Self-energy Effect of Superconducting Energy Gap in Point-Contact Spectra of MgB$_2$
在电子平均自由程短的强耦合超导体中，超导序参量中的自能效应对带隙能量以上的点接触谱的声子表现起主要作用。我们推导出渐近表达式的声子结构在镁$%_{2}$的情况下$eV\ggΔ$隧道，弹道，和扩散点接触，并表明这些表达式不仅定性，但也半定量地对应于测量的声子结构的点接触光谱的镁$_{2}$ c轴取向的薄膜的$π$带。
2003-11-06 cond-mat.supr-con
Reabsorption of nonequilibrium phonons at superconducting point contacts
当偏离不等式$d\ll {{l}_{\varepsilon }}$（$d$是接触直径，而${{l}_{\varepsilon }}$是电子的能量弛豫长度）时，在特征声子能量下的$S-c-N$接触的电流-电压特性上产生结构特征，这是因为由于接触附近具有低群速度的非平衡声子的积累而导致$Δ$减小。
2016-02-13 cond-mat.supr-con
Investigation of Superconducting Gap Structure in TbFeAsO$_{0.9}$F$_{0.1}$ using Point Contact Andreev Reflection
用点接触Andreev反射光谱法测量了TbFeAsO $_{0.9}$ F $_{0.1}$（T $_{c}$（on）= 50 K）的体样品。光谱显示明确的证据，多个间隙样功能加上存在高偏差的肩膀。通过测量光谱作为温度的函数与金和超导铌尖，我们建立了间隙的功能与超导序参量在这种材料。我们讨论是否定义明确的零偏置电导峰，我们很少观察到的是与节点超导序参量。
2009-03-20 cond-mat.supr-con
Superconducting Sweet-Spot in Microcrystalline Graphite Revealed by Point-Contact Spectroscopy
在这封信中，我们描述了一个磁场相关的电子间隙，暗示局部超导，在微晶石墨的点接触光谱的观察。在$1.8\,\mathrm{K}$的温度下使用蚀刻的铝尖端进行磁场依赖的点接触光谱。在零场下，观察到微分电导中的间隙结构，示出$Δ= 4.2\,\mathrm{meV}$的间隙。在施加高达$500\,\mathrm{mT}$的磁场时，这个间隙逐渐闭合，这符合金兹伯格和朗道对完全磁通穿透超导体的理论预测。应用BCS理论，推导出$14\,\mathrm{K}$的临界超导温度。
2018-03-31 cond-mat.supr-con
Superconducting energy gap distribution of MgB$_2$ investigated by point-contact spectroscopy
我们对二元超导体MgB $_2$进行了点接触光谱研究。差分电导显示间隙相关的结构，其在宽度和位置上从接触到接触变化。能隙的分布在1.7和7 meV附近显示出明显的积累，这与在MgB $_2$中出现小的和大的能隙有关。而随着$T$的增加，与小间隙相关的$dI/dV$中的结构一直存在到$T_C$，在磁场中，它被抑制到远低于$B_{c2}$。
2001-06-20 cond-mat.supr-con
Non-monotonic behaviour of the superconducting order parameter in Nb/PdNi bilayers observed through point contact spectroscopy
点接触光谱测量已进行Nb/PdNi双层膜，其中Nb层的厚度，dNb，保持恒定为40 nm，而PdNi的厚度，dPdNi，从2 nm到9 nm的变化。在dV/dI与V的关系曲线中观察到了与铁磁体中感应的超导能隙有关的特征。这些结构表现出作为dPdNi的函数的非单调行为，作为铁磁层中超导序参量的阻尼振荡行为的结果。
2012-07-08 cond-mat.supr-con
A low energy muon spin rotation and point contact tunneling study of niobium films prepared for superconducting cavities
用点接触隧穿（PCT）和低能μ子自旋旋转（LE-muSR）方法研究了用二极管、直流磁控管（dcMS）和HIPIMS等不同制备方法在铜衬底上沉积的微米厚铌膜的表面超导特性。结合的结果进行了比较，射频测试性能的RF腔用相同的工艺。表面超导性质的降低会导致较低的品质因数和较强的Q斜率。此外，这两种技术发现的证据，表面顺磁性的所有样品，特别是对铌薄膜制备的HIPIMS。
2017-11-23 cond-mat.supr-con
Study of the new superconducting compound Zr0.97V0.03B2 with point-contact spectroscopy
本文用点接触光谱法研究了Zr_（0：97）V_（0：03）B_2单晶的超导能隙。我们测定了能隙的大小及其随温度的变化，化合物的转变温度发生在Tc = 9.3 K。在1.7 ~ 20 K温度范围内测量了点接触结。用Blonder-Tinkham-Klapwijk模型分析了微分电导随偏压的变化，并与BCS理论进行了比较，结果表明2Δ（0）/KBTC为8.95量级，说明存在很强的耦合极限。
2015-05-28 cond-mat.supr-con
Critical current density in the superconducting ceramic $\rm La_{1.8}Sr_{0.2}CuO_4$ in S-c-N point contacts
测量点接触的电流-电压特性可以研究超导陶瓷中单个微晶的特性。在陶瓷$\rm La_{1.8}Sr_{0.2}CuO_4$的超导区域的临界电流密度，具有几十埃的数量级，被发现达到值$10^8\ A/cm^2$，这是相同的数量级的成对断开电流密度，从超导的标准理论的公式评估。
2017-03-28 cond-mat.supr-con
Point-contact spectra of $2H-NbS{{e}_{2}}$ in the superconducting state
本文用点接触光谱法对超导态下$2H-NbS{{e}_{2}}$的电子-声子相互作用谱进行了定性研究。各向异性的EPI光谱的接触取向的主要结晶方向（沿$c$轴和平行于基底表面）进行了观察。在声子态密度的主要功能的位置的近似值建立了两个方向。在光谱中观察到的额外的低频峰与电荷密度波的振幅和相位的集体振荡有关。
2016-03-08 cond-mat.supr-con
Probing the Order Parameter of Superconducting LiFeAs using Pb/LiFeAs and Au/LiFeAs Point-Contact Spectroscopy
为了研究LiFeAs超导体的超导序参量的性质，我们在高质量的LiFeAs单晶和Pb或Au尖端之间制备了c轴点接触结。用常规s波超导体作反电极的c轴结中约瑟夫森电流的观测表明，LiFeAs中的对对称性不是纯d波或纯自旋三重态p波。在Pb/LiFeAs和Au/LiFeAs结上进行的点接触Andreev反射测量中，都清楚地观察到了一个超导能隙。电导谱可以很好地用带有寿命展宽项的Blonder-Tinkham-Klapwijk模型描述，得到能隙值为\approx 1.6 meV（2Δ/kBTC \approx 2.2）。
2012-04-05 cond-mat.supr-con
Andreev-reflection and Point-Contact Spectroscopy of Superconducting Rare Earth Transition Metal Borocarbides
用Andreev反射谱测量了正常金属-超导体点接触中的超导能隙和准粒子态密度。它被发现，无论是在顺磁和反铁磁有序状态（Tm-和Dy-化合物）的DOS具有BCS样的形式，而在Er-的浸渍在Neel温度下观察到的间隙的温度依赖性。在Ho化合物中，在沿a轴和c轴存在无公度自旋密度波的温度区，观察到非BCS形式的DOS。对这些化合物进行的非弹性点接触光谱表明，低频声子是重要的超导态，它与磁超导体中的磁激发分支强烈混合。
2000-08-02 cond-mat.supr-con
The pressure-enhanced superconducting phase of Sr$_x$-Bi$_2$Se$_3$ probed by hard point contact spectroscopy
拓扑绝缘体在金属离子嵌入或高压作用下形成的超导体系是研究拓扑超导性的理想材料。在这种情况下，Sr插层的Bi $_2$ Se $_3$是特别有趣的，因为它显示出压力诱导的再入超导性，其中高压相显示出比环境超导相（$T_C\sim$ 2.9 K）几乎高两倍的$T_c$。有趣的是，与环境相不同，压力诱导超导相显示出非常规超导性的强烈迹象。然而，由于压力引起的阶段仍然无法获得光谱技术，该阶段的详细研究仍然是一个未实现的目标。在这里，我们表明，高压相可以实现下的介观点接触，其中传输光谱可以用来探测压力诱导相的光谱特性。我们发现高压相上的点接触结对磁场有异常的响应，支持了非常规超导的可能性。
2020-06-17 cond-mat.supr-con
Point-contact measurements of the energy gap of lead-chalcogenide-based superconducting superlattices
本文首次用点接触法分析了超导$PbTe-PbS$半导体超晶格的能隙，在低于临界温度$T_{c}=3.9~K$和涨落区$T>T_{c}$ .间隙的大小及其对温度和场的依赖性由超晶格内部点接触的位置决定。\pacs {73.40.Jn，74.25.Kc，74.45.+ c，74.50。r.，73.40.- c，74.78。w，74.78.Fk，74.20.Mn，74.40.+ k.- n，74.45。+ c、74.62.Dn、74.70.Ad
2017-01-09 cond-mat.supr-con
Inelastic electron-phonon scattering and excess current in superconducting point contacts with a short coherence length
本文讨论了超导S-c-S接触中的非线性电学效应，包括电子-声子相互作用（EPI）的光谱，以及从实验数据中恢复EPI函数的方法。研究了磁场对含$d\ge ξ$（其中$d$为点接触的直径，$ξ$为相干长度）的ErNi_2B_2C点接触的电流-电压特性（I-V曲线）及其导数的影响。结果表明，在零磁场和近临界磁场下，当超导能隙的大小可以忽略时，$dV/dI$谱峰的位置与Yanson EPI谱峰的位置一致。在低场，峰向较低能量移动，在中场，峰分裂。对于直径大于或在相干长度的顺序的PC，负声子贡献的过剩电流的相对大小是相当大的比在弹道接触。这导致超导态的频谱中的高频峰的实质性抑制。为了从这些光谱中恢复EPI函数，有必要在高能量下校正它们的强度。对于“脏”的NbSe_2和Nb与$d\ge ξ$的点接触，在正常态下的I-V曲线的二阶导数中没有声子特征，EPI可以从超导态重构。
2015-12-13 cond-mat.supr-con
Contactless estimation of critical current density in thin superconducting films and its temperature dependence using ac magnetic measurements
我们测量了第二代高温超导体YBa_2Cu_3Ox丝和Nb薄膜在垂直交流磁场中的磁响应随温度的变化。我们比较实验复杂的交流磁化率计算的磁化率的基础上的模型Bean的临界状态响应在二维（2D）盘在垂直场。为了将模型与实验数据进行比较，需要进行谐波分析。提出了一种模型与实验敏感度的联系方法。实验磁化率与模型磁化率的2D磁盘允许非接触估计临界脱钉电流密度和它的温度依赖性的良好协议。
2010-09-06 cond-mat.supr-con
Point-contact spectroscopy of superconducting YBaCuO single crystals of tetragonal modification
本文研究了不同温度下四元$\rm YBa_2Cu_3O_{7-δ}$与$T_c=50-60~K$的点接触光谱。确定了单电子能量（$2Δ_0/kT_c\simeq 17$）及其温度依赖性。在这种高$T_c$中与传导电子相互作用的准粒子激发的特征能量。发现超导体与特征声子能量相关。发现在临界温度附近存在随温度升高而增大的电子对能隙。
2017-02-02 cond-mat.supr-con
Spectroscopy of electron-phonon interaction of superconducting point contacts: experimental aspects
本文研究了点接触电流-电压曲线（$I-V$曲线）的附加非线性对电子-声子相互作用（EPI）函数的恢复过程。所提出的方法考虑到两个非弹性散射，这会导致抑制过剩的电流在重吸收的非平衡声子的电子进行Andreev反射（Andreev电子），和弹性过程与电子-声子重整化的能谱在超导体。所得到的结果进行了系统阐述的弹道接触，其中在正常状态下的$I-V$曲线的二阶导数是成比例的EPI功能，和非均匀的接触（与肮脏的收缩和清洁银行），其二阶导数在正常状态下是自由的声子奇异性或弱发音。
2021-09-02 cond-mat.supr-con
Point-Contact Spectroscopy of Superconductors
点接触光谱，在隧道光谱相反，认为直接导电性的小电接触。在正常状态下，它使人们能够测量电子-玻色子相互作用的光谱函数。在超导状态下，出现了与过剩电流的能量相关性有关的新特征。电流-电压特性的非线性是由于：i）电子准粒子在接触区的非弹性散射; ii）超导能隙的能量依赖性; iii）非平衡超导效应。从实验的角度对这些效应进行了讨论
2000-08-08 cond-mat.supr-con
A Point-Contact Study of the Superconducting Gaps in Al-Substituted and C-Substituted MgB_2 Single Crystals
本文介绍了苏黎世联邦理工学院生产的最新技术水平的Mg_{1-x} Al_xB_2和Mg（B_{1-y} C_{y}）_2单晶的定向点接触光谱的结果。拟合我们的点接触，总是具有Andreev反射结构的电导曲线，我们得到的间隙振幅的掺杂依赖性。与其他实验结果和相关的理论预测的结果进行了讨论。我们的结论是，在x > 0.09的Al取代的晶体的物理学可能是由相分离，而C取代的晶体意外地显示出掺杂诱导的转变为单能隙超导性在y=0.132。
2004-07-10 cond-mat.supr-con
MiTMoJCo: Microscopic Tunneling Model for Josephson Contacts
MiTMoJCo（Microscopic Tunneling Model for Josephson Contacts）是一个基于微观隧穿理论的超导约瑟夫森接触模型的C语言程序。该代码提供了一个计算要求高的部分，这一计算，即评估超导对和准粒子隧道电流从给定的隧道电流幅度（TCAs）的结材料的特征。MiTMoJCo提供了一个用于常用Nb-AlOx-Nb和Nb-AlN-NbN结的预先计算的TCA库，一个用于开发定制TCA的Python模块，用于提取正弦信号恒定分量的补充最佳滤波模块以及超导约瑟夫森接触的几种常见情况的建模示例。
2018-09-12 cond-mat.supr-con
Point-contact spectroscopy of superconducting energy gap in $\rm DyNi_2B_2C$
本文用基于Andreev反射的点接触方法研究了$\rm DyNi_2B_2C$中的超导能隙。所观察到的微分电阻$dV/dI$由基于具有零加宽参数的BSC态密度的Blonder-Tinkham-Klapwijk（BTK）理论很好地描述。通常，间隙结构的强度相当于正常状态电阻的几个百分比，这比理论预测的小一个数量级。对于$\rm DyNi_2B_2C$与$T_c<T_N$（尼尔温度），我们发现间隙值满足$2Δ_0/k_BT_c=3.63\pm 0.05$的比例类似于其他超导镍硼碳化物，与$T_c\geq T_N$的超导和磁性。超导带隙非线性叠加在$dV/dI(V)$的反铁磁结构上，在$ab$ -平面和温度$\geq 11~K$中名义上施加的3 T量级的磁场下，$dV/dI(V)$的反铁磁结构被抑制。观察到的超导特性取决于晶体表面的确切成分和结构。
2017-02-19 cond-mat.supr-con
Point contact spectroscopy in the superconducting and normal state of $\mathrm{NaFe_{1-\textit{x}}Co_\textit{x}As}$
我们用点接触光谱法研究了含$\rm{\textit{x} = 0, 0.02, 0.06}$的铁基超导体$\rm{NaFe_{1-\textit{x}}Co_{\textit{x}}As}$的超导和正常态性质。Andreev谱对应于多个超导间隙中检测到的超导相。对于$\rm{\textit{x} = 0.02}$，一个广泛的电导增强零偏置电压附近检测到在正常和超导相。$\rm{\textit{x} = 0.06}$样品中不存在此类特征。我们怀疑这种增强是由轨道波动引起的，如先前在欠掺杂的$\rm{Ba(Fe_{1-\textit{x}}Co_\textit{x})_2As_2}$中检测到的（Phys.Rev.B85，214515（2012））。有时，超导相显示出明显的非对称电导特征，而不是Andreev反射。我们讨论了这一特点的可能起源。NaFeAs（母体化合物）生长的两种不同的技术进行了探讨。熔体生长的NaFeAs显示出正常状态的电导增强。另一方面，在低温下，助熔剂生长的NaFeAs在零偏压下的电导急剧下降。这些化合物在空气中非常活跃，不同的光谱可能反映了它们不同的氧化和纯度水平。
2014-05-31 cond-mat.supr-con
Contact resistance of various metallisation schemes to superconducting boron doped diamond between 1.9 and 300 K
金刚石是一种在许多设备应用中具有潜力的材料。特别是，高硼掺杂金刚石因其超导电性和高杨氏模量而具有吸引力。制造稳定、低电阻的欧姆接触对于确保适当的器件功能是必不可少的。先前的工作已经建立了在室温和更高温度下形成与金刚石的合适接触的几种方法的功效，包括碳化物形成和碳可溶金属化方案。在此，几种接触方案（Ti，Cr，Mo，Ta和Pd）的稳定性，以高度硼掺杂的纳米晶金刚石被验证到低温下与修改的传输线模型（TLM）测量。虽然所有的接触方案保持欧姆，一个显着的温度依赖性，注意到在Tc和在最低温度下的接触电阻范围从Ti/Pt/Au与${(8.83 \pm 0.10)\times 10^{-4} \:Ω.cm}$到Ta/Pt/Au与${(8.07 \pm 0.62) \times 10^{-6} \:Ω.cm}$。
2021-05-06 cond-mat.supr-con
Spectroscopy of phonons in dirty superconducting contacts
研究了超导铌点接触在特征声子频率量级电压下的电流-电压特性的非线性。结果表明，在限制由脏接触${{l}_{1}}\ll d$，（${{l}_{1}}$是动量平均自由电子路径），功能上观察到IVC对应于最大值的第一或第二衍生物，并位于接近的特征声子能量的能量。这些特征是由于过量电流的能量依赖性，因为正常状态下IVC的非线性在绝对幅度上小几倍，并且其二阶导数是单调的。对于几十埃量级的接触直径$d$（接触电阻为100 $Ω$量级），热效应可以忽略。假设在收缩区域中，系统的特征长度满足关系式$ξ\gtrsim d>{{Λ}_{\varepsilon }}$（${{Λ}_{\varepsilon }}$是电子能量弛豫的扩散长度，$ξ$是相干长度），这使得能量相差$eV$（$V$是接触两端的电压降）的电子对化学势之间的非弹性跃迁成为可能。
2016-04-26 cond-mat.supr-con
Point-contact study of the LuNi2B2C borocarbide superconducting film
我们提出的点接触（PC）Andreev反射测量超导外延c轴取向的硼碳化镍膜LuNi 2B 2C（Tc=15.9 K）。在单能隙方法中发现超导能隙的平均值为2.6 +/-0.2 meV，而双能隙方法的结果为2.14+/-0.36 meV和3.0+/-0.27 meV。用双能隙方法得到的LuNi_2B_2C- Cu PC的Andreev反射谱的较好拟合为LuNi_2B_2C的多带超导性提供了证据。首次测量了该化合物的PC电子-声子相互作用（EPI）谱。它们在8.5+/-0.4meV处表现出明显的声子最大值，在15.8+/-0.6meV处表现出第二个浅的声子最大值。从PC EPI谱估计的电子-声子耦合常数被证明是小的（~ 0.1），像在其他超导稀土镍硼碳化物。可能的原因进行了讨论。
2010-09-30 cond-mat.supr-con
Superconducting energy gap in MgCNi3 single crystals: Point-contact spectroscopy and specific-heat measurements
用高灵敏度的交流微量热法对Tc ~ 7 K的MgCNi_3单晶进行了低至600 mK、高至8 Tesla的比热测量。低温下电子比热的指数衰减证明了超导能隙在整个费米面上是完全开放的，这与我们以前对相同晶体的磁穿透深度测量一致。比热数据分析一致显示了强耦合强度2D/kTc ~ 4。通过点接触光谱的直接间隙测量支持这种情况。此外，光谱测量表明，在样品表面的临界温度的下降占观察到的差异，超流密度推导出由不同的技术测量。
2011-05-05 cond-mat.supr-con
The structure of the superconducting gap in MgB2 from point-contact spectroscopy
我们用金针尖点接触光谱法研究了MgB_2薄膜的超导能隙结构。该薄膜是通过在蓝宝石衬底上沉积纯硼，使用电子束蒸发，然后与镁蒸气反应来生产的。该膜具有38.6 ± 0.3K的Tc和在40 K下约20微欧姆cm的电阻率。点接触谱直接证明了MgB_2中存在多值序参量，在4.2K时，能隙有两个不同的值，Δ 1 =2.3 ± 0.3meV，Δ 2 =6.2 ± 0.7meV。的Blonder-Tinkham-Klapwijk模型的光谱分析表明，这两个差距同时关闭在Tc的膜。可能的机制，可以解释的内在共存的两个值的差距进行了讨论。
2001-10-15 cond-mat.supr-con
Spectral flow in superconducting point contacts
我们发现，多个Andreev反射介导的超导点接触中的运输强烈的影响，少量的杂质在该地区的接触。我们还认为，在独立的导电通道内的齐纳转换的基础上的模型是不适合多通道接触的动力学过程。
2003-01-22 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Different approaches to generate matching effects using arrays in contact with superconducting films
与非超导规则阵列接触的超导薄膜在涡旋晶格和钉扎阵列的单胞之间可以表现出可折叠性效应。这些匹配效应使涡流减慢，相应的耗散减少。超导样品是生长在Si衬底上的Nb薄膜。我们已经研究了这些匹配效果与阵列的顶部，嵌入或线程的Nb超导薄膜，并使用不同的材料（Si，Cu，Ni，Py点和点与Co/Pd多层膜制造）。这些混合动力车允许研究不同的钉扎电位的匹配效果的贡献。主要调查结果如下：i）在超导膜中诱导的周期性粗糙度足以产生电阻率最小值; ii）通过周期性磁场势的磁钉扎来实现较小的影响，周期性磁场势是由在超导膜顶部生长的具有面外磁化的点获得的，iii）在嵌入膜中的磁点阵列的情况下，涡流探测磁状态;即磁阻测量检测非常小的纳米磁体的磁状态。此外，我们还研究了局域有序在可解释性效应中所起的作用。这是使用模拟近晶晶体的阵列实现的。我们发现，维护地方秩序至关重要。如果局部有序不被保持，则磁阻极小值消失。
2017-01-03 cond-mat.supr-con
The superconducting gaps in FeSe studied by soft point-contact Andreev reflection spectroscopy
用点接触安德烈耶夫反射光谱法研究了FeSe单晶。测量了点接触的微分电阻dV/dI（V）中的超导能隙特征，如Andreev反射双极小结构特征随温度和磁场的变化。在扩展的双能隙Blonder-Tinkham-Klapwijk模型中分析dV/dI可以同时提取超导能隙的温度和磁场依赖性。这两个间隙的温度依赖性接近于标准BCS行为。值得注意的是，双极小结构的大小逐渐消失的磁场，而最小的位置只有轻微的移动，表明一个微弱的减少超导间隙。分析25个点接触的dV/dI（V）谱，对于大（L）和小（S）间隙，平均间隙值分别为<Delta_L>= 1.8+/-0.4meV和<Delta_S>=1.0+/-0.2meV和2<Delta_L>/kTc=4.2+/-0.9和2<Delta_S>/kTc=2.3+/-0.5。此外，小间隙的贡献被发现是在百分之几十内减少与温度和磁场。在dV/dI光谱中没有观察到任何特征，证明了无带隙超导性或存在更小的带隙。
2017-09-04 cond-mat.supr-con
Quasiclassical description of transport through superconducting contacts
我们提出了一个理论研究的基础上，通过超导接触的边界条件，模仿准经典理论的超导界面的新配方的输运性质。这些边界条件是基于一个简单的哈密顿方面的接口的描述。我们展示了如何将这种哈密顿描述通过T矩阵方程纳入准经典理论，通过在开始时整合出不相关的能量尺度。由此产生的边界条件再现传统的准经典边界条件，或基于散射方法的边界条件所获得的结果。这种形式主义是非常适合于磁活性界面的分析，以及用于计算时间相关的属性，如电流-电压特性或作为任意传输和偏置电压的结中的电流波动。这种方法说明了约瑟夫森电流通过各种超导结，从传统的d波超导体的计算，并通过铁磁纳米粒子的超电流的分析。电流-电压特性和噪声的计算适用于两个d波超导体之间的接触的情况。特别是，我们讨论了使用散粒噪声的测量电荷转移在d波超导体中的多次Andreev反射。
2001-01-14 cond-mat.supr-con
Proximity-effect-induced Superconducting Gap in Topological Surface States - A Point Contact Spectroscopy Study of NbSe2/Bi2Se3 Superconductor-Topological Insulator Heterostructures
研究了在超导NbSe 2单晶上外延生长的拓扑绝缘体Bi 2 Se 3薄膜的邻近效应诱导超导电性。在低至40 mK的低温下使用点接触光谱法（PCS）。在光谱中观察到一个诱导的超导能隙在Bi 2Se 3中，随着Bi 2Se 3层厚度的增加而减小，与NbSe 2诱导的Bi 2Se 3体态中的邻近效应一致。在很低的温度下，一个额外的点接触的特点，这可能对应于第二个能隙出现在光谱中。对于NbSe 2上的16层五重层Bi 2Se 3样品，在40 mK下，顶面附近的体态能隙值为~ 159 μeV，而第二能隙值为~ 120 μeV。第二间隙值随着Bi 2Se 3层厚度的增加而减小，但是对于不同的Bi 2Se 3厚度，第二间隙与体态间隙之间的比率保持大致相同。这可能是由于Bi 2Se 3拓扑表面态通过体态诱导的超导性。PCS测量中的两个诱导能隙与角分辨光电子能谱（ARPES）测量中观察到的三维体态和二维表面态超导能隙一致。
2017-08-03 cond-mat.supr-con
Point-contact Andreev reflection spectroscopy of candidate topological superconductor Cu0.25Bi2Se3
我们进行点接触Andreev反射光谱研究的拓扑超导材料，Cu0.25Bi2Se3，在弹道制度使用正常金属金尖。我们观察到不同的点接触光谱上的超导和非超导区域的晶体表面：前者显示出显着的零偏置电导峰，非常规的超导性的指示，而后者表现出赝间隙的功能。在这两种情况下，测得的微分电导谱表现出大的线性背景，防止直接定量与理论比较。我们将此背景归因于针尖-样品界面处的非弹性散射，并将扣除背景的光谱与单带p波模型进行比较。
2012-10-22 cond-mat.supr-con
Evidence for two superconducting energy gaps in MgB2 by point-contact spectroscopy
实验结果支持了最近发现的MgB_2超导体系的多带模型，其超导转变温度为Tc = 39 K。通过Andreev反射的方法，得到了两个不同的超导能隙的证据。两个能隙的大小（Δ S = 2.8 meV和Δ L = 7 meV）分别小于和大于预期的弱耦合值。由于光谱的温度拖尾效应，这两个能隙在高温下很难区分，但当施加磁场时，在原始数据中可以证明两个能隙的存在接近于体相T_c。
2001-08-20 cond-mat.supr-con
Fluctuations of the Josephson current and electron-electron interactions in superconducting weak links
本文导出了具有任意传输分布导电沟道的超导接触的微观有效作用量。只要约瑟夫森相位的波动仍然足够小，我们的形式主义允许充分描述在这样的系统中的波动和相互作用的影响。作为比较研究的隧道极限，我们的分析产生了一些定性的新的功能，发生由于亚间隙Andreev束缚态的存在下，在系统中。我们研究了超导接触中的平衡超导电流噪声，并计算了电子-电子相互作用对超导接触中约瑟夫森电流的修正。在T=0时，对于完全透明的接触，发现该校正消失，表明在该极限下不存在库仑效应。
2010-04-18 cond-mat.supr-con
Superconducting gap and pair breaking in CeRu2 studied by point contacts
用点接触法研究了CeRu $_{2}$单晶的超导能隙。在T $_{c}^{*}<$ T $_{c}$以下的温度范围内，建立了带隙$Δ$的BCS样行为，其中T $_{c}$是临界温度，表明存在无带隙超导区（在T $_{c}^{*}$和T $_{c}$之间）。顺磁性杂质的成对断裂效应，推测Ce离子，被考虑使用基于Abrikosov-Gorkov理论的Scalski-Betbeder-Matibet-Weiss方法。它使我们能够重新计算超导序参数$Δ^α $（在顺磁杂质的存在下）和间隙$Δ^{P}$（在纯的情况下）的单晶和以前研究的多晶CeRu $_{2}$。在这两种情况下都发现了2 $Δ^{P}$（0）$ \approx $ 2 meV，2 $Δ^{P}$（0）$/$ k $_{B}$ T $_{c} \approx $ 3.75，表明CeRu $_{2}$是一种“中等”强耦合超导体。
2001-07-05 cond-mat.supr-con
Point Contact Spectroscopy of Superconducting Gap Anisotropy in Nickel Borocarbide Compound LuNi2B2C
用点接触法研究了LuNi_2B_2C超导能隙在ab平面和c轴方向上的各向异性。结果表明，在描述实验曲线时，应假定超导能隙在费米面上呈非均匀分布。最大和最小的间隙已估计的两个间隙拟合模型。据发现，在c方向上的点接触电导率的最大贡献是由一个较小的间隙，并在ab平面由一个较大的间隙。从单间隙BCS模型的偏差是明显的在两个方向上的间隙的温度依赖性。发生偏差的温度范围对于c方向比在ab平面中大大约1.5倍。在c方向上的Γ参数也比在ab平面中的大约1.5倍，从而允许通过单能隙拟合定量地估计能隙各向异性。由于单能隙模型或双能隙模型都不能满意地描述这种能隙分布，因此应采用费米面上能隙分布的连续双极大值模型来描述这种材料的超导电性。
2004-12-13 cond-mat.supr-con
Superconducting gap and electron-phonon interaction in MgB$_2$ thin film studied by point contacts
用点接触法研究了MgBPDMATHABMM c轴取向薄膜的超导序参量和电子-声子相互作用。建立了两个超导带隙$Δ_{Small}\approx 2.6$ meV和$Δ_{Large}\approx 7.4$ meV，它们与理论带隙比1：3相当吻合。沿c轴重建的PC EPI函数与声子DOS具有30 meV以上的相似性，而在20 meV左右的显著最大值被解决，指出低频声子模式对配对可能是重要的。我们估算了MgBPDMATHABMP中的费米速度约为5 $\times 10^7$ cm/s。
2001-11-20 cond-mat.supr-con
Ballistic Transport and Andreev Resonances in Nb-In Superconducting Contacts to InAs and LTG-GaAs
我们已经形成了超导接触，其中从厚In层入射的库珀对必须穿过薄Nb层到达半导体，InAs或低温生长（LTG）GaAs。通过改变In的临界温度的温度，可以看到穿过Nb层的对隧穿效应。几个In/Nb-InAs器件在零偏置电压附近的微分电导中显示出峰值，这是穿过NS界面的弹道输运的有力证据。In/Nb-（LTG）GaAs材料体系的微分电导呈现McMillan-Rowell型电导共振。这些共振能级存在于能隙内的导电态带内，该能隙是在生长过程中由过量的As掺入（LTG）GaAs形成的。在这个状态带中传播的电子在超导体和GaAs导带中的势垒之间多次反射，形成电导共振。微分电导的散射态理论，包括Andreev反射从复合In/Nb接触，占数据中的大多数定性功能。
1999-04-15 cond-mat.supr-con
Andreev Reflection and Long-Range Proximity Effect in Pb/LaCaMnO Point Contacts
用Andreev反射谱研究了低温超导体Pb和半金属铁磁材料La_（0.65）Ca_（0.35）MnO_3（LCMO）接触中超导配对和铁磁关联的相互影响。观察到两种不同的AR谱。在没有邻近效应的接触中，AR谱揭示了超导体/自旋极化金属接触的典型行为。在接触中，我们区分为邻近影响的，一些不寻常的影响已被检测到。也就是说，我们观察到：（i）在Pb超导性开始时接触的电阻的惊人下降;（ii）典型的S/正常重金属接触，过量电流和正常态电导的加倍;以及（iii）比常规超导性大得多的单粒子间隙与Pb超导转变温度的比率。我们观察到的邻近影响接触的非常明显的AR特征表明S/LCMO界面处存在非常规（三重态）超导配对和长程邻近效应。
2005-11-16 cond-mat.supr-con
Josephson current carried by Andreev levels in superconducting quantum point contacts
本文综述了超导量子点接触中超导电流流过少量通道时的直流约瑟夫森效应。Andreev能级的中心作用被强调，它携带整个超导短对称约瑟夫森结，包括隧道结。一个简单直观的观点，在量子点接触的直流约瑟夫森效应给出了在多次安德烈耶夫反射。简要讨论了超导量子点接触中临界电流的量子化。
1998-11-05 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Superconducting TSV contact for cryoelectronic devices
本文研究铌穿透硅通孔超导互连的制造，提出顺序氧化与化学刻蚀超循环工艺，经12次循环显著改善TSV壁质量并消除扇形缺陷，实现临界电流密度5×10⁴ A/cm²、厚度孔径比3:1的电耦合。
2023-08-11 cond-mat.supr-con
Point-contact study of ReFeAs(1-x)Fx (Re=La, Sm) superconducting films
用点接触Andreev反射法测量了铁氧磷族化合物ReFeAsO_{1-x} F_x（Re=La，Sm）薄膜的超导能隙。能隙的值分布在2Δ \simeq 5-10 meV（Re=Sm）的范围内，在6 meV附近有一个最大值。能隙Δ（T）的温度依赖性可以通过BCS曲线很好地拟合，给出减小的能隙比2Δ/kT_c^* \simeq 3.5（这里T_c^* 是来自BCS拟合的临界温度）。同时，期望的第二较大间隙特征难以在AR谱上清楚地分辨，使得第二间隙检测的确定可靠性成问题。可能的原因，这和其他功能的起源，如明确的AR谱和电流制度在PC中的不对称进行了讨论。
2011-03-16 cond-mat.supr-con
Landauer Formula for a Superconducting Quantum Point Contact
我们推广Landauer公式来描述超导点接触中的耗散电子输运。有限温度，线性偏置，耗散直流电导表示在相位和能量相关的散射矩阵的Bogoliubov准粒子在量子点接触。导出的公式也适用于混合超导正常结构和正常接触，其中它同意的Andreev反射和正常状态电导的已知限制，分别。
2019-08-13 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Superconducting order parameter in nonmagnetic borocarbides RNi$_{2}$B$_{2}$C (R=Y, Lu) probed by point-contact Andreev reflection spectroscopy
本文报道了对硼碳化物LuNi $_2$ B $_2$ C和YNi $_2$ B $_2$ C超导序参量的测量。Andreev电导谱是从沿着三个主要晶体取向制备的单晶表面上的纳米级金属结获得的：[001]，[110]和[100]。由单间隙Blonder-Tinkham-Klapwijk模型提取的间隙值遵循BCS预测作为温度和磁场的函数，并且表现出小的各向异性。在两组不同的LuNi $_2$ B $_2$ C晶体和一组YNi $_2$ B $_2$ C晶体的所有测量中，这些观察结果是稳健的和可重复的。我们提出了可能的解释小间隙各向异性的基础上最近详细的间隙测量角分辨光电子能谱和隧道锥效应。我们的研究结果提供了一个一致的图片的超导能隙结构在这些材料中，解决的争议，特别是在点接触Andreev反射光谱的报告结果。
2010-04-22 cond-mat.supr-con
Resistively-shunted superconducting quantum point contacts
本文研究了有限温度下任意导电模数下连续分流弹道超导量子点接触的约瑟夫森动力学。与隧道结的经典约瑟夫森动力学相比，量子点接触动力学表现出与载流Andreev能级的占据波动引起的约瑟夫森势的时间波动相关的几个新特征。
1997-12-09 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Comment on "Perfect Andreev reflection due to the Klein paradox in a topological superconducting state (Nature \textbf{570}, 344 (2019))"
在最近的出版物中，Lee $et$ $al.$讨论了通过测量Andreev反射和尖锐的Pt-Ir尖端与SmB $_{6}$ /Yb $_{6}$异质结构之间的点接触结的低偏压电导加倍，Klein隧穿进入SmB $_{6}$的邻近诱导拓扑超导态的实验观察。然而，所提出的点接触数据的解释是相当模糊的，因为观察到的低偏置电导增强的一个因素2是不是特别的克莱因隧道到拓扑超导体。这种增强的电导可以观察到在所有类型的超导体和正常金属之间的点接触时，接触既不是在弹道，也不是在介观输运的扩散制度，但在耗散热制度。在Lee $et$ $al.$中提出的点接触的热状态是预期的，主要是因为预期的Sm B $_6$的电子平均自由程非常短--我们将在这里更详细地讨论这一点。
2019-07-17 cond-mat.supr-con
Point-contact spectroscopy of Al- and C-doped MgB2. Superconducting energy gaps and scattering studies
用点接触光谱研究了掺铝和掺碳的MgB $_2$的双带/双能隙超导电性。在$T_c's$低至22 K的所有样品中保留了两个间隙。两个间隙作为掺杂系统中的临界温度的函数的演变表明带填充效应的主导地位，但对于增加的Al掺杂，必须考虑接近两个间隙的增强的带间散射。Andreev反射过剩电流的磁场依赖性以及从实验数据确定的零能量密度的状态被用来分析带内散射。它示出，而C-掺杂增加带内散射的$π$带更迅速，然后在$σ$带，Al掺杂不改变它们的相对重量。
2006-04-13 cond-mat.supr-con
Superconducting atomic contacts inductively coupled to a microwave resonator
我们描述和表征的微波装置探测超导原子接触的Andreev水平。接触件是感应耦合到超导共面谐振器的超导回路的一部分。通过监测接近其谐振频率的谐振器反射系数作为通过回路的通量和第二音调的频率的函数，我们执行接触的高透射通道的两个Andreev水平之间的过渡的光谱学。结果表明，如何执行这些状态的相干操纵。
2014-09-29 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Phase-coherent heat circulators with normal- or superconducting contacts
我们调查热循环器中的一个相位相干区域是由三个正常或超导的引线接触。磁场以及潜在的超导相允许控制三个不同温度偏置接触之间的热流的优先方向。本研究的主要目标是分析非理想设备中的热循环要求，特别关注样品间的变化。一般来说，我们发现，只要只涉及几个传输通道的设备的循环性能是好的。我们比较了具有正常导电接触的环流器与具有超导接触的环流器的性能，发现环流系数基本上没有变化。
2020-11-19 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Is the `Finite Bias Anomaly' in planar GaAs-Superconductor junctons caused by point-contact like structures?
我们关联的超导铟接触AlGaAs/GaAs异质结的差分电导谱上进行的相同的异质结的透射电子显微镜（TEM）的图片。淀积在（100）AlGaAs/GaAs异质结构上的金属不形成平面接触，但在热退火期间，沿晶体平面向下生长到异质结构中，形成类似于“点接触”。随机的表面成核和生长导致每个超导点接触的不同界面传输。退火不同时间的样品，因此具有不同的接触几何形状，显示库珀对的弹道输运特性的$dI/dV$的变化，不同的点发射器之间的波干扰，以及不同类型的弱本地化校正Giaever隧道。我们给出了一个可能的机制，据此Poirier等人（Phys. Rev. Lett.，{ \bf 79}，2105（1997）），可以通过并联增加独立超导点发射体的电导而产生。
1999-04-16 cond-mat.supr-con
Superconducting Quantum Point Contacts
我们回顾了我们对金属电极，特别是超导电极之间原子接触的电子输运性质的实验。尽管不知道确切的原子构型，但这些最终的量子点接触可以被原位操纵和很好地表征。它们允许执行量子传输的散射理论的基本测试。特别是，我们讨论的约瑟夫森效应的情况下。
2012-01-23 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Analysis of nonlinear conductivity of point contacts on the base of FeSe in the normal and superconducting state
研究了FeSe单晶基底上点接触的非线性电导率。测得的dV/dI的依赖性证明了由降解表面引起的PC电导率的主要贡献。超导（SC）功能dV/dI像一个尖锐的零偏置最小值开发相对较低的欧姆PC，其中涉及的FeSe的深区域。dV/dI的分析表明，零偏置最小值的起源与PC电阻的麦克斯韦部分有关，这掩盖了能量依赖的光谱特性。即便如此，我们已经发现了dV/dI的特定特征-尖锐的边最大值，这可能与SC间隙有关，因为它们的位置遵循BCS温度依赖性。探索的dV/dI光谱的罕见事件与Andreev的结构，两个间隙与Δ = 2.5和3.5 meV的确定。
2015-10-30 cond-mat.supr-con
