Upper critical field in layered superconductors
考虑准粒子在杂质上的散射，重新研究了具有开放费米面的超导体在高于准经典上临界场的磁场下超导性恢复和在温度$T_c(H)\approx T_c(0)$下超导性再进入的理论陈述.本文导出了确定层状常规和非常规含杂质超导体中平行于导体平面的上临界场的积分方程组。的$H_{c2}(T)$值为“干净”的情况下，在金朗道政权和在任何温度下的“脏”的情况下，被发现分析。建立了上临界场有限时超导体纯度的上限。
2000-07-12 cond-mat.supr-con
Upper critical field of the noncentrosymmetric superconductor BiPd
非中心对称超导体BiPd的超导参数和上临界场一直存在争议。这种材料特别令人感兴趣，因为它是$4f$无电子非中心对称超导体的一个特例，其晶体可以生长和分裂，从而实现表面敏感光谱。在这里，使用散装探针增强隧道数据的缺陷，我们建立了较低的先前报道的上临界场对应的散装过渡。该材料表现为一个近弱耦合BCS s波超导体，我们报告其超导参数从散装上临界场。可能的原因背后的数量级的差异，在报告的上临界字段进行了讨论。
2016-04-22 cond-mat.supr-con
Low temperature value of the upper critical field Hc2(0) of isotropic single band metals
强耦合Schossmann-Schachinger理论的上临界场被认为是有条不紊地从用户的角度来看。我们检查近似公式的上临界场的准确性。特别是，我们详细解释了最近提出的方便的表达式（Shulga等cond-mat/0103154）可以证明。考虑了Hc ~ 2（0）与临界温度Tc的关系，并明确地表明了与Allen-Dynes Tc公式的相似性。
2002-02-10 cond-mat.supr-con
Properties of parallel upper critical field within Continuous Ginzburg-Landau model
本文利用连续的Ginzburg-Landau模型研究了本征层状超导体的平行上临界场的行为。在序参量接近齐次的$T_c$附近，平行上临界场的变化规律为$(1-T/T_c)^{1/2}$。随着一个良好的本地化的序参量，相同的场温度依赖性在整个温度范围内举行。平行上临界场处的序参量的分布可能是高斯型的，这与通常的线性Ginzburg-Landau理论是一致的。此外，还讨论了单胞尺寸和平均有效质量对平行上临界场和相关的序参量的影响。
2002-01-18 cond-mat.supr-con
Modification of intergrain connectivity, upper critical field anisotropy, and critical current density in ion irradiated MgB2 films
本文研究了100 MeV硅离子和200 MeV金离子辐照对二硼化镁超导薄膜晶内和晶间性质的影响。观察到晶粒间连接性的大幅下降，这取决于所使用的离子的辐照剂量和类型。我们建立了σ带散射机制的修改，因此上临界场和各向异性，取决于非本征缺陷的大小和方向性。后重离子辐照，上临界场显示增强的缺陷密度是五个数量级相比，中子辐照。然而，通过轻离子辐照最好地改善临界电流密度。
2005-09-29 cond-mat.supr-con
Theoretical analysis of anisotropic upper critical field of superconductivity in nodal-line semimetals
本文利用半经典格林函数方法，在连续模型下研究了节线半金属中超导上临界场的性质，计算了脏极限与清洁极限两种情况，发现上临界场具有大各向异性及异常温度依赖性，并与PbTaSe$_{2}$的实验数据进行了对比。
2023-03-02 cond-mat.supr-con
Upper critical field in ferromagnetic metals with triplet pairing
基于自旋涨落交换的电子-电子相互作用，发展了铁磁金属三重态超导理论。导出了上临界场温度依赖性方程。与双带金属超导性的类似方程不同，它们包含了对振幅和费米速度随磁场的变化。在临界温度附近和在T = 0时的临界场行为被解析地建立。
2020-03-20 cond-mat.supr-con
Temperature dependence of the upper critical field of type-II superconductors from isothermal magnetization data. Application to high temperature superconductors
使用Ginzburg-Landau理论在非常一般的条款，我们开发了一个简单的标度过程，允许建立温度依赖性的上临界场和超导临界温度Tc的II型超导体的可逆等温磁化强度的测量值。对现有实验数据的分析表明，在所有温度下，所有高温超导体的上临界场对T/Tc的归一化依赖关系实际上是相同的。
2002-06-12 cond-mat.supr-con
Improvement of Critical Current Density and Upper Critical Field in MgB2 using Carbohydrate
研究了糖（苹果酸，C_4H_6O_5）的掺杂对MgB_2超导体的物相、晶格常数、临界温度、电阻率和上临界场的影响。计算的晶格参数显示MgB2 + C4H6O5样品的a轴有很大的减小，但c轴没有变化。这是来自C4H6O5的碳取代到硼中的指示，导致电阻率、临界电流密度和上临界场的增强。具体而言，MgB2 + 30wt%C4H6O5样品在5 K和8 T下的临界电流密度值为25000 Acm2，比未掺杂的MgB2的临界电流密度值高21倍。此外，在40 K下，所有MgB2 + C4H6O5样品的电阻率值在80至90微欧姆厘米的范围内，这高于未掺杂的MgB2。增加的电阻率指示由于碳而增加的杂质散射，从而导致增强的上临界场。
2006-12-19 cond-mat.supr-con
The upper critical field in superconducting MgB_2
在高达16 T的磁场中，研究了新近发现的MgB_2超导体烧结芯块的上临界磁场Hc 2（T）。从交流磁化率和电阻数据确定的主要部分的调查样品的上临界场，并发现增加到Hc2（0）= 13 T在T = 0对应于5.0 nm的相干长度。一小部分的样品表现出较高的上临界场，这两个测量rectifially和直流磁化测量。上临界场Hc2（T）的温度依赖性在Tc附近和中间温度处显示正曲率。Hc2（T）的正曲率与硼碳化物YNi_2B_2C和LuNi_2B_2C的正曲率相似，表明MgB_2处于清洁极限。
2001-02-28 cond-mat.supr-con
Practically universal representation of the Helfand-Werthamer upper critical field for any transport scattering rate
本文提出一个适用于任意输运散射率的各向同性轨道上临界场简化标度近似公式，便于实验数据分析。
2024-07-20 cond-mat.supr-con
Upper critical field Hc2 in Bechgaard salts (TMTSF)2PF6
Bechgaard盐的超导电性的对称性仍然是未知的，虽然三重态配对已经通过Hc 2和NMR确定了（TMTSF）2 PF 6。在T = 0 K（Hc 2 ~ 5 Tesla）时，H|| a和H|| b也强烈地表明三重配对。在这里，我们从一个低能量的有效哈密顿量，并研究相应的Hc 2（T）的温度依赖性。目前的分析表明，一个手征f波超导体应该是最有可能的候选人附近的上临界场。
2009-07-15 cond-mat.supr-con
Ginzburg-Landau analysis of the critical temperature and the upper critical field for three-band superconductors
利用Eilenberger方程的微观形式，导出了带内脏极限和带间净散射情况下的三带Ginzburg-Landau理论。在三带Ginzburg-Landau理论的框架下，得到了临界温度Tc和上临界场H_c2随温度变化的表达式。本文从相互作用常数矩阵的某些特殊情况出发，论证了带间相互作用的符号对临界温度和上临界场的影响，并与不起作用的双带超导体作了比较。我们还研究分析和数值的影响，其幅度。
2013-09-09 cond-mat.supr-con
The Critical Magnetic Field of Anisotropic Two-Band Magnetic Superconductors
解析地导出了在Ginzburg-Landau（GL）场景中各向异性双带磁超导体的上、下临界场和临界场比。研究了温度对上临界场的依赖关系，并将其应用于铁基超导体。我们发现，铁基超导体的零温上临界场在负微分磁化率区有很高的值。给出了与温度有关的上临界场的经验公式和GL双带公式，与实验结果一致。
2011-05-10 cond-mat.supr-con
Anisotropy of the upper critical field in superconductors with anisotropic gaps. Anisotropy parameters of MgB2
计算了弱耦合双带超导体的上临界场Hc 2。通过用两个费米面球模拟MgB_2的能带和带隙分布，得到了材料的平均参数，计算结果表明，H_{c2,ab} / H_{c2,c}随温度的降低而增大，与已有的数据一致.
2002-07-05 cond-mat.supr-con
Paramagnetic limiting of the upper critical field of the layered organic superconductor $κ-(BEDT-TTF)_2Cu(SCN)_2$
我们报告的层状有机超导体$κ-(BEDT-TTF)_2Cu(SCN)_2$的层间磁阻的温度下降到0.5 K和字段高达30特斯拉的详细测量。上临界场是从电阻转变的温度和磁场方向的宽范围内确定的。对于平行于各层的磁场，上临界场随温度的降低近似线性地增加。在低温下的上临界场相比，泡利顺磁极限，在单重态超导性应被破坏的塞曼分裂的电子自旋。测量值与从热力学量计算的顺磁极限值相当，但超过了从BCS理论计算的极限。上临界场的角度依赖性示出了一个尖点状的功能接近的层，与去耦层一致的字段。
1999-04-13 cond-mat.supr-con
Magnetization studies on superconducting MgB$_2$ - lower and upper critical fields and critical current density
本文研究了MgB超导体$_2$（T $_c$ = 37 K）在2- 50 K温度范围内和磁场达5 T的磁化。根据这些测量结果，零K时的下临界场H $_c1$（0）和上临界场H $_c2$（0）的值分别估计为~300 Oe和~12.5 Tesla，这使得金兹伯格-朗道参数k的值为~26。磁化磁滞回线已获得在不同的温度下的磁化临界电流密度估计使用Bean的临界状态模型。
2001-03-14 cond-mat.supr-con
Enhancement of the upper critical field in disordered transition metal dichalcogenide monolayers
计算了面内磁场作用下杂质对过渡金属二硫属化物单分子膜超导相图的影响。由于强的内禀自旋轨道耦合，在低温下上临界场大大超过泡利极限。我们发现，它是不敏感的intravalley散射，并最终，由谷间散射的限制。
2017-06-16 cond-mat.supr-con
Magnetic behaviour of dirty multiband superconductors near the upper critical field
研究了脏多带超导体在上临界场附近的磁性。表征磁化强度斜率的参数$κ_2$具有显著的温度变化，对带内杂质散射的配对相互作用和相对强度非常敏感。与单带超导体相反，低温下$κ_2$的增加可以是任意大的，这取决于不同带中最小和最大扩散系数的比值。在双带$_2$和铁基超导体中的$κ_2(T)$的温度依赖性被证明比上临界场$H_{c2}(T)$对多带效应更敏感。
2016-03-19 cond-mat.supr-con
Upper critical field in {Ba$_{1-x}$K$_x$BiO$_3$}: magnetotransport versus magnetotunneling
弹性隧穿是一种强有力的直接工具，用于测定高$T_c$氧化物Ba $_{1-x}$ K $_x$ Bi O $_3$中的上临界场$H_{c2}(T)$.从隧穿推断的$H_{c2}$的温度依赖性遵循Werthamer-Helfand-Hohenberg对II型超导体的预测。将与连续确定的临界现场数据进行比较。
2001-03-08 cond-mat.supr-con
Temperature dependence of the upper critical field of high-Tc superconductors from isothermal magnetization data. Application to polycrystalline samples and ceramics
使用最近开发的缩放程序，允许建立从平衡等温磁化强度的测量的归一化的上临界场的温度依赖性，我们分析多晶和陶瓷样品上获得的实验数据。我们表明，缩放过程在我们所考虑的所有情况下都工作得很好。这提供了一个非常强有力的证据表明，温度依赖性的归一化上临界场是独立的方向施加的磁场相对于这些材料的晶轴。
2002-10-01 cond-mat.supr-con
Upper critical fields and two-band superconductivity in Sr1-xEux(Fe0.89Co0.11)2As2 (x=0.203 and 0.463)
通过脉冲磁场中的射频穿透深度测量来确定Sr 1-xEux（Fe0.89Co0.11）2As 2（x=0.203和0.463）单晶的上临界场Hc 2。HC 2接近泡利极限场，但显示出一个向上的曲率，从轨道极限场的增强，从Werthamer-Helfand-Hohenberg理论推断。我们用两带BCS模型讨论了上临界场的温度依赖性和各向异性的减小。
2011-11-30 cond-mat.supr-con
Upper critical fields and critical current density of BaFe2(As0.68P0.32)2 single crystal
本文研究了接近最佳掺杂的等价磷掺杂BaFe_2As_2单晶的输运性质、上临界场、超导各向异性和临界电流密度。随温度变化的电阻率和磁化率显示超导转变温度，Tc，略低于31 K，都具有急剧的转变。平行于ab平面的上临界场Hc2^ab大于77特斯拉，而沿c轴方向的上临界场Hc2^c仅大于36特斯拉，产生低超导各向异性比~ 2。基于Ginzburg-Landau（G-L）理论估算的面间相干长度表明BaFe_2（As_（0.68）P_（0.32））_2仍高于维度交叉点，从而推断该系统中超导层不是弱耦合的。从磁化环测量中获得的5 K下的临界电流密度显示出高达10^5 A/cm 2的适度Jc。
2010-05-30 cond-mat.supr-con
Ginzburg-Landau slopes of the anisotropic upper critical magnetic field and band parameters in the superconductor (TMTSF)2ClO4
从理论上确定了准一维超导体各向异性上临界磁场的Ginzburg-Landau斜率，修正了前人在这一问题上的工作。利用超导体（TMTSF）$_2$ ClO $_4$的Ginzburg-Landau斜率的实验测量值，确定了其电子谱的带参数。我们的主要结果是，所谓的量子维度交叉必须发生在磁场中，$H = 3-8 \ T$，这比以前假设的要低得多。我们讨论了这一事实如何影响金属和超导性能的（TMTSF）$_2$ ClO $_4$。
2012-01-18 cond-mat.supr-con
Temperature dependence of the upper critical field of high-Tc superconductors from isothermal magnetization data. Influence of a temperature dependent Ginzburg-Landau parameter
我们表明，标度过程，最近提出的II型超导体的归一化上临界场的温度变化的评估，可以很容易地修改，以考虑到可能的温度依赖性的金斯堡-朗道参数κ。作为一个例子，我们考虑kappa（T），因为它遵循超导的微观理论。
2003-04-14 cond-mat.supr-con
Large upper critical field in non-centrosymmetric superconductor Y2C3
我们用两种不同的方法确定非中心对称超导体$Y_2 C_3$的上临界场$μ_0 H_{c2}(T_c)$：体磁化强度M（T）和基于隧道二极管振荡器（TDO）的阻抗测量。发现零温下的上临界场达到30T，超过了弱耦合泡利顺磁极限。我们认为，在$Y_2 C_3$中观察到如此大的$μ_0 H_{c2}(0)$可以归因于自旋单重态和自旋三重态配对态的混合，这是由于反转对称性破缺的结果。
2011-01-17 cond-mat.supr-con
Influence of the upper critical field anisotropy on the transport properties of polycrystalline MgB$_{2}$
MgB $_2$的本征性质构成了这种超导体的所有应用的基础。我们希望强调的是，多晶MgB $_2$的应用范围受到上临界场H $_{c2}$及其各向异性的限制。在导线或带材中，MgB $_2$晶粒是随机取向的或仅轻微织构化的，并且如果施加磁场并且电流输运变为双稳态，则上临界场的各向异性导致不同晶粒中的不同输运性质。不可逆线是由连续超导电流路径的消失而不是由高温超导体中的脱钉引起的。基于渗流模型，我们证明了上临界场及其各向异性的变化以及磁通钉扎的变化如何影响导线或磁带的临界电流。这些预测相比，中子辐照实验，这些参数被系统地改变的结果。
2005-06-22 cond-mat.supr-con
Vortex dynamics and upper critical fields in ultrathin Bi films
本文报道了在磁场中的急冷凝聚态超导聚$Bi$薄膜的电流-电压特性。这些I-V显示了所有薄膜的滞后现象，生长时有和没有薄的$Ge$底层。Ge衬底上的薄膜，接近超导体-绝缘体转变（SIT），在临界电流中显示出峰值，表明涡旋固体（VS）的结构转变。这些底层，用于使膜更均匀，被发现是更有效地钉扎的旋涡。这些薄膜的上临界场（B $_{c2}$）由垂直磁场中的电阻转变确定。上临界场的温度依赖性被发现显着不同的金斯堡-朗道理论，修改后的混乱。
2001-04-18 cond-mat.supr-con
C-axis negative magnetoresistance and upper critical field of Bi2Sr2CaCu2O8
测量了Tc=91-93 K的BSCCO-2212单晶在磁场高达50 T的宽温度范围内的面外电阻和电阻上临界场。结果的特点是由一个积极的线性磁阻在超导状态和负的线性磁阻在正常状态。零场正常态c轴电阻，负线性正常态磁电阻和发散上临界场Hc 2（T）在超导双极化子理论的框架下得到解释。
2000-06-07 cond-mat.supr-con
Upper Critical Field of Sr$_2$RuO$_4$ under In-Plane Uniaxial Pressure
平面内的单轴压力已被证明是强烈调谐的超导状态的Sr2RuO4接近Lifshitz转变和相关的Van Hove奇点（VHS）的状态密度。在VHS，$T_c$和平面内和平面外的上临界场都强烈增强，后者已经改变了其曲率作为温度的函数从凸到凹。然而，由于应变的不均匀性，到目前为止还不可能确定上临界场如何随应变而变化。在这里，我们显示了两个上临界场，这是由于改进的样品制备的应变依赖性。我们发现在$T_c$中，面内上临界场基本上是线性的。另一方面，面外上临界场在$T_c$中随更高的功率而变化，并且在VHS处强烈地达到峰值。强度的强烈增加和$H_\mathrm{c2||c}$形式的变化发生在非常接近Van Hove应变的地方，并指出在Lifshitz转变时态密度和能隙强度的强烈增强。
2023-02-10 cond-mat.supr-con
Upper critical fields of MgB2 thin films
测量了四种正常态电阻率范围为5 ~ 50 mWcm，Tc范围为29.5 ~ 38.8 K的MgB_2薄膜在28 T下的临界场。Hc 2（T）曲线在低温下呈线性变化。已经发现了非常高的临界场值，沿c轴高达24 T，在基面中高达57 T，而不依赖于正常状态电阻率值。在本文中，临界场将分析考虑到MgB 2的多频带性质，我们将表明，电阻率和上临界场可以归因于不同的散射机制。
2003-04-22 cond-mat.supr-con
Upper critical field in a trigonal unconventional superconductor UPt_3
本文发展了具有二分量序参量的三角超导体的上临界场理论。我们证明了基面上临界场存在六重调制。在整个唯象刚性系数范围内研究了Hc2在主对称轴平面内的角度依赖形式。这些系数的费米面的形式上的定性依赖性的建立。结合最近发现的具有三方晶体结构的重费米子超导体UPt_3中H_c_2的方向依赖性的测量，对所得结果进行了讨论。PACS编号：74.20.De、74.70.Tx
2002-03-27 cond-mat.supr-con
Upper critical field, critical current density and activation energy of the new La1-xSmxOF0.5BiS2 (x = 0.2, 0.8) superconductor
用磁场相关的\r{ho}（T）方法研究了La_（1-x）Sm_xO_（0.5）F_（0.5）BiS_2（x = 0.2，0.8）超导体的临界电流密度（J_c）、热激活能（U_0）和上临界场（H_c_2）。估计的上临界场（Hc 2）具有1.04 T（x = 0.2）和1.41 T（x = 0.8）的低值。这些值低于无Sm的LaO_（0.5）F_（0.5）BiS_2超导体（1.9T）。用Bean模型估算出x = 0.2和0.8时的临界电流密度（Jc）分别为1.35 × 105 A/cm ~ 2和5.07 × 105 A/cm ~ 2（2K）。根据低磁场（1 T）下的阿伦尼乌斯图计算，热激活能（U 0/kB）为61 K（x = 0.2）和140 K（x =0.8），表明可能与施加的磁场共存的强通量钉扎势。
2015-09-10 cond-mat.supr-con
Upper critical field of high quality single crystals of KFe$_2$As$_2$
本文用随温度变化的面内电阻率（$ρ(T)$）测量方法，测定了化学计量比的砷化铁超导体KFe $_2$ As $_2$单晶的上临界场及其各向异性。晶体的特征在于剩余电阻率比，$ρ(300K)/ρ(0)$高达3000和电阻转变中点温度，$T_c$ =3.8 K，显着高于以前的研究相同的材料。我们发现增加的$H_{c2}(T)$的两个方向的磁场，其规模与增加的$T_c$。这种不寻常的线性$H_{c2}(T_c)$标度对于清洁材料中上临界场的轨道限制机制是不期望的。
2013-04-09 cond-mat.supr-con
Evidence that the upper critical field of Nb3Sn is independent of whether it is cubic or tetragonal
虽然2011年是Nb 3Sn作为第一个高场超导体的50周年，但对其上临界场行为μ 0 Hc 2的真正理解是不完整的。在这里，我们显示了令人惊讶的μ 0 Hc 2数据高度均匀的散装样品检查小电流，运输和体积平均比热和可逆磁化技术，表现出相同的上临界场μ 0 Hc 2（0.3 K）~ 29{ \pm } 0.2 T，有或没有经历立方到四立方的转变，这一结果与广泛使用的多源数据汇编形成强烈对比，该数据汇编显示在四重态下μ 0 Hc 2（0 K）从29 T到21.4 T的强烈降低。
2011-02-24 cond-mat.supr-con
Four-fold anisotropy of the parallel upper critical magnetic field in a pure layered d-wave superconductor at $T = 0$
在准二维（Q2 D）$d$波超导体中，平行上临界磁场的四重对称性在Ginzburg-Landau（GL）区消失。因此，到目前为止，它已经被准确地计算为对GL结果的校正，这在接近超导转变温度时是有效的，并且预计在低温下会更强。对于$T=0$的情形，采用了一些近似方法，但这些方法只适用于闭合的电子轨道，而不适用于平行磁场中的开轨道。我们首次精确地计算了纯Q2 D $d$波超导体中平行上临界磁场的四重各向异性，在$T=0$处，它具有最高的可能值。我们的结果适用于Q2 D $d$波高温超导体和有机超导体。
2020-07-06 cond-mat.supr-con
An inter comparison of the upper critical fields (Hc2) of different superconductors - YBa2Cu3O7, MgB2, NdFeAsO0.8F0.2, FeSe0.5Te0.5 and Nb2PdS5
在这里，我们报告的比较不同的超导体的上临界场计算的两种不同的理论，即，Werthamer Helfand Hohenburg（WHH）和Ginzberg Landau（GL）。所有样品都是通过先前已知的固态反应路线合成的。相纯度由粉末X射线衍射（XRD）数据的Rietveld精修确定。本文研究了不同超导体的高场（14 T以下）磁输运\r{ho}（T）H，以估算它们的上临界场（H_c ~ 2）。目前的内部比较涵盖了从铜酸盐（YBa 2Cu 3 O 7）-硼化物（MgB 2）-铁磷属元素化物（NdFeAsO0.8F0.2）和硫属元素化物（FeSe0.5Te0.5）到坚固的Nb 2 PdS 5。用GL和WHH方程外推计算了零温下的上临界场[Hc ~ 2（T）]。
2016-03-28 cond-mat.supr-con
The upper critical field and its anisotropy in LiFeAs
利用美国洛斯阿拉莫斯实验室的脉冲磁场测量装置，通过测量LiFeAs单晶的电阻率，确定了LiFeAs单晶的上临界场$μ_0H_{c2}(T_c)$。我们发现，在层状铁基超导体中，LiFeAs的$μ_0H_{c2}(T_c)$表现出中等的各向异性，其各向异性参数$γ$随温度的降低而单调减小，并以$T\rightarrow 0$的形式接近$γ\simeq 1.5$.在$T=$为1.4K时，上临界磁场分别达到15 T（$H\parallel c$）和24.2T（$H\parallel ab$），远小于其它铁基高$T_c$超导体。$μ_0H_{c2}(T_c)$的温度依赖性可以用Werthamer-Helfand-Hohenberg（WHH）方法来描述，分别显示了$H\parallel c$和$H\parallel ab$的轨道和（可能）自旋顺磁限制的上临界场。
2011-01-17 cond-mat.supr-con
Determinations of upper critical field in continuous Ginzburg-Landau model
在连续Ginzburg-Landau模型中提出了确定上临界场$B_{c2}$的新方法。与传统方法不同的是，$B_{c2}$是通过确定适当的本征方程的最小本征值来获得的，磁场的平方被视为本征值问题，以便可以直接推导出上临界场。从这两个程序计算的$B_{c2}$是一致的，并在合理的良好协议与现有的理论和实验。与$B_{c2}$相关联的序参量的配置文件被发现是高斯型的，进一步验证了所提出的方法。并研究了这两种方法的收敛性。
2003-10-08 cond-mat.supr-con
Vanishing of the upper critical field in Bi_2Sr_2CaCu_2O_{8+δ} from Landau-Ott scaling
本文采用Landau-Ott标度对Y. Wang等人[ \emph{Phys. Rev. Lett. \textbf{95} 247002 (2005)} ]的研究发现，Landau-Ott上临界场线的外推在临界温度参数T^*_c处消失，T^*_c比零电阻率临界温度T_c高几度。只有在T_c以下和T_c附近的等温曲线才能用来确定该转变温度。这个温度与混合态的消失有关，而不是完全抑制样品中的超导性。
2007-07-11 cond-mat.supr-con
Upper critical field as a probe for multiband superconductivity in bulk and interfacial STO
我们研究了上临界场$H_{c 2} $的温度依赖性，并以此作为探测LAO/STO界面处可能存在的多带超导性的工具。$H_{c 2} $的行为可以通过其非平凡的温度依赖性清楚地表明双带超导性。对于无序散射为主的二维LAO/STO界面，我们发现一个特征的非单调曲率的$H_{c 2} (T) $。我们还分析了$H_{c 2} $的多频带散装STO，并发现类似的行为。
2014-10-16 cond-mat.supr-con
Upper critical field from normal state fluctuations in Bi$_2$Sr$_2$CuO$_{6+δ}$
系统地研究了外延生长的Bi $_2$ Sr $_2$ CuO $_{6+δ}$薄膜的面内磁电阻随掺杂的变化。轨道磁导被用来提取交叉场线$H_{c2}^*(T)$的波动制度。这个字段被发现在很好的协议，从电阻率数据低于$T_c$获得的上临界场，并表现出类似的向上弯曲，从而指向存在一个临界相关长度。关于电阻过渡的性质的后果进行了讨论。
2006-06-02 cond-mat.supr-con
Orbital upper critical field of type-II superconductors with pair breaking
计算了具有任意输运率和成对破缺散射率的各向同性材料的轨道上临界场$H_{c2} $。结果表明，不像运输散射增强$H_{c2} $，对打破抑制上临界场，并降低了无量纲比$h^*(0)=H_{c2}(0)/T_c(dH_{c2}/dT)_{T_c} $从Helfand-Werthamer值的$\approx 0.7$到0.5强对打破。计算了$h^*(T)$的任意输运和成对断裂散射。介绍了一个磁场抑制电子对断裂的唯象模型。它表现出定性的特点，如$H_{c2}(T) $的正曲率和低温向上通常与多带超导性。
2013-05-26 cond-mat.supr-con
Upper critical field in the model with finite range interaction between electrons
本文发展了电子间存在非定域相互作用的BCS超导体的上临界场理论。我们证明了非定域相互作用可用参数$k_Fρ_0$来表征，其中$k_F$是费米动量，$ρ_0$是电子-电子相互作用半径.外部磁场的存在导致产生具有不同角动量的序参量的附加分量。这一效应导致了轨道极限场之上的上临界场的增强。此外，向上的曲率的温度依赖性的$H_{c2}(T)$在清洁的极限进行了预测。杂质散射抑制了肮脏极限的影响。
2016-10-27 cond-mat.supr-con
Upper critical field of the 122-type iron pnictide superconductors
单晶$\rm(Sr,Na)Fe_2As_2$和$\rm Ba_{0.55}K_{0.45}Fe_2As_2$的上临界场（$H_{c2}$）是通过使用洛斯阿拉莫斯的脉冲磁场设备测量电阻率$ ρ_{xx}(μ_0H)$来确定的。通常，这些化合物具有非常大的上临界场（$H_{c2}(0)$）和弱的各向异性效应。$H_{c2}(T_c)$的详细曲率可取决于磁场取向和样品组成。我们认为，这种差异主要是由于多带效应，这可能是通过掺杂修改。
2011-01-17 cond-mat.supr-con
Tunnel diode oscillator measurements of the upper critical magnetic field of FeTe0:5Se0:5
在磁场高达55 T、温度低至1.6 K的条件下，用隧道二极管双极型超导体测量了FeTe_（0.5）Se_（0.5）（Tc = 14.5 K）的上临界磁场（Hc_2）随温度的变化关系。Werthamer-Helfand-Hohenberg模型解释了平行（H）和平行（H）施加的磁场的数据||ab）和垂直（H|| c）到铁导电平面，符合单带超导性。而对于H，泡利对破缺可以忽略不计，||c，证明了H的泡利贡献||ab，Maki参数α = 1.4，对应于Pauli场HP = 79 T。结果，在Tc（γ = 1.6）下已经相当小的Hc 2各向异性（= Habc 2/Hcc 2）随着温度降低而进一步减小，并且在液氦温度下变得小于1。
2014-03-04 cond-mat.supr-con
Upper critical field $H_{c2}$ calculations for the high critical temperature superconductors considering inhomogeneities
计算了高温超导体的$H_{c2}$曲线。通过考虑非均匀电荷密度$ρ(r)$，我们明确地考虑了HTSC具有内在不均匀性的事实。在临界温度$T_c$处向相干超导相的转变对应于不同超导区域之间的逾渗阈值，每个超导区域的特征在于给定的$T_c(ρ(r))$。在这个模型中，我们计算的上临界场$H_{c2}$平均线性化的Ginzburg-Landau（GL）方程，考虑到局部超导温度的分布$T_c(ρ(r))$。这种方法解释了与$H_{c2}$相关的一些异常现象，以及为什么在比$T_c$高得多的温度下检测到像迈斯纳和能斯特效应这样的几种性质。
2004-02-03 cond-mat.supr-con
Universal behavior of the upper critical field in iron based superconductors
铁基高温超导体是近年来发现的具有丰富物理性质的超导材料。本文对近年来几种典型系列铁基超导体的上临界场及其各向异性的研究作一简要综述。尽管它们具有层状晶体结构的特征，但所有的FeSC都具有极大的上临界场和弱的超导各向异性，这在层状超导体中是独一无二的。这些特殊的性质表明FeSC在未来的潜在应用。基于FeSC的实验事实，我们将讨论在强磁场中对断裂的可能机制及其对超导配对机制的理论分析的限制。
2012-01-12 cond-mat.supr-con
Magnetotransport and the upper critical magnetic field in MgB2
磁输运测量多晶MgB2样品。电阻性上临界磁场随温度的变化从Tc = 39.3 K下降到20 K时为正曲率，然后在1.5 K时变为稍负的曲率，达到25 T。25特斯拉的上临界场远高于迄今已知的MgB2多晶，但它与最近获得的外延MgB2薄膜的数据一致。Bc2（T）与标准BCS的偏差可能是由于该化合物中提出的双能隙超导性。所观察到的二次正常态磁电阻与科勒规则的有效性可以归因于经典的轨迹效应在低场极限。
2001-09-12 cond-mat.supr-con
Upper critical field in electron-doped cuprate superconductor Nd$_{2-x}$Ce$_x$CuO$_{4+δ}$: two-gap model
本文测量了不同无序度的Nd $_{1.85}$ Ce $_{0.15}$ CuO $_{4+δ}$ /SrTiO $_3$单晶薄膜（$δ$）在高达90 kOe的磁场中的上临界场（H $_{c2}$）相图随温度（T）的变化.这些数据很好地描述了一个两带/两个间隙模型的超导体在肮脏的限制。
2012-12-26 cond-mat.supr-con
Specific Heat and Upper Critical Field of Sc5Ir4Si10 Superconductor
详细研究了织构Sc_5Ir_4Si_（10）超导体的比热随温度和磁场的变化。通过对零场电子比热随不同能隙结构的拟合以及场致比热系数的讨论，证明了Sc_（5Ir）_（4Si_（10））是一种各向异性s波超导体，能隙各向异性为0.53。上临界场的各向异性反映了弱一维费米面，其值与由比热数据得到的能隙各向异性结果一致。
2013-06-21 cond-mat.supr-con
Microwave Surface Resistance and Upper-Critical-Field Anisotropy of MgB2 Superconductor
场致微波表面电阻的变化进行了研究，在两个不同的样品的粉末状MgB 2。实验结果可以证明的框架下的Coffey和Clem模型与磁通量流制度中移动的磁通子，提供的各向异性的上临界场被适当考虑。假设上临界场的角度依赖于各向异性的Ginzburg-Landau理论，我们通过拟合微波表面电阻的场依赖性的实验数据来确定各向异性因子。我们表明，各向异性因子是恒定的温度范围内的约3 K低于Tc和它采取不同的值为两个样品，即使他们有相似的形状。
2002-10-08 cond-mat.supr-con
Superconductivity with high upper critical field in Ta-Hf Alloys
本研究针对超导器件对高上临界场材料的需求，系统表征TaₓHf₁₋ₓ合金的结构与超导特性，发现Ta替代Hf可异常提升T_C，且合金均为强耦合第二类超导体，部分成分的H_C2接近泡利极限场。
2023-05-30 cond-mat.supr-con
Doping dependence of the upper critical field in La_{2-x}Sr_xCuO_4 from specific heat
研究了La_{2-x} Sr_xCuO_4（LSCO）单晶在高达12 T的磁场H中的低温比热（0.063=< p =<0.238）。由此我们绘制了LSCO的上临界场H_{c2}在整个超导图上的分布。发现H_{c2}具有类似于临界温度T_c的掺杂依赖性。我们讨论了这一结果的意义，并提出在欠掺杂区可能存在一个有效的超导能量尺度来控制H_{c2}的行为。
2008-03-05 cond-mat.supr-con
