Anisotropy of the Stone-Wales Defect and Warping of Graphene Nano-ribbons: A First-principles Analysis
与晶体中的位错类似，Stone-Wales（SW）缺陷在$sp^2$键合碳基材料的力学行为中起着重要作用。在这里，我们使用第一性原理计算表明，当这种缺陷存在于石墨烯纳米带的边缘附近时，SW缺陷之间的相互作用中的显著各向异性具有有趣的后果：取决于它们相对于边缘的取向，它们导致压缩或拉伸应力，并且前者负责石墨烯纳米带的凹陷或翘曲。这种弯曲导致缺陷态中电子的离域。
2010-03-01 cond-mat.mes-hall
Increased metallicity of Carbon nanotubes because of incorporation of extended Stone-Wales' defects: an ab-initio real space approach
我们提出了一个从头算结合的线性Muffin-Tin轨道和递归方法来研究扩展的Stone-Wales缺陷在单层碳纳米管中的作用。我们已经成功地将其应用于曲折和扶手椅管。该方法不涉及内部平均场假设或外部参数拟合。当缺陷扩散时，原始管的费米能级附近的低态密度被缺陷态填充。在费米能级的DOS的增加导致增强的导电性，这表明由于纳米管中的SW缺陷而增强的金属性。
2019-12-25 cond-mat.mes-hall
Real-time evolution of the buckled Stone-Wales defect in graphene
通过计算机模拟研究了石墨烯中Stone-Wales缺陷的动力学行为。热激活开关之间的两个退化的正弦波状配置的缺陷是实时跟踪。过渡轨道被发现是相当复杂的，并通过大量的近平面，波浪状，和不规则的配置。令人惊讶的是，开关时间波动强烈，可以达到一个数量级以上或更短的值由阿克里先乌斯公式。这是由于一个特殊的形状的潜在救济附近的正弦波状的配置，因此，发生两个根本不同的特征时间。
2015-03-16 cond-mat.mes-hall
Graphene quantum dots with Stone-Wales defect as a topologically tunable platform for visible-light harvesting
在这项工作中，我们首次报道了拓扑异常如Stone-Wales（SW）型键旋转在调整石墨烯量子点（GQD）光学性质中的关键作用。通过第一性原理计算，我们首次发现量子点的结构稳定性强烈依赖于SW缺陷的位置。然后使用电子相关方法计算光学吸收光谱，以证明SW型重建是负责的光学间隙以下的新的缺陷引起的峰的出现，并显着修改的光学吸收曲线。此外，我们的调查表明，电子相关效应变得更占主导地位的SW缺陷的GQD。我们最终确定，在特定位置处引入SW缺陷强烈增强了可见光范围内的光吸收，这对于设计光捕获、光催化和光电子器件是至关重要的。
2021-06-15 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.chem-ph
First-principles study of substitutional carbon pair and Stone-Wales defect complexes in boron nitride nanotubes
利用密度泛函理论研究了含替代碳对缺陷的氮化硼纳米管的物理性质。我们还考虑了BNNT中C-C对缺陷的Stone-Wales（SW）重排。碳二聚体的SW缺陷的形成能比未掺杂的BNNT中SW变换的B-N对的形成能低约3.1eV。激活能表明，SW缺陷中的C掺杂的BNNT可以实验观察到的概率比未掺杂的BNNT更高。最后，我们讨论了碳对杂质的局域态。
2011-12-23 cond-mat.mes-hall
Stone-Wales defects in nitrogen-doped C$_{20}$ fullerenes: Insight from $\textit{ab initio}$ calculations
用密度泛函理论研究了十二面体C $_{20}$富勒烯和氮掺杂C富勒烯中Stone-Wales缺陷的形成机理。得到了初始笼和缺陷笼的分子结构以及划分它们的过渡态。根据笼中氮原子的数量及其相对位置，Stone-Wales缺陷是通过单个附加中间态或直接形成的。缺陷形成的激活能势垒从纯C $_{20}$的4.93 eV降低到单掺杂C $_{19}$ N的2.98 eV，进一步掺杂后达到$\sim$ 2 eV。所有的氮掺杂富勒烯被认为在室温下具有高的动力学稳定性。然而，它们在约750 K的温度下变得不太稳定，这对于富勒烯退火过程是典型的。
2016-11-30 cond-mat.mes-hall physics.chem-ph
Zigzag graphene nanoribbon edge reconstruction with Stone-Wales defects
在这篇文章中，我们研究锯齿形石墨烯纳米带与斯通-威尔士缺陷重建的边缘，通过经验（第一邻居）紧束缚方法，与从头计算非常窄的带的参数确定。我们探讨的电子能带结构的特点，重点放在边缘状态的性质。边缘重构允许出现一种新的边缘状态。它们是色散的，在两个子晶格中都有非零的振幅;此外，振幅有两个分量，它们随着与边缘的距离而以不同的衰减长度减小;在狄拉克点处，其中一个长度发散，而另一个长度保持有限，为晶格参数的量级。我们跟踪这种奇怪的效果，沿着边缘的单位细胞的加倍，所带来的边缘重建。在有磁场存在的情况下，零能朗道能级不再像原始之字形带那样是边态简并的。
2011-07-24 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Kinetics of Topological Stone-Wales Defect Formation in Single Walled Carbon
碳纳米管中的拓扑Stone-Wales缺陷在塑性形变、化学功能化和超结构形成中起着核心作用。在这里，我们系统地研究了这种缺陷的形成动力学密度泛函方法加上过渡态理论。我们发现，形成和活化能取决于关键的纳米管椅座，直径和缺陷的方向。所观察到的依赖性的微观起源解释与曲率引起的再杂化纳米管。令人惊讶的是，动力学势垒遵循与相应的形成能的经验Brønsted-Evans-Polanyi型相关性，并且可以根据代表有缺陷和没有缺陷的结构的能量坐标抛物线之间的重叠来理解。此外，我们提出了一种可能的路线，大大降低动力学活化障碍。这种加速的缺陷形成速率在许多新颖的电子、机械和化学应用中是期望的，并且还促进三维纳米管超结构的形成。
2016-01-13 cond-mat.mes-hall
Effect of Topological Non-hexagonal Rings and Stone Wale Defects on the Vibrational Response of Single and Multi-Layer Ion Irradiated Graphene
本研究探讨了观察拓扑非六边形环（NHR）和石纹（SW）缺陷的拉曼实验后，单层（SLG）和多层石墨烯（MLG）与100- 300 eV的Ar离子辐照。虽然通过理论研究预测，但实验首次表明石墨烯SW/NHR缺陷在拉曼光谱中具有特征。相关拉曼特征的宽带宽表明存在不止一种SW/NHR缺陷模式，这与DFT研究一致。SW/NHR相关的拉曼模式强度的变化表明，这些拓扑缺陷在较高的能量湮灭。拉曼允许的G和2D激发的行为，以及无序激活的D，D'和G* 线，也已经在SLG和MLG中进行了研究。这些表明，石墨烯中的缺陷与离子辐照的演变，以及存在的过渡态，超过该过渡态，拉曼模式由sp3含量的上升所主导。这些方面与SW/NHR拉曼光谱的相关性为离子诱导石墨烯的演化提供了重要的见解。通过拉曼光谱直接观察SW/NHR缺陷对于促进在各个领域探索石墨烯的丰富拓扑方面非常重要。
2021-12-12 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.other
Performance Analysis of Boron Nitride Embedded Armchair Graphene Nanoribbon MOSFET with Stone Wales Defects
研究了石墨烯-氮化硼（GNR-BN）扶手椅型纳米晶（a-GNR-BN）MOSFET在其弹道输运极限下的性能。我们考虑了BN原子嵌在GNR两侧{每侧2，4，6个BN}的a-GNR-BN的三种几何构型3 p，3 p +1和3 p +2。利用密度泛函理论{DFT}对这些H钝化结构的带隙、有效质量和态密度等材料性质进行了计算。利用这些材料参数，在非平衡格林函数（NEGF）形式下进行了自洽Poisson-Schrodinger模拟，计算了弹道MOSFET器件的特性。对于宽度约为5 nm的混合纳米管，发现模拟的导通电流在276 uA - 291 uA的范围内，对于VDD = 0.68 V，导通/关断比为7.1 x 10^6 - 7.4 x 10^6，对应于10 nm技术节点。我们进一步研究了随机分布的Stone Wales {SW}缺陷在这些混合结构中的影响，并且对于6.35%的SW缺陷密度，仅观察到2.52%的导通电流退化。
2013-09-24 cond-mat.mes-hall
Charge transfer of edge states in zigzag silicene nanoribbons with Stone-Wales defects
Stone-Wales（SW）缺陷存在于具有蜂窝晶格结构的石墨烯类材料中，并可能用于改变能带工程中的电子性质。本文利用周期性边界条件和第一性原理计算研究了体硅烯及其纳米带中SW缺陷的结构和电子性质随其浓度的变化。我们首先计算了体硅烯中SW缺陷的形成能、结构性质和电子能带结构，并计算了SW缺陷浓度对缺陷的影响。我们的结果表明，从以前的第一性原理计算的可用值有很好的协议。得到了边氢化锯齿型硅烯纳米带中SW缺陷的能量、结构和电子性质随缺陷浓度和位置的变化关系。对于所有计算的浓度，SW缺陷更喜欢位于边缘，由于较低的形成能量。硅烯纳米带中心的SW缺陷对电子性质的影响较小，而硅烯纳米带边缘的SW缺陷分裂了简并的边缘态，产生了相当大的能隙，这取决于缺陷的浓度.值得注意的是，SW缺陷会产生一个微扰排斥势，导致缺陷一侧边缘态的分解电荷转移到无缺陷一侧。
2015-09-12 cond-mat.mes-hall
Electronic transport through graphene nanoribbons with Stone-Wales reconstruction at edges and interfaces
本文利用转移矩阵方法研究了石墨烯纳米带在Stone-Wales重构下的电导。半无限长量子线作为引线连接到带状物上。S-W重构发生在电极和条带之间的边缘和界面上。当重构发生在边缘上时，如果栅极电压$V_g$在正能量区域和负能量区域中均取$|V_{g}|\sim t_0$（$t_0$是石墨烯的跳跃幅度）附近的中间值，则电导被显著抑制。相反，如果$V_g$靠近狄拉克点或带边缘，则电导对边缘重建相对不敏感。边缘重建的影响变得不那么重要，增加色带宽度，正如预期的那样。S-W重构也可能发生在界面处。在这种情况下，对于扶手椅GNR，重构在$V_g$的整个范围内相同地抑制电导。对于锯齿形GNRs，电导在负能区被强烈抑制，而电导在正能区的变化相对较小。我们还分析了具有界面缺陷的中性扶手椅型GNRs的透射系数随沟道折射率（导线的横向动量$k_y$）的变化。有趣的是，由于晶胞倍增，在$k_{y}=π/3$和$k_{y}=2π/3$处出现两个透射峰。
2015-05-05 cond-mat.mes-hall
Epitaxial growth mechanisms of graphene and effects of substrates
采用密度泛函理论中的有限温度分子动力学从头算方法研究了单层石墨烯的生长过程。在原子水平上的外延石墨烯的生长机制的理解提供了通过探索发生在石墨烯的生长边缘的瞬态阶段。这些阶段是大碳环的形成和塌陷，以及像五边形-七边形缺陷的Stone-Wales的形成和愈合。使用爬像轻推弹性带方法计算了各种衬底上这些生长诱导缺陷愈合的激活势垒，并与Stone-Wales缺陷进行了比较。发现生长过程中发生在边缘附近的五边形-七边形缺陷比Stone-Wales缺陷更容易愈合。还详细研究了衬底在外延生长和修复缺陷中的作用，以及使用碳二聚体作为石墨烯生长的构建块的影响。
2012-06-26 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.comp-ph
Generation of chirality and orbital magnetization by Stone-Wales-type lattice defects in the Kitaev spin liquid
School of Physics, Georgia Institute of Technology（佐治亚理工学院物理学院）
研究石墨烯型晶格缺陷对Kitaev自旋液体间隙less相的影响，发现缺陷产生大手性，导致拓扑间隙和Chern数变化，同时引发铁磁相互作用和相变。
2026-05-01 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Nonequilibrium Green's Function Approach to Phonon Transport in Defective Carbon Nanotubes
我们已经开发了一种新的理论形式主义声子输运纳米结构中使用非平衡声子格林函数技术，并已将其应用于有缺陷的碳纳米管的热传导。碳纳米管中的低温热导的普遍量子化可以观察到，即使在存在局部结构缺陷，如空位和Stone-Wales缺陷，因为长波长的声学声子不被局部缺陷散射。然而，在室温下，热导是严重影响缺陷散射，因为入射声子散射的缺陷周围的局部声子。我们发现一个显着的变化，从量子到经典功能的热输运通过缺陷碳纳米管随着温度的升高。
2006-06-05 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Attraction between topological defects in graphene
通过计算机模拟研究了石墨烯中Stone-Wales拓扑缺陷的相互作用。该模拟揭示了两个缺陷的配置，其能量低于具有两个间隔缺陷的单层的能量。这表明了缺陷之间的吸引力和形成其簇的可能性。吸引力是由于缺陷引起的单层结构的波状变形之间的干扰。在这种情况下，一对缺陷附近的原子的横向位移幅度达到2-3埃。这种由斯通-威尔士缺陷引起的石墨烯的强烈变形可能是其实验观察到的“褶皱”纹理的原因之一。
2015-03-25 cond-mat.mes-hall
Topological Defects in Semiconducting Carbon Nanotubes as Triplet Exciton Traps and Single-Photon Emitters
本研究通过密度泛函理论揭示(6,5)碳纳米管中螺旋Stone-Wales缺陷可捕获三重态激子，并凭借弱电子-声子耦合成为电信波段单光子发射体。
2025-02-19 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Structural characterization of carbon nanotubes via the vibrational density of states
碳纳米管的电学和化学性质随着不同的手性和直径而显著变化，使得这些结构性质的实验测定变得重要。在这里，我们表明，振动态密度（VDOS）包含碳纳米管的结构，特别是在低频率的信息。我们发现，纳米管的直径和手性可以确定的特征低频$L$和$L'$模式中的VDOS。对于锯齿形纳米管，$L$峰分裂成两个峰，产生另一个低能$L"$峰。这些峰的频率和相对强度的显著变化开辟了一条区分结构不同的纳米管的途径。对具有不同缺陷密度的Stone-Wales缺陷的不同取向的仔细研究表明，不同的结构缺陷也在VDOS中留下不同的指纹，特别是在$L$和$L'$模式中。利用我们的结果，可以从直接测量VDOS的实验中获得更多的结构信息，如非弹性电子和非弹性中子谱。
2017-03-10 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Single-mode phonon transmission in symmetry broken carbon nanotubes
利用模式匹配方法和对称性分析，研究了存在Stone-Wales（SW）缺陷的碳纳米管中的简正模声子传输。计算表明，在高频范围内，低群速声学声子的透射率明显降低，这种SW缺陷引起的对称性破缺对长波光学声子在碳纳米管中的透射率有很强的抑制作用.每个声子模的传输特性取决于对称性。这些结果表明，在缺陷的纳米管的局部加热可能主要是由低群速度的声学声子和光学声子附近的$Γ$点。
2008-07-26 cond-mat.mes-hall cond-mat.stat-mech
Effects of Defects on Thermoelectric Properties of Carbon Nanotubes
碳纳米管（CNT）作为柔性热电器件的材料最近引起了人们的注意。为了给缺陷对碳纳米管热电性能的影响提供理论指导，我们从理论上研究了缺陷（空位和Stone-Wales缺陷）对碳纳米管热电性能、热导率、电导率和塞贝克系数的影响。结果表明，缺陷主要强烈抑制电子电导，并恶化了CNT的热电性能。通过将结果和管间结特性插入网络模型，我们进一步表明，具有实际浓度的缺陷可以显着降低基于CNT的网络的热电性能。我们的研究结果表明，碳纳米管的纯化，以提高碳纳米管为基础的热电的重要性。
2016-12-21 cond-mat.mes-hall
Electronic Structures of N-doped Graphene with Native Point Defects
石墨烯中的氮掺杂在石墨烯基器件和催化剂中具有重要意义。采用密度泛函理论计算了含空位和Stone-Wales缺陷的N掺杂石墨烯的电子结构。我们的研究结果表明，在石墨烯中的单空位作为空穴掺杂剂，需要两个替代N掺杂剂来补偿由单空位引入的空穴。另一方面，双空位不产生任何自由载流子。有趣的是，一个单一的N掺杂剂在双空位作为受体，而不是施主。本征点缺陷和N掺杂剂之间的干扰强烈修改的作用，N掺杂的自由载流子的生产在体π带。对于一些缺陷和N掺杂剂-缺陷复合物，局部缺陷π态被部分占据。讨论了这种情况下自旋极化的可能性。我们还提出了定性的论点的基础上的本地债券图片的电子结构。结合实验结果，分析了N掺杂在空位和Stone-Wales缺陷处的1 s相关X射线光电子能谱和吸收光谱。我们还讨论了特征扫描隧道显微镜（STM）图像起源于电子和结构的N掺杂缺陷复合物的修改。小负偏压下的STM成像将为氧还原反应提供重要的活性位点信息。
2013-04-02 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Electroluminescence and thermal radiation from metallic carbon nanotubes with defects
基于紧束缚模型，采用非平衡格林函数方法，对含缺陷碳纳米管导电通道的偏压诱导发光和热辐射进行了理论研究.单空位缺陷和单Stone-Wales缺陷在低能区诱导的局域态显著增强了电致发光，同时降低了零偏压下的热辐射。讨论了含缺陷碳纳米管直径对辐射的影响。与二维或块状材料不同，准一维金属碳纳米管在热平衡时的辐射强度远小于黑体辐射。我们将此归因于CNT的横向方向上的热激发的限制。我们的研究对缺陷碳纳米管的光电应用具有重要意义。
2021-06-10 cond-mat.mes-hall
Lattice defects and boundaries in conducting carbon nanotubes
本文研究了锯齿型和扶手椅型导电碳纳米管中各种缺陷和边界结构对低能电子性质的影响。导带的紧束缚模型被精确地映射到由两个非耦合平行链组成的简单晶格模型。杂质、结构缺陷或帽等缺陷可以很容易地包含在有效的晶格模型中，从而对其后果进行详细的物理解释。该方法是相当普遍的，可以用来研究各种可能的缺陷，在碳纳米管。我们获得预期的电子密度图案从扫描隧道显微镜实验的半富勒烯帽和两个典型的杂质在管的体积，即斯通-威尔士缺陷和一个单一的空缺。
2009-05-01 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Visualizing influence of point defects on electronic band structure of graphene
超原胞方法使我们能够处理缺陷晶体的电子结构，但由于不可避免的区域折叠，计算出的能带太复杂，无法理解或与角分辨光电子能谱进行比较。我们讨论了如何更有效地可视化超原胞能带结构，将它们展开的光谱权重和轨道分解。然后，我们应用这些想法，以获得更好的理解的能带结构的石墨烯含有各种类型的点缺陷，包括氮杂质，氢吸附物，和空位缺陷，以及斯通-威尔士缺陷。
2014-03-31 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Symmetry-Adapted Tight-Binding Electronic Structure Analysis of Carbon Nanotubes with Defects, Kinks, Twist, and Stretch
本文采用自适应的方法研究了形变和缺陷对碳纳米管电子结构和能带结构的影响。首先，采用自适应的方法来模拟布洛赫波。在此基础上，完全匹配层的技术被应用于开发一种方法来截断电子结构计算的计算域，而没有虚假的尺寸效应。这为计算纳米管中缺陷的电子结构和电学性质提供了一种有效而精确的数值方法。计算方法被应用于研究扭曲，拉伸和弯曲，有和没有各种类型的缺陷，对纳米管的能带结构的效果。具体而言，拉伸和扭曲的能带结构在无缺陷的导电和半导体纳米管的效果进行检查，并阐明与空位缺陷的相互作用。其次，研究了局域弯曲或扭结对电子结构的影响。最后，本文研究了5-8-5 Stone-Wales缺陷的影响。在所有这些设置中，完全匹配层方法使得能够计算具有无缺陷纳米管的带隙中的能量的局部非传播缺陷模式。
2020-09-08 cond-mat.mes-hall
Electronic Structure and Resonant X-ray Emission Spectra of Carbon Shells of Iron Nanoparticles
用X射线共振发射光谱和X射线吸收光谱研究了碳包铁纳米颗粒碳包Fe@C的碳壳层电子结构。已记录的光谱进行了比较的石墨烯的电子结构的密度泛函计算。已经表明，Fe@C碳壳可以以具有Stone-Wales缺陷的几个石墨烯层的形式表示。用测得的C Ka共振X射线发射谱研究了Fe@C的能带色散。
2013-03-19 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.chem-ph
Two-dimensional Graphene with Structural Defects: Elastic Mean Free Path, Minimum Conductivity and Anderson Transition
采用从头计算的π-π* 紧束缚模型研究了具有结构缺陷（Stone-Wales和双空位）的无序石墨烯的量子输运性质.平均自由程和半经典电导率，然后计算作为缺陷的性质和密度的函数（使用阶N实空间库博-格林伍德方法）。随着缺陷密度的增加，半经典电导率的衰减在载流子密度的较大范围（> 0.5 × 10^{14}cm^{-2}）内饱和到最小值4 e^2/πh。此外，量子干涉的强贡献表明，安德森局域化制度可以在实验上测量的缺陷密度低至1%。
2010-12-22 cond-mat.mes-hall
Electronic states of zigzag graphene nanoribbons with edges reconstructed with topological defects
利用紧束缚方法研究了锯齿形石墨烯纳米带的能谱和电子态密度。在Stone-Wales zz（57）边缘的情况下，与原始zz边缘相比，低能谱显著改变。我们发现在任何宽度的石墨烯纳米带中，费米能级上的电子态密度都不为零。相反，对于只有一边是七边形而另一边是五边形的带，费米能级处的能隙是开放的，DOS等于零。其原因是未补偿的拓扑荷对局域边缘态的影响，而局域边缘态本质上是拓扑的。这种行为类似于沿边缘的结构化外部电势。
2015-11-10 cond-mat.mes-hall
Transport properties of 2D graphene containing structural defects
我们提出了一个广泛的报告，在二维石墨烯中存在的结构缺陷的电子输运的模拟。在sp $^2$碳基材料中的各种缺陷中，我们专注于斯通-威尔士缺陷和两种双空位型重构缺陷。首先，基于从头计算，一个紧束缚模型来描述这些缺陷的电子结构。然后，半经典输运性质，包括弹性平均自由程，迁移率和电导率使用一个N阶实空间Kubo-Greenwood方法计算。随着缺陷密度的增加，逐渐观察到最小电导率（$σ^{min}_{sc}= 4e^2/πh$）的平台。电导率衰减到$σ^{min}_{sc}$的这种饱和与缺陷相关的共振能量有关。最后，局部化现象被捕获超出半经典制度。安德森过渡预测与几十纳米的顺序的缺陷密度约1%的本地化长度。
2012-04-20 cond-mat.mes-hall
Thermodynamics of a Potts-like model for a reconstructed zigzag edge in graphene nanoribbons
为了研究石墨烯的热平衡性质，我们构建了一个三色Potts-like模型，用于研究由Stone-Wales碳环重构的石墨烯锯齿形边缘。我们考虑两种情况下，有不同的基态：边缘与非钝化的悬挂碳键和边缘完全钝化的氢。我们研究了作为温度的函数的缺陷扰动的基态配置的浓度。缺陷浓度被发现是指数依赖于有效的参数，描述在所有温度下的模型。此外，我们分析计算的域尺寸分布的缺陷域，并得出结论，它没有胖尾巴。在附录中，我们展示了如何使用密度泛函理论的结果可以估计模型的交换参数。这样的平衡机制在Z字形边缘中的缺陷浓度上设置下限，因为这样的缺陷的形成是由于非平衡动力学机制。
2013-05-11 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall cond-mat.stat-mech
Valley filters using graphene blister defects from first principles
本文通过第一性原理和紧束缚模型研究石墨烯泡缺陷的谷输运性质，发现特定缺陷可抑制K到K′谷间跃迁，并利用共振散射能量分裂实现栅压调控的完全谷极化电流。
2023-08-12 cond-mat.mes-hall physics.comp-ph
Nonlinear Coherent Transport in 2D Thermal Metamaterials: From Solitons and Topological Defects to Quantum Computing
Capgemini（凯捷）；Capgemini Quantum Lab（凯捷量子实验室）；Univ. Grenoble Alpes（格勒诺布尔阿尔卑斯大学）
本文提出二维热元材料的统一理论框架，结合非线性晶格动力学、基于孤子的有效场论和几何排列的缺陷网络，揭示了双通道输运机制及其对几何、非线性和温度的敏感性，为热管理提供新途径。
2026-05-13 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci hep-th
