Efficient matrix-product-state preparation of highly entangled trial states: Weak Mott insulators on the triangular lattice revisited
使用张量网络状态来解开量子自旋液体的物理学，在最小的，但通用的微观自旋或电子模型仍然是众所周知的挑战。一个突出的悬而未决的问题涉及的绝缘基态的性质的二维半填充哈伯德型模型的三角晶格附近的莫特金属绝缘体过渡，一个政权，可以近似微观自旋1/2海森堡模型补充了额外的“环交换”的相互作用。利用一种新颖有效的态制备技术，利用高纠缠Gutzwiller投影费米表面试验波函数初始化全密度矩阵重整化群（DMRG）计算，与以前的工作相反，我们发现，最简单的三角晶格$J$ - $K$自旋模型中的四格点环交换可能不具有完全无带隙的U（1）自旋费米面（旋转玻色金属）阶段的四个和六个腿宽的梯子。我们的方法铺平了道路，充分解决与DMRG其他有争议的问题领域的挫折量子磁性和强关联电子。
2020-10-20 cond-mat.str-el quant-ph
Anisotropic magnetoresistance involves metal-insulator transition in single crystal La0.77Ca0.23MnO3
由于某些原因，这篇论文被撤回了
2008-04-03 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Anomalous metallic state in the vicinity of Metal to Valence Bond Solid insulator transition in LiVS2
我们调查LiVS 2和LiVSe 2与一个三角形的晶格作为巡回类似物的LiVO 2，已知的形成价键固体（VBS）状态的S = 1沮丧的磁铁。LiVS 2位于金属和相关绝缘体之间的边界，在Tc ~ 305 K冷却时显示出从顺磁性金属到VBS绝缘体的第一有序转变。在绝缘体-金属转变附近存在VBS态可能表明巡游在VBS态形成中的重要性。我们认为，高温金属相的LiVS 2有一个伪间隙，可能源于VBS波动。发现LiVSe 2在低至2K时是顺磁性金属。
2009-08-09 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Towards first-principles understanding of the metal-insulator transition in fluid alkali metals
通过将电子-离子相互作用视为第一性原理哈密顿量中的微扰，我们计算了流体碱金属的密度响应函数，发现了一种有趣的电荷不稳定性，这种电荷不稳定性是由于在液-气临界点以上的稀相流体中的某个有限波矢${\bi Q}$处发生的电子密度反常涨落引起的.由于$|{\bi Q}|$小于费米面的直径，这种不稳定性必然会阻碍导电，这意味着它与流体碱金属中的金属-绝缘体转变密切相关。
2008-07-09 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Detecting percolative metal-insulator transition in manganites by resistive relaxation
本文报道了La $_{0.9}$ Sr $_{0.1}$ MnO $_{3}$超导薄膜电阻率随时间变化的实验研究，旨在阐明金属-绝缘体转变和巨磁电阻CMR效应的内在机制。在温度或磁场的驱动下，金属-绝缘体转变的电阻弛豫速率有明显的符号变化。当在升高温度或降低磁场的条件下测量时，金属态的电阻率随时间增加，而绝缘态的电阻率随时间减小。这些弛豫过程表明，金属-绝缘体转变和相关的CMR是相分离和金属相渗透的直接结果。
2003-07-21 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Metal-insulator transition in Ca_{1-x}Li_xPd_3O_4
用电荷输运测量方法研究了Ca_{1-x} Li_xPd_3O_4的金属-绝缘体转变。的电阻率，塞贝克系数，和霍尔系数的一致解释在一个简单的单波段图片，其中一个孔与适度增强的质量是巡回的三维。与理论预测[Phys.Rev.B62，13426（2000）]相反，CaPd_3O_4不可能是激子绝缘体，并且保持有限的载流子浓度低至4.2K。因此，该系统中的金属-绝缘体转变基本上是由局域化效应驱动的。
2003-09-13 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Spectral density and metal-insulator phase transition in Mott insulators within RDMFT
本文提出了一种用约化密度矩阵泛函理论计算周期固体谱的方法。这种方法是通过详细比较角动量投影谱密度与建立良好的多体技术，在所有情况下，找到一个很好的协议。研究了MnO中压力诱导绝缘体-金属相变的物理机制。这种转变的驱动机制被确定为增加晶体场分裂与压力，导致在Mn $e_g$和$t_2g$对称投影状态之间的电荷重新分配。
2012-06-08 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Electronic structure of negative charge transfer CaFeO3 across the metal-insulator transition
我们研究了钙钛矿CaFeO 3的外延薄膜的金属-绝缘体转变，该材料具有显著的氧配体空穴对其电子结构的贡献。我们发现，双轴拉伸和压缩应变抑制金属-绝缘体转变温度。通过结合硬X射线光电子能谱学，软X射线吸收光谱和密度泛函计算，我们解决了跨金属-绝缘体过渡的电子结构的元素特定的变化。我们表明，铁电子价金属和绝缘状态之间没有发生明显的变化，而O电子构型发生显着变化。这有力地支持了CaFeO 3的金属-绝缘体转变的键合模型，并突出了配体空穴在其电子结构中的重要性。然而，通过灵敏地测量配体空穴密度，我们发现在绝缘状态下它增加了~5-10%，这归因于Fe位点上的电子电荷的进一步局部化。这些结果提供了详细的了解负电荷转移化合物的金属-绝缘体转变，并应证明在其他后过渡金属化合物，如镍酸盐的金属-绝缘体转变的理解是有益的。
2018-02-01 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Landau theory of metal-insulator transition in VO$_\text{2}$ doped with metal ions
金属离子掺杂可以有效地调节$\mathrm{VO}_2$的金属-绝缘体转变温度。实验发现，五价和六价离子的掺杂显着降低转变温度，而三价离子的掺杂提高转变温度，并诱导中间相。基于我们以前建立的$\mathrm{VO}_2$金属-绝缘体相变的相场模型，考虑掺杂对电子关联和晶格结构的影响，推导了金属离子掺杂$\mathrm{VO}_2$的朗道势。金属离子掺杂对晶格结构的影响是占在一个唯象的方式。利用Landau势，计算了不同金属离子掺杂的$\mathrm{VO}_2$的温度-掺杂浓度-相图，并与实验结果相吻合，对不同金属离子掺杂的不同行为提供了解释。该唯象理论可以提供其它金属离子掺杂的$\mathrm{VO}_2$相图的估计。
2020-01-07 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Instability of metal-insulator transition against thermal cycling in phase separated Cr-doped manganites
研究表明，Pr_（0.5）Ca_（0.5）Mn_（1-x）Cr_xO_3（x = 0.015-0.025）的金属-绝缘体转变对热循环是不稳定的。每次当样品在起始温度TS和最终温度TF之间循环时，绝缘体-金属转变下移并且低温电阻率增加。效果是戏剧性的低是x。在无磁场和H = 2 T条件下，x = 0.015的绝缘体-金属转变可被热循环完全破坏。磁性测量表明，铁磁相分数减少与热循环。我们认为铁磁-电荷有序界面中应变的增加可能是所观察到的效应的一个可能的起源。
2001-07-26 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Pseudogap metal and magnetization plateau from doping moiré Mott insulator
本研究基于半导体莫尔材料模拟三角晶格Hubbard模型，预测在小掺杂和中等磁场下，莫特绝缘体会因自旋极化子准粒子形成一种具有单粒子能隙和依赖掺杂磁化平台的赝能隙金属态。
2022-09-12 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Asymptotics of the metal-surface Kohn-Sham exact exchange potential revisited
在密度泛函理论的优化有效势的框架下，研究了类胶状半无限金属的Kohn-Sham（KS）精确交换势$V_x(z)$的渐近性质.我们的数值计算清楚地表明，深入到表面$V_x(z) \propto e^2 \ln(az) / z$的真空侧，其中$a$是系统相关常数，从而证实了Phys. Rev. B { \bf 81}，121106（R）（2010）中报道的分析计算。在Phys. Rev. B { \bf 85}，115124（2012）中发表的对这项工作的批评被证明是不正确的。我们严格的交换只结果提供了强有力的约束，为建设的近似交换泛函和确定仍然未知的KS相关潜力。
2021-10-03 cond-mat.str-el
Impurity bound states as detectors of topological band structures revisited
拓扑绝缘体的能带结构具有非局域拓扑不变量的特征。因此，使用局部探针进行实验检测的建议很少。最近的一篇论文[Slager等人，Phys.Rev.B92，085126（2015）]基于特定类别模型的理论结果，论证了在两个空间维度中具有拓扑平凡和非平凡能带结构的绝缘体对点状杂质显示出定性不同的响应。在这里，我们提出了一个全面的调查蜂窝晶格上的非相互作用的电子模型的一个大的集合的杂质响应，驱动绝缘的任一破反转，破时间反转，破$C_3$，或破平移对称。这些情况包括霍夫斯塔德带、应变诱导的伪朗道能级和高阶拓扑绝缘体。我们的研究结果证实，跳跃模型尊重晶格对称性，对一个单一的杂质的响应确实可以区分平凡和非平凡的能带拓扑。然而，对于调制或非均匀的主机系统，我们发现，平凡的物质状态可以显示类似于拓扑非平凡状态的杂质响应，因此诊断失败。
2020-07-05 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Topological-Metal to Band-Insulator Transition in (Bi1-xInx)2Se3 Thin Films
通过对（Bi_（1-x）In_x）_2Se_3薄膜的输运和光电子发射测量，我们报道了该系统通过三个量子相变从拓扑非平凡金属转变为拓扑平凡带绝缘体.在x = 3- 7%时，存在从拓扑非平凡金属到平凡金属的过渡。在x = 15%时，金属变成可变范围跳跃绝缘体。最后，在x = 25%以上，系统变成真正的带状绝缘体，其电阻甚至在室温下也不可测量地大。这种材料提供了一个新的场所，研究拓扑可调的物理和无缝门控/隧穿绝缘体的设备。
2012-09-13 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Dilemma in strongly correlated materials: Hund's metal vs relativistic Mott insulator
我们指出了相关材料中Hund耦合和自旋轨道耦合之间的竞争，这种竞争导致了Hund金属和相对论绝缘体之间的电子困境。洪德的金属指的是未来绝缘体的命运，洪德的耦合抑制了相关性，并将系统驱动为相关金属。相对论性莫特绝缘体指的是未来金属的命运，其中相对论性自旋轨道耦合增强了相关性，并将系统驱动为莫特绝缘体。这些相互矛盾的趋势自然存在于许多相关材料中。我们研究了相关材料中Hund耦合和自旋轨道耦合之间的竞争，并从这两种相互矛盾的趋势中探索了它们之间的相互作用和平衡。该系统可以成为自旋轨道耦合的洪德金属或洪德辅助相对论莫特绝缘体。我们的观察可以找到一个广泛的应用和相关的许多相关材料与多轨道。
2020-12-12 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Metal--Insulator Transitions in the Falicov--Kimball Model with Disorder
本文在动力学平均场论范围内，利用几何平均（"典型"）局域态密度，导出了具有局域无序的Falicov-Kimball模型的基态相图。识别了相关金属相、莫特绝缘体相和安德森绝缘体相。金属-绝缘体转变被发现是连续的。相互作用和无序相互竞争，稳定金属相，防止出现绝缘体之一。Mott和Anderson绝缘体被发现是连续连接的。
2004-12-21 cond-mat.str-el
Temperature and Voltage Driven Tunable Metal-Insulator Transition in Individual $W_{x}V_{1-x}O_{2}$ nanowires
传输测量结果在个别$W_{x}V_{1-x}O_{2}$纳米线与不同程度的$W$掺杂。在这些线中观察到突然的热驱动金属-绝缘体转变（MIT），并且转变温度以-（48-56）K/ $at.%W$的显著速率随着$W$含量的增加而降低，这表明体相图的显著改变。这些纳米线也可以通过电压驱动的MIT驱动，并研究了绝缘体到金属和金属到绝缘体开关的温度依赖性。当从绝缘体驱动到金属时，发生MIT的阈值电压遵循指数温度依赖性（$V_{TH\uparrow}\propto\exp(\nicefrac{-T}{T_{0}})) $），而从金属驱动到绝缘体时，阈值电压遵循$V_{TH\downarrow}\propto\sqrt{T_{c}-T}$，并讨论了这些结果的含义。
2010-12-12 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
A local metallic state in globally insulating $La_{1.24}Sr_{1.76}Mn_2O_7$ well above the metal-insulator transition
利用角分辨光电子能谱研究了双层锰氧化物$La_{1.24}Sr_{1.76}Mn_2O_7$的金属-绝缘体转变过程中电子结构的演化。我们发现该体系对$T<T_C$是金属，对$T<T_C<T^*$是局部金属但全局绝缘体，对$T>T^*$是全局绝缘体.这些结果表明电子相分离和渗流效应对$La_{1.24}Sr_{1.76}Mn_2O_7$的金属-绝缘体转变的关键作用。
2006-12-27 cond-mat.str-el
Dynamical mean-field theory of Hubbard-Holstein model at half-filling: Zero temperature metal-insulator and insulator-insulator transitions
本文采用动力学平均场论和Wilson数值重整化群方法研究了Hubbard-Holstein模型，该模型包含了分别用$U$和$g$表征的电子-电子和电子-声子相互作用.绘制了半填充时金属-绝缘体和绝缘体-绝缘体相变的零温相图，该相图显示了$U$和$g$之间的相互作用。当$U$（$g$）增加时，发生金属到Mott-Hubbard绝缘体（双极化子绝缘体）的转变，并且两个绝缘状态是不同的并且不能被电连接。讨论了三种状态的性质和过渡。
2003-12-16 cond-mat.str-el
Metal-insulator-metal transition in NdNiO3 films capped by CoFe2O4
金属-绝缘体转变的特征是从高电荷导电状态转变到另一种状态，在这种状态下，当降低温度时，电荷导电性被极大地抑制。在这里，我们展示了两个连续的过渡在NdNiO 3薄膜与CoFe 2 O 4盖帽，其中金属-绝缘体转变发生在85 K，其次是前所未有的绝缘体-金属转变低于40 K。新兴的绝缘体-金属过渡与弱反铁磁行为观察到在20个晶胞厚的NdNiO 3与超过5个晶胞CoFe 2 O 4盖帽。而CoFe 2 O 4覆盖层较薄的NdNiO 3薄膜仅在85 K出现金属-绝缘体转变，在40 K以下出现强的反铁磁态。Ni-Ni和Ni-Co原子间的电荷转移是由Co向Ni而不是由Fe向Ni，形成铁磁相互作用，从而抑制了反铁磁特性，产生金属导电行为。并绘制了该体系的金属-绝缘体-金属相变相图。
2017-02-07 cond-mat.str-el
A Kondo impurity in a disordered metal: Anderson's theorem revisited
本文考虑一个局域矩，它是由一个非随机的近藤$J$耦合到一个随机势中的传导电子带。我们证明了一个类似的安德森定理在一个大的N限制这个模型。该定理指出，当无序较弱时，无序平均的低温热力学与无序的强度无关;值得注意的是，它进一步指出，长时间极限中的涨落效应{ \it甚至与无序的实现无关}。我们讨论这个定理的关系，类似问题的理论和实验研究。
1999-11-26 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
Field-induced metal-insulator Field-induced metal-insulator transition in the c-axis resistivity of graphite
我们发现，电阻率垂直$ρ_c$和平行$ρ_a$不同的石墨样品的基面显示出类似的磁场驱动的金属-绝缘体的转变，在一个领域$B_c \sim 0.1 T$平行于c轴。我们的研究结果表明，最近发现的石墨$ρ_a$的缩放的普遍性，并表明，金属类温度依赖性的$ρ_c$是直接相关的$ρ_a$。两种材料的磁电阻相似，对Kohler规则的违反和场致相变表明半经典输运理论不适合于理解石墨的输运性质。
2002-04-08 cond-mat.str-el
Insulator-to-metal phase transition in Yb-based Kondo insulators
采用晶体电场（CEF）分裂4f四重态的周期Anderson晶格模型描述Yb基近藤绝缘体/半导体。在从玻色子平均场近似下，我们导出了准粒子的杂化带，发现减小两个CEF四重态的杂化差可以诱导绝缘体-金属相变。由此产生的金属相具有空穴和电子费米口袋。这种相变可以通过施加压力，减少两个CEF四联体的杂化差异来实验性地实现。
2010-04-22 cond-mat.str-el
Peltier effect in normal metal-insulator-heavy fermion metal junctions
本文对正常金属-绝缘体-重费米子金属结中的珀耳帖效应进行了理论研究.结果表明，在低于近藤温度的温度下，这种结可以用作电子微制冷机来冷却普通金属电极，并且比普通金属-重费米子金属结的冷却效率高出数倍。
2003-02-19 cond-mat.str-el
Metal-Insulator and Superconductor-Insulator Transitions in Correlated Electron Systems
通过控制填充在二维正方形晶格中的Mott绝缘体和金属之间的量子跃迁的特征在于大的动力学指数$z=4$，其中莫特绝缘体附近的不寻常的金属性质的起源归因于跃迁的接近。跃迁附近的标度表明，由于单粒子重整化的奇异动量依赖性，形成了平坦的色散区。平坦色散控制了莫特转变的关键特性。讨论了平坦色散对d波超导序的不稳定性。我们还讨论了Mott过渡的情况下，与轨道简并的Mn钙钛矿化合物的模型，其中轨道相关长度显示临界发散向金属-绝缘体过渡。
1998-08-05 cond-mat.str-el
Kondo proximity effect: How does a metal penetrate into a Mott insulator?
我们考虑一个异质结构的金属和一个顺磁莫特绝缘体使用适应的动态平均场论来描述非均匀系统。金属可以通过近藤效应渗透到绝缘体中。我们研究了接近莫特绝缘体临界点的金属-绝缘体界面的标度特性。在临界状态下，准粒子的重量按照我们的平均场论中的公式，随着离金属的距离x的增加，衰减为1/x^2。我们的数值结果（使用数值重整化群作为杂质解算器）表明，该幂律的前因子是非常小的。
2008-05-05 cond-mat.str-el
Insulator-metal-insulator transition and selective spectral weight transfer in a disordered strongly correlated system
研究了具有对角合金无序的哈伯德模型在有限温度下的金属绝缘体相变。我们用无交叉近似求解动力学平均场论方程，用相干势近似处理无序。给出了不同关联强度$U$和无序度下的激发谱。当$U$增加时，在整数填充值处观察到两个连续的金属绝缘体转变。一个重要的光谱权重的选择性转移出现在掺杂。详细研究了温度对低能动力学的影响。
2005-12-29 cond-mat.str-el
Metal-Insulator Transitions in Interacting Disordered Systems
简要回顾了三维杂质半导体中的金属-绝缘体转变，重点是“临界指数之谜”;以及新的实验发现，表明在稀的二维系统中可能出现意想不到的金属-绝缘体转变，如硅MOSFET和GaAs/AlGaAs异质结构。
2000-08-30 cond-mat.str-el
Central role of exchange-correlation hole in the 2D metal-insulator
我们表明，金属到绝缘体的转变，无论是通过减少电子密度或通过增加自旋排列产生的，是由一个通用的功能形式的两电子关联函数g（r）。这一结果为库仑排斥和交换在驱动金属-绝缘体转变中的核心作用提供了直接证据。
2000-01-31 cond-mat.str-el
Fluctuation-driven insulator-to-metal transition in an external magnetic field
我们考虑了关联电子在外磁场中的金属-绝缘体跃迁模型。我们发现在相互作用和磁场中有一个很宽的区域，在那里金属和绝缘（完全磁化）的解决方案共存，系统经历了一阶金属-绝缘体转变。磁饱和解的全局不稳定性先于局部不稳定性，是由电子-空穴顶点函数中的极点引起的集体波动引起的。
1999-08-17 cond-mat.str-el
The influence of correlated hopping on valence and metal-insulator transitions in the Falicov-Kimball model
小集团精确对角化计算的外推被用来研究一维Falicov-Kimball模型中关联跳跃对价态和金属-绝缘体跃迁的影响。它示出的基态相图，以及图片的价和金属-绝缘体的转变，发现为传统的Falicov-Kimball模型（无相关跳跃）强烈改变时，相关跳跃项被添加。关联跳变效应非常强，即使在半满带的情况下也能引起绝缘体-金属跃迁。
1999-08-06 cond-mat.str-el
A simple metal-insulator criterion for the doped Mott-Hubbard materials
我们推导出一个简单的金属-绝缘体准则的解析形式的掺杂Mott-Hubbard材料。它的读数与晶胞的基态的轨道和自旋性质密切相关。在顺磁相的可用的标准读数（金属或绝缘体）点的绝缘体状态的掺杂材料与禁止的第一个去除电子状态的可能性。从物理意义上讲，该结果与巡游电子系统中的Wilson判据相似。讨论了该判据在高温铜酸盐中的应用。
2014-11-19 cond-mat.str-el
Emergent Novel Metallic State in a Disordered 2D Mott Insulator
对于非相互作用的电子，增加的无序将金属驱动成无间隙的局部安德森绝缘体。虽然在三维中，过渡必须跨越无序的阈值，但在二维和更低的维度中，最小量的无序使金属不稳定。相互作用系统中金属-绝缘体转变的性质仍然没有得到解决。在这里，我们探讨的影响，在强关联莫特绝缘体不改变载流子浓度的无序。角分辨光电子能谱（ARPES）测量铜插层单晶的层状二硫属化物1 T-TaS 2揭示了新的离域状态的存在下，在莫特间隙。这是第一个实验实现了一种新的无序诱导金属，理论上预测存在于莫特绝缘体和安德森绝缘体之间。
2014-05-22 cond-mat.str-el
Charge-transfer metal-insulator transitions in the spin-one-half Falicov-Kimball model
在热力学极限下，在无限配位数的Bethe晶格上精确求解了自旋为1/2的Falicov-Kimball模型。该模型是电荷转移金属-绝缘体转变的范例，其中局域和离域电子轨道的占据率在金属-绝缘体转变处迅速变化（而不是像莫特-哈伯德转变中电子状态从绝缘变为金属的特征）。精确解显示连续和不连续（一阶）跃迁。
1998-02-11 cond-mat.str-el
The empirical Monod-Beuneu relation of spin-relaxation revisited for elemental metals
Monod和Beuneu [Monod和Beuneu，Phys.Rev.B19，911（1979）]通过将实验电子自旋共振线宽与所谓的自旋轨道混合系数和动量弛豫理论相关联，建立了元素金属的Elliott-Yafet理论的有效性。自旋轨道混合系数数据是基于原子的自旋轨道分裂。我们强调了前面描述的两个缺点：i）动量弛豫涉及德拜温度和电子-声子耦合，其在元素金属之间的变化被忽略，ii）Elliott-Yafet理论涉及自旋轨道耦合（SOC）的矩阵元素，然而这与SOC诱导的原子能级的能量分裂不同，尽管两者具有相似的量值。考虑到动量弛豫理论的适当描述，我们得到了碱金属的经验自旋轨道混合参数。此外，我们提出了一个模型计算，突出了SOC矩阵元素和能量分裂之间的差异。
2014-01-06 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Spin-gapped incoherent metal with preformed pairing in the doped antiferromagnetic Mott insulator
我们研究了反铁磁莫特绝缘体如何通过空穴掺杂演化为d波BCS超导体。在强耦合方法中考虑自旋涨落，我们发现了一个自旋能隙的非相干金属作为反铁磁莫特绝缘体和d波超导体之间的中间相。这种非费米液态金属在自旋分解规范理论中被认为是红外稳定的固定点，类似于从玻色子规范理论中的自旋液体绝缘体。我们考虑了反常金属相的单粒子能谱和动态自旋极化率，并讨论了其物理意义。
2007-08-13 cond-mat.str-el
Metal-insulator transitions and the effects of electron-electron interactions in two-dimensional electron systems
本文对强相互作用二维电子系统的金属-绝缘体跃迁和反常性质的实验结果进行了评述和分析。特别注意的是最近的结果，强烈增强自旋磁化率和有效质量的低无序硅MOSFET。
2005-03-07 cond-mat.str-el
Integer filling metal insulator transitions in the degenerate Hubbard model
在大维数（或大晶格连通性）的极限下，我们得到了退化哈伯德模型的精确数值解。连续的Mott-Hubbard金属绝缘体过渡整数填充发生在中间值的相互作用和足够低的温度下的顺磁相。结果是相关的过渡金属氧化物与部分填充窄简并带。
1996-11-06 cond-mat.str-el
Metal-insulator transition in quarter-filled Hubbard model on triangular lattice and its implication for the physics of $Na_{0.5}CoO_{2}$
在平均场水平上研究了三角晶格上四分之一填充哈伯德模型的金属-绝缘体相变。我们发现，准一维金属态的共线磁序与绝缘态的非共面磁序密切竞争的跳跃积分$t$的两个符号。在强关联区（$U/|t|\gg1$），发现系统的金属-绝缘体相变是分两步进行的。具有共线磁序的准一维金属态被发现在顺磁金属相和非共面绝缘相之间的中间温度区域是稳定的。这些结果可能的相关性，在$Na_{0.5}CoO_{2}$的金属-绝缘体转变的物理进行了讨论。
2010-01-05 cond-mat.str-el
Physics of interface: Mott insulator barrier sandwiched between two metallic planes
我们考虑异质结的金属和现场相关的障碍，在半填充使用不受限制的哈特里福克。我们发现，在势垒平面的相关强度超过一定值，系统是一个莫特绝缘体，而低于此值的系统仍然表现为一个无隙绝缘体。的能谱被发现是非常新颖的存在多个间隙。因此，对于任何有限的相关值，系统保持非金属。
2011-03-21 cond-mat.str-el
Doping-induced insulator-metal transition in the Lifshitz magnetic insulator NaOsO3
通过基于磁约束密度泛函理论和能带展开技术的第一性原理方案，我们研究了掺杂对Lifshitz磁性绝缘体NaOsO 3导电行为的影响。电子掺杂在超晶胞方法中通过用不同浓度的镁代替钠来现实地处理。我们的数据表明，通过增加载流子浓度的系统进行两种类型的转变：（i）绝缘体坏金属在低掺杂和低温和（ii）坏金属到金属在高掺杂和/或高温。预测的掺杂诱导的绝缘体到金属的转变（MIT）具有类似的特性与温度驱动的MIT在未掺杂的化合物中报道。两者都发展在巡回的背景下，并表现出耦合的电子和磁性的行为，其特征在于逐渐淬火的（伪）-间隙与当地的自旋力矩的减少。与温度驱动的MIT不同，化学掺杂引起能带结构的实质性改变，并且MIT不能完全描述为Lifshitz过程。
2019-01-03 cond-mat.str-el
Thermodynamics of the metal-insulator transition in the extended Hubbard model
与哈伯德模型相比，扩展的哈伯德模型考虑了非局域相互作用，缺乏对金属-绝缘体相变热力学性质的系统研究。利用变分原理，我们进行了这样一个系统的研究，并描述了非局域相互作用屏幕本地相关费米液体和绝缘体不同。热力学揭示了非局域相互作用至少部分地导致了真实材料中的一阶金属-绝缘体相变。
2019-05-29 cond-mat.str-el
Effect of electronic correlations on the metal-insulator transition of $α$-(BEDT-TTF)$_2$I$_3$: theoretical and experimental investigations of its optical properties
有机盐$α$ -（BEDT-TTF）$_2$ I $_3$被认为是在$T_{\rm CO}=135$ ~K处由于电荷有序引起的金属-绝缘体转变的模型体系。通过基于第一原理密度泛函理论（DFT）的计算，可以很好地描述从$T_{\rm CO}$之上和之下的偏振反射测量获得的光学性质。讨论了电子关联对金属-绝缘体相变的影响。
2016-03-24 cond-mat.str-el
Pressure-induced metal-insulator transition in MgV_2O_4
基于热电势的实验结果和从头计算，我们认为MgV_2O_4在高压（约6 GPa）下发生了金属-绝缘体相变。
2007-07-25 cond-mat.str-el
Doping-dependent metal-insulator transition in a disordered Hubbard model
利用行列式量子蒙特卡罗方法研究了正方晶格上排斥哈伯德模型中无序和掺杂对金属-绝缘体相变的影响。首先，为了使我们的结果可靠，我们计算了各种参数，如温度，无序，现场相互作用和晶格尺寸的符号问题。我们发现，在跳跃元素的随机性的存在下，金属-绝缘体的转变发生，在不同的填充物的临界无序强度不同。我们还证明了掺杂是金属-绝缘体转变背后的驱动力。
2022-01-12 cond-mat.str-el
Model for Metal-Insulator Transition in Graphene Superlattices and Beyond
我们提出了一个双轨道的哈伯德模型在一个新兴的蜂窝晶格来描述扭曲双层石墨烯的低能物理。我们的模型为研究最近观察到的金属-绝缘体相变、朗道能级简并提升和非常规超导提供了理论基础。
2018-07-27 cond-mat.str-el
Disorder- and correlation-driven metal-insulator transitions
在Anderson-哈伯德模型中，采用简单但一致的平均场方法，研究了由无序（Delta）和/或电子关联（U）驱动的金属-绝缘体相变.导出并讨论了T=0和有限温度下的Delta-U相图。
2004-06-16 cond-mat.str-el
Critical behaviour near the metal-insulator transition of a doped Mott insulator
本文用线性化形式的动力学平均场论研究了无限维哈伯德模型中掺杂莫特绝缘体在金属-绝缘体相变附近的临界行为。对于大于临界值$U_c$的$U$，从空穴掺杂到电子掺杂的化学势的不连续性已被解析计算，并发现与数值方法的结果吻合良好。我们还推导出的压缩性，准粒子的重量，双占有率和局部自旋磁化率近半填充作为现场库仑相互作用和掺杂的函数的解析表达式。
2001-03-19 cond-mat.str-el
Metal-Insulator transitions in the periodic Anderson model
我们用动力学平均场论求解了Mott-Hubbard区域中的周期Anderson模型。在莫特绝缘体的电子掺杂时，发生金属-绝缘体转变，其在性质上类似于单带哈伯德模型的金属-绝缘体转变，即在有限温度下具有发散的有效质量和一阶特征。令人惊讶的是，在空穴掺杂时，金属-绝缘体转变不是一阶的，并且不显示发散质量。因此，单带哈伯德模型的过渡方案是不通用的周期性安德森模型，即使在莫特-哈伯德制度。
2008-09-20 cond-mat.str-el
Quantum spin liquids and the metal-insulator transition in doped semiconductors
我们描述了一种在杂质半导体如Si：P或Si：B中实现金属-绝缘体转变的新的可能途径。我们探讨了金属输运的损失发生的可能性，通过莫特本地化的电子到一个量子自旋液体状态与扩散电荷中性的“自旋”激发。这种量子自旋液体状态可以作为金属和安德森-莫特绝缘体之间的中间相出现。一个直接的可测试的结果是在金属-绝缘体转变附近的电绝缘体中在低温下存在金属热导率。此外，我们表明，虽然过渡是二级的零温剩余电导率将跳跃过渡接近金属一侧。然而，电导率将具有非单调的温度依赖性，这可能使外推到零温度复杂化。在其他实验中的签名和一些与现有数据的比较。
2012-04-10 cond-mat.str-el
Metal-insulator transition in EuO
结果表明，壮观的金属-绝缘体转变富Eu的EuO可以模拟内扩展的Kondo晶格模型。定量再现了不同数量级的跳跃电阻率依赖于氧空位的浓度，以及在高电阻率样品的低温电阻最小值。计算并讨论了巨磁电阻效应。
2003-09-17 cond-mat.str-el
Pressure and magnetic-field effects on metal-insulator transitions of bulk and domain-wall states in pyrochlore iridates
本文研究了辉绿石型$R_2$ Ir $_2$ O $_7$的临界金属-绝缘体现象，其中电子关联强度和磁组态系统地受稀土离子平均半径（$R$ =Nd $_{1-x}$ Pr $_{x}$和Sm $_{y}$ Nd $_{1-y}$）、外压和磁场的控制。金属-绝缘体转变体是由增加$x$或调谐外部压力，表明有效的电子相关是负责过渡。金属态介于\SNIO（$y$ =0.7-0.9）的顺磁绝缘相和反铁磁有序绝缘相之间，类似于一阶Mott跃迁。此外，金属到绝缘体的交叉观察（周围$y$ =0.7）的绝缘体中的磁畴壁上的电荷传输。磁场的应用还驱动\NPIO的金属-绝缘体转变，其中可能实现各种奇异拓扑量子态。
2015-07-17 cond-mat.str-el
Combined effects of disorders and electron-electron interactions upon metal-insulator transition in 2D non-bipartite lattice
我们研究了二维非二分晶格中同时存在无序和电子相互作用时金属-绝缘体相变的特征。利用实空间重整化群方法和有限尺寸标度分析，我们发现无序系统从绝缘态过渡到金属态后，如果电子-电子相互作用进一步增加，它可以重新进入绝缘态。
2004-05-16 cond-mat.str-el
Scaling of the Conductivity with Temperature and Uniaxial Stress in Si:B at the Metal-Insulator Transition
使用单轴应力通过金属-绝缘体转变来调谐Si：B，我们发现低温下的电导率显示出与转变两侧的温度和应力的良好拟合。标度函数产生的金属和绝缘相的导电性，并允许可靠的确定在过渡的两侧的临界区域中的温度依赖性。
1998-06-14 cond-mat.str-el
