Double Andreev reflections and double normal reflections in nodal-line semimetal-superconductor junctions
本文利用推广的Blonder-Tinkham-Klapwijk理论，系统地研究了半金属超导结中的散射过程和电导谱。发现了奇异的四重反射共存现象，即镜面正反射、逆正反射、镜面Andreev反射和逆Andreev反射。的入射角依赖性和准粒子的能量依赖性的双重正常反射和双重Andreev反射的影响下的各种参数值，如界面势垒高度，化学势，和轨道耦合强度。研究发现，通过调节这些参数，可以控制反射波的出现和消失以及反射波的大小。从能带结构的角度详细分析了反射的散射机制。我们还研究了结的电导谱，结线和界面的取向关系显示出独特的特征和强烈的各向异性。在结中发现的独特的散射过程和电导谱有助于超导电子器件的设计和在实验上寻找材料中的节线。
2020-03-10 cond-mat.supr-con
Specular Andreev Reflection in Inversion-symmetric Weyl-semimetals
用有效双带模型研究了反转对称Weyl半金属中正常金属-超导体界面的电子-空穴转换。我们发现外尔费米子的镜面Andreev反射有两个不寻常的特征。s波BCS配对态的Andreev电导是各向异性的，取决于连接一对Weyl点的线与结的法线之间的角度，这是由于配对电子携带相反的手性。对于Fulde-Ferrell-Larkin-Ovchinnikov配对态，Andreev反射谱是各向同性的，并且与库珀对的有限动量无关.
2013-07-23 cond-mat.supr-con
Andreev Reflection Spectroscopy of Topological Superconductor Candidate Nb$_x$Bi$_2$Se$_3$
我们通过Andreev反射光谱和磁输运研究了一种很有前途的三维拓扑超导体候选者Nb掺杂Bi $_2$ Se $_3$的薄剥离单晶中的非常规超导电性。在低电阻和高电阻样品中的Andreev反射的测量都显示了零偏压附近的电导增强和超导能隙处的电导下降。这种行为与传统的安德烈耶夫反射的Blonder-Tinkham-Klapwijk理论不一致。我们讨论了如何我们的结果是一致的$p$波配对对称性，支持在Nb掺杂的Bi $_2$ Se $_3$拓扑超导的可能性。
2017-07-26 cond-mat.supr-con
Sub-kelvin Andreev reflection spectroscopy of superconducting gaps in FeSe
通过将温度降低到0.5K，对FeSe单晶进行了点接触Andreev反射研究。在双带模型的框架下分析了点接触Andreev反射谱。结果表明，FeSe中存在两个各向异性超导能隙，并得到了它们的类BCS温度依赖关系。确定了每个间隙的权重，并计算了各向异性参数。它示出，亚开尔文温度是必要的，以确定细节的超导能隙结构，特别是多频带材料时，Andreev反射光谱应用。
2019-10-07 cond-mat.supr-con
Competition of multiband superconducting and magnetic order in ErNi2B2C observed by Andreev reflection
本文测量了反铁磁（T_N = 6 K）超导体（Tc= 11 K）ErNi_2B_2C在两个主晶向上的点接触（PC）Andreev反射dV/dI谱。观测到的Andreev反射最小值在dV/dI中保持到Tc直接指向不寻常的超导序参量（OP）在Tc处消失。OP的温度依赖性是由dV/dI使用最近的Andreev反射理论，包括对断裂效应。首次证明了在ErNi_2B_2C中存在两个超导超导体。当温度低于T_N时，这两种光功率都有明显的下降.
2008-06-09 cond-mat.supr-con
Evidence of triplet superconductivity in Bi/Ni bilayers: Theoretical analysis of point contact Andreev reflection spectroscopy results
利用Andreev反射的理论形式，为点接触Andreev反射（PCAR）实验区分单重态对和三重态对提供了理论支持.我们利用我们的理论曲线来拟合PCAR实验的Bi/Ni双层非常规超导性[arXiv：1810.10403]的数据，发现Anderson-Brinkman-Morel（ABM）态满足实验数据的主要特征。ABM态的手征截面可以很好地解释Bi/Ni双层膜中由极性Kerr效应测量和时域THz光谱确定的时间反演对称性破缺。此外，还给出了Balian-Werthamer态和手征$p$波态的Andreev反射谱。
2022-12-13 cond-mat.supr-con
Anatomy of point-contact Andreev reflection spectroscopy from the experimental point of view (review)
我们回顾点接触Andreev反射光谱研究元素超导体的应用，在超导体中的点接触尺寸相对于特征长度的小的理论条件可以得到满足。我们讨论现有的理论模型，并确定新的问题，必须解决，特别是当应用这种方法来研究更复杂的超导体。我们还将证明，即使在研究普通金属时，点接触安德烈耶夫反射光谱的某些方面仍然需要解决。
2018-03-12 cond-mat.supr-con
Observation of Andreev Reflection Enhanced Shot Noise
实验研究了NbN/MgO/NbN超导体-绝缘体-超导体隧道结中的准粒子散粒噪声。观察到的散粒噪声明显大于理论预期。我们将此归因于在MgO势垒中存在的针孔中发生多个Andreev反射过程。这种机制导致电流以大电荷量子（Andreev簇）流动，具有m = 1+ 2 Delta/eV乘以电子电荷的电压依赖平均值。由于这种电荷增强效应，散粒噪声增加了m倍。
1997-09-03 cond-mat.supr-con
Electrically controlled crossed Andreev reflection in two-dimensional antiferromagnets
我们报道了夹在两个反铁磁层之间的超导体中的可调谐交叉Andreev反射（CAR）。我们考虑最近的例子，二维磁铁与六边形晶格，栅极电压控制的载流子类型和密度，并预测一个强大的签名完美的CAR在非局部微分电导与一个电子掺杂和一个空穴掺杂的反铁磁铅。无磁场和自旋简并的CAR信号是电控的，并且在大电压范围内可见，显示出固态量子纠缠应用的前景。
2021-06-30 cond-mat.supr-con
Anisotropic Andreev Reflection and Josephson Effect in Ballistic Phosphorene
我们研究Andreev反射和约瑟夫森效应的弹道单层的黑磷，被称为磷烯。由于该系统的各向异性能带结构，当比较单层中沿两个垂直方向的隧穿时，超电流变化了一个数量级。我们表明，这种效果的主要原因是在Andreev束缚态的横模的数量有很大的差异。作为结的长度和化学势的函数的超电流的振荡行为也根据沉积在磷烯片上的超导电极的取向而显著不同。对于Andreev反射，我们表明，栅极电压控制的概率，这个过程中发现的超导情况下的各向异性行为也存在电导谱。
2017-04-13 cond-mat.supr-con
Andreev reflection in unitary and non-unitary triplet states
本文讨论了最近提出的Sr_2RuO_4的幺正和非幺正自旋三重态在正常导体-超导体界面上的准粒子反射和透射性质。我们发现Andreev反射振幅的共振峰，这是相关的超导体中的表面束缚态。它们导致超导体中低于准粒子能隙的电导峰特征。对于幺正态和非幺正态，峰的位置以不同的方式依赖于入射准粒子的角度。基于这一观察，我们提出了一个可能的实验，可以区分这两种超导状态。
1997-06-19 cond-mat.supr-con
Nonlocal Andreev reflection at high transmissions
我们分析了电子输运在三端正常超导正常（NSN）结构中的非局域效应。从一个N金属进入S电极的亚隙电子可以与从另一个N金属穿透的它们的对应物形成库珀对。这种交叉Andreev反射的现象-结合SN接口的正常散射-产生两种不同的贡献，我们评估非微扰在任意接口传输的非本地电导。这两个贡献达到其最大值在完全传输接口，并表现出有趣的功能，可以在未来的实验中进行测试。
2007-05-25 cond-mat.supr-con
Andreev reflections on Y1-xCaxBa2Cu3O7-delta evidence for an unusual proximity effect
我们测量了Au针尖和Y_{1-x} Ca_{x} Ba_{2} Cu_{3} O_{7 - δ}薄膜在面内取向上的Andreev反射。电导谱与具有“d_{x^{2}-y^{2}+is”对称性的对势拟合得最好。我们发现，“是”分量的幅度增强的接触透明度的增加。这是一个不寻常的邻近效应的迹象，这种效应改变了超导体表面附近与正常金属的对电势。
2003-01-16 cond-mat.supr-con
Evidence for Crossed Andreev Reflections in bilayers of (100)YBCO and the itinerant ferromagnet SrRuO3
薄外延SrRuO 3/（100）YBCO铁磁/超导体双层的扫描隧道光谱测量，揭示局部区域中的超导体序参量穿透铁磁超过26 nm，一个数量级大于在铁磁层的相干长度。这些区域由窄（< 10 nm）和长条组成，间隔至少200 nm，与SrRuO 3中已知的磁畴壁结构一致。我们将这种行为归因于交叉Andreev反射，发生在磁畴壁附近。
2006-05-23 cond-mat.supr-con
Shot noise and multiple Andreev reflections in d-wave superconductors
我们提出了一个理论分析的散粒噪声在d-波/d-波接触与任意透明度，包括多个Andreev反射的贡献。在这些过程中转移的多个电荷量子被揭示为在低电压下的噪声电流比的巨大增强，其对于所有晶体取向差都存在。我们还展示了如何不同的成分，如非磁性杂质或磁场产生非常典型的特点，在散粒噪声，这可以被用来作为进一步测试的d-波的情况下，超导铜氧化物。
2002-05-13 cond-mat.supr-con
Proximity Effect and Multiple Andreev Reflections in Diffusive SNS Junctions
本文提出了扩散超导体-正常金属-超导体结的电流-电压特性理论。通过求解与时间相关的Usadel方程，我们能够描述任意长度的正常导线的相位相干输运。我们展示了邻近效应和多个Andreev反射之间的相互作用如何产生一个丰富的子间隙结构的电导和它是如何揭示在非平衡分布函数。
2005-07-11 cond-mat.supr-con
Intrinsic Multiple Andreev Reflections in layered Th-doped Sm$_{1-x}$Th$_x$OFeAs
层状氧化铌酸盐Sm $_{1-x}$ Th $_x$ OFeAs（Sm-1111）是一种理想的内禀多次Andreev反射（IMARE）光谱探测材料。使用经典的“断裂结”技术，我们形成了相同的S-n-S接触的弹道Andreev阵列，其中$S$是超导体，而$n$是正常金属层。对于$T < T_C$，I（V）曲线显示了过剩电流和次谐波能隙结构（SGS）：在依赖于超导能隙值、阵列中结的数目和自然次谐波阶数的位置处的一组尖锐的dI（V）/dV下降，从而显示了固有的多次Andreev反射的效果。在这里，我们提出了I（V）和dI（V）/dV与高达4 SGS下降的Andreev阵列中形成的最佳掺杂的Sm-1111与临界温度$T_C \approx 49$ \，K，以及在欠掺杂的样品与$T_C \approx 37$ \，K。我们表明，一些Andreev次谐波有利于确定超导间隙具有更好的精度。
2015-12-03 cond-mat.supr-con
Evidence of a s-Wave Pairing in Heavily Zn-doped $YBa_2Cu_3O_{7-δ}$ from Andreev Reflection Spectra
当在$YBa_2Cu_3O_{7-δ}$中通过Zn掺杂抑制$d_{x^2-y^2}$波配对时，发现一些Andreev反射光谱与常规超导体的s波光谱相似。能隙是相当可重复的（2.3-3.0meV）。它被低磁场（$H_C^{PC}=120-270mT$）抑制，这与d波谱（$H_C^{PC}>3T$）形成了很大的对比，具有相似的能隙值。我们假设s波配对发生在Zn杂质附近。
2007-11-28 cond-mat.supr-con
Multiple Andreev Reflections in Weak Links of Superfluid 3He-B
计算了两个B相超流3 He体之间弹道针孔的流压特性。最重要的机制，有助于耗散电流在这种类型的薄弱环节是多个Andreev反射的过程。在低偏置下，这个过程受到非弹性准粒子-准粒子碰撞弛豫的显著影响。在数值计算中，自洽地考虑了表面超流序参量的抑制。当忽略这种效应时，理论可以像s波超导体那样解析地发展。与实验结果的比较。
2004-08-19 cond-mat.supr-con
Theory of Andreev reflection in junctions with iron-based High-$T_c$ superconductors
我们建立了一个理论，在正常的$\mid$超导结的低能量量子输运涉及最近发现的铁基高$T_c$超导体。在我们的方法中，我们适当地考虑了Andreev束缚表面态和复杂的费米表面拓扑结构，并研究了FeAs晶格可能的序参量对称性的签名。我们的结果有助于确定铁-磷属元素化物超导体中超导态的对称性。
2008-11-11 cond-mat.supr-con
Enhancement of Andreev reflection by spin polarization in out-of-equilibrium ferromagnet-superconductor junctions
本文报道了Nb/Al/Gd/Al/Nb结的输运测量结果。大块钆是一种弱极化铁磁体（5-7%），以颗粒形式（超顺磁体）存在于结中。我们表明，Andreev反射强烈增强的弱极化，通过施加外部磁场。提出了一个新的模型，占这种效果。运输描述的“热”的载体，经历塞曼分裂由于自旋极化背景。Landauer公式为$G=(4e^2)/h A(h_b)$，$h_b$为晶界处的交换场，A（E）为Andreev电流系数，对于电阻结，其随E增加。
1999-01-07 cond-mat.supr-con
Atomic scale imaging of sign-changing order parameter in superconducting FeSe with Tunneling Andreev Reflection
利用隧道Andreev反射（TAR）对FeSe超导体进行原子尺度成像，直接证明其序参量符号变化及节点能隙结构，并揭示孪晶界处超导被抑制的赝能隙态。
2023-03-09 cond-mat.supr-con
Phase dependent multiple Andreev reflections in SNS interferometers
提出了超导-正常金属-超导（SNS）干涉仪的相干多次Andreev反射（MAR）理论。本文考虑一个Y型正电子束分裂器，它连接两个超导贮器，其中两个超导贮器的连接点可以具有不同的相位。在量子输运机制中计算电流作为施加电压和相位差$I(V,ϕ)$的函数。干涉仪中的MAR具有两个特征：分束器臂中的干涉以及与Andreev共振的相互作用。后者的功能产生增强的子间隙电流和电流峰值与相位相关的位置和幅度。干扰效应导致子隙电流的抑制和在$ϕ=π$的电流峰的完全消失。大电压下的过电流随着相位差的增大而减小并改变符号。
2002-01-18 cond-mat.supr-con
Andreev reflection at half-metal-superconductor interfaces with non-uniform magnetization
在半金属铁磁体和自旋单重态超导体之间的界面处的Andreev反射只有在伴随着自旋翻转时才是可能的。在这里，我们计算Andreev反射振幅的情况下，自旋翻转起源于一个空间非均匀的磁化方向在半金属。我们计算的微观Andreev反射振幅为一个单一的反射事件和一个有效的Andreev反射振幅描述多个Andreev反射在弹道薄膜几何形状的效果。结果表明，Andreev反射振幅的角度和能量依赖性强烈依赖于相对于界面的磁化强度的梯度的方向。建立在这里采用的散射方法和早期的工作，采用准经典形式主义之间的连接，我们连接的Andreev反射振幅的对称性的对称性的异常格林函数的半金属。
2010-09-16 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Anisotropic Andreev reflection in semi-Dirac materials
在Bogoliubov-de Gennes方程的框架下，我们从理论上研究了基于半狄拉克材料的正常超导结中的Andreev反射。由于半狄拉克材料的本征各向异性，Andreev反射和微分电导的位形与取向有很强的依赖性。对于沿线性色散方向的输运，微分电导表现出明显的交叉从逆Andreev反射镜面Andreev反射与偏置电压的增加，和微分电导振荡没有衰减的轮廓时，界面势垒强度的增加。然而，对于沿二次色散方向的输运，逆Andreev反射和镜面Andreev反射之间的边界是模糊的，微分电导随动量失配或界面势垒强度的增加而衰减。我们说明了伪自旋纹理，揭示背后的各向异性相干输运性质的物理基础。这些结果丰富了对半狄拉克材料中超导相干输运的理解。
2021-01-05 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Crossed Andreev reflection in a d-wave superconductor with two quantum point contacts
我们从理论上研究了由d波超导体和两条普通金属量子线组成的混合纳米结构中的交叉Andreev反射。当超导体的（110）取向表面与平行且彼此靠近放置的导线接触时，通过交叉Andreev反射形成Andreev束缚态。当接触势垒足够大时，在间隙结构下方的电导中出现两个尖锐的峰，它们来自成键和反键Andreev束缚态。我们建议这些Andreev束缚态形成一个二能级量子系统（qubit）。
2004-01-08 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Magnetoanisotropic Andreev Reflection in Ferromagnet/Superconductor Junctions
铁磁/超导结的Andreev反射谱是研究铁磁/超导结自旋极化的重要手段。我们从理论上研究了在存在Rashba和Dresselhaus界面自旋轨道场的情况下FS结中的自旋极化输运，并表明Andreev反射可以通过改变磁化方向来控制。我们预测一个巨大的在和出平面的结电导的磁各向异性。如果铁磁体是高度自旋极化的-在半金属极限-磁各向异性Andreev反射普遍依赖于自旋轨道场。结果表明，Andreev反射光谱可以灵敏地探测FS结中的界面自旋轨道场。
2015-09-23 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Andreev reflection through Fano resonances in molecular wires
本文用第一性原理方法研究了正常导体-分子-超导体结中的Andreev反射。特别是，我们专注于一个家庭的分子组成的分子骨架和弱耦合侧基。我们表明，侧基的存在下，可以导致Fano共振的Andreev反射。我们使用一个简单的理论模型来解释数值计算的结果，并作出预测的Andreev反射系数的可能的子隙共振结构。
2008-11-06 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Full counting statistics of crossed Andreev reflection
我们计算了一个超导源和两个正常金属或铁磁漏的三端隧道器件中的全输运计数统计。我们从直接Andreev反射、交叉Andreev反射和电子转移中获得了传输概率分布，揭示了这些过程的统计是如何由器件电导决定的。互相关噪声是来自交叉Andreev反射和电子转移以及由于泡利不相容原理引起的反聚束的竞争贡献的结果。对于自旋激活的隧道势垒，自旋激活的电子流，交叉Andreev反射和电子转移统计表现出不同的依赖于磁化结构，并可以通过相对磁化方向和电压偏置控制。
2009-01-22 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Probing Spin Polarization with Andreev Reflection: A Theoretical Basis
铁磁体和超导体界面处的Andreev反射已成为测量磁性材料自旋极化的多功能新技术的基础。本文将简要地概述在弹道输运和扩散输运两种极限情况下自旋极化系统和任意费米面的Andreev反射的一般理论
2000-12-27 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Quantum interference due to crossed Andreev reflection in a d-wave superconductor with two nano-contacts
理论研究了d波超导体和两条量子线组成的混合纳米结构中的交叉Andreev反射。当超导体的（110）取向表面与平行且彼此靠近放置的导线接触时，通过交叉Andreev反射形成Andreev束缚态。在隧道接触的情况下，电导具有远低于间隙结构的两个共振峰。这些峰来自空穴波函数的成键和反键Andreev束缚态。
2006-04-29 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Crossed Andreev reflection in a graphene bipolar transistor
我们研究了由窄超导体连接的两个石墨烯引线之间的交叉Andreev反射。当引线分别为n型和p型时，我们发现电子弹性共隧穿和局部Andreev反射都被消除，即使在没有任何谷同位旋或自旋极化。我们进一步预测对角电导和交叉电导的振荡作为石墨烯-超导体界面之间距离的函数。
2008-03-06 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Circuit theory for crossed Andreev reflection and nonlocal conductance
非局域电流，在两个正常的金属终端接触到超导体的设备，确定使用介观超导电路理论。除了直接Andreev反射和准粒子隧穿的电导外，我们还计算了与两个正常金属端子之间的交叉Andreev反射和电子转移相关的电导。考虑了失相和邻近效应。
2007-09-25 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Multiple Andreev reflections in hybrid multiterminal junctions
本文从理论上研究了在不同电压下超导引线的混合多端结中的电荷输运。研究发现，多个超导导线的多次Andreev反射导致电流-电压特性中出现丰富的次谐波带隙结构。的结构证明了在非相干政权的路口数字。
2010-05-10 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Non-contact Andreev reflection as a direct probe of superconductivity on the atomic scale
提出一种基于隧道结的非接触式安德烈夫反射方法，实现原子尺度超导性的定量检测与成像，并揭示其对自然缺陷的敏感性。
2022-02-04 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Andreev reflection from non-centrosymmetric superconductors and Majorana bound state generation in half-metallic ferromagnets
本文研究了半金属与超导体界面上的Andreev反射。虽然在半金属中不存在少数载流子使得单线态Andreev反射不可能，但是自旋-轨道相互作用引起三线态Andreev反射，即，多数电子反射到多数空穴中，反之亦然。作为我们计算的一个应用，我们考虑一个薄的半金属膜或导线横向连接到超导接触。如果半金属是无无序的，则激发能隙打开，其与超导体中的自旋-轨道相互作用强度成比例。对于能量低于这个间隙的电子，横向半金属-超导体接触成为完美的三重Andreev反射器。我们表明，该系统支持本地化马约拉纳在此限制的最终状态。
2010-11-26 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Impurity-assisted Andreev reflection at a spin-active half-metal-superconductor interface
在半金属铁磁体（H）和超导体（S）之间的干净界面处的Andreev反射振幅与激发能$\varepsilon$成比例，并且在$\varepsilon=0$处消失[Béri { \em等人}，物理学\修订版本\ B { \bf 79}，024517（2009）]。在这里，我们表明，杂质的存在下，或在HS接口附近导致有限的Andreev反射振幅在$\varepsilon=0$。这种杂质辅助Andreev反射占主导地位的HS结的低偏置电导和SHS结的约瑟夫森电流在长结限制。
2012-02-23 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Spin-valley dependent double Andreev reflections in the proximitized graphene/superconductor junction
本研究探究近邻化石墨烯/超导体结的双安德烈夫反射与输运特性，阐明不同自旋-谷指标电子的反射类型及调控条件，提出通过电导谱测定诱导势与自旋轨道耦合的方法，为自旋谷基超导体电子学奠基。
2023-07-19 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Crossed Andreev reflection in diffusive contacts
交叉Andreev反射在多终端结构中的扩散制度内的准经典Keldysh-Usadel形式主义。准粒子的弹性共隧穿和交叉Andreev反射通过正常金属电极中的感应邻近效应产生非局域电流和电压（取决于器件的实际偏置）。发现非局部过程的大小与屏障透明度的平方成比例，并随界面间距呈指数衰减。发现非局域共隧穿和交叉Andreev电导对非局域电流的贡献相等，这与使用正常金属超导异质结构作为纠缠源有关。
2006-11-06 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Full counting statistics of multiple Andreev reflections
本文导出了在偏压作用下任意透明的超导点接触中透射粒子的全分布。电荷输运主要由多次Andreev反射决定。计数统计量是一个多项分布的过程，其中多个电荷ne（n= 1，2，3，.）都是通过联系人转移的对于零温度，我们得到的解析表达式的多次Andreev反射的概率。从我们的结果可以得到在各种情况下的电流，散粒噪声和高电流累积量。
2003-08-04 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Andreev Reflections in NbN/graphene Junctions under Large Magnetic Fields
混合超导体/石墨烯（SC/g）结是研究库珀对和量子霍尔（QH）边缘模之间相关性的极好候选材料。实验研究具有挑战性，因为Andreev反射对结无序极其敏感，并且需要高磁场来形成QH边缘状态。我们制作了低电阻SC/g界面，由石墨烯边缘与NbN接触组成，势垒强度为$Z\approx 0.4$，在大于$18$ T的磁场下保持超导。我们建立了零场Andreev反射的石墨烯的狄拉克能带结构的作用，并通过移动镜面反射和逆Andreev反射与平行磁场之间的边界来展示Andreev反射光谱的动态可调谐性。通过施加垂直磁场，我们观察到由于NbN/g界面Andreev过程效率降低，导致$ν= 4$ Landau能级2探针电导的振荡抑制，这与理论预测一致.
2021-09-13 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Andreev Reflection in Narrow Ferromagnet/Superconductor Point Contacts
从理论上研究了窄铁磁/超导点接触的Andreev反射。我们表明，电导量子化取决于是否接触区域是超导或铁磁以及在铁磁体的交换场的强度。铁磁接触的Andreev反射比超导接触的Andreev反射更受抑制。我们还发现，如果没有界面散射，电导-电压曲线在零偏置电压有一个隆起。相反，当系统存在界面散射时，电导-电压曲线出现下降。
2001-07-30 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Crossed Andreev Reflection in Structures Consisting of a Superconductor with Ferromagnetic Leads
本文提出了超导体与两个铁磁引线组成的结构中的交叉Andreev反射理论。由于交叉Andreev反射的电流强烈地依赖于两个铁磁引线的磁化的相对取向。通过考虑铁磁体中波函数之间的干涉，了解了电流和磁阻对两铁磁引线之间距离的依赖关系。电流和磁阻作为交换场和界面势垒高度的函数计算。
2004-10-26 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
The influence of anti-chiral edge states on Andreev reflection in graphene-superconductor junction
利用紧束缚模型和非平衡格林函数方法，研究了石墨烯-超导体结中的Andreev反射，其中石墨烯有两个能量不等的Dirac锥分裂，因此时间反演对称性被破坏.由于当前石墨烯模型的反手性边缘状态，沿着边缘行进的入射电子对Andreev反射做出明显贡献。在二端器件中，由于Andreev逆反射不允许仅用于反手征边缘，在这种情况下，边缘和体态之间的相互散射是必要的，这导致Andreev逆反射系数总是关于入射能量对称的。然而，在四端结中，边缘平行于超导体和石墨烯的界面，因此在界面处，沿着边缘行进的入射电子可以作为空穴逆反射到体模中，或者作为空穴再次镜面反射到反手性边缘状态中。结果表明，镜面Andreev反射系数与电子入射能量保持对称，这与文献报道的结果一致，但由于反手征边缘态的存在，Andreev逆反射系数表现出意想不到的不对称行为.我们的结果为研究时间反演对称性破缺的石墨烯模型的反手征边缘模和Andreev反射提供了新的思路。
2020-01-11 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Spin-polarized Specular Andreev Reflections in Altermagnets
本文从理论上证明交变磁体-超导体界面可稳定产生镜面安德烈夫反射，并利用其自旋极化特性设计出兼具库珀对分离与自旋分束功能的器件，以正非局域电导和正噪声交叉关联作为实验判据。
2025-04-08 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Andreev reflection in layered structures: implications for high T_c grain boundary Josephson junctions
研究了层状各向异性正常金属/超导体（N/S）系统中的Andreev反射，当S中的能隙Δ相对于费米能E_F不可忽略时，因为它可能发生在高临界温度超导体（HTS）中.我们发现，在这些限制的逆反射，这是一个基本特征的Andreev反射，被打破修改敏感的S/N界面的传输。我们讨论了高温超导约瑟夫森结中的超导电流和S-N接触中的中隙态的结果
2000-10-06 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Multiple Andreev reflections in diffusive SINIS and SIFIS junctions
本文研究了具有低透明界面的长扩散超导体（S）-正常金属（N）-超导体结中的多重Andreev反射。假设在弱连接强热化，我们计算的电流-电压依赖性$I(V)$。在中间温度下，$E_\mathrm{Th}\ll T\llΔ$，电流主要由非相干的多个Andreev反射，并获得解析。结果被推广到铁磁结。我们发现，交换场产生了一个非平凡的分裂的次谐波间隙结构。这种效应依赖于热化，并且在SFS结中消失，而薄弱环节中没有能量弛豫。
2022-09-15 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Minimal model of point contact Andreev reflection spectroscopy of multiband superconductors
本文建立了正常金属/多带超导体界面点接触Andreev反射光谱的极小模型.该理论将Blonder-Tinkham-Klapwijk（BTK）公式推广到多带超导体，并以量子波导理论为基础。所提出的方法允许的Andreev和正常的反射系数的分析评估，因此是适合于点接触实验的数据拟合。得到的微分电导曲线呈现出独特的功能类似于在实验中测得的多波段系统，如铁基磷属元素和MgB 2。
2014-07-28 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Andreev reflection and cyclotron motion at superconductor -- normal-metal interfaces
本文研究了在外加磁场中超导体与二维电子系统（2DES）界面处的Andreev反射，使得回旋运动在二维电子系统中起重要作用。有限的塞曼分裂的2DES和超导体中的抗磁屏蔽电流的存在下被纳入Andreev边缘状态，这是基于Bogoliubov-德Gennes形式主义的微观理论。计算了Andreev反射对界面电导的贡献。塞曼分裂的效果是最明显的作为一个双步骤的功能，通过清洁界面的电导。由于屏蔽电流，电导步骤被转移到更大的填充因子，并且Andreev边缘态的形成被抑制在临界填充因子以下。
2005-04-20 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Perfect crossed Andreev reflection in the proximitized graphene/superconductor/proximitized graphene junctions
本文研究邻近化石墨烯/超导体/邻近化石墨烯结中的交叉安德烈夫反射，发现当两侧石墨烯本征自旋轨道耦合符号相反时，特定自旋-谷电子可实现100%概率的完美交叉安德烈夫反射，为设计高效库珀对分裂器提供依据。
2023-10-26 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Incomplete Andreev reflection in a clean Superconductor/Ferromagnet/Superconductor junction
本文研究了任意大自旋极化下洁净超导体-铁磁体-超导体结中的约瑟夫森效应。在干净的铁磁体-超导体界面处的Andreev反射是不完整的，并且具有大入射角的Andreev通道随着交换能量的增加而逐渐被抑制。其结果是，临界电流表现出振荡作为交换能和铁磁体的长度的函数，并具有偏离由准经典理论预测的温度依赖性。
2004-05-26 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Andreev reflection eigenvalue density in mesoscopic conductors
与能量相关的Andreev反射本征值决定了正常超导系统的输运性质。我们评估的本征值密度，以深入了解共振电子空穴传输通道的形成。所开发的电路理论类方法可以应用于任何通用介观导体或其组合。我们提出了实验相关的情况下的扩散线和双隧道结的结果。
2003-12-04 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Andreev reflections in the pseudogap state of cuprate supercondcutors
我们提出，如果铜氧化物超导体中的赝能隙态可以用相位非相干的预制对来描述，那么即使在超导转变温度$T_c$以上，也应该存在来自这些对的Andreev反射。在给出这种效果的定性参数后，我们提出了更多的定量计算的基础上Bogoliubov-德Gennes方程。Andreev反射效应的实验观测结果高于$T_c$ -如沿氧化铜平面的间隙下方的增强隧穿电导-可以为赝能隙状态中的预制对提供明确的证据。
2000-04-10 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Andreev-Klein reflection in graphene ferromagnet-superconductor junctions
我们发现铁磁（F）和超导（S）石墨烯区域之间的结中的Andreev反射与常见的FS结根本不同。对于交换场$h$大于费米能$E_{\rm F}$的弱掺杂F石墨烯，无质量狄拉克费米子的Andreev反射与Klein隧穿通过两个自旋分裂导带和价带之间的交换场p-n势垒有关.我们发现，这Andreev-Klein过程的结果在增强的亚间隙电导的石墨烯FS结$h$的点，在低电压下的电导$eV\ll Δ$是大于其值为相应的非铁磁结。我们还表明，Andreev反射可以是复古或镜面类型的收敛和发散的方式与反射方向对齐，分别更接近和更远离法线的交界处相比，入射方向。
2008-04-17 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
