The influence of correlated hopping on valence and metal-insulator transitions in the Falicov-Kimball model
小集团精确对角化计算的外推被用来研究一维Falicov-Kimball模型中关联跳跃对价态和金属-绝缘体跃迁的影响。它示出的基态相图，以及图片的价和金属-绝缘体的转变，发现为传统的Falicov-Kimball模型（无相关跳跃）强烈改变时，相关跳跃项被添加。关联跳变效应非常强，即使在半满带的情况下也能引起绝缘体-金属跃迁。
1999-08-06 cond-mat.str-el
Theoretical study of X-ray absorption of three-dimensional topological insulator $\mathrm{Bi}_2\mathrm{Se}_3$
研究了典型拓扑绝缘体$\mathrm{Bi}_2\mathrm{Se}_3$的X射线吸收边奇异性。导出了X射线边缘奇异性的广义Nozières型和Dominique型积分方程，并进行了求解。表面状态的自旋织构导致依赖于自旋织构的螺旋度的奇异性分量。它还产生了另一个不存在激子过程奇异性的分量。
2011-05-24 cond-mat.str-el
Chern-Textured Exciton Insulators with Valley Spiral Order in Moiré Materials
Rudolf Peierls Centre for Theoretical Physics（鲁道夫·皮尔斯理论物理中心）；Princeton Center for Theoretical Science, Princeton University（普林斯顿大学理论科学中心）；Department of Physics, University of Zurich（苏黎世大学物理系）；Department of Physics, Ghent University（根特大学物理系）
研究发现莫尔材料中存在一种新的区间谷相干关联绝缘态——陈纹理绝缘体，该态通过带拓扑性强制谷序参数在动量空间中形成纹理，通过Hartree-Fock研究证实其在某些缺乏二重旋转对称性的莫尔系统中作为能量竞争的中间耦合基态出现。
2024-06-21 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Correlated Topological Insulators with Mixed Valence
提出了局域密度近似（LDA）+Gutzwiller方法结合格林函数方案，从第一性原理出发研究关联材料的拓扑物理。将该方法应用于典型的混合价材料SmB 6，发现了其非平凡的Z2拓扑结构，表明SmB 6是一个强关联的拓扑绝缘体（TI）.这种化合物的独特之处在于它的表面态包含三个狄拉克锥，与大多数已知的TI相反。
2013-01-26 cond-mat.str-el
Excitonic insulators as a model of $d-d$ and Mott transitions in strongly correlated materials
我们展示了如何强烈相关的材料可以描述的激子绝缘体形式主义的框架内，并描绘带间和带内有序现象之间的关系。我们的激子微观模型阐明了Van-Hove奇异嵌套在驱动带间和带内有序跃迁中的基本作用，并揭示了与共振价键物理的有趣联系。
2018-02-20 cond-mat.str-el
Coupled Spin-Orbital Texture in a Prototypical Topological Insulator
拓扑绝缘体（TI）最重要的性质之一是Dirac表面态的螺旋自旋织构，理论和实验都证明了其在Dirac点以上是左手螺旋，在Dirac点以下是右手螺旋。然而，由于自旋在这些强自旋轨道耦合系统中并不是一个好的量子数，这不能是一个完整的陈述，我们必须考虑总角动量J = L + S，它是自旋项和轨道项的贡献。使用轨道和自旋分辨角分辨光电子能谱（ARPES）的组合，我们显示了不同的轨道和自旋组件之间的直接联系，与“向后”自旋纹理直接观察到的面内轨道状态的Bi2Se3。
2012-11-26 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Textured Exciton Insulators
Princeton University（普林斯顿大学）；University of Zurich（苏黎世大学）；Max Planck Institute for the Physics of Complex Systems（马克斯·普朗克复杂系统物理研究所）；Ghent University（根特大学）
研究时间反演对称带结构中因局部化态形成受阻而出现的新相互作用拓扑态，提出纹理激发子绝缘体并展示其拓扑特性及在双层和三重层魔角石墨烯中的实现。
2024-06-21 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Insulator-metal-insulator transition and selective spectral weight transfer in a disordered strongly correlated system
研究了具有对角合金无序的哈伯德模型在有限温度下的金属绝缘体相变。我们用无交叉近似求解动力学平均场论方程，用相干势近似处理无序。给出了不同关联强度$U$和无序度下的激发谱。当$U$增加时，在整数填充值处观察到两个连续的金属绝缘体转变。一个重要的光谱权重的选择性转移出现在掺杂。详细研究了温度对低能动力学的影响。
2005-12-29 cond-mat.str-el
Textured electronic states of the triangular lattice Hubbard model and Na$_x$CoO$_2$
我们发现，在三角晶格哈伯德模型的几何挫折和强关联导致一个丰富的和新颖的相位结构的$\sqrt{3}\times\sqrt{3}$自旋电荷织构的电子态在一个广泛的区域的电子掺杂$0\le x \le 0.40$。除了半填充时的120 $^\circ$ Néel有序绝缘体外，我们还在$x=1/3$处发现了一种新的自旋电荷有序绝缘体，其下的无阻挫蜂窝晶格上具有共线反铁磁（AF）有序。分离的两个绝缘相之间的非共线AF有序金属和一个共存的电荷秩序的Lifshitz过渡。我们得到的相图和费米面（FS）的演变。值得注意的是，相关的基态附近的$x=1/3$出现作为掺杂的“1/3 AF绝缘体”的过剩载流子，导致电子和空穴FS口袋的钴酸盐超导态的重要影响。
2014-11-03 cond-mat.str-el
Correlated Insulators in Twisted Bilayer Graphene
在石墨烯双层上的实验，其中顶层相对于下面的一层旋转，当莫尔带被部分填充时，显示出绝缘行为。我们计算了这些相位中的电荷分布，并估计了激发能隙。
2021-01-18 cond-mat.str-el
The Generalized Gutzwiller Method for n=>2 Correlated Bands: First Order Metal-Insulator Transitions
我们将Gutzwiller方法推广到n=>2关联带的情形，并报道了一个具有Hund规则型在位相互作用的简并双带模型的研究结果。在半带填充的金属-绝缘体转变通常是一阶的。
1996-11-07 cond-mat.str-el
Metal-insulator transition in a strongly-correlated two-dimensional electron system
本文讨论了强相互作用二维电子系统中金属-绝缘体相变及相关现象的实验结果。特别注意的是最近的结果，强烈增强的自旋磁化率，有效质量，和热电势在低无序硅MOSFET。
2016-11-17 cond-mat.str-el
Metal-Insulator and Superconductor-Insulator Transitions in Correlated Electron Systems
通过控制填充在二维正方形晶格中的Mott绝缘体和金属之间的量子跃迁的特征在于大的动力学指数$z=4$，其中莫特绝缘体附近的不寻常的金属性质的起源归因于跃迁的接近。跃迁附近的标度表明，由于单粒子重整化的奇异动量依赖性，形成了平坦的色散区。平坦色散控制了莫特转变的关键特性。讨论了平坦色散对d波超导序的不稳定性。我们还讨论了Mott过渡的情况下，与轨道简并的Mn钙钛矿化合物的模型，其中轨道相关长度显示临界发散向金属-绝缘体过渡。
1998-08-05 cond-mat.str-el
Plutonium hexaboride is a correlated topological insulator
我们预测六硼化钚（PuB 6）是一种强相关的拓扑绝缘体，Pu处于中间价态Pu ^[2.7 +]。在动力学平均场论和密度泛函理论的结合下，我们证明了PuB 6是体相绝缘体，具有非平凡的Z2拓扑不变量.它的金属表面态在X狄拉克锥处有大的费米口袋，导致大的表面热导率。PuB6还具有非常高的熔化温度，因此它具有理想的核燃料材料固态特性。
2013-08-19 cond-mat.str-el
Metal-Insulator Transition in a Generalized Hubbard Model with Correlated Hopping at Half-Filling
本文研究了半填充零温下具有关联跃迁的广义哈伯德模型中的金属-绝缘体相变。计算了电子系统的单粒子格林函数和能谱。得到了能隙宽度和极性态（空穴或双光子）浓度的表达式。找到了金属态和绝缘态的条件。
1998-11-16 cond-mat.str-el
Ultrafast metal-to-insulator switching in a strongly correlated system
光操纵固体中的相关电子相提供了实现在超快时间尺度下操作的电子器件的诱人前景。在这种情况下，从金属到能带或莫特绝缘体的非平衡跃迁的实验实现已被证明是特别难以捉摸的。利用动力学平均场论，我们研究了富氧化合物LaTiO $_{3+x}$主要物理性质的一个简单模型。通过适当优化的光掺杂的电子从一个低能带的价态的系统，我们表明，它是可能的诱导价跃迁从相关的金属态的莫特绝缘体在超短的时间尺度，并包含在此过程中的加热，与最终的非热价绝缘体具有几乎相同的有效温度的起始金属。
2021-04-08 cond-mat.str-el
Ground-State Degeneracy of Correlated Insulators with Edges
利用拓扑磁通插入方法，我们发现填充因子为$ν=p/q$的周期晶格上绝缘体的基态简并度至少是$q$倍.应用相同的参数在一个晶格的边缘，我们表明，退化修改的额外的边缘密度$ν_{\mysw{E}}$与开放的边界。特别是，我们证明，这些边缘校正甚至可能使绝缘体与整数体填充退化。
2004-09-28 cond-mat.str-el
Charge and spin fractionalization in strongly correlated topological insulators
我们构造了一个有效的拓扑Landau-Ginzburg理论来描述二维空间中强关联粒子的一般SU（2）不可压缩量子液体。该理论刻画了准粒子量子数的分数化和与拓扑基态对称性有关的统计，并将Chern-Simons、BF和分级有效规范理论推广到SU（2）对称群的任意表示。我们的主要焦点是具有时间反转对称性的分数拓扑绝缘体，它被视为SU（2）量子霍尔效应的推广。
2013-08-20 cond-mat.str-el
Correlated electrons in a Crystalline Topological insulator
通过在单粒子哈密顿量中加入在位排斥和用集团微扰理论求解多体问题，研究了三维晶体拓扑绝缘体中的e-e相互作用效应.我们的目标是澄清有多少身体效果修改源于晶体对称性的拓扑相位。调整的现场相互作用的强度，我们表明，带反转消失在体和表面状态松散的金属字符。
2020-12-08 cond-mat.str-el
Metal-insulator transition and magnetism in correlated band insulator: FeSi and Fe$_{1-x}$Co$_{x}$Si
本文采用LDA+DMFT（局域密度近似结合动力学平均场论）计算方法研究了FeSi和Fe $_{1-x}$ Co $_{x}$ Si的光谱和磁性.通过对不同模型的比较，我们得出结论：与近藤绝缘体模型相反，相关带绝缘体模型与FeSi的能带结构以及实验数据一致。库仑关联效应导致费米能级附近态的能带变窄，质量重整化参数为$m^*\approx 2$，与角分辨光电子能谱（ARPES）的结果一致。在DMFT中计算的谱函数和磁化率的温度依赖性再现了实验观察到的局部磁矩从半导体到金属的转变。钴掺杂导致铁磁性，具有巡回性质，可以成功地描述LDA+DMFT方法。
2009-05-22 cond-mat.str-el
Tailoring the electronic texture of a topological insulator via its surface orientation
三维拓扑绝缘体晶体由金属表面包围的绝缘体块组成，并且可以获得关于表面态能带拓扑和自旋织构的详细理论预测。虽然目前已知几种拓扑绝缘体材料，但这些金属状态的存在和拓扑结构仅针对给定材料的一个特定表面取向进行过探索。对于大多数拓扑绝缘体，例如Bi $_{1-x}$ Sb $_{x}$和Bi $_2$ Se $_3$，该表面是密排（111）表面，并且它支持一个拓扑保证的表面态狄拉克锥。在这里，我们通过实验实现了一个非密排表面的拓扑绝缘体，Bi $_{1-x}$ Sb $_{x}$（110），和探测的表面态拓扑结构的角分辨光电发射。正如预期的那样，这个表面也支持金属态，但表面取向的变化大大改变了能带拓扑结构，导致三个狄拉克锥，而不是一个，与理论预测非常一致，但与任何其他实验研究的TI表面相反。这说明了通过其晶体学方向来定制表面的基本拓扑性质的可能性。在这里，它引入了一个谷自由度以前没有实现的拓扑绝缘体系统。
2013-02-02 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Thermodynamic and topological phase diagrams of correlated topological insulators
给出了密度矩阵拓扑相的定义。将非相互作用和相互作用系统的拓扑不变量推广到非零温度。研究了有限温度下电子相互作用对拓扑绝缘体的影响。关联拓扑绝缘体由Kane-Mele模型描述，该模型由Falicov-Kimball型相互作用项扩展。在Hartree-Fock和Hubbard I近似下，确定了热力学和拓扑相图，其中包含了长程序。结果表明，关联效应对非平凡拓扑相的存在有很强的抑制作用。在均匀相，我们发现一个纯粹的相关驱动的相变到拓扑平凡的莫特绝缘体。
2015-07-25 cond-mat.str-el
Spin-Orbital Entangled Excitonic Insulators in $(t_{2g})^4$ Correlated Electron Systems
利用多轨道动力学平均场论研究了具有相对论自旋轨道耦合（SOC）的三轨道哈伯德模型的基态。我们证明了强电子关联和SOC之间的相互作用诱导了Van Vleck型的磁绝缘体及其磁激子凝聚。我们还发现，在适度的电子相关制度的SOC诱导另一种类型的非线性激子绝缘体，除了相对论带绝缘体。这些绝缘体的特征表现在动量分辨单粒子激发中，因此可以通过角分辨光电子能谱实验来实现。
2016-03-06 cond-mat.str-el
Photo-excited states in correlated band insulators
利用离子哈伯德模型的非平衡动力学平均场论，研究了关联带绝缘体的光激发动力学。我们发现两种不同的行为，取决于现场相互作用$U$和裸带隙$Δ$的比例。对于小的相互作用，弛豫的特征在于在相对刚性的带中的带内载流子散射，导致具有单独的电子和空穴的热分布的非热中间态。这种行为可以被看作是典型的带绝缘体与弱相互作用。对于较大的相互作用，另一方面，我们观察到一个强烈的修改的电子光谱和填充光激发后的间隙，随着系统的快速热化。因此，这两种行为提供了相关带绝缘体和带绝缘体的动力学区别，即使当两个系统的光谱在平衡状态下相似时，这两个系统也可以不同。当相互作用$U$与$Δ$相当时，发生交叉。
2018-02-15 cond-mat.str-el
Gossamer Superconductor, Mott Insulator, and Resonating Valence Bond State in Correlated Electron Systems
本文将Gutzwiller变分法应用于一个有效的二维哈伯德模型，研究了Laughlin最近提出的薄纱超导体。在半满电子密度下，对于较小的格点内库仑排斥U，基态为薄纱超导体，而对于较大的U，基态为莫特绝缘体。薄纱超导态与共振价键超导态相似，只是化学势近似钉扎在两个哈伯德带的中间，远离半满。
2002-09-11 cond-mat.str-el
Field-driven Mott gap collapse and resistive switch in correlated insulators
莫特绝缘体可以被描述为“不成功的金属”：在这种系统中，尽管传导电子的密度与金属相似，但强烈的库仑排斥力阻止了电荷传导。用电场解开如此大密度的冷冻载体的可能性为实现新的基于莫特的微电子器件提供了诱人的机会。在这里，我们明确揭示了如何解锁发生解决一个简单的，但通用的，相关绝缘体模型，使用动态平均场论。具体而言，我们表明，一个莫特绝缘体的电击穿可以发生通过一阶绝缘体到金属的过渡，其特征在于一个突然的间隙崩溃的齐纳隧道机制形成鲜明对比。电荷传导的接通是由于金属相的能量稳定化，该金属相在平衡时作为亚稳态预先存在并且与稳定绝缘体断开。我们的发现合理化了最近的实验观察，并为未来的技术研究提供了指导。
2016-10-21 cond-mat.str-el
Chiral Spin Liquid in Correlated Topological Insulator
本文利用从转子方法研究了自旋旋转对称蜂窝晶格上的拓扑哈伯德模型--具有在位相互作用的自旋Halflion模型，发现在中间耦合区的关联电子系统中存在手征自旋液体.通过考虑任意子激发的性质，手征自旋液体可能是拓扑哈伯德模型的基态。低能物理基本上是由它的Chern-Simons规范理论决定的。
2010-12-03 cond-mat.str-el
Non-linear excitations in 1D correlated insulators
本文利用半经典和微扰重整化群方法研究了一维绝缘体中的电荷输运。我们考虑了电子-电子、电子-声子和电子-二能级系统的相互作用问题。我们发现，非线性集体模式，如极化子和孤子是负责的输运。我们在莫特绝缘体中发现了一种新的激发：极化子孤子。我们讨论了能带绝缘体和莫特绝缘体在自旋谱方面的差异，并得到了它们各自的电荷和自旋能隙。我们发现，电子-电子相互作用提供了强大的重整化的能量尺度的问题。
2001-05-13 cond-mat.str-el
Dynamical mean-field theory of electron-phonon interaction in correlated electron materials: general results and application to doped Mott insulators
动力学平均场方法是用来制定一个计算上容易处理的理论，电子-声子相互作用的系统中的任意本地电子-电子相互作用的物理相关的绝热限制的声子频率小相比，电子带宽或相互作用的规模。作为应用，测定了轻掺杂莫特绝缘体中声子对载流子有效质量的贡献，并讨论了相分离边界。
2002-05-09 cond-mat.str-el
Metal-insulator transition in correlated two-dimensional systems with disorder
实验证据的金属-绝缘体转变（MIT）在二维（2D）的可能的普适性类进行了讨论。特别是，足够强的无序改变了过渡的性质。电荷动力学的全面研究也进行了审查，描述的证据表明，MIT在硅中的二维电子系统应被视为库仑玻璃的熔化。新的2D材料和准2D强关联系统，如铜酸盐的最新结果进行了比较。
2016-03-21 cond-mat.str-el
Electric polarization in correlated insulators
我们推导出相互作用绝缘体的电极化的强度的公式，表示在全格林函数和顶点函数。我们将这种方法推广到用动力学平均场论处理的半满离子哈伯德模型中。相关带绝缘体的电极化的强度由离子性和共价性的相互作用决定，并且这两个量由电子-电子相互作用重整化。我们引入准粒子近似的精确方程的极化，并比较这种近似的结果与精确的DMFT制定和静态平均场论，如LDA+ U。后者高估了电子贡献的电极化的强度时，准粒子的重量的活性带是非常小的。
2013-10-11 cond-mat.str-el
Thermoelectric properties of Mott insulator with correlated hopping at microdoping
讨论了Falicov-Kimball模型中轻掺杂莫特绝缘体相的关联跳跃引起的巡游电子局域化对电荷和热输运的影响.强烈减少跳跃幅度的情况下，当一个额外的频带的本地化的d-电子状态可能会出现在DOS的莫特间隙中的网站与占用的f-电子水平之间，被认为是。由于电子-空穴的不对称性以及关联跳跃引起的DOS和输运函数的异常特征，在低温下观察到Seebeck系数的强烈增强，当在很宽的温度范围内显示平坦的依赖性时。
2020-03-04 cond-mat.str-el
Exciton condensation in strongly correlated quantum spin Hall insulators
本文利用动力学平均场理论研究了强关联量子自旋霍尔绝缘体，发现中等耦合下发生一级激子凝聚相变进入非拓扑磁电绝缘体，并揭示了莫特局域化与螺旋边缘态的演化规律。
2022-12-12 cond-mat.str-el
Direct Measurement of the Out-of-Plane Spin Texture in the Dirac Cone Surface State of a Topological Insulator
我们已经进行了自旋和角度分辨的光电子能谱的Bi 2 Te 3和提出的第一个直接证据的存在的面外自旋分量的表面状态的拓扑绝缘体。我们发现，六方变形的费米面（FS）的Bi2Te3的面外自旋极化的幅度达到最大的25%的面内对应，而这样一个相当大的面外自旋分量不存在于更圆的FS的TlBiSe 2，表明六方变形的FS是负责偏离理想的螺旋自旋织构。观察到的面外极化比现有理论预期的要小得多，这表明正确理解Bi2Te3中的表面自旋极化需要额外的成分。
2011-05-26 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Composite Spin Liquid in Correlated Topological Insulator - Spin Liquid without Spin-Charge Separation
本文发现了一种新型的绝缘体-复合自旋液体，它可以看作是一种短程B型拓扑自旋密度波。复合自旋液体超越了传统自旋液体的分类，是一种拓扑有序的状态。基元激发是既有自旋自由度又有电荷自由度的“复合电子”，具有拓扑自旋织构。这种拓扑状态支持手征边缘模式，但没有拓扑简并。
2012-04-20 cond-mat.str-el
Angle-resolved Photoemission Spectroscopy Study on the Surface States of the Correlated Topological Insulator YbB6
我们报告的电子结构的Yb B 6，最近预测的适度相关的拓扑绝缘体，测量角分辨光电子能谱。我们直接观察到在时间反演不变动量Γ和X周围的线性色散带，其kz依赖性可以忽略不计，这与Z2拓扑绝缘体中穿过费米能级的奇数个表面态一致。圆二色性光电子能谱表明，这些在间隙状态具有手性的轨道角动量，这是相关的手征自旋纹理，进一步表明其拓扑性质。YbB6的绝缘带隙约为100 meV，比理论计算值大。我们的研究结果提供了强有力的证据，YbB 6是一个相关的拓扑绝缘体，并提供了基础，为进一步研究这种有前途的材料。
2014-04-24 cond-mat.str-el
Tuning topological spin textures in size-tailored chiral magnet insulator particles
拓扑自旋纹理，如skyrmions持有高潜力的磁活性元素在不久的将来的各种应用。虽然金属多层膜中的skyrmions在这方面引起了极大的关注，但要释放skyrmions在各种应用中的无数潜力，需要发现和定制替代主机系统范例。在这里，我们开发和应用化学方法来合成八面体粒子的手性绝缘skyrmion主机Cu2OSeO3与窄的尺寸分布，并定制尺寸接近纳米级。结合磁力测量和中子散射实验与微磁模拟，我们表明，体积相图Cu2OSeO3的变化显着低于八面体高度为400 nm。进一步的颗粒大小相关的制度，其中各种拓扑自旋纹理，如skyrmions，merons和bobbers可以稳定，之前的一个较低的临界八面体高度约。190 nm以下，没有拓扑自旋织构被发现稳定。这些研究结果表明，条件下，稀疏拓扑自旋纹理限制手性磁性纳米粒子可以是稳定的，并提供新的潜在的绝缘体为基础的应用范例。
2022-06-21 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Quantitative Determination of the Critical Points of Mott Metal-Insulator Transition in Strongly Correlated Systems
本文利用动力学平均场理论研究Hubbard模型中的Mott相变，引入局部量子态保真度定量测定相变临界点，并一致描述了两种不同形式的Mott相变点。
2023-11-28 cond-mat.str-el
Doping a correlated band insulator: A new route to half metallic behaviour
我们在一个简单的模型中证明了令人惊讶的结果，即在掺杂的带绝缘体中打开现场库仑相互作用U导致形成半金属态。在未掺杂的系统中，我们表明，增加U导致一个顺磁性，带绝缘体和反铁磁性莫特绝缘体之间的一阶过渡在一个有限的值U_{AF}。在掺杂时，该系统在U_{AF}两侧的宽范围的掺杂和相互作用强度上表现出半金属亚铁磁性。我们的结果，基于动力学平均场论，提出了一种新的路线，半金属行为和自旋电子学的新材料的实验提供动力。
2013-07-10 cond-mat.str-el
4$f$ crystal field ground state of the strongly correlated topological insulator SmB$_6$
利用芯能级非共振非弹性X射线散射（NIXS）研究了强关联拓扑绝缘体SmB $_6$中4 $f$流形的晶体-电场基态.由更高的多极跃迁产生的散射函数的方向依赖性明确地确定了Sm $f^5$ $J$ = $5/2$配置的$Γ_8$四重态支配着基态对称性，从而支配着Sm $_6$的拓扑性质。我们的发现与迄今为止报道的密度泛函计算结果相矛盾。
2018-01-08 cond-mat.str-el
Metal-insulator transition in a doubly orbitally degenerate model with correlated hopping
本文提出了一个具有关联跳变的双轨道简并窄带模型。该模型的特点是考虑了电子-电子相互作用的矩阵元，该矩阵元描述了电子的位间跳跃。特别是，这导致有效跳跃积分的浓度依赖性。强和弱Hund耦合的情况下被认为是。在广义平均场近似下，计算了单粒子格林函数和准粒子能谱。在该模型中研究了不同整数电子浓度下的金属-绝缘体相变。利用所得到的能谱，我们确定了能隙宽度和金属-绝缘体转变判据。
2000-03-23 cond-mat.str-el
Spin Texture in Doped Mott Insulators with Spin-Orbit Coupling
注入莫特绝缘体的空穴将获得最近通过精确数值确定的内部结构，其特征在于非平凡的量子数，其性质在理解莫特物理学中具有核心重要性。在这项工作中，我们表明，与这样的内部自由度的自旋纹理可以明确体现后，自旋简并被提升的\emph{weak} Rashba自旋轨道耦合（SOC）。它是由一个紧急的角动量$J_{z}=\pm3/2$所示的精确对角化（ED）和变分蒙特卡罗（VMC）计算，这是在一个有限的大小彼此很好的协议。特别是，作为内部结构，这种自旋织构通常存在于空穴复合物中，即使在高激发能量下，使得在布里渊区内部延伸的动量空间中的相应织构可以通过自旋偏振角分辨光电子能谱（ARPES）直接探测。这与在SOC下的朗道准粒子相反，在朗道准粒子中，一旦激发能量大于弱SOC耦合强度，远离费米能，由SOC诱导的自旋织构将不被保护。我们指出，自旋织构由于SOC应单调增强1减少自旋自旋相关长度在超导/赝能隙相在有限掺杂。本文将简要讨论最近的自旋极化ARPES实验。
2022-02-14 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Electrical transport signatures of metallic surface state formation in the strongly-correlated insulator FeSb2
本研究通过局域/非局域电输运测量及磁输运角度旋转实验，发现强关联绝缘体FeSb₂在约5 K以下形成金属表面态，且该转变特征与拓扑近藤绝缘体候选材料SmB₆具有显著相似性。
2024-03-07 cond-mat.str-el
Photoinduced insulator-metal transition in correlated electrons -- a Floquet analysis with the dynamical mean-field theory
为了研究关联电子系统中观察到的光致绝缘体-金属跃迁，我们提出了一种新的理论方法，将交流驱动系统的Floquet矩阵方法与动力学平均场论相结合.该方法可以处理线性响应范围以外的非平衡稳态。我们将该方法应用于Falicov-Kimball模型与交流电场的耦合，数值计算得到了谱函数、非平衡分布函数和电流-电压特性。结果表明，强交流电场确实以非线性方式驱动Mott类绝缘态转变为光生金属态。
2009-07-06 cond-mat.str-el
Critical charge fluctuations and emergent coherence in a strongly correlated excitonic insulator
激子绝缘体是由束缚粒子-空穴对-激子的宏观布居形成的相干电子相。由于只有少数候选材料是已知的，集体激子行为是具有挑战性的观察，被晶格效应所掩盖。在这里，我们使用偏振分辨拉曼光谱，以揭示四极激子模式的候选人零间隙半导体Ta $_2$ NiSe $_5$解开它从晶格声子。激子模式在接近相变时明显软化，显示出其电子特性，而其与非临界晶格模式的耦合显示出提高转变温度。在冷却，我们观察到逐渐出现的相关绝缘体间隙边缘的带态的相干叠加，与平均场论预测的强烈偏离。我们的结果表明，实现了强关联激子态的平衡块体材料。
2021-05-26 cond-mat.str-el
Correlations in a band insulator
利用动力学平均场论研究了半填充时存在库仑排斥的共价带绝缘体模型。随着相互作用强度的增加，系统在低温下经历了从相关带状绝缘体到具有滞后行为的莫特绝缘体的不连续过渡。在绝缘体-绝缘体转变附近增加带状绝缘体中的温度，我们发现在升高的温度下到莫特绝缘体的交叉。值得注意的是，相关性降低了相关带绝缘体中的能隙。能隙重整化可以追溯到自能的低频行为，类似于费米液体中的准粒子重整化。虽然非关联带绝缘体的特征在于电荷和自旋激发的单个间隙，但自旋间隙小于关联系统中的电荷间隙。
2009-10-16 cond-mat.str-el
Theory of moiré magnetism and multi-domain spin textures in twisted Mott insulator - semimetal heterobilayers
该研究针对范德华异质结实验进展，通过推导有效自旋模型与蒙特卡洛模拟，探究莫特绝缘体-半金属莫尔超晶格的涌现磁性，揭示堆叠依赖的层间近藤作用对多畴磁有序的调控机制。
2024-03-27 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Visualizing Exotic Orbital Texture in the Single-Layer Mott Insulator 1T-TaSe2
Mott绝缘行为是由强电子关联引起的，并且可以导致物质的奇异状态，例如非常规超导性和量子自旋液体。范德瓦尔斯材料合成的最新进展使得在二维极限下探索新的Mott系统成为可能。在这里，我们报告的局部电子特性的单层和几层1 T-TaSe 2通过空间和动量分辨光谱，包括扫描隧道显微镜和角度分辨光电发射的表征。我们结合实验和理论研究表明，电子关联诱导一个强大的莫特绝缘体状态，在单层1 T-TaSe 2，伴随着新的轨道织构。夹杂物的层间耦合削弱了绝缘相在1 T-TaSe 2，看到的强烈减少其能隙和淬火的相关驱动的轨道纹理在双层和三层1 T-TaSe 2。我们的研究结果建立了单层1 T-TaSe 2作为一个有用的新平台，研究强关联物理在两个维度。
2019-05-16 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Competing Correlated Insulators in multi-orbital systems coupled to phonons
本文研究双轨道Hubbard模型中电子关联与Jahn-Teller声子耦合的竞争，发现Hund耦合主导时形成高自旋Mott绝缘体，声子主导时形成低自旋Mott-双极化子绝缘体，两相之间存在尖锐边界和折衷中间解。
2021-11-29 cond-mat.str-el
Antiferromagnetic topological insulator state in the correlated Bernevig-Hughes-Zhang model
本文采用变分集团方法研究了电子关联对Bernevig-Hughes-Zhang模型中拓扑相变的影响。我们计算了自旋陈数和局域磁矩，证明了拓扑非平凡反铁磁序的存在和磁跃迁的二级性质。进一步证明了在自旋量子化条件下，拓扑相变是由体带隙的闭合引起的。
2013-04-30 cond-mat.str-el
Inducing metal-insulator transition via disorder in correlated kagome systems
Beijing Normal University（北京师范大学）
本研究采用行列式量子蒙特卡罗方法，探究关联 kagome 系统中跳跃无序对金属-绝缘体转变的影响，揭示无序与电子关联的协同作用可诱导电子局域化，为相关实验控制提供了可行见解。
2026-08-19 cond-mat.str-el
Phonon-assisted insulator-metal transitions in correlated systems driven by doping
我们考虑了在强关联系统中，电子-声子相互作用如何影响掺杂驱动的绝缘体-金属跃迁。使用极化子版本的广义紧束缚方法，我们研究了一个多带二维模型，同时考虑到Holstein和Su-Schrieffer-Heeger类型的电子晶格的贡献。对于跳跃参数与声子场能量的绝热比，在较宽的电子-声子参数范围内观察到不同类型的能带结构演化。我们证明了过渡功能和系统的极化子和双极化子交叉，赝能隙行为的各种来源，轨道选择性，以及由于电子-声子相互作用的光谱重量的重新分配等属性之间的关系。
2021-05-26 cond-mat.str-el
Ferromagnetism and Antiferromagnetism of Correlated Topological Insulator with Flat Band
本文基于平均场方法和无规相位近似，研究了具有在位排斥库仑相互作用的拓扑平带蜂窝晶格上自旋Haldron模型的磁性.我们发现在半填充（或接近半填充）时反铁磁（AF）有序比铁磁（FM）有序更稳定;而远离半填充时相图变得复杂：在大掺杂时，由于能带结构的平坦性，FM有序比AF有序更稳定。特别地，我们发现在四分之一填充的情况下，系统成为一个Q=1的拓扑绝缘体，这是由FM阶诱导的。
2012-04-21 cond-mat.str-el
Unveiling Correlated Two-dimensional Topological Insulators through Fermionic Tensor Network States -- Classification, Edge Theories and Variational Wavefunctions
本文提出费米子张量网络态框架，通过张量方程、边缘理论与量子反常分类二维非手性拓扑绝缘体，并构造通用变分波函数。
2024-08-18 cond-mat.str-el
