Landau theory of metal-insulator transition in VO$_\text{2}$ doped with metal ions
金属离子掺杂可以有效地调节$\mathrm{VO}_2$的金属-绝缘体转变温度。实验发现，五价和六价离子的掺杂显着降低转变温度，而三价离子的掺杂提高转变温度，并诱导中间相。基于我们以前建立的$\mathrm{VO}_2$金属-绝缘体相变的相场模型，考虑掺杂对电子关联和晶格结构的影响，推导了金属离子掺杂$\mathrm{VO}_2$的朗道势。金属离子掺杂对晶格结构的影响是占在一个唯象的方式。利用Landau势，计算了不同金属离子掺杂的$\mathrm{VO}_2$的温度-掺杂浓度-相图，并与实验结果相吻合，对不同金属离子掺杂的不同行为提供了解释。该唯象理论可以提供其它金属离子掺杂的$\mathrm{VO}_2$相图的估计。
2020-01-07 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Effect of magnetic (Nd) doping on electrical and magnetic properties of topological Sb2Te3 single crystal
在这里，我们报告的NdxSb 2-xTe 3单晶的生长和表征，通过固态反应路线通过自熔剂法。通过X射线衍射和扫描电子显微镜分别证实了相和层状生长。Nd掺杂后，晶格参数略有收缩。此外，记录的拉曼光谱的振动模式的一个微小的位移已观察到通过在Sb_2Te_3中掺杂Nd。在磁场为5 T时，Sb_2 Te_3在2.5K和20 K时的磁电阻值分别为75%和60%，而Nd_（0.1）Sb_（1.9）Te_3在5 K时的磁电阻值仅为40%.直流磁测量显示预期的抗磁性和顺磁性行为分别为纯和Nd掺杂晶体。在低于1 T的低磁场下，观察到纯晶体和Nd掺杂晶体的磁电导率具有尖点状行为，用Hikami Larkin Nagaoka（HLN）模型进行了分析。对于Sb_2 Te_3，在2.5K和20 K温度下的拟合参数α值分别为-1.02和-0.58，相位相干长度分别为50.8（6）nm和34.9（8）nm。对于Nd_（0.1）Sb_（1.9）Te_3，在5 K下，α为-0.29，相干长度为27.2（1）nm。α值清楚地表明，在纯样品和Nd掺杂样品中存在弱的反局域化效应。此外，与Nd掺杂，体状态的贡献增加，除了在整个导电机制的表面状态。
2021-07-26 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Carrier doping to pseudo-low-dimensional compound La2RuO5
采用Cd ~（2+）取代La ~（3+）的方法对赝低维材料La_2 RuO_5进行了空穴掺杂。成功地获得了x ≤ 0.5的La_（2-x）Cd_xRuO_5单相样品，并对x=0.5的样品进行了高压氧退火。尽管Ru的形式离子状态预计将从4+（在x=0处）增加到4.5+（在x=0.5处），但在烧结样品中，磁性和电学性质没有显着变化。而高压氧退火x=0.5的样品在260 K时电阻率略有下降，热电势也有所降低。从这些结果，可以推测，掺杂的载流子主要是由烧结样品中的氧不足补偿。
2008-10-02 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Controlling the electrical and magnetic ground states by doping in the complete phase diagram of titanate Eu1-xLaxTiO3 thin films
EuTiO 3是一种带绝缘体，LaTiO 3是一种莫特绝缘体，它们都是反铁磁的，其转变温度分别为~ 5.5 K和~ 160 K。在这里，我们报告的Eu 1-xLaxTiO 3薄膜（x = 0至1）的氧化物分子束外延的合成。在整个范围内的薄膜具有高结晶质量，没有显示出相分离，使我们能够进行传输测量，以研究其电和磁性能。从x = 0.03到0.95，Eu 1-xLaxTiO 3薄膜显示导电的电子作为载流子，与载流子密度和迁移率的差异，相反的纯EuTiO 3和LaTiO 3的绝缘性质。富相图后，薄膜的磁性基态随La掺杂水平的增加而变化，将Eu 1-xLaxTiO 3从反铁磁绝缘体变为反铁磁金属、铁磁金属、顺磁金属，并回到反铁磁绝缘体。这些涌现的性质反映了能带结构的演变，主要是在费米能级附近的Ti t2 g带，当Eu 2+逐渐被La 3+取代。这项工作揭示了这种方法设计强相关氧化物的电和磁性能，并完成了钛酸盐Eu 1-xLaxTiO 3的相图。
2020-05-19 cond-mat.str-el
Effects of Fe doping in La1/2Ca1/2MnO3
研究了Mn位Fe掺杂对多晶La_（1/2）Ca_（1/2）MnO_3的磁性、输运和结构性质的影响。低Fe浓度（< 10%）掺杂强烈影响电输运和磁化强度。即使对于所研究的最低掺杂水平（~2%），长程电荷顺序也被破坏。对于Fe浓度高达5%的铁磁状态发展在低温下与金属一样的传导和热滞后。在此范围内，居里温度作为Fe掺杂的函数单调降低。通过进一步的Fe掺杂，观察到绝缘行为和铁磁状态的突然凹陷。
2000-08-16 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Comment on "Self-doping effects in cobalt silicide CoSi: Electrical, magnetic, elastic, and thermodynamic properties"
在该评论中，认为Stishov等人[Phys.Rev.B86，064433（2012）]错误地估计了所研究的CoSi晶体中μ_eff = 4.8μ_B的（假定的）顺磁中心的浓度。正确的估计使这些中心的浓度比报告的浓度小25至50倍（约100%）。0.04 0.16%，而非约2%至4%）。此外，在不同实验室制备的四种CoSi晶体的电阻率ρ（T）的温度依赖性的报告数据在T = 250至300 K时彼此非常接近，因此对于任何合理的电阻率测量精度来说，它是极不可能重复的。这些问题以及本文的其他一些问题，都是作者论述的重点。因此，他们的主要结论变得不合理。
2013-01-09 cond-mat.str-el
Electrically tunable room-temperature ferromagnetism in CrBr$_3$
本研究基于第一性原理海森堡XXZ模型，发现通过栅极诱导的载流子掺杂可调控单层CrBr₃的磁有序至室温，空穴掺杂可增强铁磁性，电子掺杂可改变磁易轴，为电控二维自旋电子等器件提供新可能。
2021-08-02 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Cd-doping effects in Ce2MIn8 (M = Rh and Ir) heavy fermion compounds
研究了Cd掺杂Ce 2 MIn 8（M = Rh和Ir）单晶的低温磁性。温度依赖的磁化率，热容和电阻率测量的实验表明，Cd的掺杂提高反铁磁（AFM）的有序温度从TN = 2.8 K（x = 0）到TN = 4.8 K（x = 0.21）的Ce 2 RhIn 8-xCdx和诱导的长程AFM有序TN = 3.8 K（x = 0.21）的Ce 2 IrIn 8-xCdx。此外，X射线和中子磁散射研究表明，Cd掺杂的样品在TN以下呈现出一个相当的反铁磁结构，其传播矢量为（1/2，1/2，0）。这两种化合物的解析磁结构表明，Cd掺杂倾向于旋转的方向的有序磁矩向ab-平面。这一结果表明，Cd掺杂影响Ce 3+的基态单离子各向异性修改在Ce 3+网站的晶体电场（CEF）参数。在电阻率测量中也发现了由Cd掺杂引起的CEF演变的迹象。我们的研究结果和Cd掺杂对相关化合物CeMIn 5（M = Co，Rh和Ir）的一般影响之间的比较证实了Cd掺杂诱导的电子调谐是有利于AFM在这些化合物中有序的主要效应的说法。
2009-12-22 cond-mat.str-el
Enhancing high-temperature thermoelectric properties of PtAs2 by Rh doping
通过电阻率ρ、Seebeck系数S和热导率kappa的测量，研究了Rh掺杂对Pt_（1-x）Rh_xAs_2（x = 0，0.005和0.01）热电性能的影响. x = 0.005的样品表现出大的S和低的ρ，导致在440 K时的最大功率因数（S^2/ρ）为65 μ W/cmK^2。预测的PtSb 2的特殊形状的“波纹状平带”可以解释掺杂PtAs 2的增强的热电性能。
2013-09-04 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Multiple double-exchange mechanism by Mn$^{2+}$-doping in manganite compounds
RE $_{1-x}$ AE $_{x}$ MnO $_{3}$锰氧化物（其中RE是三价稀土离子，AE是二价碱土金属离子）中的双交换机制依赖于两个Mn $^{3+}$和Mn $^{4+}$离子之间通过插入氧2 p态的强交换相互作用。然而，RE和AE离子的作用被认为是“沉默”的DE传导机制。在这里，我们表明，DE-机制的一个新的路径确实是可能的，通过部分取代的RE-AE元素的Mn $^{2+}$ -离子，在La-缺陷的La $_{x}$ MnO $_{3-δ}$薄膜。X-射线吸收光谱证明了Mn $^{2+}$离子的相关存在，其通过共振非弹性X-射线散射明确地证明在La-位点被取代。理论上通过有效单带模型内的计算证实，由于通过插入Mn $^{2+}$ -离子的额外跳跃机制，Mn $^{2+}$被证明与增强的磁输运性质直接相关。使用Mn $^{2+}$作为掺杂元素和电子参与导电机制的离子的想法从未被预见，揭示了锰氧化物输运性质的新现象。更重要的是，这种策略也可以在其他强相关的材料中使用。
2010-11-02 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Doping dependence of the electrical and thermal transport properties of CaB6
在5 ~ 300 K温度范围内测量了化学计量比和空位掺杂CaB_6的热电势S和热导率k。这两种材料的热电势在室温下都惊人地大。在整个覆盖的温度范围内，S是负的，温度依赖性很可能是由能带结构效应决定的。我们的数据的经验解释涉及的热电功率的计算，通过使用玻尔兹曼方程的弛豫时间近似和在导带的下边缘附近的缺陷带的假设。考虑导带中电子与价带的声-声子散射和电离杂质散射，结果与我们的结果吻合得很好。基于Debye型弛豫时间近似，并假设边界散射、位错散射、瑞利散射和共振散射对声子平均自由程的同时影响，主要由声子引起的热导率k（T）也可以在整个覆盖的温度范围内得到很好的描述。
2001-04-26 cond-mat.str-el
Emergence of the minority hole with high mobility on the electrical transport in the Fe-pnictides Ba(Fe$_{1-x}$Mn$_x$As)$_2$
在铁磷属元素化物（Pn）超导材料中，即使产生空穴载流子，Mn-或Cr-掺杂到Fe位也不诱导超导电性。这与通过碱金属取代在绝缘阻挡层上引入空穴时出现的超导电性形成强烈对比。详细研究了Mn掺杂对Ba（Fe $_{1-x}$ Mn $_x$ As）$_2$磁输运性质的影响，并从本质上解释了Mn掺杂对磁输运性质的影响。在低磁场（$B$）状态下估计的$x$ = 0的负霍尔系数随着$x$的增加而逐渐增加，并且其符号在$x$ = 0.020时变为正。霍尔双折射率以及同时使用的磁导率张量，包括纵向和横向的传输组件的解释澄清，少数空穴产生的Mn掺杂通过自旋密度波（SDW）在低温下的过渡，而原来的多数电子和空穴驻留在半金属Ba（FeAs）$_2$的抛物线状费米面（FS）的影响可以忽略不计。结果表明，Ba（Fe $_{1-x}$ Mn $_x$ As）$_2$的空穴掺杂机制与其它超导FePns族的空穴掺杂机制有很大的不同。
2015-05-12 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Tuning the thermoelectric properties of SrTiO3 by controlled oxygen doping
我们报告的热电性能（塞贝克系数，热导率和电阻率）的轻掺杂单晶（001）取向的SrTiO 3（STO）。霍尔效应的测量结果表明，通过在严格控制的条件下对晶体进行真空退火，可以使每个晶胞中的电子掺杂量达到10^-5左右。陡峭的状态密度附近的费米能STO在这个掺杂水平（确认从头计算）保留了异常大的塞贝克系数，尽管在电子电导率增加了几个数量级。这种效应与由于空位无序散射导致的热导率降低相结合，使得STO（和其他材料）中的本征掺杂成为优化其热电品质因数的替代策略。
2012-11-07 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Thermal and electrical transport in metals and superconductors across antiferromagnetic and topological quantum transitions
我们研究了金属和超导体在反铁磁有序消失的量子相变附近的热输运和电输运。同样的理论也可以应用于量子相变，它涉及某些类别的内在拓扑秩序的损失。对于一个干净的超导体，我们恢复和推广了著名的普遍结果。与超导共存的公度和非公度反铁磁性的热导率在量子临界点附近显示出明显不同的掺杂依赖性，从而可以区分状态。在脏极限下，金属和超导体的电导率结果在性质上是相似的。在这个制度下，费米表面的几何性质允许一个非常好的唯象理解的数值结果的电导率。在最简单的模型中，我们发现，电导率不跟踪掺杂演变的霍尔系数，在最近的实验结果相反。我们提出了一个依赖于掺杂的散射率，可能是由于低于最佳掺杂的猝灭短程电荷波动，以一致地描述霍尔数据和纵向电导率。
2017-08-04 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Enhanced thermoelectric properties by Ir doping of PtSb2 with pyrite structure
研究了Ir掺杂对Pt_（1-x）Ir_xSb_2（x = 0，0.01，0.03和0.1）黄铁矿热电材料热电性能的影响。进行电阻率ρ、塞贝克系数S和导热系数kappa的测量。结果表明，从半导体行为没有Ir（x = 0）的金属行为在x = 0.01的突然变化。x = 0.01的样品表现出大的S和低的ρ，导致在400 K时的最大功率因数（S^2/ρ）为43 μ W/cmK^2。特殊的“布丁模”型电子能带色散可以解释金属态热电性能的增强。
2012-06-20 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Selective doping Barlowite for quantum spin liquid: a first-principles study
巴氏石$Cu_4(OH)_6FBr$是一种新发现的含$Cu^{2+}$晶面的矿物。尽管在许多方面与公知的量子自旋液体（QSL）候选物Herbertsmithite $Cu_3Zn(OH)_6Cl_2$相似，但本征巴洛石证明不是QSL，可能是由于在诱导kagome间磁相互作用的kagome平面之间存在$Cu^{2+}$离子[PRL，113，227203（2014）]。利用第一性原理计算，系统地研究了等价配体离子选择性取代配体间铜离子的可行性.与先前使用较大掺杂剂（例如$Cd^{2+}$和$Ca^{2+}$）的推测不同，我们确定在形成具有最高位点选择性和最小晶格畸变的$Cu_3Mg(OH)_6FBr$和$Cu_3Zn(OH)_6FBr$中最理想的化学计量掺杂元素为Mg和Zn。Mg/Zn掺杂的巴氏石中的平衡反位无序估计比Herbertsmithite中的低一个数量级。单电子能带结构和轨道成分分析表明，所提出的选择性掺杂有效地减轻了巴洛石和赫氏石之间的差异。
2015-04-02 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Long-range anisotropic Heisenberg ferromagnets and electrically tunable ordering
最近实现的内禀磁秩序在真正的二维材料开辟了新的途径，在基础知识和自旋电子学的应用。在这里，我们发展了一个各向异性海森堡模型与相对论交换相互作用，从第一性原理计算。我们证明了至关重要的磁相互作用超出了第一邻居定性和定量再现实验结果。一旦我们确定了三卤化铬和CrGeTe $_3$的模型的预测能力，我们研究了在这些材料中通过电学手段调节磁有序的可行性。预测单层CrI $_3$中的铁磁居里温度在实验可获得的空穴密度内显著增加5倍。掺杂依赖的居里温度背后的难以捉摸的微观机制进行了说明。此外，在本上下文中，双轴应变和化学掺杂的影响也得到解决。这些结果应该引起进一步的实验关注，以检验目前的结论。
2021-07-25 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Electrical transport properties of polar heterointerface between KTaO3 and SrTiO3
研究了两种绝缘钙钛矿KTaO 3和SrTiO 3之间极性异质界面的电输运。它是在沉积在TiO 2-终止的（100）SrTiO 3衬底顶部的KTaO 3薄膜之间形成的。根据K（1+）和Ti（4+）的形式价态，预期所得的（KO）1-（TiO 2）0异质界面是空穴掺杂的。我们观察到的KTaO 3/SrTiO 3中的电导率和迁移率类似于早期测量的值在电子掺杂的LaAlO 3/SrTiO 3异质界面。然而，从霍尔测量获得的KTaO 3/SrTiO 3中的载流子的符号是负的。这一结果是钙钛矿氧化物异质界面掺杂的真正起源的重要线索。
2007-04-09 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Physical properties of misfit-layered (Bi,Pb)-Sr-Co-O system: Effect of hole doping into triangular lattice formed by low-spin Co ions
通过电子输运、磁化强度和比热测量，详细研究了Pb掺杂对错配层状（Bi，Pb）-Sr-Co-O体系（其中Co离子形成二维三角晶格）物理性质的影响. Pb掺杂增强了金属行为，表明载流子被掺杂。Pb的掺杂还增强了该体系的磁关联，提高了磁转变温度。我们发现在远高于相变温度时存在短程磁关联，这可能导致自旋玻璃态在低温下与铁磁长程序共存.比热测量表明，（Bi，Pb）-Sr-Co-O中载流子的有效质量并没有像NaCo ${}_2$ O ${}_4$中报道的那样增加。基于这些实验结果，我们提出了一个由窄的$a_{1g}$和相当宽的$e'{}_g$带组成的双带模型。该模型很好地解释了观测到的磁性和磁输运现象。
2002-01-11 cond-mat.str-el
Electrical properties of vanadium oxide subject to hydrogen plasma treatment
研究了掺氢对钒氧化物电性能的影响。对于钒氧化物薄膜，经冷氢等离子体处理，电阻的温度依赖性与最大值在T ~ 100 K。此外，a.c.频率上的电阻进行了研究。讨论了制备新型超导材料的策略。
2008-12-16 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Variation of metal-insulator transition and formation of bipolarons by the Cd-doping in the thiospinel system of Cu$_{1-x}$Cd$_{x}$Ir$_{2}$S$_{4}$
通过X射线衍射、电阻率、磁化率和比热测量研究了赝二元硫尖晶石体系Cu $_{1-x}$ Cd $_{x}$ Ir $_{2}$ S $_{4}$。结果表明，该体系对Cd的取代表现出能隙行为，而在1373 K下淬火得到的样品除$0.4< x \leqslant 0.6$外均为近单相.随着Cd掺杂浓度的增加，室温电导率和泡利磁化率单调下降，与空穴填充图一致。当$x\sim$ = 0.25时，母体化合物CuIr $_{2}$ S $_{4}$在230 K附近的一级金属-绝缘体跃迁转变为185 K附近的二级跃迁，之后二级跃迁在$x\sim 0.8$处消失。在1.8K以下没有观察到超导性。端元化合物CdIr $_{2}$ S $_{4}$显示为带隙为0.3 eV的绝缘体。对磁化率和电阻率数据的分析表明，对于$0.25 <x<$ 0.8，在低于185 K时形成双极化子，这解释了从BCS库珀对到小双极化子的转变方面的超导性的缺乏。
2003-12-05 cond-mat.str-el
Neodymium ions as charge reservoir in NdNiO$_2$: from lack of long range order to electron-doping-induced antiferromagnetism
University of Warsaw（华沙大学）；Institute of Physics PAS（波兰科学院物理研究所）；Jagiellonian University（雅盖隆大学）
本研究通过无限制Hartree-Fock计算揭示NdNiO$_2$中自掺杂效应使未掺杂态处于反铁磁区外，电子掺杂显著增强反铁磁稳定性，与铜氧化物行为不同。
2025-09-24 cond-mat.str-el
Doping induced spin state transition in Li$_x$CoO$_2$ as studied by the GGA+DMFT calculations
在广义梯度近似与动态平均场理论（GGA+DMFT）相结合的框架下，研究了Li $_x$ CoO $_2$对$x = 0.94, 0.75, 0.66$和$0.51$的磁性.我们发现Hund交换能和$t_{2g}-e_g$晶场分裂之间的微妙相互作用是导致Co $^{4+}$离子高自旋到低自旋态转变的原因。GGA+DMFT计算结果表明，在低掺杂水平下，Co $^{4+}$离子处于高自旋态，而脱锂导致晶体场分裂增加，低自旋态变得更好. Co $^{3+}$离子被发现停留在低自旋配置的任何$x$。
2016-08-04 cond-mat.str-el
Magnetism and electrical transport in Y-doped layered iridate Sr$_2$IrO$_4$
本文报道了Y掺杂层状铱酸盐（Sr $_{1-x}$ Y $_x$）$_2$ IrO $_4$（$x$ $\leq$ 0.1）的结构、磁性和电子性质的研究。母体Sr $_2$ IrO $_4$是一种自旋轨道耦合（SOC）诱导的反铁磁基态绝缘体。Y掺杂在这里等效地用于电子掺杂，而不改变重要参数，例如SOC和电子相关性。实验结果表明，结构参数的微小变化和等效的电荷转换从Ir $^{4+}$到Ir $^{3+}$。与类似的其他电子掺杂系统不同，本系列中的低温磁性和电子状态受到的影响最小。整个系列的电荷传导机制遵循二维跳跃模型。磁电阻（MR）的数据显示了一个有趣的符号与温度和磁场的变化。低温下的正MR都遵循弱的反定域行为，其中MR的符号变化被认为是由SOC和磁矩之间的相互作用引起的。
2021-01-07 cond-mat.str-el
Diagonal magnetoelectric susceptibility and effect of Fe-doping in a polar ferrimagnet Mn2Mo3O8
我们调查的线性磁电（ME）的磁化率在一个极性亚铁磁体Mn 2 Mo 3 O 8的对角线分量的大的变化，同时改变磁性离子的网站从轨道淬火Mn 2+到Fe 2+具有较强的单轴各向异性。在Mn 2 Mo 3 O 8中，线性ME磁化率主要由非相对论交换伸缩机制控制，在低温下为正值，在转变温度附近为负发散的临界行为。当50%的Mn 2+离子被Fe 2+离子取代时，该负峰值变得大四倍，突出了组成可调的ME效应的有益前景。随着Fe掺杂分数的增加，在最低温度附近观察到ME系数的逐渐负移，这表明ME磁化率的相对论单点起源。在（Mn 1-xFex）2 Mo 3 O 8中进一步掺杂x ≥ 75%，ME系数在整个温度区域中变为负。这种组成依赖性可以用Mn/Fe离子两种类型磁性位点的化学偏好来解释。本研究表明，大的可调性ME效应通过取代磁性离子与保持不变的主要结构/磁性特征。
2017-01-27 cond-mat.str-el
2D to 1D magnetic interactions evolution in Cu$_2$F$_{5-x}$ through electron doping by fluoride non-stoichiometry
氟化铜Cu $_2$ F $_5$是在$S=1$和$S=\frac{1}{2}$自旋状态中的Cu离子之间具有2D磁交换相互作用的化合物。利用从头计算方法，我们预测了Cu $_2$ F $_5$氟化物亚晶格中5%空位的存在导致了所有铜离子自旋态的剧烈转变，最终自旋态为$S=\frac{1}{2}$和$S=0$ .因此，磁相互作用的各向异性增加，并且出现Cu $d^9$、$S=\frac{1}{2}$离子的一维线性链。我们还提出了一个微观机制，通过CuO $_6$八面体的延伸，这种交换相互作用的转变。
2023-01-01 cond-mat.str-el
Cu-doping effects on the ferromagnetic semimetal CeAuGe
本文研究了4f-Ce金属间化合物CeAu_（1-x）Cu_xGe在整个浓度范围（x = 0.0 - 1.0）内的Cu替代效应，并分析了其潜在的不寻常电子态。CeAuGe化合物是一种非中心对称的六方结构，是一种铁磁半金属，居里温度为10 K。在CeAuGe的Au位上掺杂Cu（CeAu_（1-x）Cu_xGe），使CeAu_（1-x）Cu_xGe的晶体结构从非中心对称（P63/mmc）空间群转变为中心对称（P63/mmc）空间群，在x ~ 0.5处c晶格常数有最大值。磁化率和电阻率的测量表明，所有的Cu掺杂化合物进行磁相变接近10 K，与12 K的最大转变温度为x = 0.5。中子粉末衍射实验表明，Ce 3+的磁矩为铁磁有序，在1.8 K时的Bohr磁子值约为1.2，取向垂直于六方c轴。利用对称性分析，我们分别找到了铁磁Shubnikov空间群Cmc'21'和P21 '/m'（x = 0.5）中磁结构的解< 0.5 and x >.电阻率在所有化合物中都表现出金属温度特性。由于近藤效应，在高掺杂x = 0.8和1.0时，电阻率在顺磁状态下具有局部最小值。在小的Cu掺杂水平，x = 0.2，电阻率示出了在铁磁转变温度和在2.5 K的铁磁状态下的额外的过渡样的特性的广泛的功能。
2022-03-01 cond-mat.str-el
Enhanced Superconductivity up to 43 K by P/Sb Doping of Ca1-xLaxFeAs2
通过电阻率ρ和磁化强度M的电导测量，研究了等价掺杂对新型112型铁砷化物Ca_（1-x）La_xFeAs_2超导转变温度Tc的影响。P或Sb掺杂强烈地提高了Tc：P掺杂的Ca 0.84La 0.16FeAs 2和Sb掺杂的Ca 0.85La 0.15FeAs 2分别表现出41和43 K的Tc，而没有P/Sb的Ca 0.85La 0.15FeAs 2表现出35 K的Tc。这些结果为进一步提高稀土掺杂Ca-Fe-As体系的Tc提供了线索。
2014-01-30 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
X-ray Irradiation-induced Carrier Doping Effects in Organic Dimer-Mott Insulators
我们报道了X射线辐照诱导载流子掺杂对有机二聚体-莫特绝缘体$κ$ -（ET）$_{2}$ $X$ with $X =$ Cu[N（CN）$_{2}$ ]Cl和Cu $_{2}$（CN）$_{3}$电导率的影响。对于$κ$ -（ET）$_{2}$ Cu[N（CN）$_{2}$ ]Cl，我们已经观察到在300 K的辐照下电阻率大幅度降低了40%，并且在50 K左右具有类似金属的温度依赖性。在供体分子位点处预期的辐照诱导的缺陷可能导致晶体中电荷转移的局部不平衡。这种分子缺陷导致载流子有效地掺杂到半填充的二聚体-莫特绝缘体中。
2007-10-16 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
