Doping-less Tunnel Field Effect Transistor: Design and Investigation
利用校准的模拟，我们报告了一个详细的研究，无掺杂的隧道场效应晶体管（TFET）的本征硅薄膜上使用电荷等离子体的概念。在不需要任何掺杂的情况下，通过为源极和漏极金属电极选择适当的功函数，使用电荷等离子体概念来形成源极和漏极区域。我们的研究结果表明，无掺杂TFET的性能类似于相应的掺杂TFET。预期无掺杂TFET不存在与随机掺杂剂波动相关联的问题。此外，无掺杂TFET的制造不需要高温掺杂/退火工艺，因此，减少了热预算，从而打开了在通过晶片级外延转移形成的玻璃上单晶硅衬底上制造TFET的可能性。
2013-09-25 cond-mat.mes-hall
Scanning Gate Microscopy on Graphene: Charge Inhomogeneity and Extrinsic Doping
我们已经进行了扫描栅显微镜（SGM）的石墨烯场效应晶体管（GFET），使用偏置的金属纳米线涂有介电层作为接触模式的尖端和局部顶栅。在各种背栅电压下通过石墨烯的电传输被监测为尖端电压和尖端位置的函数。在狄拉克点附近，石墨烯电阻对尖端电压的依赖性显示出随尖端位置的显著变化。SGM成像揭示了电子掺杂和空穴掺杂区域的介观域。我们的测量表明，由于非本征局部掺杂，石墨烯中的载流子密度存在显著的空间波动（约为10^12/cm ^2）。在我们的样品中发现的这种掺杂的重要来源包括金属接触，石墨烯的边缘，结构缺陷和抗蚀剂残留物。
2010-03-28 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Pocket doping method on Improving the Performance of Graphene Nanoribbons Tunneling FET
采用基于三维实空间非平衡格林函数的弹道量子输运方法，对扶手椅型石墨烯纳米带隧穿场效应晶体管进行了研究。通过在源极附近引入口袋掺杂区，GNRs TFET的性能得到了改善，与传统的隧道FET相比，GNRs TFET具有更大的导通电流和更陡的亚阈值摆幅。研究还发现，口袋区域引入了两个有趣的功能。通过增加袋长度，可以有效地抑制双极性。此外，由于谐振，在负栅极电压下存在负跨导。
2013-12-12 cond-mat.mes-hall
Quantum interference effects in a system of two tunnel point-contacts in the presence of single scatterer: simulation of a double-tip STM experiment
从理论上研究了含有两个隧道点接触和单个次表面散射体的系统的电导。这个问题在s波散射近似中得到解决，给出了系统的波函数和电导的解析表达式。分析了电子波通过不同接触点的干涉及其与缺陷散射波的干涉所引起的电导振荡。讨论了利用电导随接触距离的变化关系来确定金属表面下杂质深度的前景。它示出的应用程序的外部磁场的结果在Aharonov-Bohm型振荡的电导，其周期允许检测的深度的缺陷在一个双尖端STM实验。
2010-11-30 cond-mat.mes-hall
On the Connection of Anisotropic Conductivity to Tip Induced Space Charge Layers in Scanning Tunneling Spectroscopy of p-doped GaAs
用扫描隧道显微镜研究了低温下p型掺杂GaAs{110}中浅受主的电子性质。已知浅受主在一定偏压下在STM图像中表现出明显的三角形对比。空间分辨的I（V）光谱被用来识别它们的能量来源和行为。一个关键的参数-STM针尖的功函数-是实验确定的。导出了与电压有关的势位和能带弯曲情况。讨论了用实验验证计算结果的方法。微分电导率图显示，三角形的对比，只观察到与耗尽层下的STM尖端。导致各向异性对比的隧道过程要求电子隧穿真空间隙和半导体中的有限区域。
2007-08-22 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall
Control of charging in resonant tunneling through InAs nanocrystal quantum dots
用扫描隧道显微镜测量了沉积在石墨上的InAs纳米晶体的双势垒隧道结结构的隧道能谱。实验研究了结对称性对隧穿谱的影响，并建立了理论模型。当尖端缩回时，我们观察到共振隧穿通过不带电的π态。这与之前通过连接分子锚定到金上的类似纳米晶体的测量结果相反，其中发生了充电。在减小尖端-尖端距离时重新充电，使得结更加对称。还讨论了结间电压分布对测量光谱的影响。
2001-03-05 cond-mat.mes-hall
Dirac-point spectroscopy of flat-band systems with the quantum twisting microscope
受量子扭转显微镜启发，本文提出弹性动量分辨隧穿理论，利用探针Dirac点特征精确映射样品能带结构，为平带系统（如MATBG）的Dirac点谱学建立了一般理论框架。
2024-10-10 cond-mat.mes-hall
Virtual Scanning Tunneling Microscopy: A Local Spectroscopic Probe of 2D Electron Systems
我们提出了一种新的探针技术，能够在半导体异质结构中的二维电子系统（2DES）上进行局部低温光谱。由预测的空间结构的电子相位的动机，探针使用带电的金属尖端，以诱导电子隧道局部，直接低于尖端，从一个“探针”2DES到一个“主题”2DES的利益。我们测试这个概念与大面积（非扫描）隧道测量，并预测一个高的空间分辨率和光谱能力，在主题2DES的物理影响最小。
2010-08-03 cond-mat.mes-hall
Scale invariance of a diodelike tunnel junction
我们测量了二极管状隧道结的电流-电压（I-V）特性，该隧道结由放置在距平面集电极可变距离d处的尖锐金属尖端组成，并通过电场辅助发射发射来发射电子。当I被绘制为单个缩放变量Vd^{-λ}的函数时，所有曲线都坍缩到一个单个曲线图上，d从几mm变化到几nm，即，大约六个数量级。我们提供了一个参数，发现指数λ内的奇异行为固有的静电尖。一个现实的尖端的隧穿势垒的模拟再现缩放行为和小，但显着的偏差，从实验观察到的缩放。
2013-03-20 cond-mat.mes-hall
Determination of the STM tip-graphene repulsive forces by comparative STM and AFM measurements on suspended graphene
通过化学气相沉积生长的石墨烯被转移到平坦的金纳米岛的顶部，并通过扫描隧道显微镜（STM）和原子力显微镜（AFM）进行表征。石墨烯气泡形成有由纳米岛的尺寸和形状确定的横向尺寸。这些石墨烯气泡可以在STM成像期间使用小于250 mV的偏置电压和1 nA的隧道电流被挤压。类似地，当在低偏置电压（U = 30 mV）下成像时，悬浮在金纳米空隙上的石墨烯被STM尖端偏转4 - 5 nm。通过AFM进行的纳米压痕测量表明，石墨烯气泡的挤压发生在20 - 35 nN的排斥力下，并且这种力可以分别导致悬浮的石墨烯部件中的几个纳米的偏转。比较AFM和STM的结果，这项研究表明，10 e-8 N的顺序之间发生的STM针尖和石墨烯在环境成像条件和典型的隧道参数的机械力。
2016-09-14 cond-mat.mes-hall
Energy transfer channels of the plasmon excitation process in STM tunnel junctions
我们研究了扫描隧道显微镜针尖和金属衬底之间的间隙等离子体激元的衰减，激发的非弹性隧穿电子。隧穿电子的激发能量分为电阻耗散和电磁辐射两大类，它们又可以进一步分为四个不同的通道，包括针尖上的SPP通道、衬底上的SPP通道、空气模式通道和直接猝灭通道。我们发现，大部分的激发能量去表面等离子体激元的金属STM针尖，而不是在基板上。尖端直接淬火也占相当大的比例，特别是在高频区。
2017-10-06 cond-mat.mes-hall physics.optics
Tunneling spectroscopy of two-dimensional superconductors with the quantum twisting microscope
本文提出量子扭转显微镜下的动量守恒隧穿理论，证明可通过电导奇异性测量 TBG 等二维范德华材料的动量分辨超导能隙。
2025-09-26 cond-mat.mes-hall
From tunneling to contact in a magnetic atom: the non-equilibrium Kondo effect
利用低温扫描隧道显微镜研究了吸附在Cu（100）表面的Co原子与铜覆盖针尖形成的原子结中的微分电导。零偏异常（ZBA）揭示了自旋散射的Co原子，这被分配到一个近藤效应。ZBA表现出一个特征不对称的线形时，电子隧道之间的提示和样品，而在提示-Co接触，它对称化和扩大。通过密度泛函理论计算和非平衡非交叉近似，我们发现线形展宽主要是与针尖的附加耦合的结果，而非平衡效应只改变了ZBA的大偏置尾。
2016-09-28 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Bandgap and doping effects in MoS2 measured by Scanning Tunneling Microscopy and Spectroscopy
石墨烯的发现使人们关注其他层状材料，包括过渡金属二硫属化合物（TMD），作为由堆叠的原子层组装的新型异质结构的构建块。二硫化钼（MoS 2）是TMD家族中的一种半导体，具有显着的热稳定性和化学稳定性以及高迁移率，已成为后硅应用（如开关，光子学和柔性电子学）的有前途的候选者。由于这些依赖于控制费米能（EF）的位置，因此了解其对掺杂和门控的依赖性至关重要。在这里，我们采用扫描隧道显微镜（STM）和光谱（STS）与门控能力，以测量带隙和EF在二硫化钼的位置，并跟踪其演变与栅极电压。对于体样品，测量的带隙（~1.3eV）与通过光致发光获得的值相当，并且EF（~0.35eV）低于导带的位置与该材料中报道的n掺杂一致。使用地形与光谱一起，我们追踪的源的n-掺杂在散装二硫化钼样品的点缺陷，我们归因于S空位。相比之下，对于薄膜上沉积的二氧化硅，我们发现显着更高的水平的n-掺杂，不能归因于S空位。通过结合门控STS与场效应晶体管（FET）配置中的传输测量，我们证明了在薄膜样品中的n-掺杂的较高水平是由于在样品-衬底界面的电荷陷阱。
2014-05-09 cond-mat.mes-hall
Scanning Gate Spectroscopy on Nanoclusters
研制了一种用于扫描隧道显微镜（STM）的门控探针。该探头通过在隧道尖端旁边制造的附加电极扩展了正常的STM操作。额外的电极不与样品接触，可以用作栅极。我们报告的配方用于制造隧道尖端和栅电极上的氮化硅悬臂梁。我们证明了扫描门探针的功能，通过执行单电子隧道光谱20 nm的金簇不同的栅极电压。
1999-12-09 cond-mat.mes-hall
Experimental realization of single electron tunneling diode based on vertical graphene two-barrier junction
通常，石墨烯在其水平方向上用于设计新概念器件。在这里，我们报告了一个单电子隧穿二极管的基础上量子隧穿通过垂直石墨烯双势垒结。通过将扫描隧道显微镜（STM）尖端定位在沉积在石墨表面上的石墨烯纳米颗粒上方来形成结。由于双势垒结的不对称性，电子可以从针尖单向转移到石墨烯纳米管，但不能从石墨烯单向转移到针尖。这一结果为在垂直方向上设计新型石墨烯晶体管提供了有趣的机会。
2012-04-25 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Scanning Tunneling Microscope Tip-Induced Formation of Bi Bilayers on Bi$_2$Te$_3$
The Ohio State University（俄亥俄州立大学）
本研究发现STM针尖电压脉冲可在Bi$_2$Te$_3$表面诱导形成Bi双层岛与凹坑，通过多种表征确认岛的结构，并揭示其形成源于场蒸发与焦耳热的共同作用。
2025-07-21 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Competing scanning tunneling microscope tip-interlayer interactions for twisted multilayer graphene on the a-plane SiC surface
首次获得了在n+6 H-SiC a面非极性表面上生长的单层和扭曲多层外延石墨烯态的扫描隧道显微镜（STM）图像。通过将来自双层石墨烯的棒和球模型的莫尔图案与实验获得的图像进行比较，确定扭曲的石墨烯在顶部两层之间具有5.4°的旋转角。此外，实验莫尔图案显示动态行为，连续洗牌之间的两个稳定的表面安排一个键长分开。莫尔条纹的位移超过1 nm，便于STM观察。这种动态行为的解释归因于STM针尖和石墨烯样品之间的静电相互作用。
2015-01-20 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Inhibiting Klein tunneling in graphene p-n junction without an external magnetic field
我们通过第一性原理计算研究了吸附在石墨烯上的有机分子（F4 TCNQ）的密集岛。我们发现，在电子掺杂的情况下，岛自然地在石墨烯片中形成pn结。例如，每平方厘米约3 * 10^{13}个电子的掺杂水平导致静电势垒为800 meV的pn结。与石墨烯中的常规pn结不同，在由吸附的有机分子岛形成的结的情况下，我们预期即使没有施加外部磁场，克莱因隧穿也被抑制。在这里，克莱因隧穿被掺杂后自发发生在分子岛中的铁磁顺序抑制。我们估计石墨烯片中的磁势垒约为10 mT。
2016-02-19 cond-mat.mes-hall
Contact doping, Klein tunneling, and asymmetry of shot noise in suspended graphene
石墨烯中的电输运的固有不对称性归因于穿过由正电荷区域和负电荷区域之间的$\textit{pn}$ -界面限定的势垒的克莱因隧穿。通过结合电导和散粒噪声实验，我们确定了高品质的悬浮样品与Au/Cr/Au接触的隧穿势垒（高度和斜率）的主要特征。我们观察到在载流子密度$|n_{\rm G}|=0.3-4 \cdot 10^{11}$ cm $^{-2}$处的悬浮石墨烯的狄拉克点上的不对称电阻$R_{\textrm{odd}}=100-70$ $Ω$，而Fano因子在$F_{\textrm{odd}} \sim 0.03 - 0.1$范围内显示非单调不对称性。我们的研究结果同意与狄拉克方程的梯形障碍的基础上的分析计算。模型和数据之间的比较产生隧穿的势垒高度，估计的厚度的$\textit{pn}$界面$d < 20$ nm，和接触区掺杂对应的费米能级偏移$\sim - 18$毫电子伏。金属接触下费米能级的钉扎强度以接触电容$C_c=19 \times 10^{-6}$ F/cm $^2$来表征。此外，我们表明，对应于狄拉克点的栅极电压是由背栅材料和石墨烯之间的功函数差。
2015-09-13 cond-mat.mes-hall
Effect of n+-GaAs thickness and doping density on spin injection of GaMnAs/n+-GaAs Esaki tunnel junction
研究了GaMnAs/n+-GaAs Esaki隧道结的n+-GaAs厚度和掺杂浓度对电子自旋注入效率的影响。在相同的p-AlGaAs/p-GaAs/n-AlGaAs发光二极管（LED）结构上制备了7个不同n+-GaAs厚度和掺杂浓度的GaMnAs/n+-GaAs隧道结样品。在外加磁场的法拉第配置下测量了表面发射的电致发光（EL）偏振。所有样品的EL极化的偏压依赖性，并获得较高的EL极化在样品中，n+-GaAs是完全耗尽在零偏压。EL极化被发现是敏感的偏压条件下的（Ga，Mn）As/n+-GaAs隧道结和LED结构。
2005-08-16 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Suppression of stochastic fluctuations of suspended nanowires by temperature-induced single-electron tunnelling
我们从理论上研究自由悬挂的纳米线，在隧道接触的扫描隧道显微镜（STM）和两个支持金属引线的尖端的机电性能。我们的分析的目的是表征的纳米线的动力学变量的波动时，温度下降的STM尖端和引线，这都被假定为电接地之间保持。通过求解描述电子和机械自由度的耦合动力学的量子主方程，我们发现机械振荡器的定态具有高斯特性，但其均方根质量中心波动的幅度小于如果系统仅耦合到处于热平衡的引线的预期。
2011-10-17 cond-mat.mes-hall
On local sensing of spin Hall effect in tungsten films by using STM-based measurements
利用STM测量技术对钨薄膜中的自旋霍尔效应进行了实验研究。这些测量已经通过使用钨和铁涂层钨尖端进行。在钨尖端的情况下，已经观察到，通过钨膜的电流导致相对于隧穿电压的极性的变化的隧穿电流的明显不对称。认为这种不对称性是由于自旋霍尔效应引起的自旋极化电子在钨膜表面的积累。这种不对称性不受通过膜的偏置电流的方向的改变的影响。然而，在铁涂覆钨尖端的情况下，已经观察到偏置电流方向的变化确实导致隧穿电流的额外不对称性。因此，实验证明，这种不对称性是由SHE和自旋相关的态密度的铁涂层尖端。
2017-10-10 cond-mat.mes-hall
What is the orientation of the tip in a scanning tunneling microscope?
我们介绍了一种统计相关分析方法，以获得信息的局部几何形状和方向的尖端在扫描隧道显微镜（STM）实验的基础上大规模的模拟。关键量是实验和模拟数据之间的恒定电流地形图的相对亮度相关性。可以针对大量建模的尖端方向和几何形状对这种相关性进行统计分析。假设在STM扫描期间稳定的尖端并且基于相关性分布，可以确定STM实验中最可能存在的尖端取向，并且排除其他取向。这对于诸如高取向热解石墨（HOPG）的基底尤其重要，因为其STM对比度强烈依赖于尖端，这使得STM图像的解释和比较非常具有挑战性。我们说明了我们的方法的适用性，考虑HOPG表面结合两种不同的顶点几何形状和18144个不同的取向的钨尖模型。我们计算了在$|V|\le 1$ V偏压范围内HOPG（0001）表面沿$<1\bar{1}00>$方向的恒流分布，并与实验数据进行了比较。我们发现，一个钝尖模型提供了更好的相关性与实验的更广泛的尖端方向和偏置电压比尖锐的尖端模型。这种实验和大规模模拟的结合开辟了获得更详细的信息的尖端顶点的结构和更可靠的解释STM数据的局部尖端几何形状的影响。
2015-01-26 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.chem-ph
Chen's derivative rule revisited: Role of tip-orbital interference in STM
在Chen的电子隧穿导数规则[C. J. Chen，Phys.Rev.B42，8841（1990）]问世25周年之际，我们对该规则进行了修正，以便基于第一性原理电子结构数据对扫描隧道显微镜（STM）进行有效的计算模拟。修正后的模型允许通过任意的能量独立的选择或基于能量相关的加权系数，通过扩展的尖端单电子波函数/状态密度投影到尖端顶点原子上获得的不同尖端轨道字符的隧穿矩阵元素的权重。该模型通过构造将STM结中的尖端-轨道干涉包含在模型中，并可对其进行定量分析。作为另一个优点，通过使用欧拉角旋转尖端顶点的坐标系并重新定义隧穿矩阵元素的加权系数，任意尖端几何取向被包括在修正模型中。我们证明了该模型的可靠性，通过将其应用到最近感兴趣的两个功能化表面，其中量子干涉效应在STM成像过程中发挥了重要作用：N-掺杂石墨烯和Ag（111）表面上的磁性Mn 2 H复合物。我们发现，所提出的隧道模型是25倍的速度比Barclay方法的计算时间，同时保持良好的协议。我们的研究结果表明，针尖的电子结构有相当大的影响STM图像，和Tersoff-Hamann模型并不总是提供足够的结果，鉴于量子干涉效应。对于这两个研究的表面，我们强调的重要性，s和pz尖端轨道之间的干扰，可以导致一个显着的对比度变化的STM图像。
2015-03-31 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.comp-ph
Impact of Electrostatic Doping Level on the Dissipative Transport in Graphene Nanoribbons Tunnel Field-Effect Transistors
采用量子微扰理论（QPT）和扩展最低阶展开（XLOE）方法研究了静电掺杂对扶手椅型GNR-TFET耗散输运的影响。结果表明，GNR-TFET的源极和漏极侧的掺杂水平对声子对载流子输运过程的贡献有显着的影响。不同于在其他类似的研究中，声子被认为有一个恒定的不利影响的ION/IOFF比和亚阈值摆动（SS）的TFET器件由于声子吸收辅助隧穿，我们表明，通过适当的工程的掺杂水平的源极和漏极，声子吸收辅助隧穿可以有效地抑制。我们还表明，随着温度的升高，器件的开关性能恶化的弹道和耗散输运制度，并存在一个依赖于温度的临界掺杂水平，该设备具有最佳的开关行为。
2019-06-04 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.comp-ph
Tunneling-tip-induced collapse of the charge gap in the excitonic insulator Ta$_2$NiSe$_5$
用外手柄调谐多体电子相位在凝聚态科学中具有重要的基础和实际意义。可调性反映了潜在的相互作用，并且可以在相变的关键区域预期对微小外部刺激的巨大电、光和磁响应。激子绝缘体是相互作用电子的奇异相之一，由少量和相等数量的电子和空穴之间的库仑吸引产生，导致在窄隙半导体/半金属中自发形成激子对。最近讨论了层状硫族化合物Ta $_2$ NiSe $_5$作为这样的激子绝缘体，其在$T_c$ = 328 K以下具有约250 meV的激发间隙。在这里，我们证明了一个激烈的崩溃的激发间隙在Ta $_2$ NiSe $_5$和实现的零间隙状态通过移动的低温扫描隧道显微镜的尖端朝向样品表面由几埃。这种塌陷强烈地表明了Ta $_2$ NiSe $_5$绝缘态中的间隙的多体性质，与激子态的形成一致。我们认为，崩溃的间隙主要是由静电电荷积累在表面诱导的尖端附近和由此产生的载流子掺杂的激子绝缘体驱动。我们的研究结果建立了一个新的相变函数的基础上激子绝缘体。
2021-05-14 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Direct observation of interfacial exchange coupling in a magnetic tunnel junction through spin-polarized quasiparticle interference
Fudan University（复旦大学）；Hefei National Laboratory（合肥国家实验室）；Shanghai Research Center for Quantum Sciences（上海量子科学研究中心）；Zhejiang Normal University（浙江师范大学）
利用自旋极化扫描隧道显微镜和准粒子干涉，直接观测了Fe涂层针尖与Cr(001)表面形成的磁性隧道结中的界面交换耦合，发现铁磁针尖引起Cr(001)自旋极化表面态显著能量位移（高达10 meV），且该位移对针尖-表面距离和自旋排列高度敏感。
2026-06-27 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Charge confinement and Klein tunneling from doping graphene
在目前的工作中，我们研究了石墨烯中的结构缺陷如何改变其输运性质。特别是，我们发现，打破了亚晶格对称性的石墨烯单层克服了克莱因效应，导致无质量狄拉克费米子的受限状态。在实验上，这对应于外来原子与碳原子的化学键合，碳原子将自己附着在两个子晶格中的一个上的优先位置。此外，我们考虑散射的张量障碍，它描述了一个给定的区域的蜂窝状细胞围绕垂直于石墨烯层的轴的旋转。我们证明，在这种情况下，狄拉克点之间的谷间混合出现，克莱因隧穿发生。
2012-02-14 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci hep-th
Design of P-Type Cladding Layers for Tunnel-Injected UVA Light Emitting Diodes
我们讨论了工程的p-AlGaN覆层实现高效的隧道注入三族氮化物紫外发光二极管（UV LED）在UV-A光谱范围。我们表明，电容-电压测量可以用来估计位于多量子阱区域和隧道结层之间的p-AlGaN层中的补偿和掺杂。通过增加p型掺杂浓度来克服背景补偿，隧道注入紫外发光二极管的片上外量子效率和壁插效率分别达到3.37%和1.62%。我们还表明，带间隧穿空穴注入可以用来实现紫外发光二极管没有任何受体掺杂。本文的工作为AlGaN基紫外发光二极管的空穴掺杂和输运提供了新的认识，并展示了隧道注入发光二极管在UV-A波长范围内的优异性能。
2016-08-17 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.ins-det
The energy resolution function of a tunnel junction
在扫描隧道显微镜中，探针与样品之间的隧道结是通过微分电导测量样品局域态密度的理想平台。我们表明，可以获得的能量分辨率主要是有限的电磁相互作用的隧道电子与周围的环境阻抗，以及电容噪声的结。调整对环境阻抗的灵敏度的参数是隧道结的电容。结电容越高，隧道结对环境越不敏感，从而导致更好的能量分辨率。在P（E）理论中对这种效应进行建模，P（E）函数描述了隧穿电子与环境交换能量的概率，并且可以被视为隧道结的分辨率函数。我们实验证明这种效果在扫描隧道显微镜与超导铝尖和超导铝样品在基础温度为15 mK，它是最明显的。
2015-10-28 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Scanning Tunneling Microscopy currents on locally disordered graphene
我们研究的局域态密度和周围的替代杂质，并使用这些结果来计算电流与偏压特性曲线的扫描隧道显微镜（STM）的实验在石墨烯表面上完成。这使我们能够检测石墨烯上取代杂质的存在。空缺的情况也进行了分析。我们发现，STM特征曲线的形状和幅度取决于尖端的位置和缺陷的性质，杂质和碳原子之间的结合强度起着重要的作用。尖端的最后一个原子的性质也对特性曲线的形状有影响。
2009-04-21 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
