Inequivalent routes across the Mott transition in V2O3 explored by X-ray absorption
F. Rodolakis, P. Hansmann, J. -P. Rueff, A. Toschi, M. W. Haverkort, G. Sangiovanni, A. Tanaka, T. Saha-Dasgupta, O. K. Andersen, K. Held, M. Sikora, I. Alliot,… 展开作者
F. Rodolakis, P. Hansmann, J. -P. Rueff, A. Toschi, M. W. Haverkort, G. Sangiovanni, A. Tanaka, T. Saha-Dasgupta, O. K. Andersen, K. Held, M. Sikora, I. Alliot, J. -P. Itié, F. Baudelet, P. Wzietek, P. Metcalf, M. Marsi
The changes in the electronic structure of V2O3 across the metal-insulator transition induced by temperature, doping and pressure are identified using high resolution x-ray absorption spectroscopy at the V pre K-edge. Contrary to what has been taken for granted so far, the metallic phase reached under pressure is shown to differ from the one obtained by changing doping or temperature. Using a novel computational scheme, we relate this effect to the role and occupancy of the a1g orbitals. This finding unveils the inequivalence of different routes across the Mott transition in V2O3
Anions effects on the electronic structure and electrodynamic properties of the Mott insulator $κ$-(BEDT-TTF)$_2$Ag$_2$(CN)$_{3}$
莫特绝缘体$κ$ -（BEDT-TTF）$_2$ Ag $_2$（CN）$_3$形成具有可能的量子自旋液态的$S=1/2$二聚体的高度阻挫三角晶格。我们的实验和数值研究揭示了晶体学上不等价的网站，弛豫介电响应和跳跃直流输运之间出现轻微的电荷不平衡。从更广泛的角度出发，我们得出结论：强关联自旋液体电荷转移盐的普遍性质是阴离子支撑的价带和弛豫态下氰化物诱导的准简并电子构型。一般的低能激发是由带电畴壁引起的，而不是由波动的电偶极子引起的。它们引起二聚莫特绝缘体的玻璃态动力学特性，包括兄弟化合物$κ$ -（BEDT-TTF）$_2$ Cu $_2$（CN）$_3$。
Possible routes to superconductivity in the surface layers of V-doped Mg$_{1-δ}$Ti$_2$O$_4$ through multiple charge transfers and suppression of Jahn-Teller activity
Geometric Frustration Assisted Kinetic Ferromagnetism in Doped Mott Insulators
Kavli Institute for Theoretical Sciences, University of Chinese Academy of Sciences（中国科学院大学理论科学 Kavli 研究所）；Max Planck Institute for the Physics of Complex Systems（马克斯·普朗克复杂系统物理研究所）
Mott Criticality as the Confinement Transition of a Pseudogap-Mott Metal
Indian Institute of Science Education and Research Kolkata（印度科学教育研究所加尔各答分校）；The Institute of Mathematical Sciences, HBNI（数学科学研究所，HBNI）；National Institute of Science, Education and Research, HBNI（国家科学、教育和研究学院，HBNI）；Jawaharlal Nehru Center for Advanced Scientific Research（贾瓦哈拉尔·尼赫鲁高级科学研究中心）；Indian Institute of Technology Kharagpur（印度理工学院卡拉格普尔分校）
Pair-Density Wave from Doping an Altermagnetic Mott Insulator
Max Planck Institute for the Physics of Complex Systems（马克斯·普朗克复杂系统物理研究所）；Kavli Institute for Theoretical Sciences and School of Quantum, University of Chinese Academy of Sciences（中国科学院大学量子科学学院与理论科学 Kavli 研究所）
Superconductor to Mott insulator transition in YBa$_2$Cu$_3$O$_7$/LaCaMnO$_3$ heterostructures
由外部磁场、无序或空间限制等手段诱导的超导体到绝缘体的转变（SIT）是量子相变显著影响超导序参量的生动例证。为了寻求通过界面电荷转移实现SIT的新方法，我们研制了由高$T_c$超导体YBa $_2$ Cu $_3$ O $_7$（YBCO）和巨磁电阻铁磁体La $_{0.67}$ Ca $_{0.33}$ MnO $_3$（LCMO）组成的超薄超晶格。通过使用线性偏振共振X射线吸收光谱和磁性圆二色性，结合硬X射线光电子能谱，我们推导出一个完整的图片的界面载流子掺杂在铜酸盐和锰氧化物原子层，导致从超导过渡到一个不寻常的莫特绝缘状态出现的LCMO层厚度的增加。此外，与通常认为只有过渡金属离子才能对电荷转移过程做出响应相反，我们发现电荷也被界面的稀土和碱土金属离子主动补偿。这种通过纯电子掺杂而没有任何化学取代的阻碍作用的$T_c$的确定性控制是另一种有希望的途径，以解开无序对欠掺杂铜氧化物的赝能隙和电荷密度波相位的作用。
Anomalous Nodal Gap in a Doped Spin-1/2 Antiferromagnetic Mott Insulator
University of Science and Technology of China（中国科学技术大学）；Chongqing University（重庆大学）；Los Alamos National Laboratory（洛斯阿拉莫斯国家实验室）；University of California, Santa Barbara（加州大学圣塔芭芭拉分校）；SLAC National Accelerator Laboratory（SLAC国家加速器实验室）；Northeastern University（东北大学）
Strong correlations and local self-energies from on-site ensembles
Paul Scherrer Institute（保罗谢尔研究所）；Örebro University（厄勒布鲁大学）；University of Fribourg（弗里堡大学）；École Polytechnique Fédérale de Lausanne（洛桑联邦理工学院）；Universität Bremen（不来梅大学）；University of Cambridge（剑桥大学）
Topotactic phase transformation in correlated vanadium dioxide through oxygen vacancy ordering
Key Laboratory of Magnetic Molecules and Magnetic Information Materials of Ministry of Education & School of Chemistry and Materials Science, Shanxi Normal University（山西师范大学化学与材料科学学院、教育部磁性分子与磁性信息材料重点实验室）；Research Institute of Materials Science, Shanxi Key Laboratory of Advanced Magnetic Materials and Devices, Shanxi Normal University（山西师范大学材料科学研究所、山西省先进磁性材料与器件重点实验室）
