的赝能隙表明，整个间隙仍然是纯d波的形式在整个相图，这排除了一个复杂的组件（ix）出现在一个假定的量子相变的可能性，并反对非超导起源的赝能隙。与超流密度测量的比较表明，准粒子的有效电荷是弱依赖于掺杂和接近统一。
2003-01-08 cond-mat.supr-con
Measurements of the doping effects on the in-plane paraconductivity in cuprate superconductors
本文总结了我们在不同Sr含量的La_{2-x} Sr_xCuO_4薄膜中测量超导涨落对面内电阻率（所谓的面内亚电导率）的影响。我们的研究结果表明，这些超导涨落效应是不相关的赝能隙的正常状态下的欠掺杂化合物的开放。
2006-03-03 cond-mat.supr-con
Temperature independent cuprate pseudogap from planar oxygen NMR
平面氧核磁共振（NMR）弛豫和位移数据从所有铜氧化物超导体在文献中进行了分析。它们揭示了费米表面处的温度无关的赝能隙，其以家族特定的方式随着掺杂的减少而增加，即，对于某些材料，赝能隙在最佳掺杂时是相当大的，而对于其它材料，赝能隙在最佳掺杂时几乎是闭合的。以上的赝能隙，或在其情况下是类似的所有铜酸盐和掺杂水平，费米液体。如果赝能隙假设为指数的，则对于最欠掺杂的系统，它可以大到约1500 K，这与交换耦合有关。赝能隙在整个材料中可以有很大的不同，这是铜酸盐在电荷和自旋方面不均匀的原因，并讨论了NMR分析的后果。这个赝能隙似乎与很久以前测量的YBaCuO系列材料的比热数据一致。核弛豫和位移显示偏离这种情况附近的$T_{\mathrm{c}}$，可能是由于其他的间隙状态。
2020-10-19 cond-mat.supr-con
Electronic correlations, electron-phonon interaction, and isotope effect in high-Tc cuprates
利用大N展开式，我们提出并求解了一个广义t-J模型的超导能隙的线性化方程，该模型也包含Holstein模型中的声子。主导Tc具有d波对称性，声子对Tc有积极的贡献。相应的同位素系数是非常小的，在最佳掺杂和增加对经典的值1/2与增加类似的掺杂在许多铜酸盐。
1999-04-26 cond-mat.supr-con
Effects of Sr-doping on the electronic and spin-state properties of infinite-layer nickelates
最近在Sr掺杂的NdNiO $_2$中发现的高T $_{c}$超导（HTS）引起了人们对研究镍酸盐作为铜酸盐对应物的新兴趣。母体铜氧化物[Cu $^{2+}$：d $^9$ ]是反铁磁电荷转移绝缘体，在费米能级附近有一个单一的d $_{x^2-y^2}$带，并有强的$p-d$杂化。相比之下，等电子NdNiO $_2$ [Ni $^+$：d $^9$ ]是金属的，具有由Nd-d态自掺杂的d $_{x^2-y^2}$带。利用第一性原理计算，我们研究了Sr掺杂对无限层镍酸盐电子和磁性的影响以及空穴的性质。我们发现，空穴掺杂倾向于使材料更像铜酸盐，因为它使自掺杂效应最小化，它增强了$p-d$杂化，并且它产生低自旋（S=0，非磁性）Ni $^{2+}$掺杂剂，类似于出现在铜酸盐中的S=0 Zhang-Rice单线态。
2020-08-05 cond-mat.supr-con
Gutzwiller Magnetic Phase Diagram of the Cuprates
本文提出了一种分析二维材料磁不稳定性的一般构造性方法，并应用于哈伯德模型的Hartree-Fock HF+RPA和Gutzwiller近似GA+RPA计算。应用到铜酸盐，它被发现，竞争的磁相互作用是目前只为孔掺杂，半填充和范霍夫奇点之间。虽然HF+RPA的不稳定性存在于所有的掺杂（足够大的哈伯德U），在Gutzwiller近似，他们被限制到一个掺杂范围接近的范围内的相关性的物理铜酸盐。同样的模型也适用于电荷不稳定性，除了相互作用更可能是q依赖的。
2012-07-23 cond-mat.supr-con
Magnetic neutron scattering in hole doped cuprate superconductors
本文综述了用中子散射法测量空穴掺杂铜氧化物超导体的静态和动态磁性的研究进展。对单层La_{2-x}（Sr，Ba）_{x} CuO_{4}和双层YBa_{2} Cu_{3} O_{6+x}铜酸盐进行了大量的实验研究。在零空穴掺杂下，这两类材料都是具有J > 100 meV的大超交换常数的反铁磁绝缘体。对于增加空穴掺杂，铜氧化物在x_{c} =0.055的临界空穴浓度下变为超导。在中子束源的新仪器的发展，加上材料的改进，导致更好地了解这些材料和潜在的自旋动力学在广泛的空穴掺杂。我们将描述自旋色散如何在绝缘到超导边界之间变化，以及与超导性直接耦合的静态磁性。实验直接探测竞争的磁性和超导序参量，包括磁场，杂质掺杂，和结构顺序将被检查。超导性和磁性之间的关系也将被讨论。
2006-04-28 cond-mat.supr-con
Doping and temperature dependence of electronic Raman response in cuprate superconductors
在t-J模型的动能驱动超导机制框架下，研究了铜氧化物超导体中电子喇曼响应的掺杂和温度依赖性。结果表明，在低能位移时，B_{1g}对称性的温度依赖性耗尽比B_{2g}对称性的温度依赖性耗尽快。与掺杂相关的超导转变温度的圆顶形状类似，在欠掺杂区，B_{2g}沟道中的对断裂峰值能量随着掺杂的增加而增加，在最佳掺杂区达到最大值，然后在过掺杂区减小.此外，总体库珀对密度随着欠掺杂区域中的掺杂增加而增加。
2010-11-03 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Long-Range Coulomb Effect on the Antiferromagnetism in Electron-doped Cuprates
用平均场论解释了电子掺杂铜氧化物反铁磁性的长程库仑效应。由于库仑交换效应，有效次近邻跳跃参数的大小随着电子掺杂浓度的增加而明显增加，提高了反铁磁有序的挫折。本文的考虑可以合理地解释电子掺杂铜氧化物Nd $_{2-x}$ Ce $_x$ CuO $_4$的费米面演化以及反铁磁赝能隙起始温度与掺杂的关系。
2005-07-20 cond-mat.supr-con
Magic doping: From the localized hole-pair to the checkerboard patterns
大量的实验表明，空穴掺杂铜氧化物的超导电性在所谓的魔掺杂分数处被强烈抑制。尽管作出了巨大的研究努力，但“神奇兴奋剂”的起源仍然是个谜。最近，我们发展了一个高温超导的实空间理论，它揭示了局域库珀对和局域空穴对之间的内在联系（arXiv：1007.3536）。在这里，我们报告说，该理论可以自然地解释出现的非超导棋盘相和魔术掺杂问题的空穴掺杂铜酸盐超导体。它清楚地表明，在铜酸盐家族中仅存在七个“幻数”，分别为$x=$ 1/18、1/16、2/25、1/9、1/8、2/9和1/4，其棋盘图案分别为6a*6a、4a*4a、5a*5a、3a*3a、4a*4a、3a*3a和2a*2a。此外，我们的框架直接导致一个令人满意的解释最近的发现[M。J. Lawler等人，Nature 466，347（2010）]中描述了空穴掺杂的铜酸盐超导体中的每个氧化铜单元内的对称性破坏。这些发现可能为超导机制提供新的线索。
2010-08-04 cond-mat.supr-con
The mechanism of doping and the features of phase diagrams of HTSC cuprates and ferropnictides
我们提出了一个普遍的模型，在高温超导铜酸盐和铁磷属化合物掺杂下的电子结构修改。在该模型中，掺杂的作用仅在于由于形成三价铁离子复合物而使铜酸盐和磷铁族化合物的母相的电子结构发生局部变化，所述三价铁离子复合物包括位于晶胞中的掺杂载流子和围绕其的电荷转移（CT）激子，这些CT激子出现在CuO 2或FeAs基面中的CuO 4或AsFe 4片晶中（CT斑）的影响下，掺杂的载体，限制其巡回。随着掺杂剂浓度的增加，CT斑块结合成所谓的CT相的簇。在模型中与HTSC相相关的正是该CT相。为了支持这一假设，我们确定了符合CT相的渗流簇的存在的掺杂剂浓度的范围;这些范围被证明与这些化合物的相图上的超导圆顶的位置相一致。该模型还完美地描述了各种铜酸盐和铁磷族化合物的相图的微妙特征，包括1/8异常，在伦敦渗透深度对掺杂剂浓度的依赖性中的窄峰，以及其他具体特征。被认为是在CT阶段，由本征自掺杂提供的自由载流子的产生的机制。该机制是不直接相关的外部掺杂，但由于带电子与所谓的Heitler-London（HL）中心固有地存在于CT相的渗滤集群中，并表示在CuO 2或FeAs基面的相邻的CuO 4或AsFe 4 CT斑块对的相互作用。CT相的材料被证明是一种介质，在这种介质中，由带电子与HL中心的相互作用指定的激子超导机制可以实现。
2020-09-01 cond-mat.supr-con
Vortex core spectroscopy links pseudogap and Lifshitz critical point in a cuprate superconductor
University of Geneva（日内瓦大学）；Brookhaven National Laboratory（布鲁克海文国家实验室）
研究通过涡旋核心光谱揭示铜酸盐中超导与伪间隙及利夫希茨临界点之间的联系
2025-12-15 cond-mat.supr-con
Evidence of Doping-Dependent Pairing Symmetry in Cuprate Superconductors
扫描隧道光谱（STS）的研究揭示了长程空间均匀性和主要$d_{x^2-y^2}$ -配对的光谱特性，在下和最佳掺杂的$\rm YBa_2Cu_3O_{7-δ}$超导体，而STS对$\rm YBa_2(Cu_{0.9934}Zn_{0.0026}Mg_{0.004})_3O_{6.9}$表现出{ \it微观}空间调制和强散射附近的Zn或Mg杂质网站，连同全局抑制的配对电位。与此相反，在过掺杂的$\rm (Y_{0.7}Ca_{0.3})Ba_2Cu_3O_{7-δ}$，$(d_{x^2-y^2}+s)$配对对称性被发现，表明在超导基态在临界掺杂值的显着变化。
2001-08-15 cond-mat.supr-con
Asymmetry of Superconductivity in Hole- and Electron-doped Cuprates: Explanation within Two-Particle Self-Consistent Analysis for the Three-Band Model
在空穴掺杂的铜氧化物超导体中，超导转变温度$T_c$随掺杂率的变化呈现圆顶状特征。相比之下，最近的实验表明，电子掺杂系统中的$T_c$随着掺杂的减少而单调增加，至少直到非常小的掺杂率。在这里，我们表明，这种不对称性是通过执行一个两粒子自洽分析的CuO $_2$平面的三带模型再现。这被解释为包括Cu 3 $d$和O2 $p$轨道和带填充依赖的顶点校正的系统中的固有电子空穴不对称性的组合效应。
2015-10-30 cond-mat.supr-con
Failure of t-J models in describing doping evolution of spectral weight in x-ray scattering, optical and photoemission spectra of the cuprates
我们分析了实验证据的异常转移的光谱重量从高到低的能量尺度在电子和空穴掺杂的铜氧化物作为掺杂的功能。X射线散射，光学和光电子能谱都发现，高能量谱的重量减少，随着掺杂的速度比预测的大$U-$限制计算。然而，所观察到的掺杂演变是很好地描述了一个中间耦合的情况下，有效的哈伯德$U$是相当的带宽。各种光谱的实验光谱与固定的$U$精确对角化或量子Monte Carlo计算不一致，并表明铜酸盐中有效$U$的显著掺杂依赖性。
2010-11-09 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
New superconduting cuprates with no effective doping: T'-(La3+)2-x(RE3+)xCuO4
本文报道了用分子束外延法合成新型超导铜氧化物T'-La_（2-x）RExCuO_4（RE = Sm，Eu，Tb，Lu，Y）的研究结果。新的超导体没有有效的掺杂剂，至少名义上是这样。等价RE取代La的主要作用是稳定La_2CuO_4的T '相而不是T相。最大Tconset为~25 K，Tczero为~21 K。我们发现的关键是（1）通过低温（~650 C）薄膜工艺制备高结晶质量的La基T '薄膜;（2）通过T'-La 2-xRExCuO 4比其他T'-Ln 2 CuO 4具有更大的面内晶格常数（a 0）来实现在顶端位置更彻底地去除杂质氧（Ln = Pr，Nd，Sm，Eu，Gd）的大比表面积的薄膜。
2004-01-08 cond-mat.supr-con
Interface hole-doping in cuprate-titanate superlattices
用局域自旋密度近似（LSDA+U）方法研究了YBa $_2$ Cu $_3$ O $_6$与SrTiO $_3$界面的电子结构.我们发现金属状态的铜酸盐/钛酸盐异质结的空穴载流子集中在CuO $_2$ -层和第一界面TiO $_2$和SrO平面。这种有效的界面掺杂是由于界面的极性而出现的，这是由第一个不完整的氧化铜晶胞引起的。界面诱导的CuO $_2$ -层的高预掺杂是控制基于铜酸盐/钛酸盐超晶格实现的工程场效应器件的超导性质的关键机制。
2006-12-26 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Fermi surface reconstruction due to hidden rotating antiferromagnetism in n and p-type high-$T_C$ cuprates
在旋转反铁磁理论中计算的费米面在掺杂从p型变为n型时发生拓扑变化，与n型铜酸盐Nd $_{2-x}$ Ce $_x$ CuO $_4$和p型La $_{2-x}$ Sr $_x$ CuO $_4$的实验数据定性一致。此外，在实验中观察到的费米表面的重建接近p型铜酸盐的最佳做法，并略高于这种n型高- $T_C$铜酸盐的过掺杂制度中的最佳掺杂，这在该理论中得到了很好的解释，并且是旋转反铁磁性消失引起的量子临界性的结果。目前的结果是在定性协议与最近观察到的量子振荡在一些高$T_C$铜酸盐的费米面的大小的变化，掺杂的演变和其重建的位置。本文介绍了旋转反铁磁理论在n型材料电子结构研究中的应用。
2013-05-21 cond-mat.supr-con
Doping dependence of Meissner effect in cuprate superconductors
基于动能驱动的超导机制，在t-t '-J模型下研究了铜氧化物超导体中迈斯纳效应的掺杂依赖性.根据线性响应理论，证明了超导体的电磁响应由反磁电流和顺磁电流两部分组成，从而精确地抵消了正常状态下的反磁项，并由此得到了超导体在整个超导穹顶内的$T\leq T_{c}$温度下的迈斯纳效应。通过考虑二维几何形状的铜氧化物超导体内的镜面反射模型，掺杂和温度依赖的局部磁场分布，磁场穿透深度的主要特征，以及观察到的超流密度的铜氧化物超导体被很好地再现。特别是，它表明，在类似的圆顶形状的掺杂依赖的超导转变温度，最大的超流密度发生在附近的临界掺杂$δ\approx 0.195$，然后降低在低掺杂和高掺杂制度。
2010-08-09 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Spatially Selective and Reversible Doping Control in Cuprate Films
我们描述了一种可逆的，空间控制的铜氧化物薄膜掺杂方法。该技术已被用于创建超导体-反铁磁绝缘体-超导体（S-AFI-S）结和最佳掺杂超导体-欠掺杂超导体-最佳掺杂超导体（OS-US-OS）铜酸盐结构。我们演示了如何S-AFI-S结构可以用来可靠地测量在低温下使用超导体作为无缝电引线的反铁磁绝缘体区域的输运性质。我们还讨论了应用和基本的问题，可以解决与这种掺杂方法创建的结构。虽然在本工作中它是在铜氧化物膜（YBa 2Cu 3 O 7-δ）上实施的，但是该方法也可以应用于其物理性质由氧含量决定的任何混合价过渡金属氧化物。
2005-08-10 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Three energy scales in the superconducting state of hole-doped cuprates detected by electronic Raman scattering
我们通过电子拉曼散射研究了Bi-2212单晶的超导态。我们发现三个不同的能量尺度在A1 g，B1 g和B2 g对称性，表现出三种不同的掺杂依赖性。在p=0.22以上，三种能量合并，在p=0.12以下，A1 g尺度不再可检测，而B1 g和B2 g尺度在能量上变得恒定。在这两者之间，A1 g和B1 g尺度随着欠掺杂而单调增加，而B2 g尺度在p=0.16处表现出最大值。这三个超导能级是空穴掺杂铜氧化物的普遍特征。我们建议，非平凡的掺杂依赖的三个尺度起源于费米表面拓扑结构的变化，并揭示了竞争秩序内的超导圆顶。
2015-10-09 cond-mat.supr-con
Doping dependence of the electron-doped cuprate superconductors from the antiferromagnetic properties of the Hubbard model
利用Kotliar-Ruckenstein从玻色子方法研究了电子掺杂铜氧化物超导体的$t$ - $t'$-$t''$ - $U$模型的反铁磁性质.由于包含自旋涨落的AF阶随掺杂的降低比Hartree-Fock理论中获得的快得多。在中间{ \it常数} $U$下，计算的光谱强度的掺杂演变令人满意地再现了实验结果，而不需要如前所述的强烈掺杂依赖的$U$。这可能会调和在最近的研究中提出的光电发射和光电导率的差异。
2005-07-25 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Nonlinear Doping of Cuprate Superconductors -- The case of Bi_2Sr_{2-x}La_xCuO_{6+δ}
分析了Sr_{2-x} La_ xCuO_{6+δ}（BSLCO）的空穴掺杂机制.发现x=0.35附近的奇异最优值与掺杂CuO_2层和其掺杂剂反应物[La^{3+}/Bi^{3+}-O_δ]之间的反馈有关，该反馈将掺杂空穴的数量优先锁定在普适最优值n_opt=0.16上。
2010-12-01 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Lifshitz Transition in Underdoped Cuprates
最近的研究表明，在YBa_2Cu_3O_6 +y的掺杂临界值处，被认为与密度波重构费米面有关的量子振荡消失，回旋质量随着从高掺杂一侧接近临界值而发散。我们认为，这种现象是由于一个Lifshitz过渡的口袋引起的量子振荡连接，形成一个开放的（准一维）费米面。估计的临界掺杂接近实验发现的，和理论预测的回旋质量的对数发散的系数在实验中观察到的。
2010-04-01 cond-mat.supr-con
