Induced magnetic moment in graphene with a nonmagnetic impurity
M Inglot, V K Dugaev
备注：
6 pages, 4 figures, in proceedings of the Tenth International School on Theoretical Physics Symmetry and Structural Properties of Condensed Matter, Myczkowce 2009
We consider a two-dimensional crystalline monolayer of carbon atoms with a single non-magnetic impurity. Using the Weyl Hamiltonian to describe electronic energy spectrum near the Dirac points, we calculate the wave function and energy of impurity states, as well as the induced magnetic moment associated with polarization of the electron system. We present a phase diagram of the localized magnetic state as a function of the chemical potential $μ$ and coupling constant $g_c$.
Coherent Behavior and Nonmagnetic Impurity Effects of the Spin Disordered State in NiGa$_2$S$_4$
通过对Ni $_{1-x}$ Zn $_x$ Ga $_2$ S $_4$（0.0 \le x \le 0.3）的磁性和热测量，研究了三角形反铁磁体NiGa $_2$ S $_4$中自旋无序态的非磁杂质效应.仅1%的取代就足以强烈抑制在自旋无序态中观察到的相干性。然而，这种抑制并不完全，依赖于T^2的比热及其随外斯温度的标度行为的鲁棒特征表明存在相干的南武-戈德斯通模。既没有传统的磁序，也没有自旋冻结，这表明基态存在一种新的对称性破缺。
最近的悬浮石墨烯实验显示载流子迁移率高达200，000 cm^2/Vs，受此启发，我们假设库仑杂质为主要散射机制，从理论上计算了输运性质。我们认为，在扩散机制中进行的无衬底实验与我们的理论一致，并验证了我们早期的许多预测，包括（i）去除衬底将增加迁移率，因为大多数带电杂质都在衬底中，（ii）最小电导率不是通用的，而是取决于杂质浓度，更清洁的样品具有更高的最小电导率。我们进一步认为，悬浮石墨烯上的实验对我们的理论中涉及的两个参数，即带电杂质浓度n_imp和d，带电杂质与石墨烯片的典型距离，施加了很强的约束。最近对悬浮石墨烯的实验表明，与SiO_2衬底上石墨烯的杂质密度约为10^{12} cm ^{-2}相比，可能粘附在石墨烯界面上的残留杂质密度为1-2 \times 10 ^{10} cm ^{-2}。因此，传输实验可以用作光谱工具来识别悬浮石墨烯中剩余杂质的性质。
Energy levels of screened charged impurity in gapped graphene under magnetic field
Department of Physics and Computer Science, Medgar Evers College of City University of New York（纽约市立大学梅加·伊弗斯学院物理与计算机科学系）；Bogolyubov Institute for Theoretical Physics（博戈留博夫理论物理研究所）
