Coherent Stranski-Krastanov growth in 1+1 dimensions with anharmonic interactions: An equilibrium study
在Stranski-Krastanov生长模式的润湿层上形成的相干应变三维岛被认为是在1+1维的模型中占真正的原子间力的非谐性和非凸性。它示出，相干的3D岛屿可以预期形成在压缩，而不是在扩展覆盖层超过一个临界晶格失配。在后一种情况下，预计会发生经典的Stranski-Krastanov生长，因为错配位错在较小的岛屿尺寸下可能会变得非常有利。共格3D岛化的热力学原因是由于边缘原子的粘附力较弱而导致的不完全润湿。具有临界尺寸的单层高度岛作为3D岛的必要前体出现。后者解释了实验观察到的3D岛的窄尺寸分布。2D-3D转换通过单层到双层、双层到三层岛等的连续重排发生，在超过相应的临界尺寸之后。重排由成核事件引发，每个下一个成核事件都需要克服较低的能量势垒。该模型是在良好的定性协议与现有的实验观察。
2000-05-11 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.stat-mech
Stranski-Krastanov Growth of Disordered ScNx Thin Films on MgO(100): Influence of Defect Densities on Electronic Structure and Transport Properties
本研究报道了反应溅射 ScNx 薄膜在 MgO(100) 上的 Stranski-Krastanov 生长，发现缺陷密度（N 空位和 O 间隙）导致无序及弱局域化，并影响电子结构和输运性质。
2025-08-07 cond-mat.mtrl-sci
Finite size effects on surface excess quantities: application to crystal growth and surface melting of epitaxial layers
从宏观的角度来看，表面熔化或二维（2D）向三维（3D）生长模式（Stranski-Krastanov转变）的相变可以用尺寸效应适当修正的吉布斯过剩量来描述（因为通常的吉布斯过剩量只对半无限系统有很好的定义）。本研究的目的是考虑这样的修正量来描述外延层的表面熔化和Stranski-Krastanov转变。通过引入这种尺寸效应，我们可以预测出在Stranski-Krastanov生长模式下的润湿层的平衡厚度，并可以描述和分类两种不同的熔化情况：由一级相变所引起的不完全熔化和由连续过热所引起的连续预熔化
2007-06-21 cond-mat.mtrl-sci
Evolution of surface morphology from Stranski Krastanov growth mode to step flow growth mode in InSbBi thin films
University of Tennessee, Knoxville（田纳西大学诺克斯维尔分校）；Oak Ridge National Laboratory（橡树岭国家实验室）
本研究通过动态调整Sb流量和控制生长温度与Bi流量的相互作用，实现了InSbBi薄膜的高质量生长，为光电探测、自旋电子学和量子技术的应用奠定了基础。
2025-05-09 cond-mat.mtrl-sci
Finite size effects on surface excess quantities: application to crystal growth and surface melting of epitaxial layers
从宏观上看，表面熔化或生长模式的相变可用经尺寸效应修正的吉布斯过剩量来描述。本研究的目的是考虑这样的修正量来描述外延层的表面熔化和Stranski Krastanov转变。引入的尺寸效应可以预测Sttranski Krastanov生长模式的润湿层平衡厚度，并描述和分类两种不同的熔化情况：由一级相变引起的不完全预熔化和由连续过热引起的连续预熔化
2004-09-03 cond-mat.mtrl-sci
Nucleation and Growth of GaN/AlN Quantum Dots
研究了等离子体辅助分子束外延在AlN（0001）衬底上Stranski-Krastanov模式下生长GAN岛的成核过程。特别是，我们评估其高度和密度的变化作为GAN覆盖率的函数。我们表明，GAN的生长通过四个阶段：最初，生长是逐层的;随后，二维前体岛的形式，转化为真正的三维岛。在后一阶段，岛的高度和密度随着GAN覆盖率的增加而增加，直到密度饱和。在进一步的GAN生长过程中，密度保持恒定，并出现双峰高度分布。岛的高度和密度作为衬底温度的函数的变化进行了讨论的框架中的一个平衡模型为Stranski-Krastanov生长。
2003-11-03 cond-mat.mtrl-sci
Quantum-dot nucleation in strained-layer epitaxy: minimum-energy pathway in the stress-driven 2D-3D transformation
单层岛到双层岛的转换作为第一步的整体二维到三维（2D-3D）的转换中的连贯的Stranski-Krastanov模式的增长进行了研究的情况下，扩大和压缩overlayers。压缩的叠加层显示出类似成核的行为：伴随着变换过程的能量在一些临界原子数处显示出最大值，对于足够大的失配值来说，这个值很小，然后逐渐下降到变换的完成，由于过程的原子性而非单调。相反，能量变化扩大覆盖层增加到接近完成的转变，然后突然崩溃的单原子步骤的消失，产生低能量方面。这种转变只发生在具有强原子间键合的材料中。在拉伸应力下，较软的材料预计将主要以平面形态生长，直到引入失配位错，或者通过不同的机制转化为3D岛。它的结论是，相干的Sttranski-Krastanov增长在扩大覆盖层是不太可能比在压缩的动力学原因。
2005-11-10 cond-mat.mtrl-sci
Bismuth-surfactant-induced growth and structure of InAs/GaAs(110) quantum dots
本文研究了分子束外延生长的InAs量子点在GaAs（110）衬底上的自组装和结构。在InAs沉积过程中添加Bi助熔剂将InAs的生长模式从二维（2D）Frank-van der Merwe改变为Stranski-Krastanov，导致在表面上形成三维（3D）InAs岛。此外，将静态InAs 2D层暴露于Bi诱导应变层重排成3D岛。我们探讨了这两种生长方法的InAs厚度和Bi通量的变化的影响，观察在这两种情况下的3D岛形成的临界厚度。用高分辨率透射电子显微镜对（110）InAs量子点的表征表明，通过Stranski-Krastanov模式生长的较大岛屿是塑性弛豫的，而通过按需方法生长的小岛是相干的。沿[1-10]方向的应变弛豫是通过90度纯刃位错实现的，其中位错线沿[001]延伸。相反，沿[001]的应变消除是通过60度错配位错。这种行为与平面（In，Ga）As/GaAs（110）层的观察结果一致。这些结果说明了表面活性剂Bi如何能够在通常不发生量子点形成的地方引发和控制量子点形成。
2019-05-13 cond-mat.mtrl-sci
AlGaN/AlN Stranski-Krastanov quantum dots for highly efficient electron beam pumped emitters: The role of miniaturization and composition to attain far UV-C emission
针对传统紫外消毒灯的健康风险，研究了AlGaN/AlN Stranski-Krastanov量子点向远紫外-C波段的拓展，分析了Al含量和尺寸微型化的影响，获得约50%内量子效率，指出了功率效率提升方向。
2023-05-25 cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Some thermodynamic aspects of self-assembly of arrays of quantum dots
我们研究了无位错三维岛的相对粘附性（润湿性）属于一个阵列的岛屿的润湿层在Stranski-Krastanov生长模式。该阵列被模拟为放置在润湿层顶部的1+1维度的岛链。除了临界尺寸的二维岛屿的2D-3D转换发生，我们发现，润湿强烈依赖于阵列的密度，大小分布和形状的岛屿。
2003-07-11 cond-mat.mtrl-sci
Another origin of bimodal size distribution in InAs self-assembled quantum dots
研究了金属有机物气相外延生长在InP衬底上的InAs量子点随InAs覆盖率的变化规律。在特定的生长条件下，可以看到二维到三维转变的开始通过两种不同的途径进行：通过（i）量子点的突然出现，如通常的Stranski-Krastanov生长图中所预期的那样;以及（ii）小表面特征连续演变为发育良好的量子点。在这两个家庭中的功能的平均大小增加与覆盖，导致双峰分布的点大小在生长演化的中间阶段，最终成为一个单峰分布，随着更多的材料被沉积。从独立的光致发光光谱和表面形态的测量得到的互补信息是相关的，并被发现是一致的增长提出的图片。
2005-05-11 cond-mat.mtrl-sci
Epitaxial Growth Kinetics with Interacting Coherent Islands
用自洽平均场速率理论研究了未位错（相干）三维岛的Stranski-Krastanov生长动力学，该理论考虑了岛之间的弹性相互作用。后者被认为是促进原子从岛上脱离，从而降低其平均尺寸。半定量协议与实验发现的总岛密度和平均岛大小的时间演变。当与缩放思想相结合时，这些结果提供了一种自然的方法来理解经常观察到的连贯岛屿尺寸分布宽度的初始增加和随后的减少。
1999-02-22 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.stat-mech
Equilibrium shape and dislocation nucleation in strained epitaxial nanoislands
本文采用二维原子模型，利用简单的原子间对势，数值研究了小应变外延岛的平衡形状、形状转变和位错成核。我们首先绘制出平衡岛形状的相图作为岛的大小（N = 105个原子）和晶格失配与基板的函数，并表明，纳米级的岛屿有四个通用的平衡形状，与弹性连续理论的预测相反。对于增加基板吸附的吸引力，我们发现岛屿上形成一个有限的润湿层上观察到的Stranski-Krastanow增长。我们还研究了不同形状的岛屿之间的过渡和位错成核在最初的相干岛屿的能量障碍和过渡路径。特别是，我们发现，位错成核自发地在边缘的吸附物-衬底界面以上的临界尺寸或晶格失配。
2005-10-05 cond-mat.mtrl-sci
Quantum dot self-assembly driven by a surfactant-induced morphological instability
在应变异质外延中，二维（2D）层可以表现出三维（3D）岛自组装的临界厚度，以增加的表面积为代价减轻失配应变。在这里，我们表明，这样的形态相变可以诱导按需使用表面活性剂。我们探索了Bi作为表面活性剂在GaAs（110）上生长InAs的过程，发现表面Bi的存在诱导了三维岛的Stranski-Krastanov生长，而没有Bi的生长总是有利于二维层的形成。将静态的两个单层厚的InAs层暴露于Bi快速地将该层转变成3D岛。密度泛函理论计算表明，Bi通过修改表面能降低了3D岛形成的能量成本。这些3D纳米结构表现为光学活性量子点。这项工作说明了表面活性剂如何能够使量子点自组装，否则它不会发生。
2017-03-15 cond-mat.mtrl-sci
Investigation of wetting layers in InAs/GaAs self-assembled nanostructures with reflectance difference spectroscopy
应变诱导自组装半导体纳米结构作为一种既有深刻的物理意义又有广阔的应用前景的体系，已经被研究了几十年。该系统的光学和电学性质主要由纳米结构决定，但也可能受到通常存在的二维结构（即所谓的润湿层（WL））的极大影响，纳米结构从二维结构演变而来。WL的配置可以随着不同的生长条件而变化，并进一步影响纳米结构的形态和性质。这是一篇综述性文章，介绍了利用反射差谱研究InAs/GaAs系统中激光阱演变的一些最新进展。介绍了Sttranski-Krastanov生长模式下WL的各种演化过程。铟原子的偏析和解吸和生长中断的影响。讨论了液滴外延中润湿层的存在和演化过程。
2022-10-05 cond-mat.mtrl-sci
Size Distribution and Its Scaling Behavior of InAlAs/AlGaAs Quantum Dots Grown on GaAs by Molecular Beam Epitaxy
研究了在480°C和510°C下，用分子束外延（MBE）方法在GaAs衬底上以SK模式生长的InAlAs/AlGaAs自组装量子点的尺寸分布及其标度行为。首次在三元合金量子点中发现了体积的标度函数。的功能是类似的InAs/GaAs量子点，这同意与二维亚单层同质外延模拟的标度函数的临界岛尺寸为i = 1。然而，i = 0的字符也被发现作为大体积中的尾部。
2012-08-01 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Dislocation-free 3D islands in highly mismatched epitaxy: An equilibrium study with anharmonic interactions
占1+1维模型中的真实原子间势的非谐性表明，相干的3D岛可以形成在润湿层上的Stranski-Krastanov生长模式主要是在压缩的覆盖层。扩展覆盖层中的相干3D孤岛可以被预期为例外而不是规则。在相同材料的润湿层上形成相干3D岛的热力学驱动力是岛边缘附近的原子的较弱粘附力。平均粘附力随岛厚度的增加而减弱，但在几个单层后达到饱和。大于临界值的失配是相干3D孤岛的必要条件。具有临界尺寸的单层高度岛作为3D岛的必要前体出现。从单层高的岛到三维金字塔的2D-3D转换通过一系列具有离散增加的厚度的稳定的中间3D岛发生。
2002-08-15 cond-mat.mtrl-sci
Ge growth on ion-irradiated Si self-affine fractal surfaces
我们利用扫描隧道显微镜（SEM）在高真空条件下研究了沉积在原始Si（100）和离子辐照Si（100）自仿射分形表面上的SiGe薄膜的形貌。原始和离子辐照的Si（100）表面分别具有α =0.19+/-0.05和α =0.82+/-0.04的粗糙度指数。这些测量是在同一样品的两半上进行的，其中只有一半是离子辐照的。在沉积Ge（~6 A）的薄膜之后，粗糙度指数分别变为0.11+/-0.04和0.99+/-0.06。在Ge沉积时，虽然粗糙度在原始表面上增加超过一个数量级，但观察到离子辐照表面的平滑。对于离子辐照表面的相关长度xi增加从32 nm到137 nm后，Ge沉积。锗生长在硅表面上的Stranski-Krastanov或层加岛模式，其中岛生长在约三个原子层的润湿层上。在原始表面上，岛主要是正方形或矩形形状，而在离子辐照表面上，岛几乎是菱形的。讨论了沉积原子的吸附行为随衬底表面粗糙度指数（或分形维数）的变化。
2004-03-09 cond-mat.mtrl-sci
Evidence of Epitaxial Growth of Molecular Layers of Dissolved Gas at a Hydrophobic/Water Interface
水在某些固体表面上的非润湿现象已经被深入研究了几十年，但疏水/水界面的性质仍然存在争议。在这里，水/石墨界面的高灵敏度原子力显微镜进行了研究。我们显示出石墨表面上的外延单层的成核和生长的证据，可能是由于溶解在水中的氮分子的吸附。随后的吸附过程类似于异质外延中的层加岛（或Stranski-Krastanov）生长模式。这一发现强调了在各种水界面的气体分离的重要性，并可能解开许多难题，特别是在固体/水界面和散装水的性质和所谓的纳米气泡的高稳定性。基于疏水效应，我们提出溶解在水中的气体分子可以聚集成团簇在本体水以及在固体/水界面。当团簇生长到临界尺寸以上时，它会转变为气泡，这可以解释水中气泡的形成或成核。
2012-03-30 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.soft
3D Nanostructures on Ge/Si(100) Wetting Layers: Hillocks and Pre-Quantum Dots
亚临界Ge润湿层（WL<3.5 ML）的退火引发3D纳米结构的形成，其形状和取向由WL厚度确定，因此与应变能直接相关。这些纳米结构的出现，小丘和前量子点，研究了扫描隧道显微镜。在350 ℃下沉积的润湿层最初在纳米尺度上是粗糙的，并经历渐进的转变和平滑，直到T>460 C空位线和2xn重构被观察到。然后，亚稳态Ge润湿层（WL）塌陷以形成3D纳米结构，其形态由WL厚度控制：首先，对于薄润湿层形成具有婚礼蛋糕型结构的小丘，其中台阶边缘平行于<110>方向，而{105}-刻面结构，所谓的前量子点（p-QD），由较厚的层形成。润湿层厚度和因此失配应变能控制结构的类型。小丘和p-QD区域之间的交叉厚度在1.6和2.1 ML之间。小丘具有比p-QD更大的横向尺寸和体积，并且p-QD是非常小的量子点，其宽度下限为10 nm。我们的工作为控制弹性应变Ge/Si系统中纳米结构的形貌和尺寸开辟了一条新的途径。关键词：量子点，Sttranski-Krastanov，外延，应变层，扫描隧道显微镜
2016-04-12 cond-mat.mtrl-sci
Single-crystalline PbTe film growth through reorientation
异质外延使工程的新特性，不存在于单一的材料。两个主要的生长模式被确定为材料的组合与大的晶格失配，沃尔默-韦伯和Stranski-Krastanov。这两种缺陷都导致三维岛的形成，阻碍了平坦无缺陷薄膜的生长。这限制了可行材料组合的数量。在这里，我们报告了一个独特的生长模式，发现在分子束外延碲化铅在InP上发起的预生长表面处理。早期成核形成类似于Volmer-Weber生长模式的岛，但膜封闭具有原子台阶的平坦表面。值得注意的是，尽管在初始岛中发现了多个不同的晶体取向，但最终的膜是单晶的。这是可能的，由于在岛聚结期间发生的重取向过程，促进高质量的异质外延，尽管大的晶格失配，晶体结构的差异和分散的热膨胀系数的PbTe和InP。这种生长模式为异质外延异质材料提供了一种新的策略，并扩展了可能的材料组合的领域。
2022-09-20 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Excitons in InGaAs Quantum Dots without Electron Wetting Layer States
Stranski-Krastanov（SK）生长模式促进了使用晶格失配半导体（例如InAs和GaAs）的量子点（QD）的自组装。SK量子点是无缺陷的，可以嵌入异质结构和纳米工程器件中。InAs量子点是优良的光子发射体：量子点激子，电子-空穴束缚对，被利用作为高质量单光子的发射体用于量子通信。SK模式的一个显著缺点是润湿层（WL）。WL的结果在一个连续的能量相当接近的量子点限制态。WL-态导致QD-激子的不需要的散射和退相过程。在这里，我们报告说，稍微修改的SK生长协议的GaAs上的InAs-我们添加一个单层的AlAs以下的InAs QD形成-结果在一个激进的变化的QD激子。广泛的表征表明，该附加层消除了电子的WL连续体，从而能够产生高电荷激子，其中多达六个电子占据相同的QD。与此协议生长的单量子点表现出的光学线宽匹配的最好的SK量子点，使他们成为一个有吸引力的替代标准InGaAs量子点。
2018-10-01 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Effect of gallium termination on InGaAs wetting layer properties in droplet epitaxy InGaAs quantum dots
该研究结合光谱、寿命测量与透射电镜，揭示液滴外延 InGaAs 量子点中仍存在 InGaAs 浸润层，并证明预沉积 Ga 可使其发射波长显著蓝移直至与 GaAs 受主峰重合。
2022-06-04 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Structural evolution of Re (0001) thin films grown on Nb (110) surfaces by molecular beam epitaxy
本文研究了Re（0001）薄膜在Nb（110）表面的异质外延生长。用分子束外延技术在A面蓝宝石-α-Al_2 O_3（11-20）-衬底上生长了Nb/Re双层膜。当Re以（0001）表面生长时，与下面的Nb的面内外延关系可以最好地描述为Kurdjumov-Sachs和Nishiyama-Wassermann取向的组合。无论Re膜厚度如何，这种关系都是真实的。然而，随着Re厚度的增加，观察到的表面形态的演变，指示一个Stranski-Krastanov生长模式。Re（0001）层厚度小于15 nm的原子级光滑，与一个典型的均方根粗糙度小于0.5 nm，而较厚的膜显示颗粒状的表面结构。尽管存在大量的晶格失配，但Re层应变迅速减小，并且Re晶格完全弛豫约20 nm。Nb上薄Re覆盖层的无应变和原子级光滑表面对于超薄氧化物隧道势垒的后续外延生长是理想的。在先进的多层堆叠中利用bcc/hcp（或bcc/fcc）异质外延对可以实现用于基于约瑟夫森结的器件和电路的全外延超导体/绝缘体/超导体三层的生长。
2010-11-19 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Bismuth surfactant-enhanced III-As epitaxy on GaAs(111)A
本研究提出利用铋作为表面活性剂，在GaAs(111)A上实现无缺陷、原子级平滑的III-As外延生长，并诱导InAs形成三维纳米结构，为高对称性量子点及量子光子学应用奠定基础。
2023-02-01 cond-mat.mtrl-sci
Modeling and Simulation of Strained Heteroepitaxial Growth
我们引入了一个非晶格模型与连续的粒子距离和对潜在的相互作用，它允许应变异质外延生长的动力学蒙特卡罗（KMC）模拟装置的有效模拟。我们详细讨论了应用我们的模型模拟三个重要的应变弛豫机制：第一，在应变吸附膜的失配位错的形成进行了研究。我们发现一个幂律失配依赖的临界层厚度，与各种实验研究。第二，我们研究了自组装岛形成在一个薄的吸附物润湿层（Stranski-Krastanov生长）。我们表明，增加的扩散障碍的基板上是一个可能的动力学原因形成一个稳定的润湿层。岛的形成可以归因于吸附物材料的部分弛豫，其影响吸附物颗粒的扩散屏障。岛的尺寸和密度的失配，温度和粒子通量的依赖性是在良好的定性协议与金属有机气相外延实验。最后，我们认为表面合金化是多组分体系中的应变弛豫机制。平衡模拟表明，绑定和应变能之间的竞争产生规则的条纹图案。在非平衡条件下，我们发现斑图形成以及实验观察到的岛屿分歧。与格子气模型的比较表明，条纹的形成可以完全是由于动力学效应，但错配是必不可少的表面结构的分枝和稳定。
2004-10-18 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.stat-mech
Internal quantum efficiency of AlGaN/AlN quantum dot superlattices for electron-pumped ultraviolet sources
在本文中，我们描述了530 nm厚的超晶格（100个周期）的AlxGa 1-xN/AlN（x = 0，0.1）的Stranski-Krastanov量子点的应用程序作为电子束泵浦紫外灯的有源区的生长和表征。采用分子束外延技术制备了高密度（> 10 e11 cm-2）的量子点层，并研究了生长过程中III/V比对其光学性能的影响。该研究考虑了在室温下在244-335 nm范围内发射的结构，相对线宽在6-11%范围内，主要是由于自组装生长中固有的QD直径分散。在电子泵浦下，对于低于9 kV的加速电压，发射效率保持恒定。该阈值与超晶格的总厚度和电子束的穿透深度的相关性证实了纳米结构沿生长轴的均匀性。在阈值以下，发射强度与注入电流成线性比例。内量子效率的特点是在低注入，这揭示了在非辐射过程方面的材料特性，和高注入，这模仿载流子注入的操作条件。在III/V比< 0.75的量子点中，从低注入到高达200 kW/cm 2的泵浦功率密度，内量子效率保持在50%左右，是第一种呈现这种稳定行为的纳米结构。
2020-05-29 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
A one-dimensional model for the growth of CdTe quantum dots on Si substrates
最近的实验涉及通过热壁外延在Si（111）衬底上生长的CdTe薄膜，揭示了以前没有观察到的特征[S. O. Ferreira \textit{et al.}，J. Appl. Phys. \textbf{93}，1195（2003）]。该系统，它遵循Volmer-Weber生长模式与成核的隔离的3D岛小于一个单层的蒸发材料，描述了一个特殊的行为的量子点（QD）的尺寸分布。在这项工作中，我们提出了一个动力学沉积模型来重现这些新的功能。该模型，其中包括热激活的扩散和蒸发的CdTe，定性地再现了实验量子点的尺寸分布。此外，该模型预测的转变，从在较低的温度下的Sttranski-Krastanow生长模式的Volmer-Weber生长模式在较高的通过量子点的宽度分布的特征。
2006-01-03 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.stat-mech
Formation and self-assembly of coherent quantum dots: some thermodynamic aspects
量子点具有良好的光电性能。它们可以在高失配外延中以相干的Stranski-Krastanov模式无位错地生长。在这一章中，一些热力学方面的润湿的生长和自组装的三维（3D）相干岛的研究使用能量最小化计划在1 + 1维原子模型与非谐相互作用。不同阶段之间的平衡的条件进行了讨论。据发现，3D-团簇形成的热力学驱动力是减少粘附的岛的润湿层在其边缘。与实验结果一致，当晶格失配大于临界失配时，发现了一个临界岛尺寸，超过这个尺寸，单层岛相对于双层岛变得不稳定.压缩相干覆盖层显示出更大的倾向于集群比扩大。过渡到3D岛发生通过一系列的中间稳定状态的厚度离散增加单层步骤。特别强调的是对临界失配的分析。此外，被认为是通过可变形的润湿层介导的相邻岛屿的效果。给定岛对基底的润湿程度取决于相邻岛的尺寸和形状分布。量子点的自组装生长的影响进行了讨论。
2006-01-18 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Approaching transform-limited linewidths in telecom-wavelength transitions of ungated quantum dots
本研究通过改进的Stranski-Krastanov化学束外延生长方案，制备出电信C波段的高质量InAs/InP量子点，其线宽接近变换极限，为量子网络与器件提供关键光源。
2025-09-03 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.optics
