Strong vortex-antivortex fluctuations in the type II superconducting film
本文考虑了在低于Tc的宽温度区间内，II型超导薄膜中的小尺寸涡旋-反涡旋对的增殖。计算了相应的自由能贡献。结果表明，这些波动的主要贡献的热容量的膜在低温和附近的过渡。
2004-04-20 cond-mat.supr-con
Comment on "Microwave vortex dissipation of superconducting Nd-Ce-Cu-O epitaxial films in high magnetic fields"
虽然Yeh等人[Phys.Rev.B48，9861（1993）]对超导薄膜的电动力学处理表面上具有“薄膜极限”的应用，但他们的工作表明采用了块状电动力学而不是薄膜电动力学，并且因此获得了表面上违反热力学热力学第一定律和与电阻率无关的表面电阻。其他理论和实验的困难简要说明。
2000-07-10 cond-mat.supr-con
Surface reconstruction and charge modulation in BaFe2As2 superconducting film
外延生长的超导薄膜是否具有类似块材的超导特性是一个重要的问题。利用扫描隧道显微镜和扫描隧道光谱（STS）研究了外延生长的Ba（Fe_（1-x）Co_x）_2As_2薄膜的结构和电子性质。这部电影表现出不同的表面结构，（2sqrtx2sqrt2）R45重建，从散装晶体的解理表面。生长的薄膜的电子结构与体相的不同，值得注意的是，薄膜表现出相同的超导输运性质。在STS测量中，我们发现表面的超导能隙在Ba层表面被屏蔽，在超导状态下，在样品表面观察到电荷密度波。
2018-03-08 cond-mat.supr-con
In-situ growth of superconducting MgB2 thin films by molecular beam epitaxy
从多个角度研究了原位生长MgB 2超导薄膜。本文讨论了（1）生长温度，（2）过量Mg的影响，（3）生长过程中残余气体的影响，（4）原位退火的影响，（5）厚度依赖性，（6）衬底的影响。我们的研究结果为制备高质量的超导MgB2薄膜提供了指导。
2002-10-11 cond-mat.supr-con
Superconducting MgB2 thin films nano-bridges for cryo-electronic application
采用磁控溅射法在蓝宝石衬底上制备了前驱体MgB 2薄膜。讨论了非原位退火工艺对MgB 2超导薄膜粗糙度的影响。通过优化MgB前驱体薄膜的真空退火工艺，得到了表面粗糙度小于10 nm，临界温度Tcon = 31 K，相变宽度DTc小于1 K的光滑超导MgB 2薄膜。利用光学光刻和聚焦离子束光刻技术制备了基于超导MgB 2薄膜的纳米桥。在50 nm宽的带材上测得的临界电流密度jc（4.2 K）为7.3 × 10 6 A/cm 2，并且没有检测到超导性能的显著损失。电阻与温度和临界电流与温度特性的测量，这些结构上使用标准的DC四探针测量。
2007-05-29 cond-mat.supr-con
A generalized proximity effect model in superconducting bi- and tri-layer films
本文提出了一个计算邻近耦合超导双层膜和三层膜态密度和库珀对势的通用模型。以超导隧道结为例说明了模型的有效性。
2004-07-13 cond-mat.supr-con
High critical current densities in superconducting MgB2 thin films
在Al 2 O3（0001）和MgO（100）衬底上制备了MgB 2超导薄膜。硼薄膜的沉积通过电子束蒸发，然后与镁的后退火工艺。研究了合适的后退火工艺条件，以制备出性能良好的MgB 2超导薄膜。X射线衍射分析表明，在我们的薄膜中，MgB_2相是随机取向生长的。用扫描电子显微镜（SEM）和原子力显微镜（AFM）观察了表面形貌。用输运法测得15 K时MgB 2/Al 2 O3薄膜的临界电流密度（Jc）约为10^7 A/cm^2，超导转变温度（Tc）约为39 K。
2001-04-12 cond-mat.supr-con
Magnetic Field of an In-Plane Vortex Inside and Outside a Layered Superconducting Film
本文研究了有限厚度的各向异性层状超导薄膜。膜表面被认为平行于晶体的$bc$面。涡旋线的取向垂直于薄膜表面，平行于超导平面。我们计算了这种几何的局部场和伦敦自由能。我们的计算是以前的工作的推广，其中的样品是作为一个半无限超导体。作为该理论的一个应用，我们研究了超导表面的磁通扩展。
2000-08-04 cond-mat.supr-con
Elastic Properties of the Vortex Lattice for a Superconducting Film of Finite Thickness
本文研究了有限厚度超导薄膜涡旋晶格的弹性性质。我们推导出压缩模量的解析表达式。剪切模量的数值计算使用珍珠相互作用潜力，有效的限制非常薄膜，和一个潜在的膜的任意厚度。剪切模量进行了比较研究。
2000-02-22 cond-mat.supr-con
Contribution of residual quasiparticles to the characteristics of superconducting thin-film resonators
结果表明，即使在远低于转变温度的温度下，超导体中仍存在大量的准粒子，这些准粒子对超导薄膜谐振器的特性有重要影响。
2020-12-09 cond-mat.supr-con
Nucleation and Collapse of the Superconducting Phase in Type-I Superconducting Films
利用磁光成像技术研究了I型超导薄膜中中间态和正常态之间的相变。发现了不同过渡场下超导畴的坍缩和成核的磁滞现象，并伴随着以环形畴坍缩和层状畴出现为特征的拓扑磁滞现象。磁滞所示，从过冷和过热状态。由于长程磁相互作用引起的畴形不稳定性是拓扑磁滞的主要原因。连接与系统中类似的影响与远程磁相互作用的强调。
2005-11-03 cond-mat.supr-con
Fabrication of Superconducting YBa2Cu4O8 Film via Coprecipitation
采用共沉淀法和提拉法在SrTiO 3（100）衬底上成功地制备了具有c轴取向的YBa 2Cu 4 O 8（Y-124）薄膜。用Y、Ba、Cu的金属硝酸盐溶液和氢氧化钠-草酸水溶液沉淀Y、Ba、Cu。在磁化强度和电阻测量中，在64-70 K观察到了与体相Y-124相对应的超导转变。所发展的方法适合于制备具有工艺应用价值的Y-124超导薄膜。
2019-04-06 cond-mat.supr-con
Fabrication of superconducting MgB2 thin films by magnetron co-sputtering on (001) MgO substrates
我们在（001）MgO衬底上制备了MgB_2超导薄膜。通过磁控射频和直流共溅射在加热的衬底上制备样品。它们在450°C和750°C之间的温度下非原位退火1小时。我们将表明，在溅射过程中的衬底温度和后退火温度在形成MgB 2超导薄膜中起着至关重要的作用。在薄膜厚度为30nm时，薄膜的临界起始温度为27.1K。通过X射线衍射测量晶体结构。
2010-10-26 cond-mat.supr-con
Comment on "Ferromagnetic film on a superconducting substrate"
与Bulaevskii和Chudnovsky [Phys. Rev. B，63，issue 1（2001）]的预测相反，超导衬底不能使铁磁膜中的畴急剧收缩。这是示出的基础上的条纹域结构的精确解。
2002-11-11 cond-mat.supr-con
Geometry Effects on Switching Currents in Superconducting Ultra Thin Films
涡旋动力学与超导装置的光子探测机制密切相关。事实上，光子吸收对超导性的局部抑制可能会引发涡旋成核和运动效应，这可能会使超导状态不稳定。此外，按比例缩小超导膜的厚度和/或桥几何形状的宽度可以强烈地影响超导膜的输运性质，例如影响其临界电流以及其切换到正常状态的电流。了解这种不稳定性可以提高基于纳米线几何结构的超导器件的性能。本文对几个纳米厚度的NbN和NbTiN超薄膜的阻变特性进行了实验研究。尽管这两种薄膜的图案具有相同的微桥几何形状，但这两种超导材料在非常低的外加磁场下表现出不同的行为。与其他低温超导材料的比较概述了几何效应对这些材料的超导输运性质的影响，特别是对设备的应用。
2017-12-31 cond-mat.supr-con
Fermi surface effect on spontaneous breaking of time-reversal symmetry in unconventional superconducting films
我们提出了一种有助于稳定具有破缺时间反转对称性的超导态的机制，该机制被预测在d波超导膜中实现[A。B. Vorontsov，Phys. Rev. Lett. 102，177001（2009）]。在此超导相，时间反演对称性破缺伴随着沿膜表面的平移对称性的自发破缺。我们研究如何正常超导相边界的厚度-温度相图中的薄膜被修改取决于费米面形状。特别地，当费米面满足嵌套条件时，发现非均匀超导相基本上延伸到相图中的较小厚度区域。我们证明了这种费米表面效应使用正方形晶格紧束缚模型。
2015-02-12 cond-mat.supr-con
Electroplating of superconducting films of MgB2 from molten salts
超导材料由于其超导转变温度（Tc）高达39 K，在磁场作用下具有高的临界电流密度（Jc），因而成为超导带材等电力电子产品的理想超导材料。然而，由于传统制备方法的技术限制，迄今为止，MgB 2超导膜仅在最大面积为几十平方厘米的平面衬底上制备。在这份报告中，我们描述了一种技术，用于制造的MgB2薄膜通过电解熔融的Mg和B的化合物，即电镀MgB2。超导薄膜的MgB2的Tc为36 K，成功地电镀在平面和曲面上，使用简单的装置。MgB2的电镀有望在超导工程领域开辟一条新的途径，因为它能够在各种形状的大表面上制备超导薄膜。
2002-11-15 cond-mat.supr-con
Normal zone propagation along superconducting films deposited on wide substrates
本文分析了介质或导电衬底上超导长膜中正常区的传播。所得到的表达式的传播速度允许一个分析的效果的薄膜和基板之间的热阻和基板的宽度。结果推广到弯曲和平行薄膜中正常区传播的情况，并可近似地应用于多层膜超导体。
2007-03-06 cond-mat.supr-con
Time resolved nanosecond vortex dynamics in high Tc superconducting films
我们报告的观察，在ns的时间尺度下的快速磁场的变化，由于选择性局部加热的高Tc超导薄膜的涡旋重排。详细的模拟描述了沿薄膜测量的光致电压信号，从而更好地理解了快速状态下的涡旋动力学，其中平均涡旋速度达到10000 m/s
2000-11-21 cond-mat.supr-con
Interaction of vortices in thin superconducting films and Berezinskii-Kosterlitz-Thouless transition
超导薄膜中BKT转变的前提条件是对数涡旋间相互作用，在相对于$Λ=2λ^2/d$较短的距离处满足，$λ$是体材料的伦敦穿透深度，$d$是膜厚度。因此，在尺寸为$L<Λ$的样本中进行了转换搜索。下面有人认为，薄膜边缘将相互作用转变为近指数（短程），从而使BKT转变不可能。然而，如果衬底是超导的，并通过绝缘层与膜分离，对数涡间相互作用被恢复，BKT转变应该是可观察的。
2006-11-07 cond-mat.supr-con
In-situ Magnesium Diboride Superconducting Thin Films grown by Pulsed Laser Deposition
采用脉冲激光沉积法在氧化镁和蓝宝石衬底上制备了MgB 2超导薄膜。在450 ℃、氩气缓冲压力约10-2毫巴下用富镁靶生长的样品是超导的，其转变温度约为25 K。在超高真空条件下从MgB 2烧结颗粒靶沉积的膜显示出差的金属或弱的半导体行为，并且它们仅在Mg蒸气气氛中的异位退火后才变得超导。到目前为止，这两种方法得到的薄膜的超导性能没有差异。
2001-03-28 cond-mat.supr-con
Properties of mesoscopic superconducting thin-film rings. London approach
超导薄膜环小于膜穿透深度（珍珠长度）被认为是。电流分布，磁矩，和热力学势${\cal F}(H,N,v)$为一个平坦的，垫圈形的环形环在一个均匀的施加场$H$垂直于薄膜内解析求解的状态与绕组数$N$和一个漩涡半径$v$之间的内部和外部半径。
2003-10-16 cond-mat.supr-con
Comment on "First-order phase transitions of type-I superconducting films" [Phys. Rev. A 322 (2004) 111]
论文的作者在标题中指出，他们推导出了一个错误的超导板（膜）的有效自由能，这个错误导致他们得出了完全错误的结论。在这里我们将阐明这个错误的起源。
2004-04-12 cond-mat.supr-con
Sputtering Current Driven Growth & Transport Characteristics of Superconducting Ti40V60 Alloy Thin Films
本文研究了磁控溅射超导Ti40V60合金薄膜的室温生长与电输运特性，发现随溅射电流增加，薄膜应力由拉应力转为压应力，晶粒尺寸与织构增大，进而使超导转变温度TC升高。
2025-01-01 cond-mat.supr-con
Superconducting fluctuations in FeSe$_{0.5}$Te$_{0.5}$ thin films probed via microwave spectroscopy
我们研究了FeSe $_{0.5}$ Te $_{0.5}$在CaF $_2$上外延薄膜在超导转变附近的微波电导率谱。随着薄膜厚度的增加，我们观察到了超导涨落的临界行为，并出现了从二维到三维的空间交叉。由标度参数的温度依赖性，我们得出FeSe $_{0.5}$ Te $_{0.5}$超导转变的普适类是3D-XY模型。超导波动的起始温度的下限，Tonset，由我们的测量确定的是1.1 Tc，这表明FeSe $_{0.5}$ Te $_{0.5}$的超导波动至少与最佳和过掺杂的铜酸盐一样大。
2017-09-07 cond-mat.supr-con
Matching fields of a long superconducting film
我们得到了有限截面超导薄膜的涡旋位形、匹配场和磁化强度。外加的磁场垂直于这个截面，我们用London理论计算了它的许多性质，如局域磁场、自由能和混合态的感应。因此，在很长截面的特殊限制下，以前对无限长超导薄膜所做的类似理论工作，在这里得到了恢复。
1999-05-12 cond-mat.supr-con
Superconducting MgB2 Thin Films with Tc of about 39K Grown by Pulsed Laser Deposition
采用非原位工艺在Al 2 O3（0001）衬底上制备了MgB 2超导薄膜。硼薄膜的沉积通过脉冲激光沉积，然后通过后退火工艺。沉积的MgB 2薄膜的电阻测量显示约39 K的Tc，而扫描电子显微镜和X-射线衍射分析表明，薄膜由结晶良好的晶粒具有高度c轴取向的结构。
2001-04-28 cond-mat.supr-con
Tunnel junctions on as-grown superconducting MgB2 thin films
我们证明了良好的超导体/绝缘体/正常金属隧道结可以制作在生长的超导MgB 2薄膜。在280 ℃左右的低生长温度下通过共蒸发制备了生长态薄膜。绝缘屏障由Mg覆盖层形成，其随后在空气中氧化。Au/MgOx/MgB 2结的隧穿谱显示出可重复的且定义良好的超导能隙（delta= ~ 2.5 meV）。得到的2delta/ kBTc显著小于预测的BCS值3.52。
2002-10-01 cond-mat.supr-con
Coherent electronic transport through a superconducting film
我们研究了通过连接到正常金属电极的超导薄膜的相干量子输运。简单的微分电导和局域态密度的表达式得到的清洁限制和透明的界面。准粒子干涉导致Andreev反射在几何共振、亚能隙输运和界面附近的无能隙超导能量处周期性消失。分析了这些结果在超导能隙和费米速度光谱测量中的应用。
2003-01-24 cond-mat.supr-con
Tunneling anomaly of superconducting films in strong magnetic fields
我们考虑了超导薄膜的隧穿态密度（DoS）由塞曼分裂驱动到顺磁相。我们表明，有一个最低的DoS的位置取决于所施加的领域的方向。这种依赖性，没有预测到以前的理论计算，是在最近的实验。
2006-01-17 cond-mat.supr-con
Superconducting phase transitions in ultrathin TiN films
我们以超导体-绝缘体转变为途径，研究了氮化钛薄膜向超导态的转变。建立在完整的帐户上的量子贡献的电导率，我们证明了薄超导薄膜的电阻表现出非单调的温度行为，由于弱本地化，电子-电子相互作用，和超导波动之间的竞争。研究表明，即使在温度远高于超导转变温度T_c时，超导涨落也会引起电阻的显著降低，这种降低主要是由Maki-Thompson过程引起的，通过Berezinskiii-Kosterlitz-BKT（Berezinskiii-Kosterlitz-BKT）跃迁，我们通过电流-电压特性中的幂律行为和通过磁场中的通量流传输来观察。比值T_{BKT} /T_c符合普遍的Beasley-Mooij-Orlando关系。我们的结果要求重新审视过去的数据超导转变的薄膜无序。
2011-09-24 cond-mat.supr-con
Universal scaling of the critical temperature for thin films near the superconducting-to-insulating transition
超导薄膜形成了一个独特的平台，几何限制，强相互作用的电子。它们允许无序和超导性之间的内在竞争，这反过来又使有趣的超导体到绝缘体的转变成为可能，并被认为有助于理解高Tc超导性。此外，理解薄膜超导性在技术上是必不可少的，例如对于光电探测器和量子计算机。因此，在临界温度（$T_c$）、薄膜厚度（$d$）和薄层电阻（$R_s$）之间缺乏一个已建立的普遍关系，这阻碍了我们对超导性的开始的理解和超导器件的发展。我们报道了在薄膜中，超导性的尺度为$d^.$ $T_c(R_s)$。我们通过分析过去46年来发表的不同材料的数据来证明这种缩放（并促进了该数据库的进一步分析）。此外，我们通过实验证实了NbN薄膜的尺度效应，用幂律对其进行了量化，探索了其可能的起源，并证明了其对超导薄膜器件的有用性。
2014-09-16 cond-mat.supr-con
Wafer-Scale Epitaxy of Flexible Nitride Films with Superior Plasmonic and Superconducting Performance
过渡金属氮化物（例如，TiN、ZrN、TaN）是令人难以置信的材料，具有优异的互补金属氧化物半导体兼容性，在耐火等离子体和超导量子电子学中具有卓越的性能。柔性过渡金属氮化物薄膜的外延生长，特别是在晶圆级，对于发展高性能柔性光子学和超导电子学至关重要，但迄今为止的研究很少。本文报道了用反应磁控溅射法在柔性氟金云母（F-云母）衬底上外延生长2英寸氮化钛（TiN）薄膜。椭圆偏振光谱仪和电输运的联合测量揭示了TiN/F-mica薄膜由于高的单晶度而具有优异的等离子体和超导性能。更有趣的是，这些柔性TiN薄膜的超导性可以操纵的弯曲状态，和增强的超导临界温度TC被观察到在凸形TiN薄膜与面内拉伸应变。密度泛函理论计算表明，应变可以调节电子-声子相互作用强度和由此产生的超导电性的TiN薄膜。这项研究提供了一个很有前途的路线，将可扩展的单晶导电过渡金属氮化物薄膜与高性能等离子体和超导电子学的柔性电子产品相结合。
2021-12-07 cond-mat.supr-con
Hall conductivity dominated by fluctuations near the superconducting transition in disordered films
研究了氮化钽超导薄膜的霍尔效应。我们发现一个大的贡献霍尔电导率附近的超导转变，我们可以跟踪温度远高于$T_c$和磁场远高于上临界场，$\text{\text{H}}_{c2}(0)$。这一贡献来自Aslamazov-Larkin超导波动，我们发现我们的数据和最近的理论分析的基础上的时间相关的金兹伯格-朗道理论的定量协议。
2012-08-26 cond-mat.supr-con
Enhancement of critical current by microwave irradiation in wide superconducting films
对微波辐照下宽薄Sn膜的增强临界电流随温度的变化进行了实验研究和分析。有人发现，微波场稳定的当前状态的一个广泛的膜相对于Abrikosov涡的入口。辐射的稳定作用随频率增加而增加。利用超导电流在膜宽上均匀分布（窄膜）和非均匀分布（宽膜）时所观察到的微波增强超导效应之间的相似性，我们成功地将Eliashberg理论部分推广到宽膜的情况。
2006-06-30 cond-mat.supr-con
Distribution of the magnetic field and current density in superconducting films of finite thickness
基于对垂直磁场中超导薄膜的二维Maxwell-Londons方程的分析，导出了描述有效矢势$\bar A(y)$沿薄膜宽度分布的一维方程，该方程对薄（$d<λ$）和厚（$d>λ$）薄膜都成立.通过数值分析验证了该方程对有限厚度薄膜的有效性。一个近似依赖$\bar A(y)$，有限的（与其所有的衍生物）在整个膜的宽度，被发现的膜，在迈斯纳状态。的磁通量进入字段的任意厚度的膜进行评估。本文给出了具有边缘势垒的无钉扎超导薄膜混合态薄层电流密度分布的近似表达式。后一种近似允许估计作为外部磁场和样品的几何参数的函数的膜边缘处的磁场集中因子。
2000-01-04 cond-mat.supr-con
Quantum size effects in thermodynamic superconducting properties of ultra thin films
用多带BCS理论计算了金属薄膜超导体的超导能隙和临界温度。研究了薄膜厚度和温度变化时的临界磁场、比热以及隧穿电导等热力学超导特性。我们发现了薄膜的热力学超导性质随厚度的振荡，包括热力学临界场$H_c$，正常态、超导态的比热以及微分隧穿电导峰的位置。两个普适常数第n个子带能隙$Δ_n$（温度$T=0K$超过$k_BT_c$）和比热跃变（温度$T_c$超过正常状态比热（温度$T_c$））与膜厚度无关。它们的值与块状超导体中的相同。
2006-10-14 cond-mat.supr-con
Superconducting Fe(1+delta)Se(1-x)Te(x) thin films: Growth, characterization and properties
用脉冲激光沉积法在（100）取向的SrTiO 3和LaAlO 3单晶衬底上成功地生长了Fe（1+ δ）Se（1-x）Te（x）（δ ~ 0.18 & x ~ 0.5）薄膜。晶体结构通过X射线衍射表征，超导性能通过电阻率测量表征。X射线衍射分析建立了c轴取向的薄膜的外延生长。原子力显微镜显示出光滑的表面形貌生长在SrTiO 3衬底上的薄膜。所有的膜被观察到超导的Tc为~ 8-14 K取决于沉积条件。沉积参数进行了优化，以获得良好的质量薄膜的Tc相媲美的目标材料。
2009-04-09 cond-mat.supr-con
Nonlinear microwave response of clean superconducting films
我们发展了一个明确的规范不变的半经典方法来研究超导体对单色太赫兹辐射的非线性响应。我们证明，在干净的超导体电荷守恒禁止非线性响应均匀的字段。我们将我们的方法应用于准二维薄膜，并获得了明确的光生电流的表达式。我们发现，光生电流表现出强烈的依赖于偏振和入射角的辐射。我们的预测可以直接在准二维超导薄膜的实验中得到验证。
2022-09-01 cond-mat.supr-con
Infrared Vortex-State Electrodynamics in Type-II Superconducting Thin Films
用红外光谱研究了s波超导体的涡旋态电动力学。在垂直于薄膜表面的磁场中测量了NbTiN和NbN超导薄膜的远红外透射和反射光谱，并提取了薄膜的电导率。数据显示超导信号明显减少。我们把涡旋态看作是BCS超导体中正常核的二分量有效介质。Maxwell-Garnett理论很好地解释了这些光谱特征。我们的分析支持磁场诱导的对破坏的影响，在超导组件的涡核外的存在。
2013-04-03 cond-mat.supr-con
Thin film superconducting quantum interferometer with ultralow inductance
提出了一种制作超低电感（~10^-13 H）薄膜超导量子干涉仪（SQI）的简单方法。电流-电压和电压场特性的SQI。获得并实验验证了基本设计方程。首次将SQI用于测定磁场对50% In-50% Sn合金薄膜的穿透深度。
2018-09-06 cond-mat.supr-con
Broken translational and time-reversal symmetry in superconducting films
我们证明了在温度$T\lesssim 0.43 T_c$下的非常规（d波）超导体薄膜可以表现出不寻常的超导相。除了破缺的规范和点群对称性之外，新的基态可以自发地破缺（i）连续的平移对称性，在薄膜平面内形成周期性的序参量结构，或（ii）时间反演对称性，产生沿薄膜流动的超电流.这些状态是由于强烈的横向不均匀性存在于几个相干长度的厚度的膜。我们发现这些国家的形成和Fulde-Ferrell-Larkin-Ovchinnikov状态之间的天然相似性。
2009-03-29 cond-mat.supr-con
Pearl vortices in anisotropic superconducting films
在各向异性London方法的框架下研究了各向异性超导薄膜中涡旋的磁场。据发现，在相对于核心尺寸较大的距离，垂直于薄膜表面的磁场可能会改变符号。我们发现，磁场衰减在大的距离$1/r^3$，因为它在各向同性的薄膜，但各向异性诱导的角度依赖性的超电流，导致该领域的符号改变各向异性参数$γ=λ_2/λ_1>\sqrt{2}$在某些部分的$(x,y)$平面。
2021-09-05 cond-mat.supr-con
Fabrication of FeSe1-x superconducting films with bulk properties
我们用脉冲激光沉积技术在Al_2O_3（0001）、SrTiO_3（100）、MgO（100）和LaAlO_3（100）衬底上制备了高质量的FeSe_（1-x）超导薄膜，其体相Tc为11-12 K。所有薄膜均在610 ℃的高温衬底下生长，且均沿（101）方向择优取向，后者是制备高Tc FeSe 1-x超导薄膜的关键。根据能量色散光谱数据，Fe：Se组成比为1：0.90 ± 0.02。当临界磁场[Hc 2（0）]为56 T时，在SrTiO 3衬底上生长的FeSe 1-x薄膜质量最好。
2010-05-03 cond-mat.supr-con
Systematic Comparison of Eight Substrates in the Growth of FeSe$_{0.5}$Te$_{0.5}$ Superconducting Thin Films
本文研究了在八种不同衬底上生长的FeSe $_{0.5}$ Te $_{0.5}$薄膜的晶体结构和超导性质。超导性与晶格失配无关，而是与面内取向程度和晶格参数比$c/a$相关。在MgO和LaAlOPDMATHABMO（$T_\mathrm{c}^\mathrm{zero}$为9.5 K）上的薄膜中观察到最好的超导性能。TEM观察表明，在衬底表面的非晶类层的存在或不存在起着关键作用，在确定的结构和超导性能的生长薄膜。
2010-03-17 cond-mat.supr-con
Advances in the criteria for dividing thin superconducting films into narrow and wide films
本文分析了不同宽度w的薄Sn膜中临界电流和某些非平衡现象的实验研究结果。通常，超导薄膜分为两类：窄沟道W <lambda and wide films w>λ。发现了一个宽的过渡区，在该过渡区中，条件w>lambda有很大的裕度，同时不能用涡旋态出现的理论来解释，这表明一般公认的将薄膜分为宽和窄的标准w \sim lambda不起作用。只有当w/lambda（T）> 10-20时，才能完全过渡到现有的涡旋态理论所描述的宽膜区。
2011-01-10 cond-mat.supr-con
New features of the phase transition to superconducting state in thin films
本文研究了具有较小Ginzburg-Landau数$κ$的I型超导体薄膜中涨落引起的相变阶数变化的Halperin-Lubensky-Ma（HLM）效应。给出了W、Al和In的自由能、序参量跃变、相变潜热和比热的数值数据，揭示了薄膜厚度和材料参数对相变性质的影响。我们首次证明了与通常的概念相反，HLM效应以最明显的方式发生在具有高临界磁场$H_{c0}$的超导薄膜中，而不是在具有小$κ$的材料中。本文讨论了用实验观测超导薄膜中超导相变阶数涨落变化的可能性。
2003-05-31 cond-mat.supr-con
Analytical model of the response of a superconducting film to line currents
我们从理论上研究了超导薄膜对线电流的响应，并基于临界状态模型给出了磁场和电流分布的解析表达式。超导膜的行为由面电流密度$K_z$表征，其大小不能超过临界值$j_cd$，其中$j_c$是临界电流密度，$d$是膜的厚度。当在导线中流动的传输电流$I_0$足够小时，$|K_z|$小于$j_cd$，并且磁场被屏蔽在膜下方。另一方面，当$I_0$超过阈值$I_{c0}\propto j_cd$时，$|K_z|$达到$j_cd$，并且磁场穿透膜下方。我们还计算了当交流传输电流在线性导线中流动时薄膜的交流响应。
2006-09-28 cond-mat.supr-con
Probing long-range correlations in the Berezinskii-Kosterlitz-Thouless fluctuation regime of ultra-thin NbN superconducting films using transport noise measurements
我们通过分析超薄NbN超导薄膜电阻涨落的高阶谱，探讨了相位涨落中长程关联的存在。电阻波动的非高斯分量被发现是敏感的膜厚度接近的过渡，这使我们能够区分平均场和Berezinskiii-Kosterlitz无（BKT）型超导转变。的非高斯性的程度被认为是有界的BKT和平均场的转变温度，并强烈依赖于超导薄膜的粗糙度和结构的不均匀性。我们的实验概述了一种新的波动为基础的动力学探针在检测无序低维材料的超导性的性质。
2013-08-24 cond-mat.supr-con
Vortex rectification effects in plain superconducting films
超导薄膜在垂直磁场中对交流电流有整流作用。在普通和纳米结构的超导薄膜（铌和铅）中都观察到了这种效应。整流后的电压沿交流电流方向和横向出现，并且强烈依赖于磁场。整流现象是基于超导体在磁场（涡流）中具有永久循环电流并在足够高的电流下产生电场的特性。与之前的发现相反，在较高的电流频率下，不需要不对称的钉扎位点来产生整流和相关的引导通量运动。
2004-05-27 cond-mat.supr-con
Scaling Laws for Thin Films near the Superconducting-to-Insulating Transition
我们提出了一个结合Landau-Ginzburg项和Chern-Simons项的拉格朗日函数来描述无序与超导之间的竞争。为了描述超导薄膜中的正常到超导的转变，我们将Wilson的重整化群方法应用到这个拉格朗日函数中。最后得到了临界温度（T_c）、薄膜厚度（d）、薄膜正常态方块电阻（R_s）和正常态电子数密度（N）之间的标度关系。这样的标度律与最近的实验研究一致[Ivry，Y.等人，Physical Review B 90，214515（2014）]。这一发现对提高相变温度T_c具有潜在的意义。
2016-04-06 cond-mat.supr-con
Magnetic Flux Periodic Response of Nano-perforated Ultrathin Superconducting Films
我们在一系列超导Bi/Sb薄膜中图案化了纳米尺度的六边形孔阵列，其转变温度为2.65 K $<T_{co} < $ 5 K。这些规则的穿孔使薄膜对施加的磁场产生相位敏感的周期性响应。通过测量其电阻转变中的这种响应，$R(T)$，我们能够区分其中振幅的波动、振幅和相位以及超导序参量的相位主导运输的制度。由振幅波动占主导地位的$R(T)$的部分在较低的$T_{co}$膜中较大，因此随着接近超导体到绝缘体转变而生长。
2005-10-17 cond-mat.supr-con
Quantum phase transition in superconducting Au0.7In0.3 films of very low normal-state sheet resistance
本文报道了在平行磁场作用下，在正常态薄层电阻< 90欧姆的Au_（0.7）In_（0.3）薄膜中观察到超导态和金属态之间的量子相变（QPT）。这些薄膜可以被建模为超导体-正常金属-超导体（SNS）结的随机阵列。电输运和隧穿测量表明，在金属状态下，该膜由超导富In晶粒不连接约瑟夫森耦合。无论是相位波动，这是不希望在这样的SNS结系统根据相数的不确定性关系，或不同的物理过程驱动观察到的QPT进行了讨论。
2003-07-25 cond-mat.supr-con
Effect of ion irradiation on superconducting thin films
本研究提出氩或镓离子辐照的晶圆级后处理方法调控超导薄膜特性，测试多种超导体的性能变化并制备出均质MoSi薄膜，为超导器件研发提供新途径。
2024-06-19 cond-mat.supr-con
