NbS$_{3}$: A unique quasi one-dimensional conductor with three charge density wave transitions
通过输运、组成和结构的研究，我们回顾了NbS $_{3}$（第二相）的电荷密度波（CDW）导体的特征。1）除了先前报道的在$T_{P1}$ = 360\，K和$T_{P2}$ = 150\，K处的CDW转变之外，另一个CDW转变发生在更高的温度$T_{P0}$ = 620- 650\，K处;给出了该CDW的非线性导电性的证据。2)我们发现，CDW与$T_{P2}$ -过渡产生的S空位作为施主。这样的CDW转变以前没有观察到。3)我们在室温下表现出特殊的$T_{P1}$ -CDW的一致性。此外，我们报告单轴应变对CDW转变温度和运输的影响。
2016-06-30 cond-mat.str-el
Band structures of (NbSe$_4$)$_3$I and (TaSe$_4$)$_3$I: Reconciling transport, optics and ARPES
在准一维过渡金属四硫属化物（MSe $_4$）$_n$ I（M=Nb，Ta）中，$n=3$化合物是唯一不显示电荷密度波的化合物。相反，它们表现出令人困惑的运输行为的结构转变。它们在最低温度下是半导体，但它们的传输带隙明显小于从ARPES和光导性推断的那些。最近，一个金属多型体（TaSe $_4$）$_3$ I已被发现，铁磁性和超导性在低温下共存，与以前的报道相反。在这项工作中，我们提出了详细的从头算和紧结合带结构计算不同的（MSe $_4$）$_n$我报告的结构。我们获得了很好的协议与观察到的传输带隙，并解释ARPES和光学实验如何有效地探测不同频带之间的间隙，由于近似的平移对称性，解决了争议。最后，我们展示了如何小的非本征空穴掺杂可以通过在（TaSe $_4$）$_3$ I中的范霍夫奇异性来调整费米能级，并讨论了磁性和超导性的影响。
2022-12-19 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
The nature of ferromagnetism in the chiral helimagnet $Cr_{1/3}NbS_{2}$
手性helimagnet，$Cr_{1/3}NbS_{2}$，主机异国情调的自旋织构，其对磁输运性质的影响，使这种材料的未来自旋电子学应用的理想候选人。到目前为止，宏观磁性和运输自由度之间的相互作用被认为是由于减少载流子散射以下自旋顺序。在这里，我们提出了电子结构测量通过helmagnetic转变温度，$T_{C}$，挑战这一观点，显示费米表面组成的强烈杂化铌和铬衍生的电子状态，和光谱权重附近的费米能级的温度降低到低于$T_{C}$的急剧增加。这些发现是合理的第一性原理的基础上，密度泛函理论计算，这揭示了一个大的最近邻交换能，表明本地自旋矩和混合Nb和Cr衍生的巡回状态之间的相互作用，以超越Ruderman-Kittel-Kasuya-Yosida的微扰相互作用，而不是建议一个机制植根于Hund的交换相互作用。
2020-08-18 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Transport across junctions of pseudospin-one fermions
我们研究了作为低能准粒子的赝自旋费米子的弹道结的输运。这种费米子的有效低能哈密顿量由整数自旋Weyl模型描述。我们表明，目前的守恒在这样的整数自旋$s$ Weyl系统需要连续性跨越边界的波函数的只有$2s$（出$2s+1$）组件。利用电流守恒条件，我们研究了在外加电压$eV$存在下，正常金属-势垒-正常金属（NBN）和正常金属-势垒-超导体（NBS）结之间的输运。我们表明，对于一个特定的值的势垒电位$U_0$，这样的NBN结作为完美的准直器;任何准粒子，这是一个非零的入射角入射到势垒反射回来的单位概率为任何势垒宽度$d$。我们发现了这个系统的一个有趣的对称性，即电导在$U_0 \to 2(μ_L \pm eV)-U_0$下是不变的，其中$μ_L$是化学势，+（-）符号对应于粒子（空穴）介导的传输。对于NBS结与邻近诱导的$s$波配对电位，这也显示这样的准直，我们绘制出的子带隙隧穿电导$G$的势垒强度和施加电压的函数的属性。我们指出了准直对这些NBS结的亚带隙隧穿电导的影响，并讨论了可以验证我们理论的实验。
2019-02-11 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Van der Waals Schottky barriers as interface probes of the correlation between chemical potential shifts and charge density wave formation in 1T-TiSe$_2$ and 2H-NbSe$_2$
层状过渡金属二硫属化物（TMD）材料，即1 T-TiSe $_2$和2 H-NbSe $_2$，具有二阶电荷密度波（CDW）跃迁，其中声子对于传导电子密度的周期性调制和相关的晶格畸变起关键作用。我们系统地研究了在很宽的温度范围内的肖特基势垒的传输和电容特性密切接触新鲜剥离的薄片的1 T-TiSe $_2$和2 H-NbSe $_2$的\textit{n}型GaAs半导体衬底。提取的温度依赖性参数（零偏置势垒高度，理想性和内建电位）反映了在TMD/GaAs界面的变化引起的CDW形成两个TMD材料。所测得的内置电位揭示了与CDW形成有关的化学电位变化。随着温度的降低，在CDW演化过程中的化学势位移的峰值表明电子能量重新分布和晶格应变能和库仑相互作用的组合之间的竞争。CDW体系中化学势的这些调制，例如具有二级相变的1 T-TiSe $_2$和2 H-NbSe $_2$，反映了从短程有序到长程序的相应转换。
2017-08-25 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Low-Temperature Collective Transport and Dynamics in Charge Density Wave Conductor Niobium Triselenide
我们研究了电荷密度波（CDW）导体NbSe 3中的低温动力学，NbSe 3是一类被广泛研究的具有淬火无序的驱动周期性介质系统的代表，并且与更广泛的一组表现出集体输运行为的系统相关。到目前为止，理论上的努力还没有收敛到产生一个一致的描述，在这些系统中观察到的丰富的动态，特别是在低温制度。我们开发了现代样品制备技术，并使用频率和时域传输测量低于第二特征Peierls CDW转变，以调查制度的时间有序的集体蠕变NbSe 3样品在低温制度之间的15 K和32 K。通过测量两个特征阈值场之间的相干振荡的频率，ET和ET*，我们表明，在9个高质量的样品，纯，Ta-，或Ti掺杂，在这个制度的集体运输的电流场关系密切遵循修改后的安德森-金形式跨越5个数量级的热和场激活行为ET以上的温度范围。这项研究，结合我们的输运弛豫测量，提供了相关的长度，能量和时间尺度，设置在这个政权的动态，并揭示了集体动态，由大的长度和能量尺度，必须与微观局部动力学相协调，在数量级较小的尺度的障碍。集体机制和局部机制之间的相互作用决定了一种动态，这种动态导致了极其缓慢（类似爬行）的集体行为，但又是时间有序的。结合现有的工作，我们的研究结果描绘了一个一致的图片CDW的运输相图，和密度波系统一般，并提供必要的成分，这些系统急需正确的理论描述。
2021-02-09 cond-mat.str-el
Multiphonon interactions and collective excitations in charge density wave of transition metal dichalcogenides
该研究针对过渡金属二硫化物的电荷密度波物理机制，探究2H-TaS₂和2H-NbSe₂中与CDW相关的集体激发与多声子相互作用，结合实验与理论阐明双声子模的反常响应，明确两种材料的CDW转变温度及电子-声子耦合、非谐性的差异。
2023-11-04 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Anomalous pressure dependence of the electronic transport and anisotropy in SrIrO3 films
铱酸盐氧化物显示出奇异的物理性质，这是由大的自旋轨道耦合和电子关联之间的相互作用引起的。在这里，我们全面研究了静水压力对SrIrO 3（SIO）电子输运性质的影响，该系统最近作为潜在相关的狄拉克半金属引起了广泛关注。我们对SIO非孪晶薄膜的研究表明，这种材料的电阻率本质上是各向异性的，并由钙钛矿晶胞的正交畸变控制。这些效应为这类化合物中电子自由度和晶格自由度之间的强耦合提供了另一个证据。当增加压力时，观察到输运各向异性的系统性增加。从霍尔效应测量中可以推断出，电子载流子密度的压力依赖性不能解释压力引起的电阻率的异常变化。此外，压力引起的旋转的IrO6八面体可能发生在扭曲的钙钛矿晶胞，并影响该系统的电子迁移率。
2020-04-20 cond-mat.str-el
High-pressure transport properties of CeRu_2Ge_2
CeRu_2Ge_2的热电势S（T）和电阻率ρ（T）随温度的变化用单位Anderson模型描述。Ce离子被视为杂质，在不同的Ce-网站上的相干散射被忽略。改变4f态和导带之间的杂化Γ解释了压力效应。在相边界线以上的非交叉近似中计算输运系数。理论S（T）和ρ（T）曲线反映了实验数据的许多特征。S（T）和ρ（T）看似复杂的温度依赖性，以及它们作为压力函数的演化，与模型中各个固定点之间的交叉有关。
2004-08-12 cond-mat.str-el
High-pressure, transport, and thermodynamic properties of CeTe3
我们已经进行了高压，电阻率和比热测量CeTe 3单晶。在低温下的电阻率和比热中检测到具有不平行的易磁化轴的两个磁性相。我们还观察到的出现的一个额外的阶段，在高压和低温和一个可能的结构相变检测在室温下，在45千巴，这可能是与已知的这种化合物的电荷密度波转变温度的降低。
2009-05-01 cond-mat.str-el
Spin-fluctuation dominated electrical transport of Ni3Al at high pressure
首次研究了高压下巡游电子铁磁体Ni_3Al的磁量子相变。在金刚石压砧单元中，在高达100 kbar的流体静压和低至50 mK的温度下的电阻率测量表明，居里温度在临界压力pc=82（2）kbar时向绝对零度塌陷。在很宽的压力和温度范围内，无论是在铁磁和顺磁状态，电阻率的温度变化被发现偏离传统的费米液体的形式。我们认为，在何种程度上可以理解的平均场模型的铁磁性的边界上的增强自旋波动的偏差在三维。
2004-11-17 cond-mat.str-el
High pressure transport study of non-Fermi liquid behaviour in U2Pt2In and U3Ni3Sn4
强关联金属U_2Pt_2In和U_3Ni_3Sn_4在常压下表现出明显的非费米液体（NFL）现象。在这里，我们回顾了压力下（p <= 1.8 GPa）的单晶电阻率测量进行调查NFL相的稳定性。对于四氢呋喃U2 Pt 2 In（I|| a）我们观察到费米液体T^2项随压力的快速恢复。费米液体温度随T_FL ~ p-p_c变化，其中p_c= 0是临界压力。Rosch的磁输运理论中的分析为U2 Pt 2 In在零压反铁磁量子临界点（QCP）的位置提供了证据。在立方相U_3Ni_3Sn_4的情况下，我们得到T_FL ~（p-p_c）^（1/2）。分析结果为U_3Ni_3Sn_4在p_c= -0.04+-0.04GPa的负压下存在反铁磁QCP提供了证据。
2001-10-29 cond-mat.str-el
Transport and magnetic behavior under pressure and high-resolution photoemission studies of Ce2Rh(o.7)Co(0.3)Si3, an alloy on the verge of quantum critical point
我们报道了外压对合金Ce 2 Rh（0.7）Co（0.3）Si 3的磁化强度和电阻率的温度依赖性的影响以及高分辨率的光电子能谱研究。结果表明，外压对Ce_2Rh（1-x）Co（x）Si_3体系的磁性能和输运数据有着与Co取代Rh相同的影响，并伴随着量子临界点效应，导致磁有序的抑制.高分辨率光谱揭示了近藤特征在环境特征的签名。这些结果支持了自旋密度波图象在这一系列中的有效性。
2011-01-11 cond-mat.str-el
Thermodynamic and Transport Properties of CeMg2Cu9 under Pressure
本文研究了反铁磁近藤化合物CeMg 2Cu 9在流体静压下的输运和热力学性质。磁比热Cmag（T）在30 K附近出现Schottky型反常，起因于晶体电场（CEF）使4f态从基态分裂，第一激发能级为Δ {1}/kB = 58 K，第二激发能级为Δ {2}/kB = 136 K。在T_{1} ^{max} = 3 K和T_{2} ^{max} = 40 K附近，由于近藤效应，电阻率在CEF能级上呈现双峰结构。这些峰值在压缩时在1.9 GPa附近合并。随着压力的增加，Neel温度TN先升高后降低。TN最终在量子临界点Pc = 2.4GPa处消失。
2004-02-01 cond-mat.str-el
Effect of pressure on electric transport properties of carbon-doped EuB6
我们报告的EuB 5.99C0.01，该化合物被认为是本质上不均匀的，由于碳含量的波动的电阻率的外部压力的影响。我们的研究结果表明，低温电阻率的最大值转移到较低的温度与所施加的压力，相反的化学计量EuB6的行为报告。这种质的差异的起源，我们与增加的体积分数的相，这是不兼容的铁磁有序（起源于具有相对较高的碳concentratio的区域）与增强的压力。我们的研究结果支持了最近的一个命题，即富碳区域强烈影响碳掺杂EuB6的磁输运性质，例如它们起到间隔物的作用，从而防止铁磁相的渗透。
2020-10-21 cond-mat.str-el
Hydrostatic pressure effects on the electrical transport properties of Pr0.5Sr0.5MnO3
我们研究了单晶Pr0.5Sr0.5MnO3通过测量的磁化率和比热在环境压力（P），和电阻率（r）在静水压力高达2 GPa。该材料具有铁磁（FM）有序结构，居里温度TC ~ 255 K.从I4/mcm到Fmmm的晶体学转变伴随着反铁磁性（AFM）的开始，Neel温度TN ~ 161 K。压力的作用是降低TC，升高TN，其速率分别约为-3.2K/GPa和14.2K/GPa。虽然TN的值随着P而增加，但由于超交换相互作用的增强，AFM-Fmmm状态逐渐被抑制，因为压力使FM-I4/mcm相稳定到较低的温度。r与T的数据表明，AFM相应完全抑制在2.4 GPa附近。
2007-09-29 cond-mat.str-el
Growth of Transition Metal Sulfides by Sulfuric Vapor Transport and Liquid Sulfur: Synthesis and Properties
过渡金属二硫属化合物（TMDs）是一类新兴的低维材料，在纳米电子学领域有着广泛的应用。然而，合成这些系统的大单晶的有效方法仍然缺乏。在这里，我们描述了一种有效的合成路线，大量的TMD，在石英安瓿中获得的硫蒸气运输和液体硫。采用化学气相输运技术，以硫蒸气为输运剂，在石英安瓿中获得了金属硫化物MgS、PdS、PtS2、ReS2、NbS2、TaS2、TaS3、MoS2、WS2、FeS2、CoS2、NiS2、Cr2S3、VS2、In2S3、Bi2S3、TiS2、ZrS3、HfS3和纯Au的晶体。与升华技术不同，金属以分子形式进入气相，因此含有比生长晶体更多的硫。我们已经调查了这些晶体的选择的物理性质，并将它们与文献中报道的最先进的研究结果进行了比较。所获得的X射线光电子能谱特征证明了在这项工作中生长的单晶体的整体高质量，如ReS2和CoS2所示。这种合成高质量过渡金属二硫属化物单晶的新方法可以减轻许多材料质量问题，适用于新兴的电子器件。
2021-12-31 cond-mat.str-el
Effect of pressure on the magnetic, transport, and thermal-transport properties of the electron-doped manganite CaMn$_{1-x}$Sb$_{x}$O$_{3}$
本文研究了流体静压对电子掺杂锰氧化物CaMn $_{1-x}$ Sb $_{x}$ O $_{3}$的磁性、输运性质和热输运性质的影响。Sb $^{5+}$离子取代母体基质的Mn $^{4+}$位点导致具有化学式CaMn $^{4+}_{1-2x}$ Mn $^{3+}_{x}$ Sb $^{5+}_{x}$ O $_{3}$的单电子掺杂，伴随着作为$x$的函数的晶胞体积的单调增加。随着Sb掺杂量的增加，电阻率和负塞贝克系数的大小在高温下都受到抑制，这表明电子掺杂。在$x=0.05$和0.08处的异常抗磁行为在场冷直流磁化中被清楚地观察到。流体静压对直流磁化强度的影响与Sb掺杂的化学压力效应相反。交流磁化率测量的动力学效应指向嵌入倾斜AFM基体中的磁阻挫团簇如FM团簇的形成。
2010-12-22 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Effect of pressure on transport and magnetotransport properties in CaFe2As2 single crystals
研究了液体介质、夹具、压力盒中产生的压力对CaFe_2As_2的面内电阻、c轴电阻、温度霍尔系数以及低温磁电阻的影响。在早期研究中描绘的T-P相图，包括电阻率的完整超导转变的观察，被发现是高度可重复的。霍尔电阻率和低温磁电阻对CaFe 2As 2中观察到的不同状态/相敏感。辅助测量下单轴，c轴，压力是在一般协议与液体介质钳电池的结果与一些差异的临界压力值和压力导数。这些数据可以被视为支持潜在的重要性，非流体静力学的压力分量在诱导超导CaFe 2As 2。
2009-05-25 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Effects of Pressure on Electron Transport and Local Structure of Manganites: Low to High Pressure Regime
研究了La_（0.60）Y_（0.07）Ca_（0.33）MnO_3在1atm ~7 GPa压力范围内的电阻率和结构随压力的变化关系。金属到绝缘体的转变温度（TMI）被发现达到最大值，电阻率达到最小值在~3.8 GPa。超过该压力，TMI随着电阻率的伴随增加而降低。在室温下的结构测量表明，在低压（低于2 GPa）的Mn-O键长压缩。在~2和~ 4GPa之间，压力引起的Jahn-Teller（JT）畸变的增强与Mn-O_1-Mn键角增加到~180（度）平行发生。在~ 4GPa以上，Mn-O_1-Mn键角减小，而JT畸变似乎保持不变。TMI以上的电阻率很好地模拟了可变距离跳变。局域化长度的压力依赖性遵循TMI的行为。
2003-03-31 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Effect of hydrostatic pressure on transport in the topological insulator Bi$_2$Te$_2$Se
拓扑绝缘体Bi $_2$ Te $_2$ Se的霍尔系数$R_H$和电阻率$ρ$显示出许多令人困惑的特性与温度$T$的关系。我们提出了一个模型，很好地描述了非单调变化的$R_H(T)$。该模型的一个关键特征是化学势是弱$T$依赖的。从模型的拟合，我们推断“传输”间隙$Δ_T$为50 mV。我们发现，流体静压$P$（0-27千巴）对$R_H$和$ρ$都有明显的影响。我们表明，这些变化产生的减少在$Δ_T$和孔的有效质量的压力下。
2011-10-05 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
High-Pressure Tuning of Electrical Transport in Freestanding Oxide Films
Anhui Provincial Key Laboratory of Low-Energy Quantum Materials and Devices, High Magnetic Field Laboratory, HFIPS, Chinese Academy of Sciences（中国科学院合肥物质科学研究院、安徽省低能量子材料与器件重点实验室）；Science Island Branch of Graduate School, University of Science and Technology of China（中国科学技术大学研究生院科学岛分部）；School of Microelectronics and Control Engineering, Changzhou University（常州大学微电子与控制工程学院）；Spin-X Institute, School of Chemistry and Chemical Engineering, South China University of Technology（华南理工大学化学与化工学院自旋X研究所）
研究通过增强机械稳定性与纳米压设备集成，实现氧化物薄膜高压电输运测量，发现压力驱动的半导体-绝缘体及绝缘体-金属相变，揭示维度与压力在关联氧化物中的强相互作用。
2026-04-18 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Structural transitions and transport-half-metallic ferromagnetism in LaMnO3 at elevated pressure
利用杂化密度泛函理论研究了超巨磁电阻（CMR）母体化合物LaMnO $_3$在压力下的结构、电子和磁性的演化.我们预测了从低压反铁磁（AFM）绝缘体到高压铁磁（FM）传输半金属（tHM）的转变，其特征在于大的自旋极化（~ 80- 90%）。FM-tHM转变与合作的Jahn-Teller（JT）畸变的逐渐淬灭相关联，所述JT畸变将$Pnma$正交相转变为完美的立方相（通过JT畸变和规则MnO 6八面体共存的混合相），并且与高自旋（S=2，m_Mn=3.7 mu_B）到低自旋（S=1，m_Mn=1.7 mu_B）磁矩崩塌相关联。这些结果解释了实验观察到的非Mott金属化过程的进展，并开辟了在化学计量的锰氧化物中实现CMR行为的可能性。
2012-05-07 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
High pressure transport studies of the LiFeAs analogues CuFeTe2 and Fe2As
我们已经合成了两种铁磷属元素化物/硫属元素化物材料，CuFeTe 2和Fe 2As，它们与已知的铁基超导体具有相同的晶体学特征，并对这些材料进行了超过30 GPa的高压电阻率测量。这两种化合物都以LiFeAs特有的Cu 2Sb型晶体结构结晶（CuFeTe 2表现出无序变体）。在环境压力下，CuFeTe 2是半导体，并且被认为表现出自旋密度波跃迁，而Fe 2As是金属反铁磁体。CuFeTe 2的电阻率，在4 K下测量，在环境压力和2.4 GPa之间降低了近两个数量级。在34 GPa下，电阻率在将样品冷却至低于150 K时降低，表明化合物接近金属-绝缘体转变。无论是CuFeTe 2或Fe 2As超导高于1.1 K在整个测量的压力范围。
2012-07-26 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Effect of atomic disorder and Ce doping on superconductivity of Ca3Rh4Sn13: Electric transport properties under high pressure
我们报道了在Ce取代的Ca_3Rh_4Sn_（13）中观察到8K以下的超导态与由原子无序引起的自旋玻璃态共存。比热，电阻率和磁性的测量揭示了非均匀的超导性的存在，在样品中掺杂Ce与超导临界温度Tc高于那些观察到的母体化合物。对于Ca3Rh4Sn13，电阻率随压力P的变化的负值，以及与计算的状态密度的减少费米能级与P.根据压力下进行的能带结构计算，我们演示了如何在DOS的变化会影响Tc的Ca3Rh4Sn13负晶格压力下的样品，强烈缺陷淬火。
2016-06-14 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
