Atomic structure and vibrational properties of icosahedral B$_4$C boron carbide
二十面体B $_4$ C碳化硼的原子结构是通过比较现有的红外吸收和拉曼扩散测量与准确的{ \it从头计算}晶格动力学计算的预测进行不同的结构模型。这使我们能够明确地确定硼二十面体中碳原子的位置，这是目前X射线和中子衍射能力所无法完成的任务。通过研究间和内二十面体的贡献的刚度，我们表明，相反，最近的approachures，内二十面体债券更难。
1999-09-13 cond-mat.mtrl-sci
Mechanical properties of AlMgB14-related boron carbide structures. A first principle study
本文通过第一性原理模拟研究用C-C键替换AlMgB14硼网络中B-B层间键的影响，发现可能存在杨氏模量550-600 GPa、维氏硬度43-50 GPa的正交碳化硼相。
2022-10-23 cond-mat.mtrl-sci
Phase Diagram of Boron Carbide With Variable Carbon Composition
碳化硼在很宽的组成范围内表现出固有的置换无序。该结构由位于菱形晶格顶点的12原子二十面体以及沿3重轴的3原子链组成。在高碳极限下，一个或两个碳可以取代二十面体上的硼，而链主要是C-B-C型。我们将原子间对相互作用模型拟合到密度泛函理论总能量来研究取代碳无序。蒙特卡罗模拟与采样改进的副本交换和增强的二维多重直方图分析，预测三个阶段。低温、高碳组成的单斜Cm“倾斜极性”结构通过一对相变而紊乱，首先经由Ising样转变到具有空间群C2/m的“双极”状态，然后经由一级3态Potts样转变到实验观察到的“非极性”\bar{R} 3 m对称性。
2016-12-16 cond-mat.mtrl-sci
Investigation of thickness dependent composition of boron carbide thin films by resonant soft x-ray reflectivity
研究了离子束溅射沉积不同厚度的碳化硼薄膜。采用掠入射硬X射线反射率（GIXR）、共振软X射线反射率（RSXR）、X射线光电子能谱（XPS）、共振卢瑟福背散射谱（RRBS）和飞行时间二次离子质谱（TOF-SIMS）对薄膜进行了表征。通过对B K边附近的反射率曲线的分析，重建了组成薄膜的化学元素的深度分布。膜的组成与膜的厚度密切相关。随着薄膜厚度的增加，硼碳比（B/C）可达~4。从RSXR测量估计的B/C比与RRBS测量一致。TOF-SIMS数据还表明，随着膜厚度的减小，硼含量降低。XPS测量证实了在低厚度膜表面存在少量的B原子。
2017-08-24 cond-mat.mtrl-sci
The Role of Carbon Precursor on Boron Carbide Synthesis by Laser-CVD
采用CO2激光辅助化学气相沉积（LCVD）技术，在BCl 3、H2和CH 4或C2 H4的动态反应气氛中制备了菱面体B4 C（r-B4 C）涂层。讨论了碳前驱体对沉积动力学的影响。使用乙烯作为碳前体呈现出优于使用甲烷的几个优点，甲烷是CVD工艺中的常规碳前体。这些优点主要与其在激光波长下的高吸收系数和较高的粘附系数有关，这使得能够在较低的碳前体浓度下获得较高的沉积速率和膜厚度控制。碳含量为15至22原子%的膜以高达每秒0.12微米的沉积速率生长。关键词：菱面体碳化硼（r-B4 C），激光化学气相沉积。
2002-10-18 cond-mat.mtrl-sci
Understanding first order Raman spectra of boron carbides across the homogeneity range
碳化硼是一种轻质高温材料，作为结构材料和中子吸收剂具有各种应用。碳在硼中的大溶解度范围（在$\approx$ 9%和20%之间）源于三种二十面体相在低温下的结晶稳定性，具有各自的碳原子浓度：百分之八点七（B $_{10.5}$ C，命名为OPO $_1$），13.0\ %（B $_{6.7}$ C，命名为OPO $_2$），其理论拉曼光谱仍然未知，和20%（B $_4$ C），其中一些拉曼峰的性质仍然有争议。本文报道了碳化硼的一阶非共振喇曼光谱的理论和实验结果。密度泛函微扰理论使我们能够获得OPO $_1$和OPO $_2$相的拉曼光谱，由于电荷补偿效应，这些相是具有414个原子的复杂结晶基序的完美有序结构。此外，对于富碳的B $_4$ C，采用较简单的15原子单胞，结合实验研究了低能点缺陷及其浓度对拉曼光谱的影响，从而提供了实验光谱对样品制备、实验条件和装置的敏感性的见解。特别是，这使我们能够提出一种新的结构，在19.2%的原子碳浓度，B $_{4.2}$ C，这是非常接近的凸包的碳化硼，在富碳侧。这个新的阶段，来自我们命名的"3 + 1"缺陷复合物，有助于调和实验观察到的拉曼光谱与理论约1000厘米$^{-1}$。最后，我们预测的强度变化引起的实验几何形状和定量评估的本地化的散装和缺陷振动模式和他们的性格，与“链”和“二十面体”模式的分析。
2021-05-05 cond-mat.mtrl-sci
A Free Energy Model of Boron Carbide
所评估的硼-碳系统的相图包含一个菱形对称的单一非化学计量的硼-碳化物相，其具有宽的、不太可能的低温组成范围。我们结合第一性原理总能量计算与唯象热力学模型，提出了一个修订的低温相图，其中包含两个不同的对称性和组成的硼-碳化物相。一种结构具有组成B4 C，并且由B11 C二十面体和C-B-C链组成，其中碳在二十面体上的位置破坏菱形对称性。这个阶段是不稳定的600 K以上的交替碳取代的构型熵。另一种结构，理想的组成B13 C2，具有广泛的组成范围在高温下，与菱面体对称的，如实验观察。
2012-08-13 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.stat-mech
Phase Transitions of Boron Carbide: Pair Interaction Model of High Carbon Limit
碳化硼具有很宽的组成范围，这意味着一定程度的内在置换无序。虽然观察到的相位具有菱面体对称性（空间群R3（bar）m），但焓最小化结构具有较低的单斜对称性（空间群Cm）。晶体学原始晶胞由位于菱形晶格顶点的12个原子的二十面体以及沿3重轴的3个原子的链组成。在高碳含量的极限下，接近20%的碳，二十面体通常为B11 Cp型，其中p表示碳位于极性位点上，而链为C-B-C型。我们建立了一个原子相互作用模型的组成限制，适合密度泛函理论的总能量，使我们能够调查的替代无序使用蒙特卡罗模拟增强多直方图分析。我们发现低温单斜Cm结构通过一对相变发生无序化，首先通过3态Potts-like相变到空间群R3 m，然后通过Ising like相变到实验观察到的R3（bar）m对称性. R3 m和Cm相是电极化的，而高温R3（bar）m相是非极性的。
2014-10-11 cond-mat.mtrl-sci
Epitaxial Growth of Boron Carbide on 4H-SiC
本文提出两步CVD法在4H-SiC上外延生长单晶碳化硼，先硼化再高温沉积，获得台阶流形貌的单晶薄膜，并揭示了非晶层转化及瞬态SiB x /Si微晶的生长机制。
2023-10-26 cond-mat.mtrl-sci
Predicted phase diagram of B-C-N
注意到碳和碳化硼与氮化硼和氮化硼相之间的结构关系，我们调查他们的相互溶解度使用的第一原理总能量补充统计力学的组合，以解决有限的温度。由于替代的能量消耗较大，我们发现超硬材料金刚石和立方氮化硼的互溶度可以忽略，准二维材料石墨和六方氮化硼的互溶度也可以忽略。相比之下，我们发现在高温下连接碳化硼到低氮化硼的溶解度的连续范围。由B $_{12}$二十面体和NBC链组成的电子精确化合物B $_{13}$ CN在所有温度下都是稳定的。在T= 500 K左右，它表现出NBC链取向的有序-无序转变。
2015-12-22 cond-mat.mtrl-sci
The Effect of Element Composition on the Structural and Electronic Properties of Carbon, Silicon, Silicon Carbide, and Boron Nitride Gyroid Schwarzites
黑云母是呈现负高斯曲率的多孔结构。虽然最初提出的碳，原则上，其他元素的施瓦茨是可能的。在这项工作中，我们已经进行了详细的调查的元素组成（C，Ge，Si，SiC和BN）的结构，电子和光学性质的螺旋状施瓦济结构，所谓的G688的效果。DFT模拟使用著名的SIESTA代码进行。结果表明，这些同素异形体结构的形成能值与其它同素异形体结构的形成能值在相似的范围内，并且在1000~K范围内是热稳定的。从电子分析，我们的结果表明，所有的结构，除了碳的，目前的半导体特性。从光学性质来看，除了红外区只有硅和锗表现出一定的吸收外，其他结构都只在可见光和紫外区表现出光学活性，并且都具有较大的折射率值。对于反射率，除了Si和Ge的施瓦济体反射近40%的光外，其它施瓦济体都表现出较低的反射率。这些特性使它们成为光电应用的良好候选者，例如红外/紫外线吸收剂和紫外线阻断剂。
2022-08-19 cond-mat.mtrl-sci
Machine Learning methods for interatomic potentials: application to boron carbide
使用基于量子的密度泛函理论（DFT）方法可以高精度地计算晶体结构的总能量，但是计算可能是耗时的并且随着系统尺寸缩放不良。总能量的团簇展开作为对，三重态和更高相互作用的线性叠加可以有效地近似总能量，但最适合于简单的晶格结构。为了对具有复杂晶体结构的碳化硼的总能量进行建模，我们探索了机器学习方法（$L_1$ -惩罚回归、神经网络、高斯过程和支持向量回归）的实用性，这些方法捕获与多体相互作用相关的某些非线性效应，尽管只需要对频率作为输入。我们的相互作用模型与蒙特卡罗模拟相结合，以评估化学有序的热力学。
2015-12-30 cond-mat.mtrl-sci physics.chem-ph physics.comp-ph
Topologically protected interface phonons in two-dimensional nanomaterials: hexagonal boron nitride and silicon carbide
我们进行了晶格动力学分析和分子动力学模拟，以证明存在的拓扑保护声子模式的二维，单层六方氮化硼片。拓扑声子模式被发现是本地化在一个平面内的界面，将系统分为两个区域的不同谷陈数。这种拓扑声子模式的色散跨越频率间隙[1123，1278] cm^{-1}，该频率间隙通过与量子谷霍尔效应的类比通过破坏原始单位晶胞中的硼和氮原子的反转对称性而打开。因此，具有该间隙内的频率的振动能量在拓扑上受到保护，导致波传播表现出最小的反向散射，对于诸如尖角的结构缺陷是鲁棒的，并且表现出优异的时间稳定性。我们的发现开辟了在二维纳米材料中实现拓扑声子和力学的可能性。
2018-07-23 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
On electrical conductivity of melts of boron and its compounds under pressure
本文研究了硼及其碳化物（B_4C）、氮化物（BN）和磷化物（BP）熔体在7.7GPa和3500K下的电导率。研究表明，这些熔体是良导体，其比电导率值与环境压力下的铁熔体相当。
2016-01-13 cond-mat.mtrl-sci
Chemically homogeneous boron carbide 10B/11B isotope modulated neutron interference mirrors
提出一种基于化学均质BxC基体并以10B/11B同位素精确调制的新型中子干涉反射镜，实验证明其可在少层、薄层条件下实现高q值高反射率。
2024-04-07 cond-mat.mtrl-sci
Highly Ordered Boron Nitride/Epigraphene Epitaxial Films on Silicon Carbide by Lateral Epitaxial Deposition
实现高性能的纳米电子学需要在纳米尺度上控制材料。在碳化硅上生产高质量外延石墨烯（EG）纳米结构的方法是已知的。下一步是在EG纳米结构上生长范德华半导体。六方氮化硼（h-BN）是一种宽带隙半导体，具有与石墨烯相匹配的蜂窝晶格结构，使其非常适合石墨烯基纳米电子学。在这里，我们描述了多层h-BN的制备和表征使用迁移增强的金属有机物气相外延工艺在EG上外延生长。作为横向外延沉积（LED）机制的结果，生长的h-BN/EG异质结构具有高度有序的外延界面，如所期望的，以便保持原始石墨烯的传输性质。通过第一性原理模拟分析了所观察到的2D外延h-BN膜的逐行生长机制的原子尺度结构和能量细节，证明了一维无成核能量无势垒生长。这种工业相关的LED工艺可以应用于各种各样的范德华材料。
2020-11-23 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Ab initio calculation of phonon polaritons in silicon carbide and boron nitride
利用光子准粒子控制电磁能远低于衍射极限的能力是纳米光子学的一个定义范例。在这一领域的一个重要的最新发展是测量和操纵极有限的声子极化激元模式的极性介质，如碳化硅和六方氮化硼，铺平了道路的纳米光子学和极端的光-物质相互作用在中红外太赫兹频率范围。为了进一步推进这一有前途的领域，预测最近发现的和尚未合成的极化激元材料的光学响应是非常有趣的。在这里，我们发展了一个统一的框架，量子线性响应理论的基础上计算空间非局域介电函数的极性晶格在任意尺寸。在三维块状材料的情况下，我们的计算的空间局部限制再现极性晶格的介电响应的标准结果。使用这个框架，我们提供了从头计算的介电常数的重要散装极性的碳化硅和六方氮化硼，如与实验吻合良好。从从头算理论，我们能够开发一个微观的理解，声子模式有助于每个组件的介电函数，以及预测功能的介电函数是一个结果，弱TO声子。这种形式主义还确定了量子非局域效应可以校正声子极化激元色散的机制，这与最近将电磁场限制在1~nm尺度的原子尺度实验非常相关。最后，我们的工作指向的第一性原理描述的界面声子，声子强耦合，和手征声子的声子极化激元的性质的影响。
2018-08-31 cond-mat.mtrl-sci physics.optics quant-ph
Effect of substrate roughness and material selection on the microstructure of sputtering deposited boron carbide thin films
无定形碳化硼（B4 C）薄膜是迄今为止用于基于10 B的中子探测器中的中子转换层的最流行的形式，这是响应于用于中子探测的标准材料3 He的日益稀缺和价格的探测器技术的上升趋势。B_4C薄膜的微观结构与转换层的密度、附着力等重要性能密切相关，最终影响探测器的探测效率和长期稳定性。为了研究不同粗糙度和不同材料的衬底对B4 C薄膜的影响，采用直流磁控溅射法，在衬底温度为623 K的条件下，分别在抛光的Si衬底和未抛光的Si、Al、Ti和Cu衬底上沉积了B4 C薄膜。在SEM图像中通常观察到的锥形柱状晶粒和结节状缺陷表明在晶粒周围引入空隙的强烈阴影效应。晶粒尺寸的变化并没有表现出直接依赖于基板的粗糙度，从表面轮廓，也没有获得的膜的质量密度，从反射率图案。然而，具有不均匀尺寸的柱状晶粒的膜沉积在具有高偏斜度的衬底上，导致质量密度从表列体积密度的~ 95%下降到~ 70%。另一方面，在不同粗糙度的Al、Ti和Cu上沉积的B_4C薄膜具有相似的微观结构和质量密度，并通过横切附着力测试观察到良好的附着力，表明在中子探测器常用结构材料上溅射沉积B_4C薄膜的可靠性。
2022-01-30 cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph physics.ins-det
Structural stability and mechanism of compression of stoichiometric B13C2 up to 68 GPa
碳化硼是一种具有独特性能的陶瓷材料，广泛用于包括装甲在内的许多应用中。它的力学性能、压缩机理和稳定极限具有科学和实用价值。在这里，我们报告的行为的化学计量的碳化硼B13 C2研究单晶高达68 GPa。如通过同步加速器X射线衍射所揭示的，B13 C2保持其晶体结构并且不经历相变。准确测量的晶胞和B12二十面体体积作为压力的函数导致的结论是，它们减少类似的压缩后，这是典型的共价键合的固体。B13 C2的压缩行为与α-B、γ-B和B4 C的压缩行为的比较表明，它是由压缩过程中涉及的键合类型决定的。压缩时既没有检测到类似分子的固体行为，也没有检测到类似反分子的固体行为，从而结束了一个长期存在的科学争议。
2017-03-02 cond-mat.mtrl-sci
Specially designed B4C/SnO2 nanocomposite for photocatalysis: traditional ceramic with unique properties
碳化硼：传统陶瓷材料在纳米范围内探索时显示出独特的性能。采用回流法合成了特殊设计的硼基纳米复合材料。在基体中加入SnO 2，增加了碳化硼中的缺陷态，显示出独特的催化性能。计算的织构系数和Nelson Riley因子表明，合成的纳米复合材料具有很高的缺陷态。首次探索了该复合材料对工业染料的催化降解。对Novacron红和亚甲基蓝等工业污染物的降解实验表明，该复合物是一种高效的催化剂。降解研究表明，在太阳光照射下，1g/L催化剂浓度的B4 C/SnO 2在20 min左右对Novacron红Huntsman染料的降解率可达97.38%。这种水不溶性催化剂可以回收和重复使用。
2017-11-16 cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Boron-doping of cubic SiC for intermediate band solar cells: a scanning transmission electron microscopy study
硼（B）有可能在立方碳化硅（3C-SiC）中产生中间带，将这种材料变成单结太阳能电池的高效吸收体。离域带的形成需要高浓度的杂质元素，但是B在SiC的3C多晶型物中的沉淀行为还不是很清楚。在这里，探针校正的扫描透射电子显微镜和二次离子质谱法被用来研究在B-注入3C-SiC作为温度的函数的沉淀机制。在1273 K退火后检测到点缺陷聚集，而层错，富B沉淀和位错网络的发展在1573 - 1773 K范围内。析出相为菱方B13 C2结构，在1773 K时仍能捕获B。高于此温度，较高的溶解度减少沉淀和游离B扩散出注入层。在1873 K下获得了E19（cm-3）掺杂浓度。
2018-12-10 cond-mat.mtrl-sci
Symmetry Engineering Enables Deterministic Ensemble Polarization Control in Hexagonal Boron Nitride
University of Delaware（特拉华大学）；National Institute for Materials Science (NIMS)（国家物质材料研究所）
本文提出对称工程策略，通过纳米脊阵列施加各向异性应变，在六方氮化硼的硼空位系综中恢复集体光学各向异性，实现与晶体取向无关的确定性偏振对齐，为偏振定义的系综自旋读出和光子集成奠定基础。
2026-10-05 cond-mat.mtrl-sci
Properties of B4C in the shocked state for pressures up to 1.5 TPa
采用准谐波近似的密度泛函理论计算了两种多型体碳化硼在100 GPa压力下的固态Hugoniot。假设偏析成元素相发生在压力附近，B11 Cp（CBC）多型体变得相对于硼和碳的热稳定性不稳定，两个不连续的Hugoniot，一个在50 GPa和一个在90-100 GPa，预测。前者是相偏析的结果，后者是硼内部的相变。采用第一性原理分子动力学（FPMD）模拟来计算高达1.5 TPa的B4 C的液体Hugoniot，并将结果与最近在Omega激光设施进行的高达700 GPa的实验进行比较[Phys. Rev. B 94，184107（2016）]。理论和实验之间的一般良好的协议进行了观察。FPMD模拟的分析提供了一个无定形的证据，但共价结合，流体低于438 GPa，和原子流体在较高的压力和温度。
2017-05-22 cond-mat.mtrl-sci
Configurational order-disorder induced metal-nonmetal transition in B$_{13}$C$_{2}$ studied with first-principles superatom-special quasirandom structure method
由于理论与实验之间存在很大的差异，晶态碳化硼B $_{13}$ C $_{2}$的电子性质一直是二十面体富硼固体研究领域中有争议的课题。我们证明，这种差异被删除时，构型紊乱被准确地考虑在理论计算。我们发现，而有序的基态B $_{13}$ C $_{2}$是金属，构型无序的B $_{13}$ C $_{2}$，建模与超原子特殊的准随机结构方法，通过金属到非金属的过渡作为无序度随着温度的升高而增加。具体来说，CBC链中的一个链端碳原子取代与其键合的B $_{12}$二十面体中邻近的赤道硼原子，产生B $_{11}$ C $^{e}$（BBC）单元。因此，取代无序的B $_{13}$ C $_{2}$的原子构型倾向于由B $_{12}$（CBC）和B $_{11}$ C $^{e}$（BBC）之间的混合物支配。由于B $_{11}$ C $^{e}$（BBC）中价态的分裂，B $_{12}$（CBC）中的电子缺陷逐渐得到补偿。
2015-08-31 cond-mat.mtrl-sci
Laser-Assisted Deposition of r-B4C Coatings Using Ethylene as Carbon Precursor
采用CO2激光辅助化学气相沉积（LCVD）技术，在BCl 3、C2 H4和H2的动态反应气氛中，在熔融石英基体上制备了菱面体B4 C涂层。碳含量为15至22原子%的膜以高达每秒0.12微米的沉积速率生长。研究了沉积B_4C薄膜的反应体系动力学以及生长条件对沉积层结构和形貌的影响。关键词：菱面体碳化硼（r-B4 C），激光CVD，生长动力学。
2002-10-18 cond-mat.mtrl-sci
Atomistic Simulations of Short-range Ordering with Light Interstitials in Inconel Superalloys
该研究利用混合MC-MD模拟揭示Inconel合金中B、C间隙原子与Cr、Mo、Nb的短程有序机制及其在空位和富Ti条件下对碳化物网络、相稳定性与力学性能的影响。
2025-07-18 cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Electrical excitation of carbon centers in hexagonal boron nitride with tuneable quantum efficiency
本研究通过范德华技术设计垂直隧穿器件，实现了六方氮化硼中碳中心的高效电激发发光二极管，其电激发效率较光学激发高出数个数量级，并可通过斯塔克效应调控发射能量，解决了宽带隙晶体缺陷中心电驱动器件的制造难题。
2023-05-23 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
First-principles study of configurational disorder in B$_{4}$C using a superatom-special quasirandom structure method
用第一性原理计算研究了无序晶体碳化硼B $_{4}$ C。我们调查稀释和高浓度的碳硼替代缺陷。对于后者的目的，我们提出了一个超原子的复杂结构的图片，并结合它与一个特殊的准随机结构的方法无序。通过这种方式，我们对所识别的低能缺陷的高浓度的随机分布进行了建模：1）双极缺陷和2）二十面体碳在三个极化位置之间的旋转。此外，在所有六个极性位点的二十面体碳的取代无序，如先前在文献中讨论的，也被认为是。两个构型的相变从有序的无序配置的预测发生时，使用平均场近似的熵增加温度。第一个跃迁发生在870 K，导致了二十面体碳原子在三个上极性位上的无序置换，而第二个跃迁发生在2325 K，揭示了二十面体碳原子在六个上极性位上的无序置换和双极性缺陷共存.第一次跃迁已经消除了有序基态构型中存在的单斜畸变，恢复了菱面体体系（R3 m）。在第二次转变后，平均产生完全菱面体对称性（R-3 m）的反演对称性的恢复，对应于文献中报道的情况。从无序相得到的电子态密度表明带隙对B $_{4}$ C中构型无序程度的敏感性。
2015-08-31 cond-mat.mtrl-sci
Stabilisation of hBN/SiC Heterostructures with Vacancies and Transition-Metal Atoms
本研究通过密度泛函理论提出hBN/SiC双层异质结，发现硼空位可使层间作用从弱范德华耦合转为强共价键，结合过渡金属吸附研究制定表面反应性设计准则，经机器学习辅助分子动力学验证其有限温度下的稳定性，为原子级精确过渡金属功能化提供通用平台。
2025-10-28 cond-mat.mtrl-sci physics.comp-ph
Validation Workflow for Machine Learning Interatomic Potentials for Complex Ceramics
本文提出一种材料无关的三阶段机器学习原子间势验证工作流，并以碳化硼为例展示其有效性，所得 MLIP 在性质预测上优于现有经验势。
2024-03-26 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Characterization of Carbon-Contaminated B4C-Coated Optics after Chemically Selective Cleaning with Low-Pressure RF Plasma
碳化硼（B4 C）是少数几种材料之一，其预期相对于由自由电子激光（FEL）产生的光子束的极高亮度是最有弹性的，并且因此对于该领域中的光学应用是相当感兴趣的。然而，与在现代光源设施中操作的许多其他光学器件的情况一样，B4 C涂覆的光学器件受到无处不在的碳污染。由于光子通量、光束相干性、相消干涉的产生和散射损失的严重减少，这些污染代表了高性能自由电子激光光束线的操作的严重问题。不同的实验室开发了各种B4 C清洁技术，并取得了不同的成功。我们提出了一项关于低压射频等离子体清洁碳污染的B4 C测试样品通过电感耦合O2/Ar，H2/Ar，和纯O2射频等离子体产生以下先前的研究使用相同的IBSS GV 10 x下游等离子体源。结果有关的化学，形态以及其他方面的B4 C光学涂层之前和之后的等离子体清洗的报告。我们从这些比较等离子体工艺中得出结论，纯O2原料等离子体仅表现出维持B4 C光学涂层完整性所需的化学选择性。
2017-08-21 cond-mat.mtrl-sci physics.plasm-ph
