Response to Parallel Magnetic Field of a Dilute 2D Electron System across the Metal-Insulator Transition
在硅MOSFET中，对电子的非常稀的绝缘二维系统的平行磁场的响应是显著的，并且与在金属-绝缘体转变的导电侧上发现的响应类似：随着场的增加，电阻率存在大的初始增加，随后饱和到在约1特斯拉的特征磁场以上近似恒定的值。这是在零场中表现出Efros-Shklovskii可变范围跳跃的绝缘体中的意外行为，并且似乎是非常稀的电子系统的一般特征。
1999-06-14 cond-mat.str-el
Nonlocal effects on magnetism in the diluted magnetic semiconductor Ga_{1-x}Mn_{x}As
在动态集团近似下研究了稀磁半导体Ga_{1-x} Mn_{x} As的磁性.我们使用k点p哈密顿量来描述GaAs的电子结构，自旋轨道耦合和应变效应。我们表明，非局部效应是必不可少的解释实验观察到的转变温度和饱和磁化强度。我们还表明，集团的各向异性是非常强的，并诱导旋转挫折和立方边缘方向的磁各向异性在低温下。由此，我们解释了该系统中温度驱动的自旋重取向。
2010-01-11 cond-mat.str-el
Co-doped LaLa1-xSrxTiO3-d : A Diluted Magnetic Oxide System with High Curie Temperature
在脉冲激光沉积的钴掺杂钛基钙钛矿氧化物（La_（1-x）Sr_xTiO_（3-d））外延薄膜中，在室温及室温以上观察到铁磁性。该系统在低浓度（<~ 2%）下具有本征稀磁半导体（金属）的特性，但在较高的钴浓度下会出现不均匀性。薄膜的范围从不透明的金属到透明的半导体，这取决于生长过程中的氧压，并且仍然是铁磁性的。
2003-07-31 cond-mat.str-el
Phase Diagram of a Model for Diluted Magnetic Semiconductors Beyond Mean-Field Approximations
本文对稀磁半导体（DMS）的晶格自旋费米子模型进行了数值研究，改进了以往的平均场（MF）近似。居里温度得到不同的Mn自旋x和空穴n密度，和杂质空穴交换J的跳跃幅度t的单位。在巡回和本地化的运营商之间的微妙的中间政权的最佳值。我们的主要结果是居里温度在大J/t的行为，观察到一个“集群”的状态和铁磁性被抑制。DMS和锰氧化物之间的正式类比进行了讨论。
2002-08-19 cond-mat.str-el
Kondo Lattice Behavior in the Ordered Dilute Magnetic Semiconductor Yb_{14-x}La_xMnSb_{11}
本文报道了Yb_（14）MnSb_（11）和Yb_（13.3La_（0.7）MnSb_（11）单晶的霍尔效应、磁性、热容和掺杂研究。这些重掺杂半导体化合物分别在53 K和39 K以下具有铁磁性。载流子质量从室温附近的2 me重正化到5 K时的15 me，加上Mn磁矩部分屏蔽的磁性证据表明，这些化合物代表了T_K = 350 K的欠屏蔽Kondo晶格的罕见例子。
2005-08-04 cond-mat.str-el
A new route to enhance the ferromagnetic transition temperature in diluted magnetic semiconductors
本文采用自旋费米子蒙特卡罗方法研究了中间耦合区中稀磁半导体的磁性和输运性质。铁磁转变温度$T_c$显示出优化行为，对于给定的磁性杂质浓度$x$，相对于绝对载流子密度$p_{abs}$，首先增加，然后降低，如实验中所见。我们的计算还表明，绝缘体-金属-绝缘体过渡跨越最佳$p_{abs}$的$T_c$是最大的。值得注意的是，对于所有$x$值，最佳$p_{abs}$值位于0.11左右的窄范围内，并且铁磁性$T_c$随着$x$而增加。我们用极化子渗流机制解释了我们的结果，并在实验中提出了一种提高铁磁转变温度的新途径。
2017-03-29 cond-mat.str-el
Limited influence of diluted ferromagnetic dimers on Curie temperature in complex magnetic systems
在这项工作中，我们研究伊辛和经典海森堡模型的二维和三维晶格中存在的稀释铁磁二聚体。计算了该模型的居里温度随二聚体内交换偶合常数I_A与其它位间耦合常数I_B比值的变化。在二聚体的情况下，被精确地处理和平均场方法内的环境，它被发现，即使对于I_A/I_B \to \infty T_C仍然有限。提出了类似的分析菱面体相的金属间化合物Gd 2Fe 17，其中所谓的Fe 1-Fe 1“哑铃”形成稀释的铁磁二聚体。结果表明，对于这类复杂磁系统，T_C由各种交换相互作用决定，在0 < I_A/I_B < \infty的区间内，T_C的变化不超过± 10%.
2010-08-19 cond-mat.str-el
Magnetic moment formation at a dilute Ce(140) impurity in RCo_2 compounds
大量的实验工作，利用扰动角关联（PAC）已成功地测量超精细领域的Ce稀释在金属系统中，从而允许在低温下的本地杂质的时刻确定。受Ce（140）置于RCo_2中稀土元素（R = Gd，Tb，Dy，Ho，Er）的R位上的实验工作的启发，我们在一个简单的模型内，从理论上讨论了局域磁矩，从而计算了磁超精细场。计算结果与实验数据吻合较好。为了比较，我们回顾我们以前的结果Ta d-杂质嵌入在相同的主机。
2011-11-21 cond-mat.str-el
Hall Coefficient of a Dilute 2D Electron System in Parallel Magnetic Field
在与低密度硅MOSFET的电子的2D平面成小角度施加的磁场中的测量表明，霍尔系数与从H=0到$H>H_{sat}$的平行场无关，在该场以上纵向电阻饱和并且电子已经达到完全自旋极化。这意味着在所有磁场下，自旋向上和自旋向下的电子的迁移率保持相当，并且表明存在自旋向上和自旋向下的电子状态的强混合。
2000-08-30 cond-mat.str-el
Local atomic and magnetic structure of dilute magnetic semiconductor (Ba,K)(Zn,Mn)$_2$As$_2$
通过对含温X射线和中子全散射数据的原子和磁对分布函数分析，研究了稀磁半导体系统（Ba，K）（Zn，Mn）$_2$ As $_2$的原子和磁结构.我们检测到的曲率变化的温度依赖性的平均tetraxite晶体结构的晶胞体积的温度与铁磁秩序的发病相一致。我们还观察到存在一个定义良好的本地正交结构上的短长度尺度的$\lesssim 5$的，导致在一个相当不对称的本地环境的Mn和As离子。最后，磁性PDF揭示了Mn自旋沿晶体学$c$轴的铁磁排列，具有甚至在铁磁有序温度以上存在的鲁棒最近邻铁磁相关性。我们讨论了这些结果的背景下，其他实验和理论研究这个系统。
2016-08-09 cond-mat.str-el
Magnetic properties of Gd_xY_{1-x}Fe_2Zn_{20}: dilute, large, $\textbf {S}$ moments in a nearly ferromagnetic Fermi liquid
用富锌溶液生长了含稀土的准三元系Gd_ xY_{1-x} Fe_2 Zn_{20}单晶。对Gd_ xY_{1-x} Fe_2 Zn_{20}样品的磁化强度、电阻率和热容量的测量揭示了几乎整个系列（$x \geq 0.02$）的Gd^{3+}局部磁矩的铁磁有序性。在近铁磁费米液体（YFe 2 Zn_{20}）中的稀释$\textbf {S}$磁矩（Gd^{3+}）的框架下，研究了该系列化合物的磁性，包括铁磁有序性、基温饱和磁矩的降低、磁化率偏离居里-外斯定律以及电阻率的异常。用s-d模型进一步解释了$T_{\mathrm{C}}$随x的变化规律以及磁化率的温度依赖性。
2007-08-08 cond-mat.str-el
Destabilization of magnetic order in a dilute Kitaev spin liquid candidate
绝缘蜂窝状磁体$α$ $_{3}$表现出分数激发，这表明其接近Kitaev量子自旋液体（QSL）状态，然而，在$T=0$，脆弱的长程磁序来自哈密顿量中的非Kitaev项。自旋空位的形式的Ir $^{3+}$取代Ru被发现不稳定的长程序。Ru $_{1-x}$ Ir $_{x}$ Cl $_{3}$的中子衍射和体表征表明，随着$x$的增加，磁有序温度受到抑制，$x>0.3$不存在zizag磁有序的证据.非弹性中子散射表明，分馏激发的签名保持在整个范围内的$x$调查。因此，没有磁序的耗尽晶格具有类似自旋液体的基态，这可能表明Kitaev物理学在RuCl $_{3}$的磁稀释极限中的相关性。
2017-10-26 cond-mat.str-el
Two magnetic regimes in doped ZnO corresponding to a dilute magnetic semiconductor and a dilute magnetic insulator
薄膜的ZnO掺杂磁性离子，Mn和Co，在某些情况下，与Al已制成具有非常宽的范围内的载流子密度。在绝缘和金属薄膜中均观察到铁磁行为，但当载流子密度为中间值时则没有。绝缘膜在低温下表现出可变的范围跳跃，并且由于局部自旋与静态局部态的相互作用而在室温下是铁磁性的。当处于局域态的载流子变得移动时，磁性被淬灭。在金属（简并半导体）的范围内，强大的铁磁性与非常强的磁光信号和室温异常霍尔数据一起重新出现。这证明了导带的极化，并表明当ZnO掺杂到金属区时，它表现为真正的磁性半导体。
2007-12-18 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Coherent dynamics of localized spins coupled with a two-dimensional hole gas in diluted-magnetic quantum wells
从理论上研究了稀磁半导体量子阱中的自旋动力学。局域自旋系综与二维重空穴气体的交换相互作用影响自旋系统在面内磁场中的时间演化。局域自旋的拉莫尔频率的影响下的振荡的有效字段的孔减少。
1999-03-18 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Ferromagnetic ordering in dilute magnetic dielectrics with and without free carriers
综述了过渡金属掺杂氧化物（稀磁氧化物）的理论和实验研究现状。现有数据表明，磁性杂质掺杂氧化物薄膜的一般非平衡态可能有利于具有高居里温度的铁磁性，也可能导致不具有长程磁有序的高度非均匀状态。在这两种情况下，伴随的缺陷（空位），间隙离子起着至关重要的作用。
2008-09-11 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Role of Correlation and Exchange for Quasi-particle Spectra of Magnetic and Diluted Magnetic Semiconductors
讨论了广义自旋费米子（sp-d）交换晶格模型在磁性和稀磁半导体中的理论基础和应用。该模型描述自旋准粒子谱的能力进行了研究。重点讨论了两个相互作用子系统的动力学行为，巡游载流子的局域自旋和自旋密度。本文采用不可约格林函数（IGF）方法描述准粒子动力学。散射状态的调查和三个分支的磁激发计算的制度，磁性半导体的特性。对于简化版本的模型（近藤晶格模型），我们研究的准粒子激发的光谱，特别注意到稀磁半导体。为此，为了包括无序的影响，自洽地确定修改的平均场。通过两种情况的比较，阐明了库仑相关和交换的作用。
2004-03-10 cond-mat.stat-mech cond-mat.str-el
Combined approach of density functional theory and quantum Monte Carlo method to electron correlation in dilute magnetic semiconductors
本文对稀磁半导体（Ga，Mn）As的电磁性质进行了实际研究。提出了一种基于密度泛函计算的多轨道Haldane-Anderson模型，并采用Hirsch-Fye量子Monte Carlo算法进行了求解.在稀释极限下，结果与实验结果吻合良好。当化学势位于价带顶和杂质束缚态之间时，杂质间的长程铁磁关联（由反铁磁杂质-主体耦合介导）得到了显著发展.我们观察到杂质束缚态能量下局域态密度的各向异性特征，这与STM测量结果一致。因此，提出的组合方法提供了一个坚实的起点，现实的计算的各种家庭的稀磁半导体。
2008-12-02 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Dilute magnetic topological semiconductors: What's new beyond the physics of dilute magnetic semiconductors?
局域磁矩在金属-绝缘体相变中的作用是现代凝聚态物理的核心，例如，高T $_{c}$超导的机制，重费米子量子临界附近的非费米子液体物理的性质，杂质半导体中的金属-绝缘体相变问题等等。稀磁半导体的研究已经有二十多年的历史，尽管居里温度低，但仍获得自旋极化的电流。用拓扑绝缘体代替半导体，提出了稀磁拓扑半导体问题。增加对应于铁磁团簇的尺寸分布的无序强度，我们提出了一种新的无序金属状态，其中Weyl金属岛似乎形成具有拓扑绝缘相的不均匀混合物。通过重整化群分析并结合实验结果，我们提出了一个$(λ_{so},Γ,T)$的相图，其中自旋-轨道耦合$λ_{so}$控制从拓扑半导体到具有温度$T$的半导体的拓扑相变，并且铁磁簇$Γ$的分布产生新颖的绝缘体-金属从拓扑绝缘或能带绝缘相转变到具有这种绝缘岛的非均匀分布的Weyl金属态。由于外尔金属的电磁性质是由轴子电动力学描述的，随机轴子电动力学在输运现象中的作用超出了传统无序驱动的金属-绝缘体转变中的渗流物理学，这是一个有趣的问题。我们还讨论了如何验证这种不均匀的混合物的基础上原子力显微镜。
2014-08-26 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
Effects of dilute Zn impurities on the uniform magnetic susceptibility of YBa2Cu3O{7-delta}
在正常金属态下，利用层状铜氧化物的自旋涨落模型，计算了稀Zn杂质对均匀磁化率的影响。结果表明，扩展杂质势的散射可以导致磁化率chi（q）的q~（pi，pi）分量和q~0分量的耦合。在反铁磁关联存在的情况下，这种耦合可以增强均匀磁化率。这一结果的影响的实验数据Zn取代YBa_2Cu_3O {7-delta}进行了讨论。
1999-06-13 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Magnetism of the diluted Ising antiferromagnet in a magnetic field on the Kagome lattice: single-spin cluster approximation
采用基于单自旋团簇的有效场论，研究了Kagome晶格上具有最近邻相互作用的稀释自旋$1/2$ Ising反铁磁体.当外加磁场时，我们观察到稀释反铁磁体的磁化曲线中有五个平台，这与Monte Carlo计算结果相一致。还研究和讨论了场地稀释对磁化率的影响。特别地，我们发现在$0$ K时，受抑的Kagome晶格逆磁化率降为零。
2019-11-11 cond-mat.stat-mech cond-mat.str-el
(Sr3La2O5)(Zn1-xMnx)2As2: A Bulk Form Diluted Magnetic Semiconductor isostructural to the "32522" Fe-based Superconductors
合成并表征了一种新的稀磁半导体系统（Sr_3La_2 O_5）（Zn_（1-x）Mn_x）_2As_2。在居里温度TC ~ 40 K以下，Mn以10%取代Zn（Sr_3La_2 O_5）Zn_2As_2，形成铁磁有序结构。（Sr 3 La 2 O 5）（Zn 1-x Mn x）2 As 2具有与32522型Fe基超导体相同的层状晶体结构，并且代表在FeAs高温超导体族中具有直接对应物的第五DMS族。
2014-03-14 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
NMR Investigation of the Diluted Magnetic Semiconductor Li(Zn1-xMnx)P (x = 0.1)
我们采用NMR技术研究了I-II-V稀磁半导体Li（Zn 1-xMnx）P（x = 0.1，居里温度Tc = 25 K）中Mn自旋的性质。我们成功地确定了7 Li NMR信号所产生的Li网站附近的Mn 2+，探测Mn自旋的静态和动态特性。从核磁共振自旋-晶格弛豫数据，我们表明，锰自旋-自旋相互作用延伸到许多单位电池。
2013-07-27 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Odd-frequency superconductivity in dilute magnetic superconductors
我们表明，在传统的超导体中的稀磁杂质起源于超导性的奇频分量，表现在Yu-Shiba-Rusinov带内形成的散装超导能隙。我们的结果是在动力学平均场论求解的一般模型中得到的。通过利用一个无序分析和限制到一个单一的杂质，我们能够提供一般的表达式，可用于明确提取的奇频超导功能从扫描隧道测量。
2020-08-12 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Comparison between ab-initio and phenomenological modeling of the exchange couplings in diluted magnetic semiconductors: the case of $Zn_{1-x}Cr_{x}Te$
利用最近发展起来的半解析方法（自洽局部RPA或SC-LRPA），我们研究了磁性杂质之间的交换耦合为RKKY形式的稀磁系统中铁磁相的稳定性。这些计算相对于在稀释的铁磁材料中观察到的铁磁性的相关性提供了一个简短的讨论。然后，在一个两步的方法，我们研究的铁磁性$Zn_{1-x}Cr_{x}Te$。在我们研究的第一步中，我们计算了LDA内锰杂质之间的磁耦合。在第二步中，我们使用SC-LRPA对角化所得到的有效海森堡哈密顿量。我们还比较，当可用时，我们的计算与蒙特卡罗模拟和实验测量。
2006-06-20 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
Electronic structure by X-ray absorption spectroscopy and observation offield induced unusually slowspin relaxation from magnetic properties in pyrochlore Eu$_{2-x}$Fe$_x$Ti$_2$O$_7$
通过X射线吸收光谱（XAS）、X射线磁圆二色性（XMCD）和磁化强度研究了混合焦绿石Eu 2-xFexTi 2 O 7的结构，其中稀土Eu（4 f）被过渡金属Fe（3 d）取代，引入了竞争的4f-3d相互作用。结果表明，Eu和Fe离子的价态为三价，Ti离子的价态为四价（3d 0）。分析得出，四价钛离子占据八面体网站与扭曲的OH对称性，这是触发的空缺8a阴离子网站的存在下相邻的TiO 6八面体。Fe掺杂的进一步研究表明，它通过引入阴离子无序（48 f氧离子迁移到8a位点）基本上减少了八面体畸变。O-K边XAS谱的分析进一步证实了Fe取代导致Ti ~（4+）阳离子配位（O2-）发生系统变化。另一方面，在低温T ~*（4 K<T ~*< 8 K）下观察到了一个新的场致相变（Fe掺杂），其交流磁化率具有异常缓慢的自旋弛豫。随着外加磁场和Fe浓度的增加，过渡向更高的温度。然而，单离子自旋冻结（Tf ~35 K）似乎被Fe取代抑制。有趣的是，少量的Fe 3+离子取代在较低温度（<100 K）下表现出显著的直流磁化强度增强。分析进一步表明偶极FM交换相互作用与Fe掺杂的上升。
2018-10-23 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Two dimensional ordering and collective magnetic excitations in the dilute ferromagnetic topological insulator (Bi$_{0.95}$Mn$_{0.05}$)$_{2}$Te$_{3}$
利用弹性和非弹性中子散射（INS）技术，详细研究了磁性拓扑绝缘体（Bi $_{0.95}$ Mn $_{0.05}$）$_{2}$ Te $_{3}$的铁磁性.多晶样品的中子衍射表明铁磁有序在基面内为长程有序，在低于$T_{\mathrm{C}} \approx 13$ K时主要为二维有序，层间为短程有序。尽管稀Mn原子的分布是随机的，但我们发现类2D磁峰与化学结构是相称的，（00L）磁峰的缺失表明Mn $^{2+}$磁矩垂直于基面。令人惊讶的是，我们观察到集体磁激发，在这个稀磁系统。尽管具有稀释性质，但激发是典型的准2D FM系统，尽管在短波长处严重加宽，可能是由于Mn原子在Bi平面中的随机空间分布。对INS的详细分析提供了交换耦合和单离子各向异性的能量尺度。
2019-06-22 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Magnetic spin excitations in diluted ferromagnetic systems: the case of $Ga_{1-x}Mn_{x}As$
我们提出了一个理论，可以计算在稀释铁磁系统的磁激发谱。该方法是相当普遍的，并基于自洽局部随机相位近似，其中无序（稀释）和热波动得到适当的处理。为了说明它的可靠性和准确性，我们计算了稀释的III-V磁性半导体$Ga_{1-x}Mn_{x}As$中的磁激发。结果表明，稀释有一个激烈的影响，激发谱，事实上，良好定义的磁振子激发只存在于一个小区域的布里渊区周围的$Γ$点为中心。我们还计算了最佳退火样品的自旋刚度作为$Mn^{2+}$浓度的函数。与可用的测量值进行比较。我们发现一个非常好的协议居里温度和自旋刚度测量退火样品，并提供一个合理的解释非常小的值测量生长的样品。
2007-07-11 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
Li1.1(Zn1-xCrx)As: Cr doped I-II-V Diluted Magnetic Semiconductors in Bulk Form
本文报道了体相稀磁半导体I-II-VLi_（1.1）（Zn_（1-x）Cr_x）As（x = 0.03，0.05，0.10，0.15）的合成与表征，其立方晶体结构与III-VGaAs和II-VI族Zn_xCr_xZnSe相同。当过量Li产生p型载流子时，Cr取代Zn 10%，在TC ~ 218 K以下形成铁磁有序。Li（Zn，Cr）As代表另一种磁性半导体系统，其具有使载流子和自旋去耦的优点，其中载流子通过添加额外的Li来产生，并且自旋通过Cr取代Zn来引入。
2014-03-18 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Co-doped (La,Sr)TiO3-d: a high-Curie temperature diluted magnetic system with large spin-polarization
我们报道的隧道磁电阻（TMR）的实验表明，存在一个显着的自旋极化的Co掺杂（La，Sr）TiO 3-d（Co-LSTO），铁磁稀磁氧化物系统（DMOS）与高居里温度。这些TMR实验已经在与Co-LSTO和Co电极相关联的磁性隧道结上进行。结合高分辨率透射电子显微镜和俄歇电子能谱的Co-LSTO的广泛的结构分析排除了Co簇在Co-LSTO层中的存在，因此，测得的铁磁性和高自旋极化是该DMOS的固有特性。我们的研究结果表明，DMOS的方法与复杂的氧化物材料在自旋电子学。
2005-08-11 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Frustrated spin chains in strong magnetic field: dilute two-component Bose gas regime
研究了饱和附近强磁场中自旋S链阻挫的基态。在强阻挫链中，磁振子色散在不相等的动量$\pm Q$处有两个简并极小值，而在饱和场下，系统可以有效地表示为两种玻色子的稀一维格子气，对应于动量在$\pm Q$附近的磁振子。我们提出了一个有效的相互作用理论，在这样一个稀磁振子气体，使我们能够对任意值的自旋进行定量预测。借助这种方法，我们能够建立接近饱和的阻挫链的磁相图，并研究几个非平凡状态之间的相变，包括一个两个组件的Luttinger液体，一个矢量手征相，并与绑定磁振子相。我们研究了这些相变的数值，并找到一个很好的协议与我们的分析预测。
2012-04-02 cond-mat.quant-gas cond-mat.str-el
Sr and Mn co-doped LaCuSO: A wide band gap oxide diluted magnetic semiconductor with TC around 200K
本文报道了体氧化物稀磁半导体（DMS）系统La_（1-x）Sr_xCu_（0.925）Mn_（0.075）SO（x=0，0.025，0.05，0.075和0.1）的合成。LaCuSO作为一种宽带隙p型氧化物半导体，满足理论上预测的室温DMS的所有条件。当x>0.05时，其居里温度（TC）约为200 K，这是迄今为止已知的块体DMS材料的最高TC记录之一。该系统提供了具有p型导电的氧化物DMS系统的罕见示例，这对于形成高温自旋电子器件是重要的。
2013-07-24 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Single Crystal Growth and Spin Polarization Measurements of Diluted Magnetic Semiconductor (BaK)(ZnMn)2As2
最近发现了一种具有高固化温度（Tc）的新型稀磁半导体（BaK）（ZnMn）_2As_2（BZA），它具有独立的自旋和电荷掺杂机制。这使得BZA成为自旋电子器件的一种有前途的材料。本文首次报道了BZA单晶的成功生长。基于BZA单晶制备了可用于评价自旋极化的Andreev反射结，通过Andreev反射光谱分析，得到BZA单晶的自旋极化率为66%.
2018-10-10 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
