Emergent interlayer magnetic order via strain-induced orthorhombic distortion in the 5d Mott insulator Sr2IrO4
本文报道了Sr_2IrO_4薄膜中的类La_2CuO_4层间反铁磁有序结构，并具有较大的正交畸变（> 1.5%）。在Sr 2 IrO 4/Ca 3Ru 2 O 7异质外延结构中的双轴晶格应变降低了Sr 2 IrO 4的晶体对称性，从四方晶系（C4）到正交晶系（C2），通过磁各向异性引导Ir 5d Jeff = 1/2赝自旋矩平行于拉长的b轴。从共振X射线散射实验中，我们观察到反铁磁秩序的正交Sr 2 IrO 4薄膜的层间堆叠模式是从四相Sr 2 IrO 4晶体反转。这种层间堆叠类似于正交晶系的La 2CuO 4，这意味着沿a和b方向的非对称层间交换相互作用超过了各向异性层间伪偶极相互作用。我们的研究结果表明，应变诱导的扭曲可以提供一个微妙的旋钮，通过唤起层间交换耦合和伪偶极相互作用之间的竞争，在准二维系统的长程磁序调谐。
2021-09-13 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Topological-Metal to Band-Insulator Transition in (Bi1-xInx)2Se3 Thin Films
通过对（Bi_（1-x）In_x）_2Se_3薄膜的输运和光电子发射测量，我们报道了该系统通过三个量子相变从拓扑非平凡金属转变为拓扑平凡带绝缘体.在x = 3- 7%时，存在从拓扑非平凡金属到平凡金属的过渡。在x = 15%时，金属变成可变范围跳跃绝缘体。最后，在x = 25%以上，系统变成真正的带状绝缘体，其电阻甚至在室温下也不可测量地大。这种材料提供了一个新的场所，研究拓扑可调的物理和无缝门控/隧穿绝缘体的设备。
2012-09-13 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Thermopower analysis of metal-insulator transition temperature modulations in vanadium dioxide thin films with lattice distortion
采用热电势法研究了晶格畸变可控的二氧化钒（VO 2）薄膜的绝缘体-金属（MI）相变。在（0001）a-Al_2 O_3、（11-20）a-Al_2 O_3和（001）TiO_2衬底上生长的具有不同晶体取向的VO_2外延膜显示出Seebeck系数（S）的绝对值从~200 μ V K-1显著降低到23 μ V K-1，同时由于从绝缘体到金属的转变，电阻率（ρ）急剧下降。在rho（Trho）和S（TS）的VO 2薄膜中观察到的MI转变温度系统地降低，在伪金红石结构沿c轴的晶格收缩，伴随着MI转变温度宽度的扩大。此外，绝缘相开始变成金属的起始TS远低于起始Trho。这种差异是由于S的灵敏度检测隐藏的金属域在大多数绝缘相，这不能检测到的ρ测量。因此，S-测量提供了一个简单的和优秀的方法，更深入地了解在VO 2的MI过渡过程。
2015-07-10 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Temperature and Voltage Driven Tunable Metal-Insulator Transition in Individual $W_{x}V_{1-x}O_{2}$ nanowires
传输测量结果在个别$W_{x}V_{1-x}O_{2}$纳米线与不同程度的$W$掺杂。在这些线中观察到突然的热驱动金属-绝缘体转变（MIT），并且转变温度以-（48-56）K/ $at.%W$的显著速率随着$W$含量的增加而降低，这表明体相图的显著改变。这些纳米线也可以通过电压驱动的MIT驱动，并研究了绝缘体到金属和金属到绝缘体开关的温度依赖性。当从绝缘体驱动到金属时，发生MIT的阈值电压遵循指数温度依赖性（$V_{TH\uparrow}\propto\exp(\nicefrac{-T}{T_{0}})) $），而从金属驱动到绝缘体时，阈值电压遵循$V_{TH\downarrow}\propto\sqrt{T_{c}-T}$，并讨论了这些结果的含义。
2010-12-12 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Orbital Insulators and Orbital Order-disorder Induced Metal-Insulator Transition in Transition-Metal Oxides
采用集团自洽场方法，在强关联区研究了轨道有序对过渡金属氧化物金属-绝缘体相变的影响。在单粒子激发谱中发现了绝缘能隙对轨道序参量的明显依赖性。热涨落驱动轨道有序-无序转变，减小能隙，导致金属-绝缘体转变。自旋和轨道之间的相互作用导致轨道绝缘体中轨道极化的不寻常的温度依赖性，这可以在共振X射线散射强度中看到。
2007-09-25 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Role of local structural distortions on the origin of j=1/2 pseudo-spin state in sodium iridate
Na_2IrO_3（NIO）是一种自旋轨道（SO）驱动的j=1/2赝自旋Mott-Hubbard（M-H）绝缘体。然而，赝自旋态的微观起源和局部结构畸变的作用还没有被清楚地理解。结合理论计算和X射线光谱，我们表明，费米能级（EF）附近的能量是由SO相互作用，电子相关和本地八面体扭曲。与先前的理解相反，这里我们证明了由于局域结构畸变，j=3/2和1/2赝自旋态具有t2 g和eg特征的混合物。局部八面体对称性的降低也使得能够在EF周围进行Ir 5d-O2 p杂化，从而导致具有增强的电荷转移特性的M-H绝缘体。斯莱特绝缘体相的可能性也排除了由室温下的DoS在价带光谱，计算的时刻和温度相关的磁化测量的组合的情况下。
2022-05-12 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Orbital order induced metal-insulator transition in (La,Ca)MnO3
我们提出的证据表明，在（La，Ca）MnO 3的绝缘体到金属的转变x~0.2附近的驱动抑制相干Jahn-Teller扭曲，源于d型轨道有序。轨道有序态的特征在于低于To*-o '的大的长程Q2畸变。以上To*-o'，我们发现的证据共存的轨道有序和无序状态。这种行为进行了讨论的轨道有序绝缘和轨道无序金属状态的电子相位。
2002-04-04 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Re-entrant insulator-metal-insulator transition at B=0 in a two dimensional hole gas
本文报道了在温度低至30 mK的GaAs中二维空穴气中B=0时的重入绝缘体-金属-绝缘体相变。在最低的载流子密度的空穴强烈本地化。随着载流子密度的增加，金属相形成，在σ= ~5e^2/h处有明显的转变。进一步增加密度会减弱金属行为，最终导致σ> ~ 50 e^2/h时的第二绝缘态的形成。在高载流子密度的极限下，当k_F.l大而r_s小时，我们恢复了以前弱相互作用系统在二维中不存在金属态的结果.
1998-08-11 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Dynamical disorder of spin-induced Jahn-Teller orbitals with the insulator-metal transition in cobaltates
利用弹性和非弹性中子散射研究了La（1-x）Sr（x）CoO 3（x=0-0.5）随x从绝缘体转变为铁磁金属（FMM）时的局域原子结构和晶格动力学的演化。我们的对密度函数分析表明，在顺磁绝缘（PMI）阶段的所有x，自旋激活的Co 3+离子诱导局部静态Jahn-Teller（JT）扭曲。JT晶格的尺寸几乎随x线性增加。然而，在FMM阶段，对于x <= 30%，不存在静态JT失真。这与窄的hw=22和24毫电子伏的声子谱中，我们认为是由于本地化的动态JT波动模式。当x > 30%时，由于电荷-晶格相互作用减弱，静态JT畸变随着声子模的展宽而再次出现。
2003-08-27 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Anisotropic magnetoresistance involves metal-insulator transition in single crystal La0.77Ca0.23MnO3
由于某些原因，这篇论文被撤回了
2008-04-03 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Anomalous metallic state in the vicinity of Metal to Valence Bond Solid insulator transition in LiVS2
我们调查LiVS 2和LiVSe 2与一个三角形的晶格作为巡回类似物的LiVO 2，已知的形成价键固体（VBS）状态的S = 1沮丧的磁铁。LiVS 2位于金属和相关绝缘体之间的边界，在Tc ~ 305 K冷却时显示出从顺磁性金属到VBS绝缘体的第一有序转变。在绝缘体-金属转变附近存在VBS态可能表明巡游在VBS态形成中的重要性。我们认为，高温金属相的LiVS 2有一个伪间隙，可能源于VBS波动。发现LiVSe 2在低至2K时是顺磁性金属。
2009-08-09 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Correlations induced orbital ordering and cooperative Jahn-Teller distortion in the paramagnetic insulator KCrF$_3$
我们研究了KCrF $_3$顺磁相轨道有序的起源。所有以前的研究描述的顺磁相的结构参数使用的化合物中的磁性排序。采用密度泛函理论和动力学平均场论相结合的方法（DFT+DMFT）对实际的顺磁性KCrF $_3$进行了模拟。结果发现，实验观察到的合作Jahn-Teller效应是成功地描述在晶格弛豫计算的结构没有任何长程磁有序。它是建立的，即使在未扭曲的钙钛矿结构中的轨道有序的存在清楚地证实了在KCrF $_3$的轨道有序的电子起源。
2016-02-18 cond-mat.str-el
Electric field-induced Skyrmion distortion and giant lattice rotation in the magnetoelectric insulator Cu2OSeO3
在Cu2OSeO3中，独特的Skyrmions是拓扑保护的磁自旋涡旋状物体，显示出磁电耦合，并且可以通过外部施加的电场（E）来操纵。在这里，我们探讨了电场耦合到磁电Skyrmion晶格相，并研究了使用中子散射的响应。巨大的电场引起的Skyrmion晶格的旋转，实现了跨越$\sim$ 25 $^{\circ}$的范围。支持计算表明，电场诱导的Skyrmion扭曲背后的晶格旋转。总的来说，我们提出了一种新的方法Skyrmion控制，使不使用由于电子或磁振子电流的自旋转移力矩。
2014-09-05 cond-mat.str-el
Three-dimensional Topological Insulators on the Pyrochlore Lattice
电子跳跃的网站上的三维烧绿石晶格示出形成拓扑非平凡的绝缘相时，自旋轨道（SO）耦合和晶格畸变。在16种可能的拓扑类中，9种是针对该模型中的各种参数实现的。具体地说，在半填充未畸变烧绿石晶格与SO项产生一个"原始的"强拓扑绝缘体与Z 2指数（1; 000）。在四分之一填充得到各种强和弱拓扑相提供SO耦合和单轴晶格畸变。我们的分析表明，许多非磁性绝缘热电偶应该是拓扑绝缘体。
2009-11-03 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Towards first-principles understanding of the metal-insulator transition in fluid alkali metals
通过将电子-离子相互作用视为第一性原理哈密顿量中的微扰，我们计算了流体碱金属的密度响应函数，发现了一种有趣的电荷不稳定性，这种电荷不稳定性是由于在液-气临界点以上的稀相流体中的某个有限波矢${\bi Q}$处发生的电子密度反常涨落引起的.由于$|{\bi Q}|$小于费米面的直径，这种不稳定性必然会阻碍导电，这意味着它与流体碱金属中的金属-绝缘体转变密切相关。
2008-07-09 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Universal Behaviour of Metal-Insulator Transitions in the p-SiGe System
磁电阻测量应变的p-SiGe量子阱样品的密度是通过B=0的金属-绝缘体过渡变化。证明了这种转变与高场霍尔绝缘体转变和填充因子$ν$ =3/2绝缘态之间的密切关系。
1999-06-17 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Detecting percolative metal-insulator transition in manganites by resistive relaxation
本文报道了La $_{0.9}$ Sr $_{0.1}$ MnO $_{3}$超导薄膜电阻率随时间变化的实验研究，旨在阐明金属-绝缘体转变和巨磁电阻CMR效应的内在机制。在温度或磁场的驱动下，金属-绝缘体转变的电阻弛豫速率有明显的符号变化。当在升高温度或降低磁场的条件下测量时，金属态的电阻率随时间增加，而绝缘态的电阻率随时间减小。这些弛豫过程表明，金属-绝缘体转变和相关的CMR是相分离和金属相渗透的直接结果。
2003-07-21 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Anisotropic Metal-Insulator Transition in Epitaxial Thin Films
由简单的多价金属制成的量子阱代表了掺杂的2D Mott-Hubbard绝缘体的新家族。扫描隧道显微镜实验表明，这些系统表现出各向异性形式的金属-绝缘体转变。它们的基元激发沿法向轴具有相干的类波性质，在面内表现出非相干的行为。这种各向异性相干性的发展很可能与定域和离域薄膜电子态之间的库仑相互作用-二维近藤屏蔽有关。
2003-11-04 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Metal-insulator transition in Ca_{1-x}Li_xPd_3O_4
用电荷输运测量方法研究了Ca_{1-x} Li_xPd_3O_4的金属-绝缘体转变。的电阻率，塞贝克系数，和霍尔系数的一致解释在一个简单的单波段图片，其中一个孔与适度增强的质量是巡回的三维。与理论预测[Phys.Rev.B62，13426（2000）]相反，CaPd_3O_4不可能是激子绝缘体，并且保持有限的载流子浓度低至4.2K。因此，该系统中的金属-绝缘体转变基本上是由局域化效应驱动的。
2003-09-13 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Spectral density and metal-insulator phase transition in Mott insulators within RDMFT
本文提出了一种用约化密度矩阵泛函理论计算周期固体谱的方法。这种方法是通过详细比较角动量投影谱密度与建立良好的多体技术，在所有情况下，找到一个很好的协议。研究了MnO中压力诱导绝缘体-金属相变的物理机制。这种转变的驱动机制被确定为增加晶体场分裂与压力，导致在Mn $e_g$和$t_2g$对称投影状态之间的电荷重新分配。
2012-06-08 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Recent developments in the field of the metal-insulator transition in two dimensions
本文综述了强关联二维电子系统中金属-绝缘体相变的最新研究进展。特别注意的是最近发现的滑动量子电子固体和相互作用引起的光谱平坦化的费米能级在高品质的硅基结构。
2019-03-19 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Metallic conduction, apparent metal-insulator transition and related phenomena in two-dimensional electron liquid
该讲座向读者介绍了强相互作用和无序的2D电子系统的物理学的相对年轻的领域，特别是在2D中的金属传导和明显的金属-绝缘体转变的现象。本文简要介绍了二维电子输运、磁输运、自旋磁化以及电子-电子相互作用效应的实验数据。
2004-05-14 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Electrically driven insulator-to-metal transition in a correlated insulator: Electronic mechanism and thermal description
本文利用非平衡动力学团簇近似研究二聚体-Hubbard模型，揭示电场可驱动金属-绝缘体和绝缘体-金属两种转变，并证明二者可通过有效温度统一描述，从而调和了过渡金属氧化物电阻开关起源的长期争论。
2023-05-24 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Competing Exotic Topological Insulator Phases in Transition Metal Oxides on the Pyrochlore Lattice with Distortion
在这项工作中，我们调查的相图重（4D和5D）过渡金属氧化物的烧绿石晶格，如那些形式$\mathrm{A_2M_2O_7}$，其中A是稀土元素和M是过渡金属元素。当这些能量尺度相当时，我们重点关注库仑相互作用、自旋轨道耦合和晶格畸变之间的竞争。强的自旋-轨道耦合使自旋和$t_{2g}$ $d$-轨道纠缠，产生双重态$j=1/2$和四重态$j=3/2$。与以前的工作集中在双重流形，我们还讨论了四重流形，这是相关的几个烧绿石氧化物。利用从转子平均场理论考虑了库仑相互作用，研究了进一步分裂四重态$j=3/2$流形能级的不同种类的晶格畸变.各种拓扑相预测，包括外来的强和弱拓扑莫特绝缘相。我们讨论了一般结构的相图的几个值的$d$壳填充和各种对称类的晶格畸变。我们的结果对于在强自旋轨道耦合的强关联材料中寻找奇异的拓扑绝缘体和量子自旋液体具有重要意义。
2011-04-18 cond-mat.str-el
Electronic structure of negative charge transfer CaFeO3 across the metal-insulator transition
我们研究了钙钛矿CaFeO 3的外延薄膜的金属-绝缘体转变，该材料具有显著的氧配体空穴对其电子结构的贡献。我们发现，双轴拉伸和压缩应变抑制金属-绝缘体转变温度。通过结合硬X射线光电子能谱学，软X射线吸收光谱和密度泛函计算，我们解决了跨金属-绝缘体过渡的电子结构的元素特定的变化。我们表明，铁电子价金属和绝缘状态之间没有发生明显的变化，而O电子构型发生显着变化。这有力地支持了CaFeO 3的金属-绝缘体转变的键合模型，并突出了配体空穴在其电子结构中的重要性。然而，通过灵敏地测量配体空穴密度，我们发现在绝缘状态下它增加了~5-10%，这归因于Fe位点上的电子电荷的进一步局部化。这些结果提供了详细的了解负电荷转移化合物的金属-绝缘体转变，并应证明在其他后过渡金属化合物，如镍酸盐的金属-绝缘体转变的理解是有益的。
2018-02-01 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Landau theory of metal-insulator transition in VO$_\text{2}$ doped with metal ions
金属离子掺杂可以有效地调节$\mathrm{VO}_2$的金属-绝缘体转变温度。实验发现，五价和六价离子的掺杂显着降低转变温度，而三价离子的掺杂提高转变温度，并诱导中间相。基于我们以前建立的$\mathrm{VO}_2$金属-绝缘体相变的相场模型，考虑掺杂对电子关联和晶格结构的影响，推导了金属离子掺杂$\mathrm{VO}_2$的朗道势。金属离子掺杂对晶格结构的影响是占在一个唯象的方式。利用Landau势，计算了不同金属离子掺杂的$\mathrm{VO}_2$的温度-掺杂浓度-相图，并与实验结果相吻合，对不同金属离子掺杂的不同行为提供了解释。该唯象理论可以提供其它金属离子掺杂的$\mathrm{VO}_2$相图的估计。
2020-01-07 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Evidence for Jahn-Teller-driven metal-insulator transition in strained SrCrO3 from first principles calculations
使用密度泛函理论（DFT）及其扩展到DFT+ $U$，我们提出了一个可能的情况下，应变诱导的金属-绝缘体转变已被报道最近在薄膜SrCrO $_3$。金属-绝缘体转变涉及类似于相关稀土钒酸盐的情况的Jahn-Teller（JT）畸变的出现，其也表现出过渡金属阳离子的标称$d^2$占据。我们的计算表明，对于实际的Hubbard $U$参数值，无应变的系统是C型反铁磁有序基态，这已经相当接近JT不稳定性。然而，由于$d_{xz}$ / $d_{yz}$谱带与较低的$d_{xy}$谱带的大量能量重叠，JT畸变的出现是不利的。相对于$d_{xz}$ / $d_{yz}$，拉伸外延应变降低了$d_{xy}$带的能量，从而使系统更接近$d_{xy}^1(d_{xz}d_{yz})^1$的标称填充。JT畸变则提升了$d_{xz}$和$d_{yz}$轨道之间的简并性，从而允许在电子能带结构中打开间隙。
2022-04-13 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Instability of metal-insulator transition against thermal cycling in phase separated Cr-doped manganites
研究表明，Pr_（0.5）Ca_（0.5）Mn_（1-x）Cr_xO_3（x = 0.015-0.025）的金属-绝缘体转变对热循环是不稳定的。每次当样品在起始温度TS和最终温度TF之间循环时，绝缘体-金属转变下移并且低温电阻率增加。效果是戏剧性的低是x。在无磁场和H = 2 T条件下，x = 0.015的绝缘体-金属转变可被热循环完全破坏。磁性测量表明，铁磁相分数减少与热循环。我们认为铁磁-电荷有序界面中应变的增加可能是所观察到的效应的一个可能的起源。
2001-07-26 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Shubnikov-de Haas oscillations near the metal-insulator transition in a two-dimensional electron system in silicon
本文研究了硅中二维电子系统在低电子密度下的Shubnikov-de Haas振荡。在金属-绝缘体转变附近，只有朗道能级填充因子2、6、10和14处的电阻“自旋”最小值，而填充因子4、8和12处的“回旋”最小值消失。一个简单的解释所观察到的行为需要一个巨大的增强附近的金属-绝缘体过渡的自旋分裂。
2000-07-03 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Pseudogap metal and magnetization plateau from doping moiré Mott insulator
本研究基于半导体莫尔材料模拟三角晶格Hubbard模型，预测在小掺杂和中等磁场下，莫特绝缘体会因自旋极化子准粒子形成一种具有单粒子能隙和依赖掺杂磁化平台的赝能隙金属态。
2022-09-12 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Metal--Insulator Transitions in the Falicov--Kimball Model with Disorder
本文在动力学平均场论范围内，利用几何平均（"典型"）局域态密度，导出了具有局域无序的Falicov-Kimball模型的基态相图。识别了相关金属相、莫特绝缘体相和安德森绝缘体相。金属-绝缘体转变被发现是连续的。相互作用和无序相互竞争，稳定金属相，防止出现绝缘体之一。Mott和Anderson绝缘体被发现是连续连接的。
2004-12-21 cond-mat.str-el
First Principles calculations of the EFG tensors of Ba$_2$NaOsO$_6$, a Mott insulator with strong spin orbit coupling
我们提出了第一性原理计算的Ba $_2$ NaOsO $_6$（BNOO），5 $d^1$莫特绝缘体的静电性质在其低温量子相具有强的自旋轨道耦合（SOC）。鉴于最近的NMR实验表明BNOO发展出局部八面体畸变，其伴随着电场梯度（EFG）的出现并且先于长程磁序的形成[Lu等人，Nature Comm. 8，14407（2017），Liu等人，物理学修订版B 97，224103（2018），Liu等人，物理湾536，863（2018）]，我们计算了几种不同模型扭曲的BNOO的EFG张量。我们确定为与实验最强烈一致的局部正交畸变对应于Na-O八面体的Q2畸变模式，与[Liu et al.，物理版本B 97，224103（2018）]。此外，我们发现，EFG是不敏感的类型的潜在的磁秩序。通过将NMR结果与第一性原理建模相结合，我们对BNOO的结构和磁性有了更全面的了解，而这仅仅基于实验或理论是无法实现的。
2019-08-23 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.other cond-mat.str-el
Dilemma in strongly correlated materials: Hund's metal vs relativistic Mott insulator
我们指出了相关材料中Hund耦合和自旋轨道耦合之间的竞争，这种竞争导致了Hund金属和相对论绝缘体之间的电子困境。洪德的金属指的是未来绝缘体的命运，洪德的耦合抑制了相关性，并将系统驱动为相关金属。相对论性莫特绝缘体指的是未来金属的命运，其中相对论性自旋轨道耦合增强了相关性，并将系统驱动为莫特绝缘体。这些相互矛盾的趋势自然存在于许多相关材料中。我们研究了相关材料中Hund耦合和自旋轨道耦合之间的竞争，并从这两种相互矛盾的趋势中探索了它们之间的相互作用和平衡。该系统可以成为自旋轨道耦合的洪德金属或洪德辅助相对论莫特绝缘体。我们的观察可以找到一个广泛的应用和相关的许多相关材料与多轨道。
2020-12-12 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
A local metallic state in globally insulating $La_{1.24}Sr_{1.76}Mn_2O_7$ well above the metal-insulator transition
利用角分辨光电子能谱研究了双层锰氧化物$La_{1.24}Sr_{1.76}Mn_2O_7$的金属-绝缘体转变过程中电子结构的演化。我们发现该体系对$T<T_C$是金属，对$T<T_C<T^*$是局部金属但全局绝缘体，对$T>T^*$是全局绝缘体.这些结果表明电子相分离和渗流效应对$La_{1.24}Sr_{1.76}Mn_2O_7$的金属-绝缘体转变的关键作用。
2006-12-27 cond-mat.str-el
Dynamical mean-field theory of Hubbard-Holstein model at half-filling: Zero temperature metal-insulator and insulator-insulator transitions
本文采用动力学平均场论和Wilson数值重整化群方法研究了Hubbard-Holstein模型，该模型包含了分别用$U$和$g$表征的电子-电子和电子-声子相互作用.绘制了半填充时金属-绝缘体和绝缘体-绝缘体相变的零温相图，该相图显示了$U$和$g$之间的相互作用。当$U$（$g$）增加时，发生金属到Mott-Hubbard绝缘体（双极化子绝缘体）的转变，并且两个绝缘状态是不同的并且不能被电连接。讨论了三种状态的性质和过渡。
2003-12-16 cond-mat.str-el
Non percolative nature of the metal-insulator transition and persistence of local Jahn-Teller distortions in the rhombohedral regime of La$_{1-x}$Ca$_{x}$MnO$_{3}$
研究了钙掺杂LaMnO $_{3}$的平均和局部晶体结构的演化，在两种钙浓度（$x = 0.18; 0.22$）下，在宽的温度范围内从金属到绝缘体（MI）以及从正交到菱面体（OR）的结构相变。结合Rietveld和高实空间分辨率的原子对分布函数（PDF）对中子全散射数据进行了分析，旨在探索MI跃迁中纳米尺度相分离（PS）的可能性，并绘制了MnO $_{6}$八面体在T $_{S}$ $\sim$ 720 K时OR跃迁中局域Jahn-Teller（JT）畸变的演化.该研究利用了显式两相PDF结构模型，揭示了远离TMI没有纳米级相共存的证据。局部JT扭曲突然消失时，交叉到金属制度与掺杂和温度，只有小的温度无关的签名淬火无序可观察到在低温下相比，CaMnO $_{3}$。因此，结果不支持MI过渡的解释性方案在La $_{1-x}$ Ca $_{x}$ MnO $_{3}$基于PS，并质疑其普遍存在的锰氧化物。在相反的LaMnO 3，表现出远程轨道相关性和相当大的八面体扭曲在低温下，掺杂的样品与跨越MI边界的组合物表现出相关性（在绝缘制度）仅限于$\sim$ 1 nm，具有明显较小的扭曲。在$x = 0.22$样品中，发现局部JT-畸变在OR过渡期间持续存在，并深入到R-相（高达$\sim$ 1050 K），在那里它们被晶体学禁止。它们的大小和亚纳米空间范围保持不变。
2015-11-25 cond-mat.str-el
Metal-insulator-metal transition in NdNiO3 films capped by CoFe2O4
金属-绝缘体转变的特征是从高电荷导电状态转变到另一种状态，在这种状态下，当降低温度时，电荷导电性被极大地抑制。在这里，我们展示了两个连续的过渡在NdNiO 3薄膜与CoFe 2 O 4盖帽，其中金属-绝缘体转变发生在85 K，其次是前所未有的绝缘体-金属转变低于40 K。新兴的绝缘体-金属过渡与弱反铁磁行为观察到在20个晶胞厚的NdNiO 3与超过5个晶胞CoFe 2 O 4盖帽。而CoFe 2 O 4覆盖层较薄的NdNiO 3薄膜仅在85 K出现金属-绝缘体转变，在40 K以下出现强的反铁磁态。Ni-Ni和Ni-Co原子间的电荷转移是由Co向Ni而不是由Fe向Ni，形成铁磁相互作用，从而抑制了反铁磁特性，产生金属导电行为。并绘制了该体系的金属-绝缘体-金属相变相图。
2017-02-07 cond-mat.str-el
Field-induced metal-insulator Field-induced metal-insulator transition in the c-axis resistivity of graphite
我们发现，电阻率垂直$ρ_c$和平行$ρ_a$不同的石墨样品的基面显示出类似的磁场驱动的金属-绝缘体的转变，在一个领域$B_c \sim 0.1 T$平行于c轴。我们的研究结果表明，最近发现的石墨$ρ_a$的缩放的普遍性，并表明，金属类温度依赖性的$ρ_c$是直接相关的$ρ_a$。两种材料的磁电阻相似，对Kohler规则的违反和场致相变表明半经典输运理论不适合于理解石墨的输运性质。
2002-04-08 cond-mat.str-el
Universal Behavior of the Resistance Noise across the Metal-Insulator Transition in Silicon Inversion Layers
低频电阻噪声的研究表明，在金属-绝缘体转变附近的二维（2D）电子系统的玻璃冻结发生在所有的Si反型层。分离二维金属和（玻璃状）绝缘体的金属玻璃相的大小强烈依赖于无序，在高迁移率样品中变得非常小。的第二个频谱，一个重要的四阶噪声统计的行为，表明在玻璃相的波动之间的长程相关性的存在下，与玻璃态动力学的分层图片相一致。
2002-12-18 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Insulator-to-metal phase transition in Yb-based Kondo insulators
采用晶体电场（CEF）分裂4f四重态的周期Anderson晶格模型描述Yb基近藤绝缘体/半导体。在从玻色子平均场近似下，我们导出了准粒子的杂化带，发现减小两个CEF四重态的杂化差可以诱导绝缘体-金属相变。由此产生的金属相具有空穴和电子费米口袋。这种相变可以通过施加压力，减少两个CEF四联体的杂化差异来实验性地实现。
2010-04-22 cond-mat.str-el
Dielectric breakdown and avalanches at non-equilibrium metal-insulator transitions
最近的实验在VO 2薄膜的有限温度Mott转变的启发，我们提出了一个经典的粗晶粒介电击穿模型，其中每个自由度代表一个纳米晶粒，从绝缘体过渡到金属，随着温度和电压的增加，在随机阈值，由于淬火无序。我们描述了由此产生的非平衡金属-绝缘体过渡的性质，并解释了电阻跳变分布的普遍特征。我们预测，通过调整电压，接近另一个临界点，它将一个阶段的“螺栓”一样的雪崩从雪崩一样的。
2011-08-22 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Peltier effect in normal metal-insulator-heavy fermion metal junctions
本文对正常金属-绝缘体-重费米子金属结中的珀耳帖效应进行了理论研究.结果表明，在低于近藤温度的温度下，这种结可以用作电子微制冷机来冷却普通金属电极，并且比普通金属-重费米子金属结的冷却效率高出数倍。
2003-02-19 cond-mat.str-el
Metal-Insulator and Superconductor-Insulator Transitions in Correlated Electron Systems
通过控制填充在二维正方形晶格中的Mott绝缘体和金属之间的量子跃迁的特征在于大的动力学指数$z=4$，其中莫特绝缘体附近的不寻常的金属性质的起源归因于跃迁的接近。跃迁附近的标度表明，由于单粒子重整化的奇异动量依赖性，形成了平坦的色散区。平坦色散控制了莫特转变的关键特性。讨论了平坦色散对d波超导序的不稳定性。我们还讨论了Mott过渡的情况下，与轨道简并的Mn钙钛矿化合物的模型，其中轨道相关长度显示临界发散向金属-绝缘体过渡。
1998-08-05 cond-mat.str-el
Kondo proximity effect: How does a metal penetrate into a Mott insulator?
我们考虑一个异质结构的金属和一个顺磁莫特绝缘体使用适应的动态平均场论来描述非均匀系统。金属可以通过近藤效应渗透到绝缘体中。我们研究了接近莫特绝缘体临界点的金属-绝缘体界面的标度特性。在临界状态下，准粒子的重量按照我们的平均场论中的公式，随着离金属的距离x的增加，衰减为1/x^2。我们的数值结果（使用数值重整化群作为杂质解算器）表明，该幂律的前因子是非常小的。
2008-05-05 cond-mat.str-el
Insulator-metal-insulator transition and selective spectral weight transfer in a disordered strongly correlated system
研究了具有对角合金无序的哈伯德模型在有限温度下的金属绝缘体相变。我们用无交叉近似求解动力学平均场论方程，用相干势近似处理无序。给出了不同关联强度$U$和无序度下的激发谱。当$U$增加时，在整数填充值处观察到两个连续的金属绝缘体转变。一个重要的光谱权重的选择性转移出现在掺杂。详细研究了温度对低能动力学的影响。
2005-12-29 cond-mat.str-el
Metal-Insulator Transitions in Interacting Disordered Systems
简要回顾了三维杂质半导体中的金属-绝缘体转变，重点是“临界指数之谜”;以及新的实验发现，表明在稀的二维系统中可能出现意想不到的金属-绝缘体转变，如硅MOSFET和GaAs/AlGaAs异质结构。
2000-08-30 cond-mat.str-el
Central role of exchange-correlation hole in the 2D metal-insulator
我们表明，金属到绝缘体的转变，无论是通过减少电子密度或通过增加自旋排列产生的，是由一个通用的功能形式的两电子关联函数g（r）。这一结果为库仑排斥和交换在驱动金属-绝缘体转变中的核心作用提供了直接证据。
2000-01-31 cond-mat.str-el
Fluctuation-driven insulator-to-metal transition in an external magnetic field
我们考虑了关联电子在外磁场中的金属-绝缘体跃迁模型。我们发现在相互作用和磁场中有一个很宽的区域，在那里金属和绝缘（完全磁化）的解决方案共存，系统经历了一阶金属-绝缘体转变。磁饱和解的全局不稳定性先于局部不稳定性，是由电子-空穴顶点函数中的极点引起的集体波动引起的。
1999-08-17 cond-mat.str-el
The influence of correlated hopping on valence and metal-insulator transitions in the Falicov-Kimball model
小集团精确对角化计算的外推被用来研究一维Falicov-Kimball模型中关联跳跃对价态和金属-绝缘体跃迁的影响。它示出的基态相图，以及图片的价和金属-绝缘体的转变，发现为传统的Falicov-Kimball模型（无相关跳跃）强烈改变时，相关跳跃项被添加。关联跳变效应非常强，即使在半满带的情况下也能引起绝缘体-金属跃迁。
1999-08-06 cond-mat.str-el
A simple metal-insulator criterion for the doped Mott-Hubbard materials
我们推导出一个简单的金属-绝缘体准则的解析形式的掺杂Mott-Hubbard材料。它的读数与晶胞的基态的轨道和自旋性质密切相关。在顺磁相的可用的标准读数（金属或绝缘体）点的绝缘体状态的掺杂材料与禁止的第一个去除电子状态的可能性。从物理意义上讲，该结果与巡游电子系统中的Wilson判据相似。讨论了该判据在高温铜酸盐中的应用。
2014-11-19 cond-mat.str-el
Emergent Novel Metallic State in a Disordered 2D Mott Insulator
对于非相互作用的电子，增加的无序将金属驱动成无间隙的局部安德森绝缘体。虽然在三维中，过渡必须跨越无序的阈值，但在二维和更低的维度中，最小量的无序使金属不稳定。相互作用系统中金属-绝缘体转变的性质仍然没有得到解决。在这里，我们探讨的影响，在强关联莫特绝缘体不改变载流子浓度的无序。角分辨光电子能谱（ARPES）测量铜插层单晶的层状二硫属化物1 T-TaS 2揭示了新的离域状态的存在下，在莫特间隙。这是第一个实验实现了一种新的无序诱导金属，理论上预测存在于莫特绝缘体和安德森绝缘体之间。
2014-05-22 cond-mat.str-el
Charge-transfer metal-insulator transitions in the spin-one-half Falicov-Kimball model
在热力学极限下，在无限配位数的Bethe晶格上精确求解了自旋为1/2的Falicov-Kimball模型。该模型是电荷转移金属-绝缘体转变的范例，其中局域和离域电子轨道的占据率在金属-绝缘体转变处迅速变化（而不是像莫特-哈伯德转变中电子状态从绝缘变为金属的特征）。精确解显示连续和不连续（一阶）跃迁。
1998-02-11 cond-mat.str-el
Spin-gapped incoherent metal with preformed pairing in the doped antiferromagnetic Mott insulator
我们研究了反铁磁莫特绝缘体如何通过空穴掺杂演化为d波BCS超导体。在强耦合方法中考虑自旋涨落，我们发现了一个自旋能隙的非相干金属作为反铁磁莫特绝缘体和d波超导体之间的中间相。这种非费米液态金属在自旋分解规范理论中被认为是红外稳定的固定点，类似于从玻色子规范理论中的自旋液体绝缘体。我们考虑了反常金属相的单粒子能谱和动态自旋极化率，并讨论了其物理意义。
2007-08-13 cond-mat.str-el
Metal-insulator transitions and the effects of electron-electron interactions in two-dimensional electron systems
本文对强相互作用二维电子系统的金属-绝缘体跃迁和反常性质的实验结果进行了评述和分析。特别注意的是最近的结果，强烈增强自旋磁化率和有效质量的低无序硅MOSFET。
2005-03-07 cond-mat.str-el
