研究了Pr $_{0.5}$ Sr $_{0.5}$ MnO $_3$顺磁金属（PMM）-铁磁金属（FMM）-反铁磁绝缘体（AFMI）转变的价带电子结构.使用表面敏感的高分辨率光电子能谱，我们已经最终证明了一个赝能隙的存在下，在近费米能级的电子光谱中的PMM和FMM阶段和有限的强度在费米能级的电荷排序（CO）-AFMI阶段的幅度为80毫电子伏。赝能隙行为的解释是强的电子-声子相互作用和Jahn Teller（JT）极化子的形成，表明电荷局域化。绝缘相费米能级的有限强度表明Pr $_{0.5}$ Sr $_{0.5}$ MnO $_3$样品表面缺乏电荷有序。
英文摘要：
The valence band electronic structure of Pr$_{0.5}$Sr$_{0.5}$MnO$_3$ has been investigated across its paramagnetic metallic (PMM) - ferromagnetic metallic (FMM) - antiferromagnetic insulator (AFMI) transition. Using surface sensitive high resolution photoemission we have conclusively demonstrated the presence of a pseudogap of magnitude 80 meV in the near Fermi level electronic spectrum in the PMM and FMM phases and finite intensity at the Fermi level in the charge ordering (CO)-AFMI phase. The pseudogap behavior is explained in terms of the strong electron-phonon interaction and the formation of Jahn Teller (JT) polarons, indicating the charge localizations. The finite intensity at the Fermi level in the insulating phase showed a lack of charge ordering in the surface of the Pr$_{0.5}$Sr$_{0.5}$MnO$_3$ samples.
Temperature-dependent photoemission spectral weight transfer and chemical potential shift in Pr$_{1-x}$Ca$_x$MnO$_3$ : Implications for charge density modulation
研究了Pr $_{1-x}$ Ca $_x$ MnO $_3$（PCMO）与$x=0.25$、0.3和0.5的光电子能谱的温度依赖性。对于$x=0.3$和0.5，我们观察到在低温CE型电荷有序（CO）相的间隙和在高温顺磁绝缘（PI）相的费米能级（$E_F$）的有限强度的赝能隙。在CO相中，$E_F$附近的光谱强度随着温度的升高而逐渐增加。这些观测结果与在一个包含电荷有序和铁磁涨落的模型上的蒙特卡罗模拟结果一致[H. Aliaga { \it等} B { \bf 68}，104405（2003）]。另一方面，对于$x=0.25$，在低温铁磁绝缘（FI）相中观察到温度依赖性很小，并且在高温PI相中$E_F$的强度仍然很低。我们属性的CO和FI阶段之间的$E_F$附近的温度依赖性的差异，两个阶段之间的轨道顺序的不同的相关长度。此外，我们观察到的化学势随温度的变化，由于开放的差距在FI和CO阶段。掺杂依赖的化学势位移在低温下恢复，对应于调制波矢量的掺杂依赖的变化的消失。光谱重量转移与空穴浓度在高温下清楚地观察到，但在低温下被抑制。我们将这一观察归因于低温下PCMO中空穴掺杂的固定周期性。
Signatures of superconductivity and pseudogap formation in non-equilibrium nodal quasiparticles revealed by ultrafast angle-resolved photoemission
我们用时间分辨和角分辨光电子能谱测量了$_2$ $_2$ O $_2$的各种掺杂的节非平衡电子态。我们发现，这些ungapped状态的初始泵浦诱导的瞬态信号的强烈影响的超导能隙在$T_c$，超导配对波动在$T_p$，和赝能隙在$T^*$的发病。此外，$T_p$标记了通量依赖性瞬态信号中的一个提示性阈值，出现了低于$T_p$的临界通量，该临界通量对应于使所有库珀对断裂所需的能量。这些结果挑战了铜氧化物超导体中结-反结二分法的概念，在结准粒子和铜氧化物相图之间建立了一个新的联系。
Electronic structure of SrTi$_{1-x}$V$_x$O$_3$ films studied by ${\it in\ situ}$ photoemission spectroscopy: Screening for a transparent electrode material
利用${in situ}$光电子能谱研究了强关联透明导电氧化物（TCO）SrVO $_3$和氧化物半导体SrTiO $_3$的固溶体SrTi $_{1-x}$ V $_x$ O $_3$（STVO）薄膜的电子结构. STVO是相关金属TCO最有前途的候选者之一，因为它具有通过改变${x}$来优化透明电极性能的能力。系统和显着的光谱变化附近的费米能级（${E_{\rm F}}$）作为${x}$的函数，而STVO的整体电子结构是在很好的协议与预测的能带结构计算。随着${x}$从1.0减小，光谱权重从${E_{\rm F}}$附近的相干带转移到1.0-1.5 eV附近的非相干态（较低的Hubbard带）。同时，在${E_{\rm F}}$处形成赝能隙，表明在${E_{\rm F}}$附近准粒子谱权重显著降低。这个赝能隙似乎在${x}$ = 0.4时演化为能隙，表明发生了成分驱动的金属-绝缘体转变。从角分辨光电子能谱的结果，载流子浓度${n}$在${x}$ = 0.6-1.0的金属范围内作为${x}$的函数成比例地变化。相反，与有效质量（${m^*}$）成比例的质量增强因子不随${x}$的变化而显著变化。这些结果表明，在优化相关金属TCO的性能的${n/m^*}$的关键因素是由${x}$调整，突出了STVO的潜力，以实现所需的TCO性能的金属区域。
Multiple-pseudogap phases in hydrogen-doped LaFeAsO system
本文用激光光电子能谱研究了LaFeAsO_（1-x）H_x（0.0 < x < 0.60）体系的低能电子结构。从费米能级附近的光谱的精确的温度依赖的测量，我们发现的状态密度与冷却的抑制，即赝能隙的形成，对于所有的掺杂范围。在低x范围内的赝能隙（即第一超导圆顶制度）得到抑制与增加x，或多或少类似于以前的结果在F掺杂的LaFeAsO系统。另一方面，在第二超导圆顶制度在高x的赝能隙行为变得更强的H掺杂水平的增加。系统的掺杂依赖性表明，赝能隙的增强对不同类型的反铁磁秩序存在的相图的两端。
