Anomalous Dispersion of LO Phonons in Oxygen-Doped La$_{2-x}$Sr$_{x}$CuO$_{4+δ}$
用中子非弹性散射方法研究了氧掺杂La $_{1.94}$ Sr $_{0.06}$ CuO $_{4.035}$（$T_c = 38\,\text{K}$）和La $_2$ CuO $_{4+δ}$（$T_c = 43\,\text{K}$）中的面内Cu-O键伸缩模。类似的结果，从最佳掺杂的La $_{1.85}$ Sr $_{0.15}$ CuO $_4$（$T_c = 35\,\text{K}$），我们观察到异常的功能，在分散的半呼吸模式的形式软化中途通过布里渊区。考虑到具有类似$T_\text{c}$的氧和锶掺杂化合物之间的电子结构和局部环境的差异，我们排除了与特定掺杂剂类型相关的声子异常和结构不稳定性之间的联系。我们解释的声子异常相关的电荷波动的签名可能连接到条纹。
2019-08-26 cond-mat.supr-con
Resonance in Optimally Electron-Doped Superconductor Nd$_{1.85}$Ce$_{0.15}$CuO$_{4-δ}$
本文用非弹性中子散射方法研究了最佳电子掺杂超导体Nd $_{1.85}$ Ce $_{0.15}$ CuO $_{4-δ}$在其超导转变温度$T_c=25$ K以上和以下的磁激发。除了在反铁磁有序波矢${\bf Q}=(1/2,1/2,0)$处逐渐打开自旋赝能隙之外，超导性的作用是形成也以${\bf Q}=(1/2,1/2,0)$为中心但能量高于自旋赝能隙的共振。共振强度的发展类似于超导序参量，类似于空穴掺杂超导体和电子掺杂Pr $_{0.88}$ LaCe $_{0.12}$ CuO $_4$的序参量。因此，共振是铜氧化物超导体的普遍现象，并且必须是高$T_c$超导机制的基础。
2007-03-30 cond-mat.supr-con
A metallic phase in lightly doped La$_{2-x}$Sr$_{x}$CuO$_{4}$ observed by electron paramagnetic resonance
在La $_{2-x}$ Sr $_{x}$ CuO $_{4}$中，在$x$的低掺杂范围（0.01 ~ 0.06），研究了窄的电子顺磁共振谱线。这条线不同于已知的宽线，两者都是由于探测Mn $^{2+}$离子。窄线归因于材料中的金属区域，并且当冷却到低于$\sim$ 150 K时，其强度呈指数增加。计算得到的激活能$Δ$ = 460（50）K与用Raman和中子散射方法在掺杂超导体系中得到的结果基本一致。窄EPR线的强度遵循与轻掺杂La $_{2-x}$ Sr $_{x}$ CuO $_{4}$单晶中的电阻率各向异性相同的温度依赖性。
2003-10-07 cond-mat.supr-con
Nodal Order Parameter in Electron-Doped Superconducting Films Pr(2-x)Ce(x)CuO(4-y) (x=0.13, 0.15 and 0.17)
报道了电子掺杂超导体Pr{2-x}Ce{x}CuO{4-y}薄膜在三种掺杂水平（x = 0.13，0.15和0.17）下的伦敦穿透深度λ {ab}（T）。测量到0.35 K进行了使用隧道二极管振荡器与激励场施加垂直和平行的导电平面。对于所有样品和两个磁场方向，λ {ab}（T）都表现出幂律行为，这意味着超导能隙具有节点。
2003-04-12 cond-mat.supr-con
Synchrotron X-ray diffraction study of a charge stripe order in 1/8-doped La$_{1.875}$Ba$_{0.125-x}$Sr$_{x}$CuO$_{4}$
用同步辐射X射线衍射方法研究了1/8空穴掺杂$_{1.875}$中$x=0.05$和$x=0.075$的晶格畸变与电荷条纹序的关系.高精度地确定了传播波矢和电荷序相关长度，揭示了斜方晶系$x=0.075$晶体中的斜电荷条纹比四方晶系$x=0.05$晶体中的直电荷条纹更加无序.沿c轴的晶格调制的双重周期性解释了相邻的CuO $_{2}$平面上的孔之间的长程库仑相互作用。
2003-03-14 cond-mat.supr-con
Imaging nano-scale electronic inhomogeneity in lightly doped Mott insulator Ca_{2-x}Na_{x}CuO_{2}Cl_{2}
利用扫描隧道显微镜/光谱（STM/STS）对轻掺杂莫特绝缘体Ca_{2-x} Na_{x} CuO_{2} Cl_{2}中电子态的空间变化进行了成像。我们观察到纳米尺度的领域内的绝缘背景的高局域态密度。所观察到的畴具有2nm（~4-5a，a：晶格常数）的特征长度尺度，具有沿四重[100]方向的优选取向。我们认为，这种空间不均匀的电子状态是固有的轻微掺杂的莫特绝缘体，并发挥重要作用的绝缘体到金属的转变。
2004-07-02 cond-mat.supr-con
Anisotropic magnetotransport of superconducting and normal state in an electron-doped Nd_{1.85}Ce_{0.15}CuO_{4-δ} single crystal
通过在高达12 T的磁场H中测量电阻率，研究了最佳掺杂的Nd_{1.85} Ce_{0.15} CuO_{4-δ}单晶在低于和高于临界温度Tc时的各向异性特性。通过标度超导转变附近的电导率涨落，确定了场平行于c轴或基底ab面时的上临界场H_{c2}（T）。各向异性因子γ={H_c2|| ab}/{H_c2|| c}估计约为8。在正常状态下（50=<T=<180 K），磁阻（MR）基本上遵循H^2依赖性，并且对于H|| c比H大10倍||AB.与空穴掺杂的铜氧化物超导体相比，最佳掺杂的Nd_{1.85} Ce_{0.15} CuO_{4-δ}铜氧化物超导体具有中等的各向异性。
2011-02-28 cond-mat.supr-con
DFT+U study of magnetic order in doped La$_2$CuO$_4$ crystals
本文用密度泛函理论（DFT+U）计算了掺杂La $_{2-x}$ Sr $_x$ CuO $_4$的几种磁相。检查了从$x=0$到0.25的掺杂因子。发现$x=1/8$和$x=1/4$的磁基态为键心条纹。未发现$x=1/6$的稳定条带顺序。电子密度的分析表明，顶端氧原子，那些位于上方和下方的铜原子在CuO PDMATHAMT平面，持有一个不可忽略的部分的孔在大掺杂，并提出了一个小的自旋极化。最后，研究了键心和原子心两种磁条纹调制引起的电荷重组。
2011-06-28 cond-mat.supr-con
Disappearance of antiferromagnetic spin excitations in over-doped La$_{2-x}$Sr$_{x}$CuO$_{4}$
磁激发的能量范围高达100 meV的过掺杂的La $_{2-x}$ Sr $_{x}$ CuO $_{4}$与$x=0.25$和0.30，使用飞行时间中子能谱研究。在反铁磁布里渊区的宽度集成的光谱的比较表明，在中间能量，$20 \lesssim ω\lesssim 100$毫电子伏的磁散射，逐渐减少与过度掺杂。这强烈表明，磁性是不相关的费米表面嵌套，而是与（可能波动）反铁磁气泡的体积分数下降。
2007-06-12 cond-mat.supr-con
The estimation of coherence length for electron-doped superconductor Nd$_{2-x}$Ce$_x$CuO$_{4+δ}$
本文报道了Nd $_{2-x}$ Ce $_x$ CuO $_{4+δ}$单晶中不同$x$和非化学计量无序（$δ$）的低温上临界场测量结果。本文估计了对关联$ξ$和乘积$k_F$ $ξ$的相干长度，其中$k_F$是费米波矢。结果表明，对于所研究的单晶体参数$k_F$ $ξ$ $\cong$ 100，因此在现象学上NdCeCuO -系统是在基于铜对（BCS）的超导性的范围内。
2010-10-21 cond-mat.supr-con
Upper critical field in electron-doped cuprate superconductor Nd$_{2-x}$Ce$_x$CuO$_{4+δ}$: two-gap model
本文测量了不同无序度的Nd $_{1.85}$ Ce $_{0.15}$ CuO $_{4+δ}$ /SrTiO $_3$单晶薄膜（$δ$）在高达90 kOe的磁场中的上临界场（H $_{c2}$）相图随温度（T）的变化.这些数据很好地描述了一个两带/两个间隙模型的超导体在肮脏的限制。
2012-12-26 cond-mat.supr-con
Spin-Charge Coupling in lightly doped Nd$_{2-x}$Ce$_{x}$CuO$_4$
利用中子散射研究了磁场对Nd $_2$ CuO $_4$自旋结构的影响。从室温冷却后，Nd $_2$ CuO $_4$经历了一系列具有不同非共线自旋结构的反铁磁（AF）相变。虽然c轴对齐的磁场不会改变基本的零场非共线自旋结构，但平行于CuO $_2$平面的磁场可以将非共线结构转变为共线结构（“自旋翻转”转变），诱导沿c轴的磁无序，并导致AF相变中的磁滞。通过将这些结果直接与Nd $_{1.975}$ Ce $_{0.025}$ CuO $_4$的磁电阻（MR）测量结果进行比较，发现磁场诱导的自旋翻转转变、AF相位滞后和自旋c轴无序都影响材料的输运性质，其中Nd $_2$ CuO $_4$具有基本相同的AF结构。因此，我们的研究结果提供了直接的证据，在电子掺杂的铜氧化物中存在强的自旋-电荷耦合。
2004-11-27 cond-mat.supr-con
Magnetic Properties and Phase Diagram of Li-doped La(2)CuO(4): Common Magnetic Response of Hole-doped CuO2 Planes
虽然La（2）Cu（1-x）Li（x）O（4）[Li-LCO]在许多方面不同于La（2-x）Sr（x）CuO（4）[Sr-LCO]（例如，不存在金属输运、高Tc超导性和无公度反铁磁关联），已知某些磁性非常相似。本文建立了Li-LCO（0 <= x <= 0.07）的详细体磁相图，发现它与轻掺杂Sr-LCO的体磁相图几乎相同，从而将该相图的普遍性推广到空穴掺杂但非超导的铜酸盐。
2003-01-06 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Doping Dependence of the Pseudogap in La(2-x)Sr(x)CuO(4)
本文报道了La（2-x）Sr（x）CuO（4）单晶在欠掺杂（x = 0.10）到过掺杂（x =0.22）范围内的拉曼散射实验结果。的光谱是一致的存在一个强大的各向异性准粒子相互作用，导致在正常状态下耗尽的光谱重量从区域附近的费米表面的区域轴。随着空穴浓度的增加，相互作用的强度迅速下降，当达到最佳掺杂水平时，赝能隙的光谱证据消失。结果表明，赝能隙和超导能隙是由不同的机制产生的。
1999-01-11 cond-mat.supr-con
Systematic evolution of the magnetotransport properties of Bi_{2}Sr_{2-x}La_{x}CuO_{6} in a wide doping range
最近，我们已经成功地生长了一系列高质量的Bi_{2} Sr_{2-x} La_{x} CuO_{6}晶体在宽范围的载流子浓度。这些晶体的ρ_{ab}（T）和R_H（T）数据显示出被认为是铜酸盐的“典型”行为。最佳零电阻T_c提高到38 K，与La_{2-x} Sr_{x} CuO_{4}的最佳T_c相当。
2000-04-10 cond-mat.supr-con
Doping dependence of the vortex glass and sublimation transitions in the high-$T_{c}$ superconductor La$_{2-x}$Sr$_{x}$CuO$_{4}$ as determined from macroscopic measurements
磁化强度和交流磁化率测量用于表征高温铜酸盐超导体La $_{2-x}$ Sr $_{x}$ CuO $_{4}$在大范围的掺杂（0.075 $\leq x\leq$ 0.20）的混合相。研究了高磁场（垂直于$CuO_2$面施加8特斯拉）下的一级涡旋晶格相变线$H_{FOT}(T)$、上临界场$H_{c2}(T)$和第二峰$H_{sp}(T)$。我们的研究结果揭示了一个强大的掺杂依赖的磁相图，这主要可以解释与欠掺杂的各向异性增加。在我们的解释，第一阶涡晶格相变是由于升华（而不是熔化）的涡晶格成气体的煎饼涡，而第二个峰值是有关的过渡到一个更无序的涡玻璃态。
2004-12-17 cond-mat.supr-con
Penetration depth of electron-doped-infinite-layer Sr$_{0.88}$La$_{0.12}$CuO$_{2+x}$ thin films
用交流磁化率测量法测量了氧还原法制备的不同掺杂的$_{0.88}$ CuO $_{2+x}$薄膜的面内穿透深度。对于较高的掺杂样品，超流密度偏离强烈的s波行为，这表明，与其他电子掺杂的铜酸盐类似，从节孔口袋，或费米表面上的小间隙，如各向异性的s波序参量的贡献。超流密度的低值可能是由于强掺杂引起的无序，使我们样品的超导转变处于相位波动状态。
2010-09-24 cond-mat.supr-con
Hall resistivity correlations in disordered electron-doped Nd$_{2-x}$Ce$_x$CuO$_{4+δ}$ films
研究了电子掺杂Nd $_{2-x}$ Ce $_x$ CuO $_{4+δ}$ /SrTiO $_3$单晶薄膜在反铁磁（AF）-超导（SC）相变附近和具有不同无序度（$δ$）的电阻率张量随混合态磁场的变化关系$ρ_{xy}$（$B$）$\sim$ $[ρ_{xx}(B)]^β$. $β$从$x$ = 0.14时的1.2 $\pm$ 0.2降低到$x$ = 0.15时的0.6 $\pm$ 0.1，这表明在从欠掺杂到最佳掺杂区域的过渡处，在外部磁场中从各向异性$s$波到$d$波配对对称性的变化的证据。混合态中涡旋运动的幂律依赖性的特性可以与层状电子掺杂超导体中的非化学计量无序的某些特征相联系。
2016-11-23 cond-mat.supr-con
Nernst Effect in Electron-Doped Pr$_{2-x}$Ce$_{x}$CuO$_4$
测量了Pr $_{2-x}$ Ce $_{x}$ CuO $_4$（x=0.13，0.15和0.17）薄膜样品在5-120 K和0-14 T温度范围内的能斯特效应。在最近的测量显示出一个巨大的能斯特效应以上的电阻T $_c$和H $_{c2}$ \cite{xu,wang1,wang2,capan}的空穴掺杂的铜酸盐相比，我们发现一个正常的能斯特效应以上的T $_c$和H $_{c2}$的所有掺杂。在电子掺杂的化合物中缺乏异常的能斯特效应，这支持了解释空穴掺杂的铜氧化物中的振幅和相位波动的模型。此外，由能斯特效应确定的H $_{c2}$（T）显示出所有掺杂的常规行为。由H $_{c2}$（0）确定的能隙随着体系从欠掺杂到过掺杂而减小，这与最近的隧道实验一致。
2003-05-28 cond-mat.supr-con
Resistivity tensor correlations in the mixed state of electron-doped superconductor Nd$_{2-x}$Ce$_x$CuO$_{4+δ}$
研究了电子掺杂化合物Nd $_{2-x}$ Ce $_x$ CuO $_{4+δ}$在欠掺杂区（$x$ =0.14）和不同无序度（$δ$）的纵向电阻和霍尔电阻随磁场的变化关系。通过实验建立了纵向电阻率和霍尔电阻率之间的相关性，可以基于比例关系进行分析：$ρ_{xy}$（$B$）$\sim$ $ρ^β_{xx}$（$B$）。对于所研究的Nd $_{2-x}$ Ce $_x$ CuO $_{4+δ}$ /SrTiO $_3$单晶薄膜的总体，发现普适值$β$ =1.5 $\pm$ 0.4。波配对对称性和一个相当强的钉扎由于在所研究的样品中的基本程度的无序。
2016-01-19 cond-mat.supr-con
Interpretation of Nuclear Quadrupole Resonance Spectra in Doped La$_2$CuO$_4$
锶掺杂的La $_2$ CuO $_4$的核四极共振（NQR）谱令人惊讶地类似于掺杂有过量氧的La $_2$ CuO $_4$的NQR谱，两个谱都由在相似频率处的主峰和一个主伴峰主导。使用第一性原理集群计算，这是研究在这里通过计算的电场梯度（EFG）在中心铜网站的集群后，取代镧原子在集群与锶原子或添加间隙氧的集群。在每种情况下，EFG都增加了约10%，这出乎意料地解释了NQR谱只是偶然相似，起源完全不同。此外，在NQR谱中的峰的宽度被解释为不同的EFG的铜中心远离杂质。一个模型，空穴迅速移动的平面氧原子的基础上，提出了解释所观察到的增加的频率的主要和卫星峰的NQR谱作为掺杂浓度的增加。
1999-07-22 cond-mat.supr-con
Electronically driven superconductor insulator transition in electrostatically doped La$_{2}$CuO$_{4+δ}$ thin films
本文用双电层晶体系统地研究了臭氧辅助分子束外延$_{2}$薄膜的超导体到绝缘体的转变。我们已经证实了高结晶质量的铜酸盐薄膜，并证明了电子双层技术的适用性，以连续变化的电荷密度在一个系统中，否则其特征在于通过存在的可折叠间隙。的运输和磁运输的结果突出的作用，电子-电子相互作用的过渡机制，由于莫特绝缘状态的接近。
2012-10-28 cond-mat.supr-con
Nanoscale phase separation in deep underdoped Bi$_{2}$Sr$_{2}$CuO$_{6+δ}$ and Ca$_2$CuO$_2$Cl$_2$
我们证明了在深度欠掺杂的Bi $_{2}$ Sr $_{2}$ CuO $_{6+δ}$（Bi 2201）和Ca $_2$ CuO $_2$ Cl $_2$（CCOC）中的隧穿光谱提供了纳米级相分离的明确证据，导致间隙被掺杂填充而不是闭合。相分离在从半填充到大约$x\sim 0.09$的掺杂范围上延伸。假设电子束是以条纹的形式存在，那么节点间隙（我们将其建模为库仑间隙）是由带电条纹的杂质钉扎引起的，最终驱动金属-绝缘体转变。
2014-05-15 cond-mat.supr-con
Ultrafast dynamics in the presence of antiferromagnetic correlations in electron-doped cuprate La$_{2-x}$Ce$_x$CuO$_{4\pmδ}$
我们使用飞秒光泵浦-探测光谱研究了电子掺杂铜氧化物La $_{2-x}$ Ce $_x$ CuO $_4$（LCCO）薄膜的光致反射率变化，掺杂量为x $=$ 0.08（欠掺杂）和x $=$ 0.11（最佳掺杂）。以上T $_c$，我们观察到在类似的温度下开始的输运测量首先看到的反铁磁相关的签名的通量依赖的弛豫率。当用磁场抑制超导性时，发现弛豫速率的能量密度和温度依赖性与电子和空穴在间隙（2 $Δ_{AF}$）中的双分子复合是一致的，该间隙起源于反铁磁相关性，其中包括电子掺杂铜氧化物中的赝间隙。这可以用来了解这些化合物中电子和高能（$ω>2Δ_{AF}$）激发之间的耦合，并限制反铁磁相关性是静态的时间尺度。
2017-02-09 cond-mat.supr-con
Doping Dependence of Two Energy Scales in the Tunneling Spectra of Superconducting La$_{2-x}$Sr$_{x}$CuO$_{4}$
在4.2K下对$_{2-x}$ $_{4}$（$x=0.06, 0.12, 0.16$和0.21）超导体进行了扫描隧道显微镜和光谱研究。在$ab$表面上观察到原子分辨的表面形貌，其表现出对应于正交相的屈曲图案的一维结构。所有样品的隧穿谱在约$\pm 5$ meV的扭结除了能隙，表明存在两个能量标度。虽然间隙大小在几nm的长度尺度上变化，并且在欠掺杂时稳定地增加，但扭结能量在表面上是空间均匀的，并且几乎与掺杂水平无关。
2008-04-07 cond-mat.supr-con
Square vortex lattice at anomalously low magnetic fields in electron-doped Nd$_{1.85}$Ce$_{0.15}$CuO$_{4}$
本文报道了电子掺杂Nd $_{1.85}$ Ce $_{0.15}$ CuO $_{4}$单晶体中涡旋晶格的首次直接观测结果。利用小角中子散射，我们观察到了一个正方形涡旋晶格，其最近邻原子位于离Cu-O键45 $^{\circ}$处，这与基于d波超导能隙的理论相一致。然而，正方形对称性持续到异常低的磁场。此外，从涡旋晶格的衍射强度被发现，随着磁场的增加而迅速下降。
2004-10-11 cond-mat.supr-con
Magnetic Field Effect on Static Antiferromagnetism in Electron-Doped Superconductor Pr$_{1-x}$LaCe$_x$CuO$_4$ ($x$=0.11 and 0.15)
用中子散射测量方法研究了沿c轴外加磁场对电子掺杂超导体Pr $_{1-x}$ LaCe $_{x}$ CuO $_4$（$x$ =0.11（$T_c$ =26 K）和$x$ =0.15（$T_c$ =16 K）的静态自旋关联的影响.在位于反铁磁（AF）和超导相界附近的$x$ =0.11样品中，T=3 K处的磁场强度和磁序起始温度的场依赖性在$\sim$ 5 T处出现峰值。相比之下，在过掺杂的$x$ =0.15样品中，在零场下既没有观察到静态AF顺序，也没有由高达8.5 T的场诱导。讨论了空穴掺杂和电子掺杂高掺杂$T_c$铜氧化物的场效应的异同。
2003-11-14 cond-mat.supr-con
Scaling analysis of the static and dynamic critical exponents in under, over, and optimally-doped Pr$_{2-x}$Ce$_x$CuO$_{4-y}$ films
本文报道了掺杂Pr $_{2-x}$ Ce $_x$ CuO $_{4-y}$薄膜零场正常超导相变的电流-电压测量结果。我们发现，在这些材料（$\approx 25$ mK）的临界制度的小尺寸引起的平均场行为在相变与静态指数$ν\approx 0.5$的所有掺杂（与空穴掺杂$\mathrm{YBa_{2}Cu_{3}O_{7-δ}}$）。我们还发现平均场行为的动态指数$z$。这表明Pr $_{2-x}$ Ce $_x$ CuO $_{4-y}$与其它铜酸盐超导体相比，表现出与常规超导体相似的行为。然而，随着在我们的样品中的过渡宽度减小，动态临界指数接近$z=1.5$，类似于在空穴掺杂$\mathrm{YBa_{2}Cu_{3}O_{7-δ}}$中发现的临界指数。
2010-03-11 cond-mat.supr-con
Nuclear spin-lattice relaxation rate and nonmagnetic pair-breaking effect in electron-doped Pr_{0.91}LaCe_{0.09}CuO_{4-y}: Signature of highly anisotropic s-wave gap
我们数值计算了各向异性s波带隙下超导态的核自旋-晶格弛豫率。通过考虑电子-声子耦合，我们计算的Rs为传统的s波超导体，铟，是在定量协议与实验数据具有明确的Hebel-Slichter峰。与此相反，通过使用高度各向异性的s-波间隙推断的磁穿透深度和扫描隧道显微镜，我们计算的Rs曲线的电子掺杂的Pr_{0.91} LaCe_{0.09} CuO_{4-y}显示没有Hebel-Slichter峰，与实验数据一致。最后，所观察到的弱的双破效应提供了明确的证据，高度各向异性的s-波间隙在此欠掺杂的铜酸盐。
2010-03-29 cond-mat.supr-con
Evidence for a Nodeless Gap from the Superfluid Density of Optimally Doped Pr_{1.855}Ce_{0.145}CuO_{4-y} Films
我们测量了五种最佳掺杂的Pr_{1.855} Ce_{0.145} CuO_{4-y}薄膜在1.6 K \leq T \leq T_c \sim 24 K时ab平面磁穿透深度λ（T）。低的折射率、高的超流密度n_s（T）\propto λ^{-2}（T）、高的T_c和小的过渡宽度是可再现的，并且指示优良的膜质量。对于所有五种薄膜，在低T下λ^{-2}（T）/λ^{-2}（0）都符合指数温度关系，带隙Δ min为0.85 k_B T_c。这种行为与无节点能隙一致，与d波超导不相容。
2002-05-07 cond-mat.supr-con
Evidence of a d to s-wave pairing symmetry transition in the electron-doped cuprate superconductor Pr$_{2-x}$Ce$_x$CuO$_4$
我们提出了一个正常的金属和电子掺杂的铜酸盐超导体Pr $_{2-x}$ Ce $_x$ CuO $_4$（PCCO）之间的结的点接触光谱（PCS）数据。对于这种铜酸盐（$x \sim 0.13$）的欠掺杂组合物，我们观察到点接触结的电导-电压特性的峰值。该峰的形状和大小表明在欠掺杂PCCO的表面处存在Andreev束缚态，这是d波配对对称性的证据。对于过掺杂的PCCO（$x \sim 0.17$）的PCS数据没有显示任何证据的Andreev束缚态的表面暗示的s波配对对称性。
2001-11-28 cond-mat.supr-con
Inhomogeneity effects in oxygen doped HgBa$_2$CuO$_{4}$
从理论上研究了非均匀性对HgBa $_2$ CuO $_{4+δ}$中电荷、电场梯度和位投影态密度的影响。我们发现在不同的原子位置的掺杂诱导的空穴数的显着差异。这些位置对费米能级附近的态密度的贡献在相同的能量下达到峰值，但幅度变化高达70%，并且具有不同的能量依赖性。由于这种能量依赖性，超导性的内在不均匀性的作用强烈地依赖于介导库珀配对的准粒子的能量和性质。我们的结果可以解释由局部或宏观实验探针观察到的掺杂诱导效应的起源。
2006-02-02 cond-mat.supr-con
Different doping from apical and planar oxygen vacancies in Ba$_{2}$CuO$_{4-δ}$ and La$_{2}$CuO$_{4-δ}$
第一性原理能带结构计算表明，不同氧空位分布和浓度的Ba $_{2}$ CuO $_{4-δ}$和La $_{2}$ CuO $_{4-δ}$的有效掺杂强烈地依赖于空位的位置. Cu层内的空位产生弱掺杂效应，而位于顶端氧位点处的空位充当铜层上的较强电子掺杂剂，并逐渐使电子结构接近La $_{2-x}$ Sr $_x$ CuO $_{4}$的电子结构。这些效应是鲁棒的，并且仅略微依赖于晶格畸变。我们的研究结果表明，脱氧可以减少传统的La/Sr或La/Nd取代的效果。我们的研究清楚地确定了掺杂剂在晶体结构中的位置作为铜酸盐平面掺杂的重要因素。
2012-11-28 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Scale free distribution of oxygen interstitials wires in optimum doped HgBa$_2$CuO$_{4+y}$
新型纳米探针为理解掺杂高温超导钙钛矿中多尺度晶格复杂性驱动的非常规电子和磁性功能开辟了新的途径。本文研究了HgBa $_2$ CuO $_{4+y}$在最佳掺杂条件下（最高超导临界温度$T_C$ = 94 K）的原子氧（O-i）条纹的超分子水平多尺度织构。我们报告了令人信服的证据，氧间隙O-I原子线的双相分形空间分布在多个尺度上，通过使用扫描微和纳米X射线衍射。在最佳掺杂下，从微米尺度向下延伸到纳米尺度的O-i原子线的无尺度分布与CuO $_2$平面中的复杂的富空穴金属线网络相关联。所观察到的临界乳光提供了接近临界点的证据，该临界点控制了最佳掺杂时高温超导性的出现
2022-10-13 cond-mat.supr-con
Distinct oxygen hole doping in different layers of $\rm Sr_{2}CuO_{4-δ}-La_{2}CuO_4$ superlattices
在$\rm Sr_{2}CuO_{4-δ}-La_{2}CuO_4$（SCO-LCO）超晶格的X射线吸收显示了一个可变的占有与掺杂的空穴状态不同的空穴掺杂的$x \lesssim x_{optimal}$在散装$\rm La_{2-x}Sr_{x}CuO_4$，并表明，这种空穴状态是在顶端氧原子和极化的$a-b$平面。考虑到表面反射率，给出了一个很好的定性描述的共振软X射线散射的线形。超晶格和表面反射之间的干涉用于区分SCO和LCO层中的散射体，其中两个空穴状态在超晶格的不同层中最大化。
2011-11-11 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Indirect electric field doping of the CuO2 planes of the cuprate NdBa2Cu3O7 superconductor
本文用X射线吸收谱研究了“123”高临界温度超导体在电场作用下的场效应掺杂机理。我们表明，在CuO链的电荷库和场效应掺杂的CuO 2平面发生的电荷转移，从链的平面，整体诱导孔的一小部分，创建的孔。电荷库和电介质/HTS界面的电子性质决定了CuO 2平面的电场掺杂
2008-01-14 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Microwave Electrodynamics of the Electron-Doped Cuprate Superconductors Pr_(2-x)Ce_(x)CuO_(4-y) and Nd_(2-x)Ce_(x)CuO_(4-y)
电子掺杂的铜氧化物超导体的对态对称性被认为是s波性质，而空穴掺杂的超导体则表现出d波对称性。我们重新审视这个问题的基础上，我们的电子掺杂材料和我们的测量技术的最新进展。本文报道了Pr_（2-x）Ce_xCuO_（4-y）和Nd_（2-x）Ce_xCuO_（4-y）晶体穿透深度与温度关系的微波腔微扰测量。我们的数据有力地表明，在这些材料中的配对对称性不是s波。
2000-01-12 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Shubnikov-de Haas quantum oscilations reveal a reconstructed Fermi surface near optimal doping in a thin film of the cuprate superconductor Pr$_{1.86}$Ce$_{0.14}$CuO$_{4\pmδ}$
研究了电子掺杂超导体Pr $_{2-x}$ Ce $_x$ CuO $_{4\pmδ}$（$x$ = 0.14）在92 T磁场下的磁输运性质，观察到了Shubnikov de-Haas磁量子振荡.振荡显示单频$F$ =255 $\pm$ 10~T，表明一个小的费米口袋，是二维布里渊区的$\sim$ ~ 1%，并与这些层状材料预测的大孔状圆柱体重建的费米表面一致。尽管低标称掺杂，所有的电子性质，包括有效质量和霍尔效应是一致的过掺杂的化合物。我们的研究表明，高品质的薄膜所提供的特殊的化学控制将使费米表面研究深入到过掺杂的铜酸盐相图。
2016-09-03 cond-mat.supr-con
Lattice effects in the La$_{\rm 2-x}$Sr$_{\rm x}$CuO$_{\rm 4}$ compounds
几种铜酸盐的系统拉曼光谱研究（YBa $_{\rm 2}$ Cu $_{\rm 3}$ O $_{\rm x}$、YBa $_{\rm 2}$ Cu $_{\rm 4}$ O $_{\rm 8}$或Bi $_{\rm 2}$ Sr $_{\rm 2}$ CaCu $_{\rm 2}$ O $_{\rm 8}$）已经表明，在最佳掺杂下，化合物处于晶格不稳定性的边缘;一旦通过掺杂或施加外部流体静压超过该水平，转变温度的变化伴随着光谱改变。有强烈的迹象表明，T $_{\rm c}$的减少与分离成纳米级相，其中涉及CuO $_{\rm 2}$平面的氧原子。在这项工作中，修改与掺杂的La $_{\rm 2-x}$ Sr $_{\rm x}$ CuO $_{\rm 4}$化合物的拉曼光谱，这表明自旋或电荷有序耦合在整个掺杂区域的晶格畸变。
2009-02-16 cond-mat.supr-con
Properties of the electron-doped infinite-layer superconductor Sr$_{1-x}$La$_{x}$CuO$_{2}$ epitaxially grown by pulsed laser deposition
用脉冲激光沉积法生长了电子掺杂的无限层铜氧化物超导体$_{1-x}$ CuO $_2$（SLCO）和掺杂的$x \approx 0.15$.（001）取向的KTaO $_3$和SrTiO $_3$单晶用作衬底。在SrTiO $_3$的情况下，在SLCO之前沉积BaTiO $_3$薄膜，用作向SLCO膜提供拉伸应变的缓冲层。为了诱导超导性，在还原条件下对所生长的膜进行退火，这将在下文中详细描述。通过反射高能电子衍射、原子力显微镜、X射线衍射、卢瑟福背散射光谱和温度低至$T = 4.2\,$ K的电输运测量对薄膜进行了表征。我们详细讨论了不同的工艺参数对最终薄膜性能的影响。
2011-12-20 cond-mat.supr-con
High Energy Spin Excitations in Electron-Doped Superconducting Pr$_{0.88}$LaCe$_{0.12}$CuO$_{4-δ}$ with $T_c=21$ K
利用高分辨非弹性中子散射研究了电子掺杂超导体Pr $_{0.88}$ LaCe $_{0.12}$ CuO $_{4-δ}$（$T_c=21\pm 1$ K）在宽能量范围（4 meV $\le\hbarω\le 330$ meV）的低温磁激发.电子掺杂的效应是在（$π$，$π$）处的低能量（$\hbarω\le 80$ meV）相称自旋波动中引起波矢量（$Q$）加宽，并抑制高能量（$\hbarω\ge 100$ meV）处的自旋波状激发的强度。这导致了一个实质性的重新分配的局部动态自旋极化率$χ^{\prime\prime}(ω)$的频谱，并揭示了一个新的能量尺度类似的轻空穴掺杂的Yb $_2$铜$_3$ O $_{6.353}$（$T_c=18$ K）。
2006-04-19 cond-mat.supr-con
Doping evolution of the charge excitations and electron correlations in electron-doped superconducting La$_{2-x}$Ce$_{x}$CuO$_{4}$
电子关联在铜氧化物的电荷动力学中起着主导作用。利用共振非弹性X射线散射（RIXS）方法研究了电子掺杂La $_{2-x}$ Ce $_{x}$ CuO $_{4}$（LCCO）中集体电荷激发的掺杂依赖性.从共振能量依赖性和面外动量依赖性，电荷激发被确定为三维（3D）等离子体激元，这反映了电子结构的性质和库仑排斥的短和长的长度尺度。随着电子掺杂的增加，等离子体激元激发表现出能量单调硬化，这是费米表面（FS）附近电子结构的电子相关效应的结果。重要的是，等离子体激元激发从一个广泛的功能演变成一个定义明确的峰值，大大增加了寿命，揭示了电子从非相干态到相干准粒子附近的FS的演变。这种演变标志着短程电子相关的减少，从而软化的Mottness的系统与增加电子掺杂。
2019-06-26 cond-mat.supr-con
Flux line lattice state versus magnetism in electron-doped cuprate superconductor Sr_{1-x}La_{x}CuO_{2}
本文报道了电子掺杂高$T_{\rm c}$铜氧化物超导体Sr $_{1-x}$ La $_{x}$ CuO $_{2}$（SLCO，$x=0.10$-0.15）中用μ子自旋旋转研究磁通线晶格态的微观细节。观察到磁性相和非磁性相之间的相分离的明显迹象，其中有效磁穿透深度[ $λ\equivλ(T,H)$ ]被选择性地确定为后一相。$λ(0,0)$ %相对于$T_{\rm c}$和相应的大超流密度（$n_s \propto λ^{-2}$）的极小值与具有$1+x$的载流子密度的大费米表面的存在一致，这表明即使在SLCO中的“最佳掺杂”下“掺杂的莫特绝缘体“也会击穿。此外，由$λ(0,H)$的场依赖性表明超导序参量中存在相对较弱的各向异性。这些观察结果强烈表明，在SLCO的超导电性是一个不同的类从空穴掺杂的铜酸盐。
2008-05-18 cond-mat.supr-con
First principles study of local electronic and magnetic properties in pure and electron-doped Nd$_2$CuO$_4$
在密度泛函理论的框架下，用从头计算方法计算了Nd_2CuO_4的局域电子结构.自旋极化计算与不同的多重性，使详细研究的电荷和自旋密度分布，使用集群，包括多达13个铜原子在CuO 2平面。电子掺杂模拟由两种不同的方法和由此产生的局部电荷分布的变化进行了详细研究，并在空穴掺杂的La 2CuO 4的相应变化进行了比较。详细研究了铜核处的电场梯度（EFG），发现与实验值吻合得很好。特别是，相对于LaCuO 4，电子掺杂材料中EFG的主要成分的急剧减少可以通过3d3z^2-r^2原子轨道占据率的减少来解释。此外，在铜核的化学屏蔽被确定，并从NMR测量得到的结果进行比较。磁超精细耦合常数由自旋密度分布确定。
2005-11-09 cond-mat.supr-con
Magnetic susceptibility of optimally doped HgBa$_{2}$CuO$_{4+δ}$
最佳掺杂的HgBa $_2$ CuO $_{4+δ}$（Hg1201）超导体在正常状态下的粉末自旋磁化率的大小与La $_{2-x}$ Sr $_{x}$ CuO $_{4}$在最佳掺杂水平附近的粉末自旋磁化率的大小几乎相同。Hg 1201的Stoner增强因子大于La $_{2-x}$ Sr $_{x}$ CuO $_{4}$。Stoner增强因子的大小相关性与最近理论上的3个$d$电子间的库仑排斥和电荷转移型超交换相互作用的影响不一致。
2017-12-02 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
New Electron-Doped Superconducting Cuprate Li_x_Sr_2_CuO_2_Br_2_
采用电化学嵌锂技术成功地合成了一种新的电子掺杂超导体Li_x_Sr_2_CuO_2_Br_2_（x = 0.15）。磁化率显示了体相超导性，超导转变温度Tc = 8K。该化合物是第一个具有K_2_NiF_4_结构的电子掺杂超导铜酸盐。
2004-10-06 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Infrared Hall Effect in the electron-doped high Tc cuprate Pr(2-x)Ce(x)CuO(4)
用红外磁光测量研究了电子掺杂的铜酸盐Pr（2-x）Ce（x）CuO（4）。光学霍尔电导率sigma_{xy}显示出强掺杂、频率和温度依赖性，这与温度和掺杂相关的相干背散射振幅的存在一致，该相干背散射振幅使电子晶胞加倍。这些数据表明，相干背散射消失在超导圆顶内的量子临界点，并与其他工人观察到的相称的反铁磁秩序。利用谱权分析，我们进一步研究了过掺杂样品的类费米液体行为。所观察到的霍尔电导谱的重量是约10倍小于带理论预测的，提出了关于莫特和反铁磁相关的霍尔电导的强相关材料的效果的基本问题。
2006-12-21 cond-mat.supr-con
Magnetic and superconducting phase diagram of electron-doped Pr$_{1-x}$LaCe$_{x}$CuO$_{4}$
本文用零场μ子自旋旋转/弛豫（ZF-$μ$ SR）和磁化率测量研究了电子掺杂Pr $_{1-x}$ LaCe $_{x}$ CuO $_{4}$（PLCCO）的磁性和超导电性。在0.04 $\leq$ { \it x} $\leq$ 0.11的样品中观察到对应于反铁磁（AF）阶的μ子自旋旋转。由于稀土磁矩的影响可以忽略不计，揭示了Ce掺杂后Cu自旋磁性的变化。体超导电性在宽的Ce浓度范围内被确定为0.09 $\leq$ { \it x} $\leq$ 0.20，最大转变温度为26 K。在低温下，超导相（SC）的突然出现伴随着AF有序相在{ \it x} $\sim$ = 0.09处的快速破坏，表明两相之间存在竞争关系。
2002-11-01 cond-mat.supr-con
Raman light scattering study and microstructural analysis of epitaxial films of the electron-doped superconductor La_{2-x}Ce_{x}CuO_{4}
利用变温拉曼光散射技术研究了电子掺杂超导体La_{2-x} Ce_{x} CuO_{4}的最佳掺杂（x ~ 0.08，Tc = 29 K和x ~ 0.1，Tc = 27 K）的光学声子。这项工作的主要重点是详细的表征和微观结构分析的电影。基于显微拉曼光谱结合X射线衍射，能量色散X射线分析，和扫描电子显微镜，一些观察到的声子模式可以归因于微米级夹杂物的Cu_{2} O。在轻度欠掺杂（x ~ 0.08）的薄膜中，Cu_{2} O模和其它可归属于La_{2-x} Ce_{x} CuO_{4}基质的模在冷却到低于T ~ T_c时表现出明显的软化和窄化。基于对商业Cu_{2} O粉末的控制测量，并与其他高温超导体的拉曼散射研究进行比较，我们推测，在La_{2-x} Ce_{x} CuO_{4} / Cu_{2} O界面的邻近效应可能是造成这些异常的原因。在稍微过掺杂的La_{2-x} Ce_{x} CuO_{4}膜（x ~ 0.1）上的实验没有显示出可比较的声子异常。
2010-05-07 cond-mat.supr-con
Critical Behaviour in the Spin Fluctuations and Superfluid Density of La$_{2-x}$Sr$_x$CuO$_4$
利用μ子自旋弛豫（$μ$ SR）和交流磁化率技术研究了La $_{2-x}$ Sr $_x$ CuO $_4$的低频自旋涨落和零温超流密度与掺杂的关系.在超导相图的一个大区域内，超导性与低频自旋涨落共存。由$μ$ SR检测到的自旋涨落的特征温度随着$x$的增加而降低，并且在临界掺杂$x_c\sim 0.19$以上消失。$x_c$的这个值与正常态赝能隙外推到零的掺杂相一致。超流密度的行为与低频自旋涨落相反。它随着$x$的增加而增加，并且对于$x>x_c$变得几乎不依赖于掺杂。这些结果与涉及$x_c$量子临界性的预测是一致的。
2001-03-09 cond-mat.supr-con
Resonant inelastic X-ray scattering study of intra-band charge excitations in hole-doped high-Tc cuprates
我们在铜氧化物超导体La（2-x）Sr（x）CuO（4），La（2-x）Ba（x）CuO（4），La（2-x）Sr（x）Cu（1-y）Fe（y）O（4）和Bi（1.76）Pb（0.35）Sr（1.89）CuO（6+d）的Cu-K边缘附近进行了共振非弹性X射线散射（RIXS），涵盖了欠掺杂到重过掺杂的范围，重点研究了电荷转移带隙内的电荷激发。对Ei = 8.993 keV的214个系统的RIXS测量表明，对于所有掺杂点，无论条纹有序状态如何，在1 eV能量转移下的RIXS强度在（0，0）处具有最小值，在（0.4pi，0）和$（0，0.4pi）处具有最大值，这表明相应的结构与条纹有序没有直接关系。在Ei = 9.003 keV下，对金属La（1.7）Sr（0.3）CuO（4）和Bi（1.76）Pb（0.35）Sr（1.89）CuO（6+d）的测量显示出低于4 eV的色散带内激发，与在电子掺杂的Nd（1.85）Ce（0.15）CuO（4）中观察到的类似。这是第一次在空穴掺杂系统中观察到色散带内激发，证明电子和空穴掺杂系统具有相似的动态电荷关联函数。
2013-02-27 cond-mat.supr-con
Multiple bosonic mode coupling in the charge dynamics of the electron-doped superconductor (Pr$_{2-x}$Ce$_x$)CuO$_4$
通过分析电子掺杂超导体（Pr $_{2-x}$ Ce $_x$）CuO $_4$（PCCO）的光谱数据，研究了载流子与玻色子模的耦合.分析方法是利用最大熵技术结合Eliashberg理论反演不同温度下的光散射率$τ^{-1}_{\rm op}(ω,T)$ $T$。我们发现，在超导状态下的电荷载流子耦合到两个主导模式一个在$\sim 10 $ meV和第二个在$\sim 45 $ meV。低能量模式显示出强烈的温度依赖性，并在临界温度$T_c$或略高于临界温度时消失。高能量模式存在于$T_c$之上，并随着温度的升高而向更高的能量移动。在$> 100 $ K温度下，它也变得不那么突出，高于该温度时，它演变成典型的自旋涨落背景。与空穴掺杂的高$T_c$超导体相比，PCCO被证明是一种接近脏极限的超导体。
2008-09-27 cond-mat.supr-con
Importance of grain boundary Josephson junctions in the electron-doped infinite-layer cuprate superconductor Sr$_{1-x}$La$_x$CuO$_2$
用脉冲激光沉积法生长了电子掺杂的无限层超导体SrPDMATHABMM LaPDMATHABMN CuO $_2$（$x = 0.15$）的晶界双晶约瑟夫森结。BaTiO $_3$缓冲的$24\,^\circ$ [001]-倾斜对称SrTiO $_3$双晶用作衬底.在4.2K的温度下，通过电输运测量研究了库珀对（CP）和准粒子（QP）隧穿. CP隧穿表明，在4.2K时，电子掺杂铜酸盐具有非常高的临界电流密度，为$j_c > 10^3\,$ A/cm $^2$.热激活相滑移被观察到的耗散机制接近的转变温度。平面外磁场$H$显示出非常规则的类似Fraunhofer的$j_c(H)$图案以及Fiske和磁通流共振，两者都产生$3.1\cdot10^6\,$ m/s的Swihart速度。此外，我们还用量子隧穿谱研究了超导带隙。间隙被发现是V形的外推的零温度能隙$Δ_0 \approx 2.4\,$ meV。没有观察到零偏压电导峰。
2011-11-30 cond-mat.supr-con
Current dependent fluctuations in a Bi$_2$Sr$_2$CuO$_{6+δ}$ thin film
测量了Bi $_2$ Sr $_2$ CuO $_{6+δ}$薄膜的剩余电导率的电流依赖性，作为掺杂的函数。发现它对输运电流非常敏感，在整个掺杂范围内表现为$T/T_c$的普适函数。我们讨论了这些结果的角度来看，一个粒状超导体与gapless-like行为。
2005-05-11 cond-mat.supr-con
