Influence of encapsulation temperature on Ge:P delta-doped layers
我们提出了一个系统的研究的封装温度对Ge：P δ掺杂层的掺杂剂限制和电性能的影响。对于增加的生长温度，我们观察到的电性能的增强伴随着增加的隔离的磷供体，导致在一个轻微的扩大的三角层。我们证明，在530 C下实现的阶梯流生长提供了高晶体质量和最小掺杂剂再分布之间的最佳折衷，在载流子密度为1.3x10^14 cm-2时，电子迁移率为~ 128 cm^2/Vs，4.2 K相位相干长度为~ 180 nm。
2009-12-03 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
High-density two-dimensional small polaron gas in a delta-doped Mott insulator
复杂氧化物系统中的异质界面开辟了新的领域，可以测试强相关材料的模型，探索金属-绝缘体转变（MIT）和小极化子形成中的维度作用。在量子临界点附近，Mott MITs依赖于由随机无序替代掺杂控制的能带填充。δ掺杂的莫特绝缘体可能没有随机无序，并引入了一个新的领域，在其中探索电子相关性和维数的影响。原型莫特绝缘体GdTiO 3的外延膜通过用电荷中性SrO单层取代单个（GdO）+1平面来进行δ掺杂，以产生具有高平面掺杂密度的二维系统。与GdTiO 3中的金属SrTiO 3量子阱不同，单一SrO δ掺杂层表现出热激活DC和光学电导率，其以定量的方式与小极化子输运的预测一致，但具有极高的极化子二维密度，约7 E14 cm-2
2014-04-09 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Delta-doped \b{eta}-Ga2O3 thin films and \b{eta}-(Al0.26Ga0.74)2O3/\b{eta}-Ga2O3 heterostructures grown by metalorganic vapor-phase epitaxy
我们报道了使用硅烷前体的金属有机气相外延生长的\b{eta} -Ga 2 O 3薄膜的硅δ掺杂。δ掺杂\b{eta} -Ga 2 O 3外延膜的特征在于使用电容-电压分布和二次离子质谱。测量了电子面电荷密度在2.9e12 cm-2至8 e12 cm-2范围内，半峰半宽在6.2 nm至3.5 nm范围内。我们还利用δ掺杂的\b{eta} -（Al0.26Ga0.74）2 O3/ \b{eta} -Ga 2 O3异质结证实了高密度（6.4e ~（12）cm ~（-2））的简并二维电子气，总电荷还可能包括\b{eta} -（Al0.26Ga0.74）2 O3合金势垒中平行沟道的贡献.
2020-03-02 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Ferroelectric and Photovoltaic Properties of Transition Metal doped Pb(Zr0.14Ti0.56Ni0.30)O3-delta Thin Films
我们报道了近单相Pb（Zr0.14Ti0.56Ni0.30）O_3-delta（PZTNi_（30））铁电体，具有大的反射极化（15-30 μC/cm ~ 2）、0.3-0.4 V开路电压（VOC）、减小的带隙（直接3.4 eV和间接2.9 eV）、大的开/关光电流比和快的衰减时间。在没有栅偏压的情况下，获得了相当好的光电流密度（1-5 μA/cm ~ 2），而栅偏压随着偏置场的增大而显著增大。铁电极化决定了VOC的极性和短路电流（ISC）的方向，朝着实现对可见光敏感的非中心对称铁电材料前进了一步。
2014-03-03 cond-mat.mtrl-sci
Ultra-dense phosphorus in germanium delta-doped layers
锗（Ge）δ掺杂层中的磷（P）是在超高真空中通过将膦分子吸附到原子级平坦清洁的Ge（001）表面上，然后通过分子束外延将P热并入晶格和外延Ge过生长来制造的。结构和电学特性表明，在4.2 K下，P原子被限制在一个2 nm宽的超窄层中，具有4 × 10^13 cm-2的电活性片状载流子浓度。这些结果开辟了超窄的源极/漏极区域的可能性，前所未有的载流子密度的Ge n沟道场效应晶体管。
2009-12-03 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Carrier Mobilities in Delta-doped Heterostructures
对于传感器设计的应用，电子密度n和迁移率μ的乘积nxmu是为了增强器件灵敏度而优化的关键参数。我们在一个二维电子气（2DEG）层中开发的δ掺杂异质结构模型的载流子迁移率。子带能级，电子波函数，和带边轮廓的数值求解薛定谔方程和泊松方程自洽获得。电子迁移率的计算包括散射的贡献电离杂质，背景中性杂质，变形势声学声子，和极性光学声子。我们计算了nxmu对温度，间隔层厚度，掺杂密度和量子阱厚度的依赖关系。该模型被应用到delta掺杂量子阱异质结构的AlInSb-InSb。在低温下，对于大间隔层（400 A）和阱宽（400 A），计算出的迁移率高达1.3 × 10^3 m^2/Vs。相应的室温迁移率为10 m^2/Vs。nxmu的相关性显示，对于较高的背景杂质密度，间隔层厚度为300 A时最大，而对于较低的背景杂质密度，nxmu继续单调增加;这对传感器设计有影响。
2006-02-06 cond-mat.mtrl-sci
Wavelength dependent negative and positive persistent photoconductivity in Sn delta-doped GaAs structures
在波长λ = 650-1200 nm，温度T= 4.2-300 K范围内，研究了δ掺杂Sn的GaAs结构的光电导。在强磁场中，用磁电阻、Shubnikov-de Haas效应和霍尔效应测量了照射前后的电子密度和迁移率。对于重掺杂结构（n_H> 2 × 10^13 cm^-2），我们在波长大于主体材料带隙波长的光（λ = 815 nm，T= 4.2 K）照射下观察到，首先是正的（PPPC），然后是负的（NPPC）持久光电导。NPPC归因于DX中心的电离，PPPC由衬底中Cr杂质态的电子激发来解释。对于λ < 815 nm的情况，电子在GaAs带隙上的激发对PPPC也有贡献。对于轻掺杂结构（n_H<= 2 × 10^13 cm^-2），光电导效应总是正的。
2000-06-16 cond-mat.mtrl-sci
Terahertz detection with delta-doped GaAs/AlAs multiple quantum wells
作者证明了选择性检测太赫兹辐射采用铍δ掺杂GaAs/AlAs多量子阱。在液氦温度下，在4.2- 7.3THz范围内，灵敏度可达1V/W。在光和电反射光谱中观察到的Franz-Keldysh振荡允许人们估计所研究的结构中的内置电场。结果发现，盖层区域中的电场强度可以从10 kV/cm变化到26 kV/cm，这取决于结构设计和温度。
2007-11-03 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.other
Fractionally delta-doped oxide superlattices for higher carrier mobilities
氧化物异质结构中的二维电子气系统是新现象的重要场所。在这里，我们表明，通过使用分数δ掺杂来控制界面的LaxSr 1-xTiO 3/SrTiO 3人工氧化物超晶格的组成，填充控制的二维绝缘体-金属转变可以实现。d-电子带填充的原子尺度控制，这反过来又有助于调整的有效质量和密度的载流子，被发现是一个迷人的路线，大大提高载流子迁移率。
2012-09-04 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Absence of halfmetallicity in defect-free Cr, Mn-delta-doped Digital Magnetic Heterostructures
我们提出了一个组合的密度泛函和多体计算的无缺陷的数字铁磁异质结构的电子和磁性的掺杂GaAs与Cr和Mn。虽然局域密度近似/（+U）预测在这些无缺陷的δ掺杂异质结构的半金属性，我们证明了本地多体相关捕获的动态平均场理论诱导内的少数自旋通道非准粒子状态以上$E_F$。由于这些多体态的存在，半金属带隙被封闭，载流子的自旋极化显著降低。费米能级以下的少数自旋最高价态被发现本地化的GaAs层被认为是独立的电子相关的类型。因此，我们的研究结果证实了这些δ掺杂异质结构中载流子的限制，具有遵循与磁化不同的温度依赖性的自旋极化。我们认为，极化热电子光致发光实验可能会带来的证据，存在于少数自旋通道和他们的有限温度行为的多体状态。
2011-02-03 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Deterministic coupling of delta-doped NV centers to a nanobeam photonic crystal cavity
金刚石中带负电荷的氮空位中心（NV）作为固态量子信息处理和传感的平台引起了人们极大的兴趣。对于大多数应用，需要高质量的光学腔来增强NV零声子线（ZPL）发射。最大化NV-腔耦合程度的一个突出挑战是在腔内确定性地放置NV。在这里，我们报告的光子晶体纳米梁腔耦合到通过三角掺杂技术，允许纳米级的垂直定位的发射器的NV纳入。我们证明了腔Q高达~24,000和模式体积V ~ $0.47(λ/n)^{3}$以及共振增强的零PL的NV合奏与珀塞尔因子为~20。我们的制造技术提供了第一步确定性NV腔耦合使用空间控制的发射器。
2014-11-03 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.optics
Magnetism in Cr-doped ZnS: Density-functional theory studies
采用密度泛函理论计算了立方结构Zn 1-xCrxS的磁性和聚集趋势，结果表明：所有研究的构型都表现出基态半金属铁磁性（HMF），Cr杂质在能量上有利于平面团簇形成δ掺杂结构. Zn0.75Cr0.25S和Zn0.875Cr0.125S的单层δ掺杂结构的铁磁稳定能（Δ EAF）分别为0.551和0.561 eV/Cr-Cr对。Zn0.875Cr0.125S的半层δ掺杂结构和Zn0.75Cr0.25S的双层δ掺杂结构的Δ EAF分别为0.394和0.166 eV/Cr-Cr对。此外，我们的研究表明，立方ZnS/CrS异质结构，一个极端的情况下，δ掺杂结构，也显示出基态HMF。HMF的起源进行了讨论，使用一个简单的晶体场模型。最后，我们展望了Zn_（1-x）Cr_xS在自旋电子学方面的潜在应用。
2009-10-13 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.other
Deep-recessed $β$-Ga$_2$O$_3$ delta-doped field effect transistors with in situ epitaxial passivation
我们在$β$ $_2$ O $_3$ δ掺杂场效应晶体管中引入了深凹栅结构，以改善DC-RF色散和击穿特性。该器件设计结合了非故意掺杂的$β$ $_2$ O $_3$层作为钝化电介质。为了制造该器件，在~5 W RIE下使用基于BCl $_3$等离子体的蚀刻来开发深凹部几何形状，以确保最小的等离子体损伤。通过在高于600 $°$ C的温度下在真空中退火来减轻等离子体蚀刻引起的蚀刻损伤。一个栅极连接的场板边缘终端实现了有效的现场管理。在高V $_\mathrm{DS}$下，表面分散性可忽略不计，且与未钝化的对应物相比，具有更低的拐点走离和更好的击穿特性。测得三端关断状态击穿电压为315 V，对应于2.3 MV/cm的平均击穿场。器件击穿受到场板/钝化边缘的限制，并提出了进一步改进的范围。这种外延钝化场效应晶体管的演示是$β$ $_2$ O $_3$技术的重要一步，因为该结构同时提供了对表面相关色散的控制和优异的场管理。
2020-04-22 cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Delta-Doped Diamond via in-situ Plasma-Distance Control
Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics IAF（弗劳恩霍夫应用固态物理研究所）
通过原位等离子体距离控制实现Delta掺杂金刚石的CVD生长，提高氮掺杂效率并拓展金刚石在量子传感和计算中的应用。
2026-03-02 cond-mat.mtrl-sci physics.plasm-ph
Accelerated Lifetime Testing and Analysis of Delta-doped Silicon Test Structures
随着晶体管功能缩小到2 nm节点以上，研究和设计原子尺度效应变得至关重要。能够将传统CMOS与能够以原子精度创建高度掺杂磷层的2D图案的新原子级制造路线相结合，对数字电子的未来具有影响。这项工作建立了这种掺杂层的加速寿命测试，表明这些材料在高电流（>3.0 MA/cm 2）和300 $^{\circ}$ C下存活超过70天，并且仍然是导电的。掺杂层与传统金属层（如铝和铜）中的失效相比很好，在传统金属层中，在这些温度和电流密度下的平均失效时间将在数小时内发生。它还确定了这些材料比金属特征更稳定，为它们与操作CMOS的集成铺平了道路。
2022-02-24 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Formation of spin-orbital entangled 2D electron gas in layer delta-doped bilayer iridate La$_δ$Sr$_3$Ir$_2$O$_7$
通过密度泛函研究预测δ掺杂双层铱酸盐中形成自旋-轨道纠缠二维电子气，该电子气被限制在LaO层附近的IrO₂层，破坏Mott绝缘态并展现高电导率。
2023-11-14 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Magnetic properties of bismuth-cobalt oxides doped by erbium
合成了通式为Bi_（3-x）Er_xCoO_（3-y）的掺铒铋钴氧化物。化合物具有δ型氧化铋的结构。在80-500 K温度范围内，用法拉第法测量了化合物的磁性。计算了样品的磁化率和有效磁矩。
2015-12-06 cond-mat.mtrl-sci
Oxygen vacancy formation energies in Sr-doped complex perovskites: ab initio thermodynamic study
La_（1-x）Sr_xCo_（0.25）Fe_（0.75）O_（3-δ）被认为是渗透膜和固体氧化物燃料电池的最佳阴极材料之一。其化学组成的优化是一个具有挑战性的问题。其中一个关键性质是氧空位的浓度，由它们的形成能控制。采用从头计算方法研究了Sr含量从x = 12.5%到50%变化时La_（1-x）Sr_xCo_（0.25）Fe_（0.75）O_（3-δ）钙钛矿中氧空位的形成。形成能作为温度和氧分压的函数，得到不同的化学计量。我们已经表明，声子贡献的自由形成能变得越来越重要的La 1-xSrxCo0.25Fe0.75O3-δ不仅与温度的上升，而且与Sr含量的上升。我们已经表明，由于两个效应：Sr 2+离子的电荷补偿和声子的贡献，随着Sr含量的增加，形成能显着降低。我们已经提出了一个简单的解释声子的作用增加的氧空位形成能量的基础上的声子模式的变化相比，无缺陷的材料。文中还对文献中的实验结果进行了仔细的分析。
2012-06-27 cond-mat.mtrl-sci
Interface Effects on the Ionic Conductivity of Doped Ceria / Yttria-stabilized Zirconia Heterostructures
在（001）取向的MgO单晶衬底上制备了高结晶质量的Ce0.85Sm0.15O2-δ和Y0.16Zr0.92O2-δ多层异质结构。保持异质结构的总厚度恒定，增加氧化铈-氧化锆双层的数量，同时减小每层的厚度。在每个界面处，发现Ce主要处于从界面延伸约2nm的层中的还原的3+氧化态。同时，电导率随着层的厚度减小而降低，这表明沿着YSZ层的电荷传输的渐进限制。面内电特性的比较分析表明，这些界面区域的总电导率的贡献可以忽略不计。对于2nm的最小层厚度，掺杂的二氧化铈层是电绝缘的，并且离子传输仅通过氧化锆层发生。这是解释在高度还原的二氧化铈中的氧空位的流动性降低。
2019-05-13 cond-mat.mtrl-sci
Dispersion models describing coupled systems in doped crystals. II. Infrared phonon excitations in GaAs single crystals and phonon-plasmon coupling in Zn-doped GaAs
Masaryk University（马萨里克大学）；Brno University of Technology（布尔诺理工大学）；New Mexico State University（新墨西哥州立大学）；Institute of Physics, Academy of Sciences of the Czech Republic（捷克科学院物理研究所）
研究在广义色散框架内对本征和锌掺杂砷化镓进行温度相关红外研究，用特定分布拟合多组数据，再现耦合演变，观察到法诺型不对称，所得光学常数具一致性，为模拟红外光学性质提供定量工具。
2026-07-28 cond-mat.mtrl-sci physics.optics
Two-phase coexistence is tunable and is not the equilibrium state in half-doped manganites
我们讨论了我们非常有趣的实验观察，即在半掺杂锰氧化物中的低温两相共存是多值的（在任何场），因为我们可以通过在（H，T）空间中遵循不同的路径来调节共存的反铁磁绝缘（AF-I）和铁磁金属（FM-M）相分数。我们已经通过实验表明，在这种两相共存的情况下，相分数可以取连续无穷大的值。除了一种以外，所有这些都是亚稳态的，并且两相共存不是平衡态。
2007-03-06 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
High Temperature Ferromagnetism in GaAs-based Heterostructures with Mn Delta Doping
我们表明，适当设计的磁性半导体异质结构组成的Mn δ掺杂GaAs和p型AlGaAs层，其中局部高浓度的磁矩的Mn原子可控重叠的二维空穴气体波函数，实现了显着高的铁磁转变温度（TC）。通过改变结构的生长顺序，随后进行低温退火，显著降低补偿Mn晶体，导致高达250 K的高TC。高TC的异质结表现出特殊的反常霍尔效应行为，其符号依赖于温度。
2005-03-17 cond-mat.mtrl-sci
Momentum-space imaging of ultra-thin electron liquids in delta-doped silicon
该研究利用软X射线角分辨光电子能谱对硅中埋层δ掺杂二维电子液体进行动量空间成像，直接表征其极薄、高密度导带限制，并证明砷δ层优于磷δ层。
2023-09-29 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci quant-ph
Delta Doping of Ferromagnetism in Antiferromagnetic Manganite Superlattices
我们证明，三角洲掺杂可以用来创建一个尺寸限制区域的金属铁磁性的反铁磁（AF）锰氧化物主机，而不会引入任何明确的混乱，由于掺杂剂或挫折的自旋。用数字合成技术将δ掺杂载流子插入到锰氧化物超晶格中。这些额外的载流子的理论考虑表明，它们导致局部增强铁磁（F）双交换相对于AF超交换，导致局部倾斜的AF自旋。这导致了高度调制的磁化，如通过极化中子反射计测量的。倾斜的空间调制与电荷从掺杂层的扩散有关，并且建立了这些锰氧化物中的电荷转移、轨道占据和磁序的变换的基本长度尺度。此外，我们证实了存在的倾斜，AF状态的预测由德Gennes [P.- G. de Gennes，Phys. Rev. 118，141（1960）]，但仍然难以捉摸。
2011-10-22 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Defect complexes in Ti-doped sapphire: A first principles study
采用第一性原理计算研究了掺钛α-Al_2 O_3晶体中缺陷复合物的形成。计算了在不同Al-Ti-O相关相平衡条件下，孤立的Ti ~（3+）和Ti ~（4+）缺陷、Ti离子对、三重态和四重态以及Al空位的形成能。考虑到整个系统的电中性，我们确定的简单和复杂的缺陷的平衡浓度，以及总的平衡浓度的Ti在α-Al 2 O 3晶体。结果表明，复合缺陷的平衡浓度可以与孤立的替位式Ti 3+和Ti 4+缺陷的浓度处于相同数量级甚至更大。据发现，在Ti-缺乏的条件下，孤立的缺陷的相对分数增加，平衡被转移到Ti 4+缺陷。得到了孤立缺陷和复杂缺陷平衡浓度之间的普遍关系。计算了含复杂缺陷体系的能带结构，发现了由缺陷引起的带隙内的额外能级。
2018-01-11 cond-mat.mtrl-sci
Effective Carrier Doping and Metallization in LaxSr2-x-yBayIrO4-delta Thin Films
为了实现Sr 2 IrO 4体系中载流子的有效掺杂和金属化，我们采用脉冲激光沉积法制备了LaxSr 2-x-yBayIrO 4-delta薄膜。利用衬底拉伸应变和Ba替代，控制La掺杂和氧缺陷，设计了理想的面内Ir-O-Ir框架结构。这使我们能够阐明从原始p型自旋轨道莫特绝缘体到高掺杂n型金属的系统变化中电荷输运与载流子密度之间的关系。
2016-01-29 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Effects of Cation Vacancy Distribution in Doped LaMnO3+d Perovskites
本文研究了掺杂锰氧化物（La，M）MnO_（3 + δ）（M = Na，Ca）中阳离子空位的存在和分布与磁性的关系。结果表明，不同的晶体结构和掺杂离子类型的阳离子空位分布不同。特别是它表明，知识的总空位浓度是不够的，以充分表征锰氧化物的物理性质和它们的分布之间的钙钛矿结构的A和B网站起着至关重要的作用，应考虑在未来的研究。
2005-04-13 cond-mat.mtrl-sci
Spin diffusion in doped semiconductors
在杂质半导体中的自旋扩散行为被证明是定性不同于未掺杂（本征）的。本征半导体中的自旋包必须是多带扰动，涉及电子和空穴的不均匀分布，而在杂质半导体中，单带扰动是可能的。对于n型掺杂的半导体，由于导带中的简并电子海而导致的扩散增强，对于这些单带自旋包来说比对于电荷包来说要大得多，并且即使对于小到10^16 cm^-3的平衡掺杂，在低温下也可以超过一个数量级。在n-掺杂的铁磁和半磁半导体中，自旋包的运动被预测为比平行极化自旋包快一个数量级。这些结果对于p-杂质半导体是相反的。
1999-12-10 cond-mat.mtrl-sci
Investigating intrinsic silicon oxide and a lightly doped p-type layer for evolution of tail states and estimating its impact as a passivation layer in a HIT type device
本文研究硼轻掺杂对aSiO:H带尾态和缺陷态的影响，并通过器件模拟表明低缺陷氧化硅钝化层可使HIT型太阳能电池PCE达到26.4%。
2023-12-11 cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph physics.optics
Non-equilibrium character of resistive switching and negative differential resistance in Ga-doped Cr2O3 system
采用化学共沉淀法和800 ℃退火工艺合成了Cr_2 O_3掺杂Ga_（1.45）Ga_（0.55）O_3和Cr_（1.17）Ga_（0.83）O_3。样品已稳定在菱形晶体结构中，空间群为R3 C。本工作的重点是研究样品的非线性电流-电压（I-V）特性，它表现出许多有趣的电子特性，例如，I-V环路、电阻开关、双稳态电子状态和负微分电阻。通过在设定偏置电压条件下，测量20次循环的偏置电压和电流弛豫随时间的变化，研究了I-V特性的非平衡特性。在样品中的电荷传导过程已被理解通过分析I-V曲线，使用不同的唯象模型的基础上提出的金属电极-金属氧化物-金属电极（M-MO-M）结的电极限制和块限制的电荷传导机制。应当理解，从金属电极到金属氧化物的载流子注入、通过材料的电荷流动（在缺陷位点处的载流子的捕获/去捕获和重组）、电极和金属氧化物的结处的空间电荷形成以及从金属氧化物到金属电极的电子喷射之间的竞争控制了本发明样品中的非平衡I-V特性。
2017-11-02 cond-mat.mtrl-sci
Inhomogeneously doped thermoelectric nanomaterials
具有δ函数电子态密度的非均匀掺杂热电纳米材料可以在没有声子热泄漏的情况下以卡诺效率工作。在这里，我们自洽地计算从开路到短路的热电纳米材料的一个简单模型的效率和功率，该热电纳米材料具有窄峰的电子态密度和有限的晶格热导率，比较非均匀和均匀掺杂的结果。对于800 K和300 K之间的发电，我们发现，不均匀掺杂不仅使最大效率提高了10%，而且还使最大功率提高了60%。
2004-07-20 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.stat-mech
Electron-phonon coupling and two-band superconductivity of Al- and C-doped MgB2
在密度泛函理论的框架下，采用自洽虚晶近似，研究了Mg{1-x} AlxB 2和MgB{2（1-y）}C{2 y}合金的电子-声子和超导性质.对于这两种合金，Eliashberg光谱函数和电子-声子耦合常数已被计算在两个带模型的几个浓度高达x（Al）=0.55和y（C）=0.175。在不考虑带间散射的情况下，数值求解了两带Eliashberg带隙方程。使用一个单一的参数的库仑赝势，这是确定的未掺杂的化合物，我们能够再现实验掺杂的Delta_sigma，Delta_pi，和T_c的定量水平上的两种合金。特别是，所观察到的Al和C掺杂之间的超导性的掺杂范围的差异表明掺杂位点的显著影响，这可以在本方法中自然地解释，而不需要调用带间散射，这表明该因素仅起次要作用。
2010-12-15 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Suppression of mid-infrared plasma resonance due to quantum confinement in delta-doped silicon
本文建立考虑强电荷密度限制、能谷简并及各向异性的 P:δ 层模型，解释其中红外等离子体共振缺失机制，并指出扩散恢复共振的原因。
2023-03-08 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Nanosized Sodium-Doped Lanthanum Manganites: Role of the Synthetic Route on their Physical Properties
在本文中，我们提出的纳米晶La 1-xNaxMnO 3 + δ样品的合成和表征的结果。采用两种合成路线：聚丙烯酰胺基溶胶-凝胶和推进剂合成。纯的，单相材料得到的溶胶-凝胶样品的晶粒尺寸约为35 nm，推进剂的约为55 nm，而且呈现出更宽的晶粒尺寸分布。对于这两个系列的超顺磁性行为证明了通过磁化强度和EPR测量与特有的功能归因于不同的晶粒尺寸和形态。初步的磁阻测量显示增强的低场（< 1 T）的磁阻值，这表明这些锰氧化物的一个有趣的应用。
2003-10-17 cond-mat.mtrl-sci
Electron Mobility in Bulk n-Doped SiC-Polytypes 3C-SiC, 4H-SiC, and 6H-SiC: A Comparison
本文对体相n型掺杂SiC多型体3C-SiC、4 H-SiC和6 H-SiC的电荷输运（瞬态和稳态）进行了比较研究。利用非平衡统计算符方法导出的非平衡量子动力学理论，从理论上得到了电子漂移速度和非平衡温度这两个基本宏观变量随时间的演化规律。导出并分析了该宏变量和迁移率对外加电场的强度和方向的依赖关系。从本文中获得的结果，这些半导体中最有吸引力的应用需要更大的电子迁移率是多型4 H-SiC的电场施加垂直于c轴。
2021-09-11 cond-mat.mtrl-sci
Insulator-to-metal transition in sulfur-doped silicon
我们观察到一个绝缘体到金属（I-M）的转变，在晶体硅中掺杂硫的非平衡浓度使用离子注入，然后脉冲激光熔化和快速再固化。这种I-M转变是由于已知在平衡浓度下仅产生深能级的掺杂剂。温度T > 1.7 K时的温度依赖电导率和霍尔效应测量结果均表明，在硫浓度为1.8 ~ 4.3 x 10^20 cm-3时，发生了从绝缘导电到金属导电的转变。绝缘样品中的传导与库仑隙的可变范围跳跃是一致的。深能级通过离域作用实现金属导电的能力是硅中实现体中间能带光致发光的唯一已知途径。
2011-03-03 cond-mat.mtrl-sci
Non-equilibrium Green's function based single-band tight-binding model for Fe-MgO-Fe magnetic tunnel junction devices
在Fe-MgO-Fe磁性隧道结器件中观察到了很高的隧道磁电阻效应（TMR），基于单带紧束缚近似，我们提出了一个理论模型。试图捕捉二维横向布里渊区的能带色散。在输运方向上，对Delta_1和Delta_5带给出了自旋相关的哈密顿量。非平衡格林函数形式主义，然后用于计算运输。在这个简单的模型中定量地捕获了TMR的电压依赖性等特征，并且其趋势与从头算方法和实验预测的趋势相匹配。
2008-04-24 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Self-compensation in manganese-doped ferromagnetic semiconductors
本文提出了Mn掺杂铁磁半导体中的间隙Mn理论。利用密度泛函理论，我们表明，在非平衡条件下的生长，间隙锰很容易形成一个简单的低能量吸附途径的表面附近。在GaAs中，孤立的间隙Mn是电子供体，每个补偿两个替代Mn受体。在一个杂质带模型，部分补偿促进铁磁秩序低于金属-绝缘体过渡，最高的居里温度发生0.5个孔每置换锰。
2002-09-13 cond-mat.mtrl-sci
Influence of Ru-doping on structure, defect chemistry, magnetic interaction and carrier motion of the La1-xNaxMnO3+delta manganite
在这项工作中，我们报告的La 1-xNaxMn 1-yRuyO 3 +d（LNMRO）系统（x = 0.05，0.15和y = 0，0.05，0.15）的结构，电和磁的表征，还包括调查的氧含量对相关的氧化还原性能的作用。借助X射线粉末衍射、电子探针分析、热重分析、电阻率和磁化强度测量以及电子顺磁共振等手段，实现了实验研究。我们表明，钌掺杂对所研究的LNMRO化合物的影响不仅直接相关的Ru/Mn取代和Ru的氧化态，但也间接连接到样品中的氧含量。我们的数据表明，钌的添加可以改善非最佳（低）阳离子掺杂的锰氧化物的电和磁性能，导致TC值的增加和MR效应的叛乱，如观察到的x = 0.05和y = 0.05的样品。
2005-05-12 cond-mat.mtrl-sci
A Full-Potential-Linearized-Augmented-Plane-Wave Electronic Structure Study of delta-Plutonium and the (001) Surface
采用周期性密度泛函理论计算方法，在WIEN 2k程序包中实现了全势线性化增广平面波（FP-LAPW）方法，研究了面心立方δ-钚的电子和几何性质以及（001）超薄膜（UTF）表面能和功函数的量子尺寸效应.我们计算出的平衡原子体积为178.3 a.u.^在完全相对论水平下（即考虑自旋极化和自旋轨道耦合），计算得到的24.9 GPa的体积模量与实验值168.2 a.u.^ 3和25 GPa（593 K）。在不同的近似水平计算的平衡晶格常数中使用的薄膜的表面性质的计算。在完全相对论水平下，表面能迅速收敛，半无限表面能为0.692eV.
2004-07-26 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Metal-Insulator Transition and Ferromagnetism in the Electron Doped Layered Manganites La2.3-xYxCa0.7Mn2O7 (x=0,0.3,0.5)
合成了具有层状钙钛矿结构的La_（2.3-x）Y_xCa_（0.7）Mn_2 O_7（x= 0，0.3，0.5）体材料，并对其电学、电学和磁学性质进行了研究。结果表明，La_（1.8）Y_（0.5）Ca_（0.7）Mn_2 O_7具有四方晶系结构，是一种金属铁磁体，其磁转变温度为170 K。该化合物在140 K以下表现出金属行为，在100 K和34 kOe下具有大的磁阻（MR）Δ rho/rho（0）~94%.对于x=0和0.3的结构是单斜的抑制金属。当x=0时，材料是铁磁绝缘体。我们观察到随着x的减小，比热中线性项的系数大大增加。据我们所知，这是第一个报道的电子掺杂锰氧化物显示金属-绝缘体转变和铁磁性。
1998-05-21 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Magnetothermopower of $δ$-doped LaTiO$_3$/SrTiO$_3$ interfaces in the Kondo regime
报道了用等结构反铁磁钙钛矿LaCrO $_3$测量界面δ掺杂LaTiO $_3$ /SrTiO $_3$（LTO/STO）异质结构的磁热电势（S（H，T））。纯LTO/STO界面在300 K下的热电功率为$\approx$ 118 $μ$ V/K，但在$δ$掺杂时显著增加。在100 ~ 300 K温度范围内，观测到的S（T）与温度的线性关系与二维电子气的扩散热势理论一致。在薄层电阻显示Kondo型最小值的温度范围（T $<$ 100 K）内，S（T）显示出明显的增强。我们把S（T）的最大值归因于导电电子在界面处被局域杂质自旋的近藤散射。磁场对S的抑制以及面外和面内场几何结构中抑制的各向同性性质进一步加强了基于近藤模型的S（H，T）的解释。
2014-08-07 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Enhanced spin-orbit interaction and Kondo scattering in $δ$-doped LaTiO$_3$/SrTiO$_3$ interfaces
我们提出了一个研究的δ（$δ$）掺杂在LaTiO $_3$ /SrTiO $_3$（LTO/STO）界面与同构的反铁磁钙钛矿LaCrO $_3$（LCO），显着地改变了二维电子气（2-DEG）在界面处的属性。这些效应包括减少片状载流子密度，突出的低温电阻率最小值，增强弱反局域化低于10 K和观察到强各向异性磁电阻（MR）。正和负的MR分别为面外和面内场和MR的场和温度的依赖性建议近藤散射局部Ti $^{3+}$矩重整化的自旋轨道相互作用在T $<$ 10 K，随着$δ$层厚度的增加。电子能量损失谱和密度泛函计算为$δ$层阻止电子从LTO转移到STO提供了令人信服的证据。
2014-08-01 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Observation of quasi-steady dark excitons and gap phase in a doped semiconductor
Institute for Advanced Studies, Wuhan University（武汉大学高等研究院）；Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics and Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences（中国科学院物理研究所）；School of Physical Sciences, University of Chinese Academy of Sciences（中国科学院大学物理科学学院）；School of Physics and Technology, Wuhan University（武汉大学物理科学与技术学院）；Songshan Lake Materials Laboratory（松山湖材料实验室）；Wuhan Institute of Quantum Technology（武汉量子技术研究院）
本研究通过角分辨光电子能谱法在掺杂半导体SnSe2中观察到准稳态暗激子和能隙相，揭示了光-物质相互作用在电子结构工程中的作用，并为实现具有大能隙的半导体中的激子能隙相提供了新方法。
2025-07-11 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
