Shubnikov-de Haas oscillations in optical conductivity of monolayer MoSe$_2$
我们报告的极化分辨共振反射光谱的电荷可调原子薄谷半导体托管紧束缚激子耦合到一个稀释系统的充分自旋和谷极化的空穴在强磁场的存在下。我们发现，激子-空穴相互作用表现在空穴密度依赖性，Shubnikov-de Haas振荡的能量和线加宽的激子共振。这些振荡被证明是精确相关的朗道能级的占用，从而表明，强相互作用之间的激子和朗道量子化的巡回运营商，使光学调查的量子霍尔物理在过渡金属二硫属化物。
2018-12-20 cond-mat.mes-hall
Composite fermions in a long-range random magnetic field: Quantum Hall effect versus Shubnikov-de Haas oscillations
我们研究了在光滑随机磁场中的输运，重点是朗道能级半填充附近的复合费米子（CF）。当磁场涨落的幅度或其平均值$\bar B$足够大时，输运具有扰动性质。虽然在$\bar{B}=0$处，逾渗效应增强了电导率$σ_{xx}$，但是增加$\bar B$（其对应于远离CF问题的半填充）导致$σ_{xx}$的急剧下降，并且因此导致CF的量子局域化。我们表明，本地化是一个至关重要的因素之间的相互作用的Shubnikov-de Haas和量子霍尔振荡，并指出，后者是占主导地位的CF金属。
1997-10-14 cond-mat.mes-hall
Shubnikov-de Haas oscillations of a single layer graphene under dc current bias
实验研究了单层石墨烯霍尔棒样品在直流偏压下的Shubnikov-de Haas（SdH）振荡。在直流电阻，偏置电流显示的共同的阻尼效应的SdH振荡和效果可以很好地占一个升高的电子温度，被发现是线性依赖于电流偏置。在微分电阻，一个新的相位反转的SdH振荡已被观察到与增加直流偏置，即我们观察到的振荡最大值发展成最小值，反之亦然。此外，它被发现的起始偏置电流，在SdH极值即将反转，是线性依赖于SdH极值的磁场。这些意见的定量解释的帮助下，一般的SdH公式。
2011-08-14 cond-mat.mes-hall
Crossover from weak localization to Shubnikov-de Haas oscillations in a high mobility 2D electron gas
本文研究了高迁移率二维电子气在磁场B域中的磁电阻δ ρ_{xx}（B）/ρ_0，其中δ ρ_{xx}（B）/ρ_0受相互作用的影响，磁场B介于弱局域化和Shubnikov-de Haas振荡之间。在考虑短程杂质散射的情况下，我们证明了在相互作用参数$λ$中的{\em二阶}中，在B的这个区域中出现了一个{\em线性} B依赖性的δ ρ_{xx}（B）/ρ_0 \sim λ ^2 ω_c/E_F，斜率为{\em temperature-independent}（这里ω_c和E_F分别是回旋频率和费米能量）.与以前的机制不同，线性磁阻与执行完整Larmour循环的电子{\em无关}，而是源于通过杂质诱导的Friedel振荡的{\em相位}的B依赖性的杂质散射。
2008-03-17 cond-mat.mes-hall
Shubnikov-de Haas effect in quasi-two-dimensional compounds
研究了准二维化合物中的舒布尼科夫-德哈斯效应。电导率由Kubo公式计算。解释和计算了两种效应--拍频的场相关相移和电导率的慢振荡。所得结果适用于强各向异性有机金属及其它层状化合物。
2001-08-22 cond-mat.mes-hall cond-mat.stat-mech
Magneto-transport and Shubnikov-de Haas oscillations in the layered ternary telluride Ta3SiTe6 topological semimetal
拓扑半金属表征一类新的量子材料托管狄拉克/外尔费米子。拓扑费米子的重要特征可以通过量子振荡来表现。本文报道了拓扑半金属Ta 3SiTe 6单晶在磁场高达38 T时的磁电阻和纵向电阻的Shubnikov-de Haas（SdH）量子振荡。振荡的周期性振幅揭示了费米面的相关信息。快速傅立叶变换谱表示单个振荡频率。对振荡的分析表明费米口袋的横截面积为0.13埃的负2次方。结合磁输运测量和第一性原理计算，我们发现这些振荡来自空穴袋。Hall电阻率和SdH振荡表明Ta_3SiTe_6是空穴主导的体系。
2019-09-12 cond-mat.mes-hall
The Berry phase and the phase of the Shubnikov-de Haas oscillations in three-dimensional topological insulators
在半经典的方法，我们计算的Berry相位和塞曼耦合的电子与磁场的Shubnikov-de-Haas振荡的相位的Bi $_2$ X $_3$家庭的三维拓扑绝缘体（X代表Te或Se）的表面电子的贡献。我们还讨论了所获得的结果与发表的实验数据的Shubnikov-de Haas振荡这个家庭的拓扑绝缘体的关系。
2011-11-24 cond-mat.mes-hall cond-mat.other
Optical Shubnikov - de Haas oscillations in 2D electron systems
该研究在二维系统光学响应中观测到动态Shubnikov-de Haas振荡，发现两类节点，并利用动态Lifshitz-Kosevich公式分析，实现了对量化及相互作用重正化效应的全光学探测。
2024-02-08 cond-mat.mes-hall
Experimental determination of Rashba and Dresselhaus parameters and $g^*$-factor anisotropy via Shubnikov-de Haas oscillations
采用Shubnikov-de Haas测量方法，结合拍频图分析和双倾斜磁场中的符合测量，研究了反转非对称InGaAs/InP量子阱中导带电子的自旋劈裂.该方法允许我们确定Rashba和线性Dresselhaus自旋轨道相互作用系数的绝对值，它们的相对符号和完整的Landé g张量。这是通过分析拍波节点位置相对于磁场方向和量子阱法线之间的极角和方位角的各向异性来实现的。我们发现，自旋轨道相互作用是由一个大的Rashba系数与线性Dresselhaus系数，是10 $\%$的Rashba系数一起占主导地位。它们的相对符号被发现是正的。由于自旋轨道相互作用，g张量具有显著的面外各向异性和较小但明显的面内各向异性。
2017-03-21 cond-mat.mes-hall
Observation of Shubnikov-de Haas Oscillations, Non-trivial Berry Phase, Planar Hall and Anisotropic Magnetoresistance at the conducting interface of EuO-KTaO$_3$
电子系统中自旋带的动量依赖分裂被称为“Rashba效应”。具有“Rashba效应”的系统在动量空间中具有狄拉克点。在倒易空间中包围狄拉克点的回旋加速器轨道中的电子获得“贝里相位”。本文报道了EuO-KTaO $_3$（KTO）导电界面的Shubnikov-de-Haas振荡（SdH）。观察到的SdH振荡表明存在两个费米面。对于这两个费米面，我们已经看到了一个非平凡的“贝瑞相”的存在，这表明表面包围的“狄拉克点”。因此，Berry相起源于Rashba自旋分裂带的内费米面和外费米面。与拓扑绝缘体一样，EuO-KTO中也观察到了二重平面霍尔和各向异性磁电阻。通过对SdH、霍尔和磁阻数据的分析，我们绘出了费米面附近可能的能带图。
2019-08-14 cond-mat.mes-hall
Anomalous phase shift of Shubnikov - de Haas oscillations in HgTe quantum well with inverted energy spectrum
给出了具有宽（20.3nm）HgTe量子阱的HgCdTe/HgTe/HgCdTe异质结在Shubnikov-de Haas振荡区的纵向和霍尔磁阻测量结果。检测到磁振荡的异常相移：在自旋未分裂峰的区域中，纵向电阻率最大值位于与2D系统中的常规情况相矛盾的偶数填充因子数处。结果表明，所观察到的特征与所研究的量子阱中光谱的反转性质有关，该量子阱具有沿着HgTe带Γ8的尺寸量子化子带H1的电子型导电，其自旋分裂与轨道分裂相当（甚至更大）。将所得结果与单层石墨烯中磁振荡和量子霍尔效应平台的相移效应进行了比较。
2020-02-06 cond-mat.mes-hall
Scattering, weak localization and Shubnikov-de Haas oscillation in high carrier density AlInN/GaN heterostructures
我们提供了第一个观察到的弱本地化在高载流子密度的二维电子气中的AlInN/GAN异质结构，在低温和低场的电导率随磁场的增加。弱局域化进一步证实了lnT依赖的零场电导率和角度依赖的磁阻。非弹性散射速率与温度成线性关系，表明电子-电子散射是主要的相破裂机制。还观察到了强磁场下的Shubnikov-de Haas（SdH）振荡。从SdH振荡的温度依赖幅度和Dingle图中提取出电子的有效质量为0.2327me;此外，霍尔测量的量子寿命小于传输时间，表明小角度散射（例如来自远程电离杂质的散射）占主导地位。在20 K以上，散射从声学声子转变为光学声子散射，导致载流子迁移率随着温度的升高而迅速降低。
2017-07-24 cond-mat.mes-hall
Observation of Shubnikov de Haas and Aharanov-Bohm oscillations in silicon nanowires
我们记录精细的振荡20至60 mT叠加在较大的振荡具有周期性~ 2 T在温度高达100 K和领域高达10 T的硅纳米线。在确认了这些特征出现在与纳米线边缘的跳跃轨道和纳米线内部的受限纯轨道相关的边缘态之后，我们得出电子有效质量为0.001 me ~ 0.006 me，载流子寿命在3 fs ~ 19 fs之间，载流子密度在2 × 10^11 cm^-2 ~ 9 × 10^12 cm^-2之间变化。然而，在低温下，所观察到的振荡幅度不变的字段是由于不仅是一个强大的尺寸限制和钉扎的轨道杂质，但也阿哈拉诺夫玻姆（AB）振荡由于边缘状态，传播准弹道通过纳米线。线性正磁阻背景上的整体振荡可以归因于硅纳米线中的Shubnikov de Haas振荡（SdHO）和AB振荡的温度依赖性交叉。
2015-04-09 cond-mat.mes-hall
Landau levels and Shubnikov-de Haas oscillations in monolayer transition metal dichalcogenide semiconductors
用多带$\mathbf{k}\cdot\mathbf{p}$理论研究了单层过渡金属二硫族化物半导体的朗道能级谱。我们发现，在很宽的磁场范围内，朗道能级可以用谐振子谱和描述谷简并破缺的磁场线性项来表征。讨论了带色散的非抛物性对朗道能级谱的影响。受最近的磁输运实验的启发，我们使用自洽玻恩近似和Kubo形式主义来计算纵向电导率的Shubnikov de-Haas振荡。我们研究了掺杂水平、能带的自旋分裂和朗道能级的破谷简并度对磁导振荡的影响。出于最近的实验，我们考虑单层MoS $_2$和WSe $_2$作为具体的例子，并比较数值计算的结果和分析公式，这是有效的半经典制度。最后，我们简要地分析了最近的实验结果（参考文献[18]）使用我们已经开发的理论方法。
2015-10-20 cond-mat.mes-hall
Coexistence of bulk and surface states probed by Shubnikov-de Haas oscillations in Bi$_2$Se$_3$ with high charge-carrier density
拓扑绝缘体理想地表示为具有带拓扑保护的自旋纹理表面状态的绝缘体块。然而，越来越清楚的是，这些表面传输通道可以伴随着有限的导电体，以及额外的拓扑平凡的表面状态。为了研究这些平行传导传输通道，我们研究了Bi $_2$ Se $_3$薄膜中的Shubnikov-de Haas振荡，在高达30 T的高磁场中，以获得具有较低迁移率的通道。我们确定了一个明确的塞曼分裂散装贡献的振荡从磁电阻和振荡提取的载流子密度之间的比较。此外，我们的分析表明，存在一个二维的国家和签名的其他国家的起源不能最终确定。我们的研究结果支持了对这些平行传导通道的起源和相互作用进行理论研究的必要性，以便仔细分析材料的性能。
2017-07-27 cond-mat.mes-hall
Shubnikov-de Haas oscillations in the anomalous Hall conductivity of Chern insulators
在蜂窝晶格上的霍尔模型是一个典型的例子，系统的特点是量子化霍尔电导率在没有外部磁场，即量子反常霍尔效应。最近的理论工作预测，在自旋轨道耦合较强的拓扑绝缘体和蜂窝层中，大质量狄拉克费米子的反常霍尔电导率可以表现出Shubnikov-de Haas（SdH）振荡。本文利用格点格林函数的精确谱展开，研究了强磁场作用下陈氏绝缘体的电子输运性质。我们发现，霍尔电导率的异常组件显示在低温下可见的SdH振荡。\textcolor{black}{The effect is shown to result from the modulation of the next-nearest neighbour flux accumulation due to the Haldane term,}，其从朗道光谱中去除电子-空穴对称性。为了支持我们的数值研究结果，我们推导出一个长波长的描述超出了线性（“狄拉克锥”）近似。最后讨论了反向磁场作用下能谱移动与拓扑能隙和晶格带宽的关系。
2018-04-27 cond-mat.mes-hall
Shubnikov-de Haas oscillations near the metal-insulator transition in a two-dimensional electron system in silicon
本文研究了硅中二维电子系统在低电子密度下的Shubnikov-de Haas振荡。在金属-绝缘体转变附近，只有朗道能级填充因子2、6、10和14处的电阻“自旋”最小值，而填充因子4、8和12处的“回旋”最小值消失。一个简单的解释所观察到的行为需要一个巨大的增强附近的金属-绝缘体过渡的自旋分裂。
2000-07-03 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Electrostatic detection of Shubnikov-de-Haas oscillations in bilayer graphene by Coulomb resonances in gate-defined quantum dots
利用双层石墨烯中的栅极限定的量子点作为灵敏的静电计来探测其环境的电荷密度。在垂直磁场的影响下，邻近量子点的沟道区的载流子密度由于朗道能级的形成而振荡。这是实验观察到的附近的量子点的库仑共振的栅极电压位置的振荡。从振荡的频率中，我们提取出沟道中的载流子密度，并从振幅中提取出量子点电势的偏移。我们比较这些实验结果与静电模拟的设备，并找到很好的协议。
2020-09-09 cond-mat.mes-hall
Multi-frequency Shubnikov-de Haas oscillations in topological semimetal Pt$_2$HgSe$_3$
单层jacutingaite（Pt $_2$ HgSe $_3$）最近被确定为具有0.5 eV带隙的候选量子自旋霍尔系统，但迄今为止没有对这种材料进行输运测量，无论是在单层还是在体。通过使用专用的高压技术，我们生长的晶体能够剥离50-100 nm厚的层，并实现受控传输实验的设备。磁电阻测量表明，jacutingaite是一种半金属，表现出Shubnikov-de Haas（SdH）电阻振荡与多频谱。我们采用Lifshitz-Kosevich公式定量分析了多频率下SdH电阻振荡，发现整体能带结构从头计算结果与实验结果吻合较好.再加上从实验中提取的相对较高的电子迁移率（$\approx 2000$ cm $^2$ /Vs，与相同厚度的WTe $_2$晶体中观察到的情况相当），我们的结果表明单层jacutingaite应该提供一个很好的平台来研究二维量子自旋霍尔系统中的传输。
2020-05-28 cond-mat.mes-hall
Large modulation of the Shubnikov-de Haas oscillations by the Rashba interaction at the LaAlO$_{3}$/SrTiO$_{3}$ interface
我们利用Shubnikov-de Haas振荡方法研究了高迁移率LaAlO $_3$ /SrTiO $_3$界面的二维费米面.我们的振荡模式的分析强调了所发挥的关键作用所带来的Rashba自旋-轨道相互作用的反转对称性的破坏，以及占主导地位的贡献的重$d_{xz}$ / $d_{yz}$轨道上的电输运。此外，我们带进光的复杂演化的振荡与载流子密度，这是调谐的场效应。
2014-11-21 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Coexistence of two- and three-dimensional Shubnikov-de Haas oscillations in Ar^+ -irradiated KTaO_3
本文报道了Ar^+辐照诱导KTaO_3表面氧空位的电子掺杂。掺杂的电子在低温下具有高迁移率（> 10^4 cm^2/Vs），并表现出具有二维和三维分量的舒布尼科夫-德哈斯振荡。提取的面内有效质量的差异，相比，批量值，表明混合的轨道字符。我们的观察表明Ar^+辐照是研究5d半导体氧化物低维量子输运的一个灵活的工具。
2012-05-01 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Theory of the Shubnikov-de Haas effect in quasi-two-dimensional metals
本文研究了准二维正常金属中的舒布尼科夫-德哈斯效应。层间电导率使用Kubo公式计算。在自洽玻恩近似下考虑了电子的短程散射。所得结果不同于玻尔兹曼输运方程的结果。这种差异被证明是磁场中电导率的一般特征。两个新的定性效果-场依赖的拍频相移和电导率的缓慢振荡的详细描述。所得结果适用于强各向异性有机金属和其他准二维化合物。
2002-04-12 cond-mat.mes-hall cond-mat.stat-mech
Signature of non-trivial band topology in Shubnikov--de Haas oscillations
本文在 BHZ 模型下推导二维拓扑绝缘体 SdH 振荡解析表达式，发现“墨西哥帽”反转能带导致的反常拍频可区分拓扑起源与自旋-轨道起源，从而通过体态测量直接探测非平凡拓扑并提取能隙。
2024-06-13 cond-mat.mes-hall
Shubnikov de Haas quantum oscillation of the surface states in the metallic Bismuth Telluride sheets
制备了室温电阻率大于10 mΩ cm的金属Bi2Te3晶体薄片，并在高达9 T的磁场下测量了其磁阻输运。从二次推导的磁阻曲线确定了Shubnikov de Haas振荡。当改变场与片法向轴之间的夹角时，我们发现振荡周期随夹角的变化呈余弦关系。这表明由于表面状态的二维传输。这项工作揭示了一个可分辨的表面贡献的整体传导，即使在金属拓扑绝缘体。
2013-05-16 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Shubnikov-de Haas oscillations in SrTiO3\LaAlO3 interface
观察到SrTiO 3/ \LaAlO 3界面的量子磁振荡。研究了它们的频率和幅度在不同栅压和温度下的演化。这些数据与Shubnikov de-Haas理论一致。霍尔电阻率ρ在低磁场下表现出非线性。它是假设多个载波贡献而拟合的。从霍尔数据推断的移动载流子密度和振荡频率之间的比较表明多谷和自旋简并。在多波段场景的框架下讨论了振荡的小振幅。
2010-08-29 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Probing the surface states in Bi2Se3 using the Shubnikov-de Haas effect
Shubnikov-de Haas（SdH）振荡在具有高载流子浓度和低体迁移率的Bi 2Se 3薄片中观察到。这些振荡探测受保护的表面状态，使我们能够提取它们的载流子浓度，有效质量和丁格尔温度。得到的费米动量与角分辨光电子能谱（ARPES）测量从同一批次的晶体上进行。我们研究了Berry相随磁场的变化。标准的理论考虑无法解释观察到的行为。
2012-07-16 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Probing Fermi-surface spin-textures via the nonlinear Shubnikov-de Haas effect
RIKEN Center for Quantum Computing（理化学研究所量子计算中心）；University of St Andrews（圣安德鲁斯大学）；University of Basel（巴塞尔大学）；King Fahd University of Petroleum and Minerals（法赫德国王石油与矿物大学）；Center for Advanced Quantum Computing, KFUPM（KFUPM先进量子计算中心）
通过非线性谢鲁尼-德哈斯效应探测费米面自旋纹理，区分不同类型的自旋轨道耦合
2026-09-14 cond-mat.mes-hall
Microwave-induced suppression of dissipative conductivity and its Shubnikov -- de Haas oscillations in two-dimensional electron systems: Effect of dynamic electron localization
提出了一个二维电子系统（2DESs）在磁场中的微波光电导模型，其微波频率低于电子的回旋频率，此时朗道能级（LL）内跃迁占主导地位.使用这个模型，我们解释了减少的2DES耗散电导率（和电阻率）和涂抹的Shubnikov-德哈斯振荡最近观察到的微波辐射\cite{1,2}的效果。该模型调用的概念，抑制弹性杂质散射的电子的微波电场。我们计算了2DES电导率与内LL过渡作为辐射和回旋频率和微波功率的函数的依赖性。所得到的相关性与最近的实验观测结果\cite{1,2}是一致的。
2004-11-15 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall
Shubnikov-de Haas Characterization of Superconductor-Semiconductor Heterostructures
Microsoft Quantum（微软量子）
本文提出利用简单的肖克利-德哈斯振荡测量提取超导-半导体异质结构中的基本材料参数，通过分析磁电阻数据获取二维电子气的载流子密度、自旋轨道耦合强度及输运和量子散射时间，无需额外制备或低温测量即可获得近邻诱导超导能隙信息。
2026-05-13 cond-mat.mes-hall
Giant Shubnikov-de Haas Oscillations with V-Shaped Minima in a High-Mobility Two-Dimensional Electron Gas: Experiment and Phenomenological Model
Rzhanov Institute of Semiconductor Physics SB RAS（拉扎诺夫半导体物理研究所西伯利亚分院）；Novosibirsk State University（新西伯利亚国立大学）
研究通过现象模型解释了高迁移率二维电子气中巨量肖布尼科夫-德哈斯振荡的V型极小值，提取了τ_q和τ_tr参数。
2026-01-19 cond-mat.mes-hall
Shubnikov-de Haas oscillations of high mobility holes in monolayer and bilayer WSe$_2$: Landau level degeneracy, effective mass, and negative compressibility
我们研究了单层和双层WSe $_2$中高迁移率空穴的磁输运性质，它们在高磁场中表现出良好的Shubnikov-de Haas（SdH）振荡和量子霍尔态（QHS）.在单层和双层WSe $_2$中，SdH振荡和QHS主要发生在均匀的填充因子下，表现出两倍的朗道能级简并。对双层WSe $_2$中的SdH振荡进行了傅里叶变换分析，发现存在两个位于顶层或底层的子带，以及负的可压缩性.从SdH振荡的温度依赖性，我们确定了$0.45m_{0}$的单和双层WSe $_2$的空穴有效质量。
2016-02-02 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Bulk Fermi surface coexistence with Dirac surface state in Bi$_2$Se$_3$: a comparison of photoemission and Shubnikov-de Haas measurements
Shubnikov de Haas（SdH）振荡和角分辨光电子能谱（ARPES）被用来探测Bi 2Se 3单晶的费米面。我们发现，SdH和ARPES探针定量同意测量的有效质量和散装带色散。在高载流子密度的样品中，两个探针也同意在费米能级EF的确切位置，但对于较低的载流子密度的样品的差异出现在EF的位置。特别是，SdH揭示了载流子密度低至10^17cm-3的样品的体三维费米表面。我们提出了一个简单的机制来解释这些差异，并讨论了现有的和未来的拓扑绝缘体输运研究的后果。
2010-01-22 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Double-Carrier Fitting of Hall Resistance Assisted by Gate-Induced Shubnikov-de Haas Oscillations in Possible Excitonic Insulator Ta2Pd3Te5
School of Physical Sciences, University of Chinese Academy of Sciences（中国科学院大学物理科学学院）；Hangzhou Key Laboratory of Quantum Matter, School of Physics, Hangzhou Normal University（杭州师范大学物理学院量子物质杭州市重点实验室）
本研究通过门诱导的肖布尼科夫-德哈斯振荡辅助，实现了Ta2Pd3Te5中霍尔电阻双载流子拟合的可靠方法，并提供了兴奋子绝缘体状态的新证据。
2026-02-27 cond-mat.mes-hall
Shubnikov-de Haas and de Haas-van Alphen oscillations in topological semimetal CaAl4
本文报道了具有$C2/m$结构的CaAl $_4$单晶的低温磁输运性质。CaAl $_4$在2.5 K和14 T下表现出较大的非饱和磁电阻$\sim$ 3000 $\%$。观察到非线性霍尔电阻率，这表明了多带特性。第一性原理计算表明，CaAl $_4$中存在电子-空穴补偿和复杂的费米面，过于简化的载流子迁移率的双带模型不能完全适用.在B//c和B//ab组态下观察到了明显的量子振荡，并通过多带Lifshitz-Kosevich公式拟合提取了非平凡Berry相位.利用Shubnikov-de Haas振荡、de Haas-van Alphen振荡和第一性原理计算，得到了一个电子型准二维费米面.计算结果还表明，CaAl $_4$在$Z$ - $Γ$ - $L$平面上的$Γ$点附近具有Dirac节线型能带结构，并受到镜像对称性、空间反演对称性和时间反演对称性的保护.一旦自旋-轨道耦合被包括在内，交叉的节线打开一个可以忽略的间隙（小于3 meV）。在电子型费米表面中也发现了开轨道拓扑结构，这被认为有助于增强所观察到的磁阻。
2018-11-15 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Local Measurements of Shubnikov-de Haas Oscillations in Graphene Systems
Shubnikov-de Haas（SdH）振荡是二维电子系统在磁场存在下由电子能级量子化引起的最著名的磁振荡，它可以用来确定费米面性质和直接测量二维系统的Berry相位。通常认为，需要进行输运测量来测量SdH振荡。与此相反，我们证明了SdH振荡可以通过进行扫描隧道光谱（STS）测量在石墨烯系统中进行测量。根据STS谱中SdH振荡的测量结果，得到了单层、Bernal双层和ABC三层石墨烯的能量动量色散和Berry相.当2D系统的尺寸大于磁长度时，可以获得SdH振荡，并且重要的是，STS测量中不需要栅电极，因此，本文中报告的方法适用于广泛的材料。
2021-01-06 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
GaAs delta-doped quantum wire superlattice characterization by quantum Hall effect and Shubnikov de Haas oscillations
通过量子阱超晶格（2D）中的受控位错滑移（原子锯方法）实现的量子线超晶格（1D）已经显示出磁声子振荡。这种效应已被用来研究这种系统的电子性质，并证明了量子特性的物理性质的线。通过冷却温度和使用高达35 T的脉冲磁场，我们观察到了量子霍尔效应（QHE）和Shubnikov de Haas（SdH）振荡的各种配置的磁场。由基场值导出的有效质量与由磁声子效应得到的有效质量是一致的。场的旋转会引起共振频率的变化，这是由于质量张量的改变，就像在（3D）电子气中一样。从QHE的观点来看，rho_yz中的平台相对于rho_zz最小值是退相的，这似乎与加宽的朗道能级的态密度最小值的退相有关。
2007-08-13 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall
Transversal magnetoresistance and Shubnikov-de Haas oscillations in Weyl semimetals
从理论上探讨了外尔半金属在远离电中性的横向磁场中的磁电阻效应。在自洽玻恩近似下的分析是针对两种不同的无序模型进行的：（i）短程杂质和（ii）带电（库仑）杂质。对于这些模型的障碍，我们计算的电导率远离电荷中性点以及霍尔电导率，并分析了横向磁阻（TMR）和Shubnikov-de Haas振荡的两种类型的障碍。我们进一步考虑一个模型与Weyl节点转移的能量相对于彼此（如在各种材料中发现）与化学势对应的总电荷中性。在实验上最相关的库仑杂质的情况下，我们发现在这个模型中一个大的TMR在宽范围的量化磁场。更具体地，在超量子极限中，其中只有第零朗道能级是有效的，TMR在磁场中是线性的。在中等（但仍然量化）磁场的制度，其中较高的朗道水平是相关的，快速增长的TMR补充强舒布尼科夫-德哈斯振荡，与实验观察一致。
2017-09-21 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Shubnikov-de Haas oscillations in p and n-type topological insulator (Bi$_{x}$Sb$_{1-x}$)$_{2}$Te$_{3}$
本文研究了拓扑绝缘体（Bi $_{x}$ Sb $_{1-x}$）$_{2}$ Te $_{3}$薄膜中的Shubnikov-de Haas振荡，其载流子类型为p型（x = 0.29，0.34）和n型（x = 0.42）。随着浓度x的变化，费米能级的位置发生变化，从而使Berry相、迁移率和散射时间等物理性质发生显著变化。x = 0.42的样品中的朗道水平扇形图显示$π$ Berry相，其迁移率高达17，000 cm $^{2}$ /V/s，而其他样品具有2 $π$ Berry相，迁移率低得多。这表明，由于x = 0.42的样品的体带不穿过费米能级，它变成体绝缘，导致拓扑表面态主导输运。因此，我们可以通过调节浓度x将样品性质从简并切换到体绝缘，这与角分辨光电子能谱的结果一致。
2018-05-17 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
The Shubnikov-de Haas effect in multiband quasi-two dimensional metals
我们分析了准二维{ \em multiband}金属的纵向电导率$σ_{zz}$在垂直于高导电平面的电场中的行为。在封闭系统和开放系统中，$τ$是固定的，$τ$由于带内散射而振荡，而$τ$由于带间散射而振荡。在所有情况下，但一种情况下，我们发现，也有混合频率存在-然而，他们表现出不同的定性行为，适合他们的不同起源，并在带间散射的情况下，在一个开放系统中，实际上可能是不存在的dHvA振荡的系统。
2007-12-21 cond-mat.mes-hall cond-mat.stat-mech
Shubnikov-de Haas oscillations from topological surface states of metallic Bi$_2$Se$_{2.1}$Te$_{0.9}$
研究了p型金属Bi $_2$ Se $_{2.1}$ Te $_{0.9}$电导率的量子振荡。的依赖关系的振荡的角度上的磁场与表面以及确定的Berry相位从朗道水平风扇图表明，所观察到的振荡产生的表面载流子的特性狄拉克色散。表征表面导电的几个量计算采用Lifshitz-Kosevich理论。相对于狄拉克点的费米能的低值与体空穴载流子的金属特性是一致的。我们的结论是，由于特殊的形状的价带，Shubnikov-de Haas振荡的散装载流子被转移到更高的磁场，这允许检测的量子振荡的拓扑表面态在较低的字段。
2014-12-11 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
High magnetic field spin-valley-split Shubnikov-de Haas oscillations in a WSe$_2$ monolayer
我们研究了在很高的磁场下p型WSe $_2$单分子膜中的Shubnikov-de Haas振荡。振荡模式是复杂的，由于一个大的自旋和谷分裂，在非完全解决朗道能级制度。我们的实验数据可以用一个主要参数是塞曼能量和回旋能量之比的模型来再现。该模型考虑到朗道水平从两个山谷具有相同的高斯加宽，这允许预测的相对振幅的电阻振荡起源于每个山谷。塞曼能量被发现是几倍大于回旋能量。它转化为一个大的和增加的有效Landé因子的空穴密度降低，在文献中报道的值在较低的载流子密度的连续性。
2020-10-01 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Shubnikov-de Haas quantum oscillations with large spin splitting in highmobility Al0.8Ga0.2Sb/InAs/ Al0.8Ga0.2Sb quantum-well heterostructures
本研究通过优化AlGaSb势垒层铝镓比制备出高迁移率AlGaSb/InAs量子阱异质结构，观测到高温下仍存在的Shubnikov-de Haas振荡与大自旋分裂，验证其在拓扑自旋电子器件中的应用潜力。
2025-05-18 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Shubnikov-de Haas Oscillations in 2D $\text{PtSe}_2$: A fermiological Charge Carrier Investigation
本研究通过高磁场低温输运实验表征二维$\text{PtSe}_2$的电荷载流子，分析舒布尼科夫-德哈斯振荡特性，测定相关输运参数，解释弱反局域化与近藤效应共存现象，为自旋电子、轨道电子器件及轨道霍尔效应架构研发提供支撑。
2025-10-29 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
A model for the study of the Shubnikov-de Haas and the integer quantum Hall effects in a two dimensional electronic system
到目前为止，所有关于整数和分数量子霍尔效应的实验结果都与半导体异质结构有关（最近与石墨烯有关）。所有这些系统的共同特征是存在电子储存器，事实上，在初始阶段，电子储存器是电子的源，提供二维电子气（2DES）。然后，2DES的任何物理实现都必须嵌入到建立费米能级的3D结构中。因此，2DES似乎是一个开放的系统。在本文中，我们提出了一种分析方法的整数量子霍尔效应（IQHE）和Shubnikov-de Haas（SdH）现象的2DES，我们在基本原则的基础上，并显示在这两种现象中的局域电子态的次要作用。事实上，我们表明，IQHE是在2DES中的电子的波动的后果。一旦我们获得的状态下的磁场的应用程序的2DES的密度，我们计算两个磁导率（对角线和霍尔）推导出他们从玻尔兹曼半经典方程。提出的模型再现这两种现象，霍尔平台的宽度（在实验测量中达到的精度，为10-8-10-9的顺序）和相应的最小值的对角磁阻，也与温度的IQHE和SdH的依赖性。
2007-07-30 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Shubnikov-de Haas oscillations of two-dimensional electron gases in AlYN/GaN and AlScN/GaN heterostructures
Cornell University（康奈尔大学）；Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics IAF（弗劳恩霍夫应用固态物理研究所）；Kavli Institute at Cornell for Nanoscale Science（康奈尔纳米科学卡弗里研究所）
本研究首次在AlYN/GaN和AlScN/GaN异质结构中观测到二维电子气体的肖克利-德哈斯振荡，揭示了载流子密度、有效质量和量子散射时间等关键参数。
2026-01-06 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Interplay of the orbital magnetic moment and the chiral magnetic effect in Shubnikov-de Haas quantum oscillations
POSTECH（浦项科技大学）；Asia Pacific Center for Theoretical Physics (APCTP)（亚太理论物理中心）
本研究针对外尔金属的反常输运现象，证实轨道磁矩与手性磁效应的交织作用可在SdH量子振荡中被观测，发现其双峰结构会导致朗道扇形图出现扭折，明确了双峰存在的实验条件，揭示了外尔金属态的新特征。
2021-08-09 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Shubnikov-de Haas oscillations in coherently strained AlN/GaN/AlN quantum wells on bulk AlN substrates
该研究在体AlN衬底上的相干应变AlN/GaN/AlN量子阱中观察到SdH振荡，揭示了未掺杂与δ掺杂结构的能带占据差异，并直接测量了2DEG关键参数，为氮化物异质结构设计提供基础。
2025-02-10 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
"One-dimensional" Coherent States and Oscillation Effects in Metals in a Magnetic Field
本文用“一维”相干态描述了金属、半金属和简并半导体中的Shubnikov-de Haas和de Haas-van Alphen振荡效应。计算了电子态密度在磁场中的振荡部分。实现了计算的实质性简化。
2002-03-22 cond-mat.mes-hall
Spin-orbit splitting and effective masses in p-type GaAs two-dimensional hole gases
我们目前的磁输运测量嵌入在[001]取向衬底上生长的碳掺杂p型GaAs/AlGaAs异质结的二维空穴气体。在Shubnikov-de Haas振荡中明显的跳动模式证明了在所研究的设备中存在强的自旋-轨道相互作用。我们通过测量不同空穴密度下Shubnikov-de Haas振荡的温度依赖性来估计自旋轨道分裂子带的有效质量。较轻的重空穴有效质量不依赖于能量，而较重的重空穴有效质量则具有显著的能量依赖性，表明价带具有较强的自旋-轨道诱导非抛物性.测量的有效质量与自洽的数值计算定性一致。
2014-02-17 cond-mat.mes-hall
Zero-field spin splitting in InAs-AlSb quantum wells revisited
我们提出了高品质的InAs-AlSb量子阱的磁输运实验，显示出一个完美的清洁单周期Shubnikov-de Haas振荡下降到非常低的磁场。与基于不对称性引起的零场自旋分裂的理论预期相反，没有观察到拍频效应。载流子密度已被改变的持久的光电导效应，以及通过应用流体静压力，以影响在电子气的界面处的电场。尽管填充因子高达200的高分辨舒布尼科夫-德哈斯振荡，但仍然没有观察到零磁场下的自旋分裂迹象。这一令人惊讶和意想不到的结果进行了讨论，鉴于其他最近发表的数据。
1999-09-01 cond-mat.mes-hall
Quantum Lifetime in Ultra-High Quality GaAs Quantum Wells: Relationship to $Δ_{5/2}$ and Impact of Density Fluctuations
我们认为来自低场Shubnikov-de Haas振荡的量子寿命作为GaAs量子阱中的二维电子气的质量的度量，其表示N = 1朗道能级的分数量子霍尔态中的大激发隙。分析表明两个显著特征：1）小密度不均匀性显著影响Shubnikov-de Haas振荡的振幅，使得正则方法（参见。Coleridge，Phys.Rev.B \textbf{44}，3793）用于确定量子寿命的$τ_q$基本上低估了$τ_q$，除非明确考虑密度不均匀性; 2）$τ_q$与由$Δ_{5/2}$测量的质量没有很好的相关性，$Δ_{5/2}$是分数量子霍尔态在5/2填充时的激发间隙。
2017-04-20 cond-mat.mes-hall
Effect of structural disorder on quantum oscillations in graphite
我们研究了在温度低至30 mK和磁场高至14 T的条件下，结构无序对单晶和高取向热解石墨样品中测得的de Haas van Alphen（dHvA）和Shubnikov de Haas（SdH）量子振荡的影响。的测量进行了不同的样品，其特征在于通过X射线衍射，透射电子显微镜和原子力显微镜技术。我们的结果揭示了量子振荡的振幅和表面粗糙度之间的相关性。
2017-02-06 cond-mat.mes-hall
Two-dimensional electron gas in a modulation-doped SrTiO3/Sr(Ti,Zr)O3 heterostructure
通过将未掺杂的SrTiO 3与用La掺杂的n型的宽带隙材料SrTi 1-xZrxO 3界面化，经由调制掺杂在SrTiO 3中产生二维电子气（2DEG）。所有层都是使用混合分子束外延生长的。使用磁阻测量，我们表明，电子被转移到SrTiO 3，并形成2DEG。特别是，Shubnikov-de Haas振荡示出仅依赖于垂直的磁场。实验Shubnikov-de Haas振荡进行了比较，假设多个占用子带的计算。
2013-07-18 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Magnetic oscillations of the anomalous Hall conductivity
已知在霍尔电阻率中可以观察到Shubnikov-de Haas振荡，尽管它们的振幅比对角电阻率振荡的振幅弱得多。采用二维具有反常霍尔效应的大质量狄拉克费米子模型，我们证明了反常霍尔电导率的Shubnikov-de Haas振荡的振幅与对角电导率的振幅相同.我们认为，通过研究石墨烯超晶格中的谷霍尔效应和低屈曲狄拉克材料中的自旋霍尔效应，可以观察到反常霍尔电导率的振荡.
2016-02-20 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
