Indirect and direct energy gaps in the Kondo semiconductor YbB12
近藤半导体YbBPDMATHABMN的光学电导率[$σ(ω)$]已在宽的温度范围（$T$ = 8PDMATHABMP 690 K）和光子能量（$\hbar ω\geq$ 1.3 meV）进行了测量。$σ(ω)$数据揭示了YbB $_{12}$从高$T$的金属电子结构到低$T$的半导体电子结构的整个交叉。在$T \leq$ 20 K时，在$\hbarω$ = 15 meV处新发现了一个与$σ(ω)$中的能隙发展相关的明显的起始点.起始能量被确定为出现在$σ(ω)$中的YbB $_{12}$的带隙宽度。σ（ω）$ is interpreted as the indirect gap, which has been predicted in the band model of Kondo semiconductor. On the other hand, the strong mid-infrared (mIR) peak observed in $ σ（ω）$中的能隙被解释为直接能隙。在开始和mIR峰附近的吸收系数确实显示出在常规半导体中间接和直接光学跃迁所预期的特征能量依赖性。
2005-03-31 cond-mat.str-el
Locally critical point in an anisotropic Kondo lattice
我们报告的第一个数字识别的局部量子临界点，在该临界点的本地近藤物理嵌入在与磁有序。我们能够数值访问的量子临界行为，专注于近藤晶格模型与伊辛各向异性。我们还建立了依赖于q的动力学自旋磁化率的临界指数是分数，并与实验值相比，重费米子。
2003-07-21 cond-mat.str-el
muSR in Ce_{1-x}La_xAl_3: anisotropic Kondo effect?
重费米子合金Ce_{1-x} La_xAl_3（x = 0和0.2）中的零场muSR实验研究了最近提出的系统表现出强各向异性近藤效应的建议。我们解决了一个阻尼振荡的La浓度，指示无序的反铁磁性成分。当x = 0.2时，振荡频率随温度的升高而平稳下降，在比热反常温度T* \approx 2.2 K处消失。我们的结果是一致的，T* 是由于磁过渡，而不是各向异性近藤行为的看法。
2002-07-18 cond-mat.str-el
Study of the 1D anisotropic Kondo necklace model at criticality via an entanglement entropy estimator
利用基于纠缠熵的量子临界性估计，讨论了一维各向异性Kondo项链模型的基态性质。我们发现，该模型的T=0相图描述的临界线分离的反铁磁相的Kondo单态。此外，我们还计算了临界线上的共形反常，得出当达到热力学极限时，c趋于0.5。我们的结论是，这些过渡属于伊辛普适类，因此，二阶过渡，而不是无限的顺序之前声称。
2013-10-09 cond-mat.str-el
Flow equation analysis of the anisotropic Kondo model
本文利用新的无穷小么正变换方法计算了各向异性近藤模型强耦合相零温关联函数。我们发现所有的能量尺度上的动力学，包括从弱到强耦合的交叉行为。在我们的方法中没有使用可积结构的哈密顿量。我们的方法也应该是有用的，在其他强耦合模型，因为很少有其他的分析方法允许评估其关联函数的所有能量尺度。
2000-08-16 cond-mat.str-el
Continuous ferromagnetic quantum phase transition on an anisotropic Kondo lattice
基于最近在重费米子化合物CeRh $_6$ Ge $_4$中发现的铁磁量子临界性，我们发展了二维各向异性铁磁Kondo-Heisenberg模型的无限投射纠缠对态的数值算法，研究了具有不同磁各向异性和跳跃各向异性的铁磁量子相变.我们的计算揭示了一个连续的铁磁量子相变在大的各向异性区域和一级量子相变较小的各向异性。我们的结果突出了磁各向异性对近藤晶格系统铁磁量子临界性的重要性，并为CeRh $_6$ Ge $_4$的准一维磁结构的实验观察提供了可能的解释.我们的工作为未来使用最先进的张量网络方法研究丰富的近藤晶格物理开辟了途径。
2022-08-05 cond-mat.str-el
Anisotropic optical conductivity of the putative Kondo insulator CeRu$_4$Sn$_6$
近藤绝缘体，特别是它们的非立方代表仍然知之甚少。在这里，我们报告的发展各向异性的能量赝能隙的四金属化合物CeRu $_4$ Sn $_6$采用光学反射率测量在宽的频率和温度范围内，和局域密度近似加上动态平均场论计算。计算提供的证据近藤绝缘体样的响应内的$a-a$平面和更多的金属沿c轴的响应和定性再现的实验观察，帮助确定其来源。
2012-09-13 cond-mat.str-el
Electronic-Structure-Driven Magnetic Ordering in a Kondo Semiconductor CeOs2Al10
我们报道了近藤半导体CeOs $_2$ Al $_{10}$的电子结构在29 K的反常反铁磁有序温度（$T_0$）的各向异性变化，使用光学电导率谱。沿$a$ -和$c$ -轴的光谱表明，$f$杂交间隙在较高温度下连续地穿过$T_0$出现.另一方面，沿b轴，由于结构畸变，在39 K以下出现峰值为20 meV的不同能隙，39 K比$T_0$温度高。在$T_0$下方，能隙的开始变得可见。我们的观察表明，电子结构以及沿b轴的能隙开放，由于结构扭曲诱导反铁磁有序低于$T_0$。
2010-09-22 cond-mat.str-el
Gap-anisotropic model for the narrow-gap Kondo insulators
提出了一种理论，它占的动态产生的杂交间隙与节点的近藤绝缘材料$CeNiSn$和$CeRhSb$。我们表明，亨氏相互作用作用的虚拟$4f^2$配置的铈离子可以动态选择的铈离子的形状，通过产生一个外斯场耦合到离子的形状。在低对称性晶体中，外部晶体场可以忽略不计，这个过程选择一个节点Kondo半金属态作为最低的能量配置。
1999-09-29 cond-mat.str-el
Momentum-Dependent Hybridization Gap and dispersive in-gap state of The Kondo Semiconductor SmB6
本文报道了近藤半导体SmB $_6$的三维角分辨光电子能谱。我们发现在X和$Γ$点的峰的温度依赖性的差异，由于Sm的5d导带和近本地化的Sm 4f状态之间的杂交。X点的峰强度在120 K以下与价态跃迁的温度关系相同，而$Γ$点的峰强度在30 K以下与Q=（0.5，0.5，0.5）的磁激发相一致.这表明具有价态跃迁的杂化主要发生在X点，磁激发的初始状态位于$Γ$点。
2012-08-21 cond-mat.str-el
Anisotropic Electronic Structure of the Kondo Semiconductor CeFe2Al10 Studied by Optical Conductivity
我们报告了CeFe $_2$ Al $_{10}$的温度依赖性极化光学电导率[ $σ(ω)$ ]光谱，该光谱是CeRu $_2$ Al $_{10}$和CeOs $_2$ Al $_{10}$在28 K下发生异常磁转变的参考材料。沿b轴的$σ(ω)$谱与在$ac$平面中的谱有很大不同，表明该材料具有各向异性的电子结构。在低温下，在所有轴上，在55 meV处出现了由于穿过导带和局部$4f$状态之间的杂化间隙的光学跃迁（即$c$ - $f$杂化）而引起的肩部结构。然而，间隙打开温度和准粒子Drude重量的出现温度是强烈的各向异性，表明各向异性的近藤温度。CeRu $_2$ Al $_{10}$和CeOs $_2$ Al $_{10}$的电子结构和近藤温度的强各向异性与反常磁相变有关。
2010-12-17 cond-mat.str-el
Evidence for Anisotropic Kondo Behavior in Ce0.8La0.2Al3
我们进行了非弹性中子散射研究的低能量自旋动力学的重费米子化合物Ce0.8La0.2Al3作为温度和外部压力的函数高达5 kbar。在低于3K的温度下，磁响应从许多重费米子系统常见的准弹性形式转变为单个定义明确的非弹性峰，这对外部压力非常敏感。自旋动力学和热力学性质的标度与各向异性Kondo模型的预测一致。
1999-09-29 cond-mat.str-el
Curie temperatures of the concentrated and diluted Kondo-lattice model as a possible candidate to describe magnetic semiconductors and metals
我们提出了一个理论模型载流子介导的铁磁性集中或稀释的本地矩系统。用运动方程/相干势近似方法描述了近藤晶格模型的电子子系统。这样，我们就可以根据局部磁矩的磁化强度计算系统的自由能及其最小值。因此，也可以确定居里温度及其对重要模型参数的依赖性。在适当的空穴密度下，我们得到了与Ga $_{1-x}$ Mn $_x$ As的居里温度实验值定性一致的结果。
2011-04-21 cond-mat.str-el
Specific heat of Ce_{0.8}La_{0.2}Al_{3} in magnetic fields: a test of the anisotropic Kondo picture
在高达14 T的磁场中测量了Ce_{0.8} La_{0.2} Al_{3}的比热C与温度T的关系。在2.3 K的C的一个大的峰值最近被归因于在该化合物的各向异性近藤效应。一个14-T的字段压低的峰的温度只有0.2 K，但强烈降低其高度。相应的C/T峰从零场时的2.1K移动到14 T时的1.7K。外推比热系数C/T（T->0）在所研究的范围内随磁场的增加而增加。我们发现，这些趋势是不一致的各向异性近藤模型。
2000-07-26 cond-mat.str-el
Anisotropic Magnetic Response in Kondo Lattice with Antiferromagnetic Order
利用连续时间量子MonteColro（CT-QMC）和动力学平均场论（DMFT）研究了近藤晶格的磁性。DMFT+CT-QMC的方法进行了扩展，以便获得在反铁磁相的各向异性磁响应。在反铁磁相的纵向和横向磁化率的数值推导。对于RKKY制度与一个小的近藤耦合，横向磁化率不降低低于转变温度，而纵向磁化率降低预期的平均场图片。然而，在RKKY相互作用和近藤效应之间的竞争区域中，纵向和横向磁化率都在转变温度以下降低。所得结果自然地解释了CeT $_2$ Al $_{10}$（$T$ =Ru，Os，Fe）族中所观察到的磁化率的温度依赖性。
2014-04-23 cond-mat.str-el
NMR Evidence of anisotropic Kondo liquid behavior in CeIrIn$_5$
我们报告详细的骑士位移测量的两个铟网站的重费米子化合物CeIrIn $_5$作为温度和磁场取向的函数。我们发现，骑士移位异常是依赖于取向的，与交叉温度$T^*$，变化50%的领域是从（001）旋转到（100）。这一结果表明，Ce 4f态和巡游导电电子之间的杂化是各向异性的，这一结果反映了其集体起源，并可能导致各向异性的近藤液体行为和非常规的超导性。
2015-07-28 cond-mat.str-el
Anisotropic spin-dynamics in the Kondo semiconductor CeRu2Al10
用非极化和极化中子在单晶上的散射研究了新的Kondo绝缘体化合物CeRu_2Al_（10）的自旋动力学。在低于T0 = 27.3 K形成的非常规有序相中，观察到具有显著强度的两个激发分支，其中较低的一个具有4.8 +/- 0.3 meV的间隙和高达约8.5 meV的显著色散。假设晶体场和各向异性交换耦合RPA磁振子计算的比较捕获的数据的主要方面，但留下无法解释的差异，指向4f和导带状态之间的方向特定的杂交在这种化合物的关键作用。
2012-09-20 cond-mat.str-el
Magnetic quantum phase transition in an anisotropic Kondo lattice
在扩展的动力学平均场论框架下，研究了具有Ising各向异性的近藤晶格模型中顺磁-反铁磁量子相变.非微扰数值解在零温度点连续过渡的二维和三维磁性。在前一种情况下，跃迁与临界局域物理有关，其特征是近藤尺度消失，动力学中的反常指数接近于在重费米子CeCu_{5.9} Au_{0.1}中测得的数值。
2007-12-03 cond-mat.str-el
The anisotropic multichannel spin-$S$ Kondo model: Calculation of scales from a novel exact solution
基于单通道自旋1/2情形的格点路径积分方法，给出了多通道自旋$S$ Kondo模型的一种新的精确解.定域矩和主体之间的自旋交换是$XXZ$型的，包括各向同性的$XXX$极限。自由能是由一组有限的非线性积分方程，这使得一个准确的确定高，低的温度范围。
2004-09-30 cond-mat.str-el
Magnetic Correlations and the Anisotropic Kondo Effect in Ce1-xLaxAl3
通过结合重费米子化合物Ce_（1-x）La_xAl_3（0.0 ≤ x ≤ 0.2）中μ子自旋旋转和中子非弹性散射的结果，我们发现在特征温度T ~* 以上，静态磁关联被电子耗散抑制，而不是被热无序抑制.低于T*，能隙在单离子磁响应中打开，与各向异性近藤模型的预测一致。标度参数表明，类似的行为可能是URu 2Si 2中“隐藏顺序”的基础。
2001-11-30 cond-mat.str-el
Field induced quantum phase transition in the anisotropic Kondo necklace model
将二维和三维各向异性的Kondo项链模型作为研究重费米子（HF）化合物中磁性到Kondo单重态量子相变的真实模型。量子临界点（QCP）随各向异性参数的变化以前已经在零场情况下进行了研究[1]。在这里，我们扩展到有限领域的治疗使用广义键算子表示，包括所有的三重态。导出了临界tc随外场H的变化关系及相应的相图。各向异性和不同的g-因子的局域和巡回自旋的tc（H）的影响进行了研究。结果发现，三种不同类型的行为可能会出现：（一）破坏反铁磁和外观的单重态以上的临界场。(ii)反铁磁性行为，即场诱导的反铁磁性的Kondo单态相。(iii)近藤单重态相的再进入行为与场强的关系。
2007-05-02 cond-mat.str-el
Giant isotropic Nernst effect in an anisotropic Kondo semimetal
“失败的近藤绝缘体”CeNiSn长期以来一直被怀疑是一种节点金属，在杂交矩阵元素中有一个节点。在这里，我们进行了一系列的能斯特效应实验，以描绘是否严重的各向异性磁输运系数确实来自节点金属或可以简单地解释由一个高度各向异性的费米表面。我们的实验表明，尽管在霍尔电导率的近20倍的各向异性，大能斯特信号是各向同性的。结合磁输运各向异性，这些结果提供了强有力的支持，各向同性费米表面与大的各向异性准粒子质量来自节点杂交。
2016-03-03 cond-mat.str-el
Thermal conductivity of the Kondo semiconductor CeRu$_4$Sn$_6$
我们报告的热导率$κ$单晶CeRu $_4$ Sn $_6$在80 mK和80 K之间的温度范围内，沿主晶向的测量。$κ$是声子占主导地位的在整个温度范围内，被发现是基本上各向同性。在低温下的数据是很好的近似$κ\propto T^2$，这是由于电子上的声子的主要散射。我们描述的数据与Callaway适合在整个温度范围内提供良好的协议，在低温和高温。
2019-08-02 cond-mat.str-el
Electron liquid state in the spin-1/2 anisotropic Kondo lattice
在平均场方法的框架下，我们给出了自旋为1/2的各向异性近藤晶格在半填充时的任意维数的解析解和数值解。场的振幅的非平凡解在电子液体的费米子谱中打开了一个缺口，在该缺口中实现了晶格位置上的局部矩。绝缘体态的基态由局域矩的静态Z_2场决定，它形成双胞晶格，传导电子在这个场中运动。由于电子态之间的杂化，在近藤晶格中形成大的费米面。对不同维数的简单晶格，根据交换积分的大小计算了准粒子能谱中的能隙。所提出的方法也适用于描述具有弱各向异性交换相互作用的Kondo晶格，这使得研究具有各向同性交换相互作用的自旋1/2 Kondo晶格的行为成为可能。
2022-05-08 cond-mat.str-el
Quantitative study of valence and configuration interaction parameters of the Kondo semiconductors CeM2Al10 (M = Ru, Os and Fe) by means of bulk-sensitive hard x-ray photoelectron spectroscopy
用体敏硬X射线光电子能谱学（HAXPES）在Ce 3d芯能级上定量测定了近藤半导体CeM 2Al 10（M = Ru，Os和Fe）中4f^n贡献的占位率.结合配置相互作用计划与完整的多重计算允许准确地描述HAXPES数据，尽管存在强等离子体激元激发的光谱。从这种分析中获得的配置相互作用参数-特别是杂化强度V_eff和有效f结合能Δ_f -表明CeOs 2Al 10中的交换相互作用略强于CeRu 2Al 10，并且CeFe 2Al 10中的交换相互作用显著增加。这验证了大量的近藤屏蔽与磁序共存，并将整个CeM 2Al 10家族置于强交换相互作用区域。
2015-01-08 cond-mat.str-el
Antiferromagnetic and spin gap phases of the anisotropic Kondo necklace model
研究了各向异性对D= 1，2，3维Kondo项链模型量子相变的影响。同时考虑了近藤相互作用项的各向异性$δ$和近藤相互作用项的各向异性$Δ$。我们使用的债券运营商的方法与约束实现平均场近似。从顺磁相出发，我们确定了量子临界点的临界比$(t/J)_c$和相关的近藤单重态能隙的标度指数。我们表明，在易轴型各向异性$δ>1$的情况下，一个定性的新的行为相比，传统的近藤项链模型（$δ$，$Δ$）=（0，1）出现。我们还得到了$t > t_c$长程有序相的反铁磁序参量。
2006-06-30 cond-mat.str-el
Is CeNiSn the Kondo semiconductor?: break-junction data
IVC特性以及它们的衍生物被记录为CeNiSn的基础上的接触，被称为近藤半导体，在金属和隧道制度在0.1 - 8 K之间的温度和磁场高达8 T使用机械可控断开结（MCBJ）。结果发现，CeNiSn表现得像一个化合物，具有典型的金属性质，而不是预期的半导体行为。的主要光谱特征是一个明显的零偏压电导最小值约10毫电子伏的宽度为金属和隧道制度，这似乎是磁性的。实验没有提供明确的证据表明该化合物中存在能隙（伪能隙）。
2001-01-08 cond-mat.str-el
Green's function approach to quantum criticality in the anisotropic Kondo-necklace model
研究了二维各向异性Kondo项链模型中反铁磁相和自旋液相之间的量子相变。键算符形式主义已被实现的自旋哈密顿变换到玻色子之一。我们用包含硬核排斥的格林函数方法得到了该模型的低能激发谱。在近藤单重态到长程反铁磁有序的相变的量子临界点，玻色子激发变得无隙。我们已经研究了两个网站间（三角洲）和本地（三角洲）各向异性的临界点和顺磁相的激发间隙的临界指数的效果。我们还比较了我们的结果与以前的债券运营商平均场计算。
2008-02-06 cond-mat.str-el
Stabilization of the collective Kondo semiconducting state by Sb doping in CeNiSn$_{1-x}$Sb$_{x}$ and the criterion of its appearance
半金属CeNiSn被示出转化为近藤半导体后，取代百分之几的Sb为Sn。取代引入的原子无序对全能隙的形成没有决定性的影响。相反，额外的价电子引入Sb掺杂（每个Sb原子一个）有助于形成集体近藤自旋单重态在低温下，所看到的磁化率的降低。给出了近藤半导体的定义，并指出了近藤半导体与带近藤半导体和Mott-Hubbard半导体的区别。
2007-01-10 cond-mat.str-el
Reentrant Kondo effect in a quantum impurity coupled to a metal-semiconductor hybrid contact
使用NRG，我们表明，一个系统包含一个量子杂质（QI），强耦合到半导体（间隙$2 Δ$）和弱耦合到金属，在低温下显示一个“重入”近藤阶段。对相应的单杂质Anderson模型（SIAM）的NRG分析表明，重入阶段具有第二个SIAM不动点序列：自由轨道（FO）>局域矩（LM）>强耦合（SC）.在第一阶段，SC固定点（近藤温度$T_{K1}$）是不稳定的，而第二阶段表现出低得多的近藤温度$T_{K2}$，与一个稳定的SC固定点。结果表明，重入近藤屏蔽与有效的SIAM有关，并具有有效的排斥力$U_{eff}$ .这种低温有效的SIAM，我们称之为“可重入”SIAM，表现为高温（裸）SIAM的“复制品”。出现的直观图像是，第一个近藤状态通过半导体电子的杂质屏蔽而发展，而第二个近藤状态涉及金属电子的屏蔽，一旦半导体电子无法达到热激发（$T < Δ$），并且只有间隙内的金属光谱权重可用于杂质屏蔽。此外，我们分析了一个混合动力系统形成的QI“夹在”扶手椅石墨烯纳米粒子（AGNR）和扫描隧道显微镜（STM）的尖端之间，与各自的耦合设置重现上述通用模型。AGNR的能隙可以通过电场诱导的Rashba自旋轨道相互作用进行外部调谐。我们分析了这个系统的现实参数值，使用NRG，并得出结论，再入SIAM，其相关的第二阶段近藤，是值得实验研究。
2020-02-07 cond-mat.str-el
Theory of Spin Exciton in the Kondo Semiconductor $Yb B_{12}$
近藤半导体$Yb B_{12}$表现出约15 meV的自旋和电荷间隙。通过以前的非弹性中子散射实验确定了接近能隙的窄色散集体激发。我们提出了这些激励的理论分析。从晶体电场（CEF）分裂4f态的周期Anderson模型出发，在从玻色子平均场近似下导出了准粒子杂化带，并在无规相位近似下计算了动量相关的动力学极化率.我们发现，一个小的差异，在杂交的两个CEF（准）四重态导致出现两个分散的自旋共振激发在连续阈值。它们的强度是最大的反铁磁（AF）区的边界点，他们有一个向上的色散合并的连续不到一半的布里渊区。我们的理论分析解释了以前无法解释的实验上的磁激发的$Yb B_{12}$最显着的特点。
2009-01-21 cond-mat.str-el
Magnetic hard-direction ordering in anisotropic Kondo systems
我们提出了一个通用的机制，解释了为什么许多近藤材料显示磁有序沿晶场各向异性不赞成的方向。使用重正化群（RG）分析单杂质近藤模型与单离子各向异性，我们证明了强波动以上的近藤温度驱动器的时刻重新取向在很宽的参数范围内，例如，对于不同的自旋值$S$和近藤通道数$N$。在四轴系统中，这可能发生在易平面或易轴各向异性上。磁磁化率的特征交叉不是弱耦合RG处理的人工制品，但可以在蛮力微扰理论中再现。利用数值重整化群（NRG）方法，我们证明了对于具有易平面各向异性的欠屏蔽矩（$S=1$，$N=1$），在强耦合区（低于近藤温度）也可以发生磁交叉.这表明，集体磁有序的这种欠屏蔽的时刻将发展沿磁硬轴。
2022-06-16 cond-mat.str-el
Fingerprints for anisotropic Kondo lattice behavior in the quasiparticle dynamics of the kagome metal Ni$_3$In
本文通过温度与偏振分辨拉曼散射结合第一性原理计算，发现笼目金属Ni$_3$In在50 K以下发生由局域Ni-$3d_{xz}$平带电子驱动的各向异性非相干-相干近藤晶格渡越。
2023-09-22 cond-mat.str-el
Dispersive magnetic resonance mode in the Kondo semiconductor CeFe2Al10
CeT 2Al 10系列正交晶系化合物表现出一个非常特殊的演变，从近藤绝缘体（T：Fe）到非常规的长程磁序（T：Ru，Os）。非弹性中子散射实验表明，单晶CeFe 2 Al 10的磁谱响应低于~ 50 K时，该材料的自旋带隙，磁激发从Y区边界点[q =（0，1，0）]处的$E = 10.2 \pm 0.5$ meV分散到分支顶部的$\approx 12$ meV。激发显示出明显的极化的磁波动沿a，易各向异性轴。它的行为与以前报道的CeRu 2Al 10，它具有横向特性，只存在于反铁磁状态的（类磁振子）模式。目前的观察归因于一个“磁激子”的机制调用来解释以前在YbB 12中发现的类似的磁响应。
2014-01-13 cond-mat.str-el
Anisotropic Kondo pseudo-gap in URu2Si2
极化电子拉曼散射研究揭示了出现的对称性依赖的电子拉曼响应的单晶URu $_{2}$ Si $_{2}$低于近藤交叉尺度$T_K\sim100K$。特别是，主要在E $_g$通道中的相干近藤伪间隙的发展突出了URu $_{2}$ Si $_{2}$中的近藤物理中的强各向异性，这在以前的理论模型中被忽略了。拉曼顶点的计算表明，最强的拉曼顶点确实开发内的E $_g$通道带间跃迁，并达到最大值沿的布里渊区的对角线，这意味着d波的近藤赝隙的几何形状。在$T_{HO}= 17.5K$处的隐藏阶相变之下，发现伪能隙的幅度被增强。此外，赝能隙的各向异性在形式上类似于出现在$T_c=1.5K$下方的手征d波（E $_g$）超导态。
2018-07-13 cond-mat.str-el
Kondo transport in an anisotropic two-dimensional electron gas with quadratic momentum-dependent spin splitting
Yukhnovskii Institute for Condensed Matter Physics of the National Academy of Sciences of Ukraine（乌克兰国家科学院尤赫诺夫斯基凝聚态物理研究所）
研究具有二次自旋纹理的各向异性二维电子气中，通过格林函数框架分析近藤杂质散射对纵向电阻率的修正，发现近藤温度随二次自旋分裂耦合增强而显著抑制，并存在临界耦合导致近藤塌缩。
2026-09-04 cond-mat.str-el
Large Fermi Surface Expansion through Anisotropic c-f Mixing in the Semimetallic Kondo Lattice System CeBi
使用角分辨光电子能谱（ARPES）和共振ARPES，我们报告的证据强各向异性导电f电子混合（c-f混合）在CeBi通过观察一个大大扩大Ce-5d口袋在低温下，没有变化的Bi-6p带。费米面（FS）的扩展伴随着从Ce（对应于Ce 3+）的局部4f 0峰到费米能级附近的巡回导带的显著的光谱权重转移。仔细分析表明，观察到的大FS变化（电子袋体积膨胀高达40%）可以最自然地解释为Ce的小价态变化（~ 1%），这与非常弱的近藤屏蔽共存。因此，我们的工作为近藤极限深处的实际电荷波动驱动的FS变化提供了证据，这是由于低载流子密度而成为可能的。
2019-06-18 cond-mat.str-el
Different Evolution of Intrinsic Gap in Kondo Semiconductors SmB6 and YbB12
本文用体敏光电能谱研究了近藤半导体合金Sm_（1-x）Eu_xB_（6）和Yb_（1-x）LuxB_（12）的光谱函数随温度和稀土掺杂量的变化。结果发现，4f晶格相干性和固有的（小）能隙是稳健的SmB 6对Eu取代高达x = 0.15，而都崩溃的Lu取代已经在x = 0.125的Yb B 12。我们的研究结果表明，本征间隙形成的机制是不同的SmB 6和YbB 12之间，虽然他们到目前为止被归类为同类的近藤半导体。
2010-02-12 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Anisotropic Physical Properties of the Kondo Semimetal CeCu$_{1.11}$As$_2$
最近提出的新材料类称为Weyl-Kondo半金属（WKSM）是一种时间反演不变，但反转对称破缺的Kondo半金属，其中Weyl节点被推到费米能级的Kondo相互作用。在这里，我们探讨是否CeCu $_{1+x}$作为$_2$可能是一个新的WKSM候选。我们报道了它的单晶生长，结构测定和物理性质的研究。以前发表的多晶样品的研究表明，它确实是一个近藤半金属，这是证实了我们的调查单晶。X射线衍射表明CeCu $_{1+x}$ As $_2$以四元中心对称结构结晶，尽管由于部分占据的Cu位，反转对称性仍然局部被破坏。化学分析结果表明，平均职业$x$ = 0.11（1）。电阻率随温度的降低而增加，在10 K以下达到饱和。近藤温度$T_{\mathrm{K}}$ $\approx$ 4 K是从熵中提取的，从比热测量中估计。从霍尔效应实验中，提取出$8.8 \times 10^{20}$ cm $^{-3}$的电荷载流子密度，这是半金属的特征值。磁化强度显示出明显的各向异性，在0.4 K以下没有磁有序的证据。因此，我们将CeCu $_{1.11}$作为$_2$分类为具有各向异性磁性的四重近藤半金属，具有可能破缺的反转对称性，从而满足WKSM态的必要条件。
2020-03-24 cond-mat.str-el
Doping Effects on the Electronic Structure of an Anisotropic Kondo Semiconductor CeOs$_2$Al$_{10}$: An Optical Study with Re and Ir Substitution
各向异性近藤半导体CeO_3-$_2$-Al-$_{10}$在较高的相变温度$T_0$（28.5K）下表现出不寻常的反铁磁有序.到目前为止，已经提出了两种可能的磁序起源，一种是导电（$c$）和$4f$状态之间的杂化的Kondo耦合，另一种是沿正交$b$轴的电荷密度波/电荷有序。为了阐明磁序的起源，我们利用沿$b$轴的光学电导谱研究了空穴和电子掺杂的CeOs $_2$ Al $_{10}$ [分别为Ce（Os $_{1-y}$ Re $_y$）$_2$ Al $_{10}$和Ce（Os $_{1-x}$ Ir $_x$）$_2$ Al $_{10}$]的电子结构。在$\hbarω\sim50$ meV下，$c$ - $f$杂交缺口的强度通过$x=y=0$从$y=0.10$连续降低到$x=0.12$。在$\hbarω\sim20$ meV处观察到的电荷激发强度在$x=y=0$处具有最大值，这与$T_{\rm 0}$的掺杂依赖性相似。电荷激发与磁序密切相关的事实加强了电荷密度波/电荷序作为磁序起源的可能性。
2016-11-05 cond-mat.str-el
Magnetic instability induced by Rh-doping in Kondo semiconductor CeRu$_2$Al$_{10}$
用μ子自旋弛豫方法研究了Rh掺杂近藤半导体CeRu $_2$ Al $_{10}$ [Ce（Ru $_{1-x}$ Rh $_x$）$_2$ Al $_{10}$ ]的磁基态.在$x$ = 0的样品中观察到两个频率的μ子自旋进动，而在$x$ = 0.05和0.1的样品中仅存在一个频率，这归因于μ子位置处的宽静态场分布。μ子位置处的内场从$x$ = 0样品中的约180 G增强到Rh掺杂样品中的约800 G，支持宏观测量所建议的自旋翻转转变，并且在$x$ = 0.03附近确定了不同磁基态的边界。少量Rh掺杂（3%）引起的磁基态的剧烈变化表明CeRu $_2$ Al $_{10}$中的磁结构不稳定，并且可以容易地通过外部扰动（例如电子掺杂）来调节。CeRu $_2$ Al $_{10}$的反常温度依赖性可归因于μ子与传导电子之间的超精细相互作用。
2013-08-15 cond-mat.str-el
Many-particle resonances in excited states of semiconductor quantum dots
推广了半导体量子点的Anderson杂质模型，使其同时考虑了粒子和空穴两个电荷激发分支。结果表明，在电子数为偶数的量子点中，当基态不存在近藤效应时，由于近藤效应的振荡过程，在能谱中出现了新的带隙激子态.该模型的相关性掺杂过渡金属杂质和稀土离子吸附在金属表面上的异质结构进行了讨论。
2000-02-29 cond-mat.str-el
Splitting of the Kondo resonance in anisotropic magnetic impurities on surfaces
利用数值重整化群方法，研究了各向异性磁性杂质Kondo模型中不同方向施加磁场时Kondo共振的分裂.考虑了几种类型的磁各向异性：XXZ交换耦合各向异性J_perp J_z、纵向磁各向异性DS_z ^[2]和横向磁各向异性E（S_x^2-S_y^2）。在自旋1/2模型与XXZ交换耦合各向异性，我们发现很小的方向依赖的分裂的大小。在自旋为3/2的易平面（D>0）各向异性模型中，我们观察到非常不相等的幅度，在存在额外的横向各向异性的情况下，x和y方向之间存在进一步的差异。一个简单而直观的解释是，分裂在软磁方向上更大。分裂的大小与自旋态之间的能量差直接相关，并且由于Kondo屏蔽，它仅被一些乘法因子微弱地修改。S=3/2模型的结果与最近对吸附在Cu（100）表面上的CuN岛上的Co杂质的扫描隧道光谱研究结果吻合得很好[A. F. Otte等人，Nature Physics 4，847（2008）]
2009-02-18 cond-mat.str-el
Scaling theory of magnetic ordering in the Kondo lattices with anisotropic exchange interactions
磁态形成的近藤晶格中的最低阶标度的考虑内的$s-f$模型与包括的$f-f$耦合和$s-f$交换相互作用的各向异性。计算了铁磁和反铁磁情况下的有效横向和纵向$s-f$耦合参数、自旋波频率、磁振子谱能隙和有序矩的近藤重整化。缩放行为的各向异性驱动的变化（例如，在N=2的情况下，数值研究了进入强耦合区的$g$临界值和相应的临界指数），并在大N极限下进行了解析研究.在各向异性的存在下，有效近藤温度对裸$s-f$耦合参数$g$的依赖性减弱。$s-f$和$f-f$耦合的相对各向异性参数被证明在重整化过程中减少。下一个最近的交换相互作用的反铁磁体中的这种效果的作用进行了讨论。
1999-01-22 cond-mat.str-el
Kondo Lattice Scenario in Disordered Semiconductor Heterostructures
我们研究了无序δ-杂质半导体异质结构中二维电子气中局域电子存在时的核弛豫，并表明这种方法可以可靠地探测它们的磁相互作用和可能的长程序.相反，我们认为，运输测量，常用的工具，有时可能无法区分空间无序和长程序。我们说明了使用核弛豫方法来检测长程序的效用，通过分析最近提出的建议的基础上的传输测量，自发形成的二维近藤晶格中的二维电子气在异质结构。
2009-09-01 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Anisotropic Kondo screening induced by spin-orbit coupling in quantum wires
利用数值重整化群（NRG）方法研究了外磁场中磁杂质与具有Rashba和Dresselhaus自旋轨道耦合（SOC）的量子线的耦合.我们认为低填充制度的费米能量接近底部的带和报告的结果，在近藤制度的局部静态和动态特性。在没有场的情况下，尽管导带的SOC诱导的磁各向异性，但局部杂质性质在自旋空间中保持各向同性。在该领域的存在下，明确的指纹的各向异性揭示通过强场方向依赖的杂质自旋极化和光谱，特别是近藤峰高。详细的行为取决于杂质和能带$g$因子的相对大小。对于杂质$g$ -因子略低于能带$g$ -因子的情况下，最大的近藤峰抑制被发现为沿有效SOC场轴取向的场，而对于垂直于该方向的场，我们观察到补偿效应（"近藤峰的复兴“）：SOC抵消了局部塞曼场的近藤峰分裂效应。我们证明，SOC引起的各向异性，可测量的隧道光谱技术，可以帮助确定Rashba和Dresselhaus SOC强度的比率在电线。
2020-07-12 cond-mat.str-el
Kondo metal of fermionic atoms in anisotropic triangular optical lattice
采用动态团簇近似结合连续时间量子Monte Carlo算法研究了各向异性三角形光晶格中费米子原子的量子相变。给出了不同希望项下的温度-相互作用相图以及各向异性参数与相互作用之间的竞争关系。结果表明，当排斥相互作用达到临界值时，体系发生从费米液体到莫特绝缘体的莫特转变。在该体系中发现了以态密度的近藤峰为特征的近藤金属，并且由于近藤效应，低温下赝能隙被抑制。我们还提出了一个可行的实验方案，在含有冷原子的各向异性三角形光晶格中观察到这些现象，该方案可以通过改变晶格深度来改变希望项，并通过费什巴赫共振来调节原子间的相互作用.
2012-12-12 cond-mat.str-el physics.atom-ph
Thermodynamics of the anisotropic two-channel Kondo problem
构造并数值求解了自旋各向异性双通道近藤模型在任意外场$h$中的热力学Bethe Answer方程.在高温下，比热和磁化率呈幂律关系。对于$h \to 0$和低于近藤温度$T_K$的温度下，双通道近藤效应的发展，其特征在于威尔逊比8/3，和对数发散的磁化率和线性比热系数。有限磁场$h>0$驱动系统到费米液体固定点，该固定点具有不寻常的威尔逊比，该威尔逊比敏感地依赖于$h$。
2001-10-10 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Anisotropic magnetism and Kondo-lattice behavior in the frustrated antiferromagnet Ce3MgBi5
Oak Ridge National Laboratory（橡树岭国家实验室）；Gdansk University of Technology（格但斯克理工大学）
通过单晶合成与物性表征，研究了Ce3MgBi5中几何受阻、磁各向异性和近藤晶格物理的相互作用，揭示了反铁磁序、场致变磁转变及近藤关联特征。
2026-05-27 cond-mat.str-el
Universal spatial correlations in the anisotropic Kondo screening cloud: analytical insights and numerically exact results from a coherent state expansion
我们分析了近藤杂质附近电子气自旋密度的空间相关性。我们的分析延伸到自旋各向异性制度，这是没有调查的文献。我们使用一个原始的和数值精确的方法，基于一个系统的相干态展开的基态的基础自旋玻色子哈密顿量，我们适用于特定的费米近藤模型的观测值的计算。我们还提出了一个重要的技术改进的方法，避免了需要离散模式的费米海，并允许一个解决问题的热力学极限。因此，人们可以在任意长度尺度上获得优异的空间分辨率，计算成本相对较低，这一特征使该方法优于流行的技术，如NRG和DMRG。我们发现各向异性的近藤模型在纠缠云的空间结构中表现出丰富的普适标度行为。首先，SU（2）自旋对称性在各向同性线附近的参数空间中的有限域中被动态地恢复，正如从穷人的标度所预期的那样。我们也能够获得一组不同的，但普遍的，强交换不对称性，这是参数化的纵向交换耦合的标度曲线在封闭的分析形式。在云的深处，即小于近藤长度的距离，电子自旋密度和杂质自旋之间的相关性在费米波长的尺度上在铁磁和反铁磁值之间振荡，这种效应在强各向异性耦合时急剧增强。我们的结果还为最近计算的近藤重叠提供了进一步的数值检查和替代分析近似[PRL 114，080601（2015）]。
2015-11-06 cond-mat.str-el
Magnetization plateau and anisotropic magnetoresistance in the frustrated Kondo-lattice compound Ce3ScBi5
Northeastern University（东北大学）；University of Chinese Academy of Sciences（中国科学院大学）；Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences（中国科学院物理研究所）；Southern University of Science and Technology（南方科技大学）；Songshan Lake Materials Laboratory（松山湖材料实验室）
本文合成了受挫结构的Ce₃ScBi₅单晶，发现其在低温下有两个反铁磁转变，垂直c轴磁场下存在磁化平台间的变磁转变及各向异性磁电阻，构建了温场相图，为研究受挫近藤晶格中的奇异量子态提供了平台。
2025-11-12 cond-mat.str-el
Nonequilibrium Dynamics of Anisotropic Large Spins in the Kondo Regime: Time-Dependent Numerical Renormalization Group Analysis
研究了强耦合金属电极单分子磁体中的含时近藤效应。用大自旋S > 1/2的Kondo模型描述SMM，分析了局域磁矩的欠屏蔽和各向异性项对磁化弛豫动力学的影响。通过单通道近藤过程的欠屏蔽导致了磁慢弛豫，而有限的单轴各向异性导致SMM的磁化饱和。附加的横向各向异性项诱导量子自旋隧穿和对自旋宇称敏感的赝自旋1/2近藤效应。
2008-03-11 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Numerical Renormalization Group calculations of the magnetization of isotropic and anisotropic Kondo impurities
利用数值重整化群（NRG）研究了非零磁场B中具有附加单轴各向异性D的Kondo杂质模型。本文把电子与杂质g因子之比g_e/g_S看作自由参数，特别考虑了“局域”场（g_e=0）和“体”场（g_e=g_S）的特殊情况。对于体场，研究了杂质磁化强度M和杂质对磁化强度M_imp的贡献之间的关系。此外，我们还研究了g_e值对杂质磁化曲线的影响。对于g_e=g_S的各向同性杂质，证明了在零温下M（B）不象M_imp（B）那样具有普适性。与额外的“易轴”各向异性，杂质磁化很好地描述了一个移位和重新缩放布里渊函数的能量尺度相比，小|D|。在“难磁化轴”各向异性的情况下，磁化曲线可以具有由于场诱导的赝自旋1/2近藤效应引起的台阶。对于大的各向异性和局部场，这些屏蔽效应由各向异性自旋1/2近藤模型描述，该模型具有与自旋相关的额外散射项（与普通的势散射相反）。我们的研究是出于这样一个问题，即沉积的磁性分子的磁性是如何通过与非磁性金属表面的相互作用而改变的。
2012-12-20 cond-mat.str-el
On two channel flavor anisotropic and one channel compactified Kondo models
我们重新研究了双通道味各向异性模型（2CFAK）和单通道紧化Kondo模型（1CCK）。对于这两个模型，所有可能的不动点和它们的对称性被确定，有限尺寸谱，电子电导率和配对磁化率的计算。结果表明，2CFAK的唯一非费米液体（NFL）不动点是对称性为$O(3) \times O(5)$的双通道Kondo模型（2CK）的NFL。两个通道之间的任何风味各向异性都会将系统驱动到具有对称性$O(4) \times O(4)$的费米液体（FL）固定点，其中两个通道中的一个遭受相移π/2，而另一个保持自由。1CCK的NFL不动点具有对称性$O(3) \times O(1)$，并且与2CK的NFL不动点具有相同的热力学性质。然而，与2CK相反，其电导率显示$T^{2}$行为，并且没有配对磁化率分歧。自旋扇区和同位旋扇区之间的任何各向异性都将系统驱动到具有对称性O（4）的FL固定点，在那里电子遭受相移π/2。这两种模式之间的联系和区别是明确的。对这两种模型的NFL行为的最新研究成果和主张进行了评述。
1998-01-22 cond-mat.str-el
