Doping induced spinless collective excitations of charge 2e in doped Mott insulators
基于掺杂莫特绝缘体的哈伯德模型描述，我们证明了在非超导态下，由于掺杂，必然存在电荷$2e$和能量$U-2μ$的无自旋集体激发，能量峰值在动量$(π/a,π/a)$。这种集体激发是由电子对关联引起的。它的存在与近似SU（2）粒子-空穴对称性的破缺有关，由此构造了新激发的有效场论。
2000-10-29 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Pseudogap in Doped Mott Insulators is the Near-neighbour Analogue of the Mott Gap
我们表明，强耦合物理固有的绝缘Mott状态在2D中导致的化学势的跳跃掺杂和出现的赝隙的单粒子光谱低于一个特征温度。赝能隙的产生是因为任何不直接邻近空穴的单占据位点经历了等于$t^2/U$的最大能垒，其中$t$是最近邻跳跃积分，$U$是原位排斥。平均而言，在每个晶格位置具有至少一个作为近邻的孔之前，所得到的赝隙不能消失。这种效应在所有掺杂莫特绝缘体中的普遍存在表明，铜氧化物中的赝能隙有一个简单的起源。
2003-05-22 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Magnetic Incommensurability in Doped Mott Insulator
在本文中，我们探讨的自旋-自旋关联的非公度空间调制的掺杂莫特绝缘体的本征性质，描述的$t-J$模型。我们表明，这样的不可逆性是一个直接的表现形式的相位弦效应引入掺杂空穴在一维和二维的情况下。在动量空间中动态自旋磁化率的磁无公度峰与铜氧化物超导体的中子散射测量结果在位置和掺杂依赖性方面都是一致的。特别是，这种无公度结构可以自然地调和铜酸盐的中子散射和NMR实验。
1998-09-27 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Superconductivity in a doped Mott insulator
本文从Kotliar和Liu的d波RVB平均场论出发，提出了一种新的长波低能规范涨落的精确处理方法。其结果是一个理论的无隙费米子准粒子耦合超导相位波动。我们将讨论的物理含义，和BCS配对与相位波动的理论的相似性/差异。
1999-09-17 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Theory for superconductivity in (Tl,K)Fe$_x$Se$_2$ as a doped Mott insulator
本文从掺杂莫特绝缘体的观点研究了最近发现的（Tl，K）Fe $_x$ Se $_2$化合物的可能超导电性。由于Fe空位的存在，Mott绝缘相在$x=1.5$的母体化合物中被检查为优选的。在Fe位的空位的部分填充引入电子载流子并导致电子掺杂的超导电性。在强耦合极限下，利用双轨道哈伯德模型，我们发现在Hund耦合小的情况下，s波配对更有利，而在Hund耦合大的情况下，d $_{x^2-y^2}$波配对更有利.
2011-05-23 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Competing Orders and Superconductivity in the Doped Mott Insulator on the Shastry-Sutherland Lattice
在几何阻挫晶格上的量子反铁磁体通常允许有许多不寻常的顺磁基态。这些莫特绝缘体掺杂后的命运是一个重要的问题，可能会揭示一些光的高$T_c$铜酸盐的问题。我们采用t-J模型研究了Shastry-Sutherland晶格上掺杂的莫特绝缘体。从玻色子平均场论揭示了不同对称破缺态之间的强竞争。研究发现，在一定的掺杂范围内，存在着具有或不具有交错磁通或二聚化等对称性破缺序的超导相。我们的研究结果将直接关系到SrCu $_2$（BO $_3$）$_2$在未来的材料掺杂。
2003-10-17 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
On the optical conductivity of Electron-Doped Cuprates I: Mott Physics
本文分析了电子掺杂铜氧化物的掺杂和温度效应。动能与掺杂的变化示出暗示的材料是近似的空穴掺杂材料的强相关。的光谱是适合准粒子散射模型，而该模型适合的光学数据，总的不一致与光电发射数据被发现，这意味着存在一个大的，强烈的掺杂依赖朗道参数。
2004-11-06 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Superconductivity from Flat Dispersion Designed in Doped Mott Insulators
探讨了掺杂莫特绝缘体增强超导不稳定性的途径。借助于对金属-绝缘体相变临界性的认识，提出了晶格结构的几何设计来控制不稳定性。一个指导方针是明确地使费米能级附近的平带色散，而不抑制两个粒子的通道。在一维模型中，数值研究表明，我们的有限范围跳跃的处方实现了自旋能隙和配对优势区的大幅度增强。我们还提出了几个多带系统，其中的配对是由位间库仑排斥驱动的。
1999-11-12 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
The SU(2) Gauge Theory of the Substantially Doped Mott-Insulator: the phase separated d+s superconductor
我们重新表述了与文和李的掺杂Mott绝缘体中自旋-电荷分离的SU（2）规范理论相关的平均场论，使其能够处理实质载流子密度的区域。我们发现，它非常准确地描述相分离的趋势。此外，由于优雅的原因，该理论坚持认为，超导状态应该有一个d+s序参数与s波分量增长在过掺杂制度。这似乎是一致的拉曼和隧道测量在铜氧化物超导体。
2007-05-21 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Variational study of conduction in doped Mott insulator in terms of kinetic energy
用变分蒙特卡罗方法研究了哈伯德模型中空穴（电子）的动力学特征。在掺杂莫特绝缘体（U>U_co）中，空穴在导电意义上可分为两类：（i）出现在双空穴-holon对中的空穴是局域的，促进单重态对的形成，并获得能量诱导超导转变。(ii)掺杂的空穴成为载流子，使系统巡游（超导或金属），但在过渡中损失能量。这两个角色在关联超导中是有区别的。这一特点是常见的反铁磁转变在大U/t。
2012-11-27 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Self-doped Molecular Mott Insulator for Bilayer High-Temperature Superconducting La3Ni2O7
Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics and Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences（中国科学院物理研究所）；Kavli Institute for Theoretical Sciences, University of Chinese Academy of Sciences（中国科学院大学理论科学研究所）；School of Physical Sciences, University of Chinese Academy of Sciences（中国科学院大学物理科学学院）
研究揭示La3Ni2O7为自掺杂分子莫特绝缘体，其自掺杂源于轨道部分占据，可能解释其高温超导性。
2025-05-28 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Superconductivity Emerging from Excitonic Mott insulator - Theory of Alkaline Doped Fullerene
用变分Monte Carlo方法研究了碱金属掺杂富勒烯$_3$ $initio$哈密顿量的二维投影导出的三轨道模型，其中A=Cs，Rb，K.我们正确地再现了实验的各向同性s波超导周围的$ab$ $initio$参数。随着带宽变窄，过渡到一个绝缘体也被复制，其中轨道对称性被发现是自发打破与激子莫特绝缘体的出现两个轨道和反铁磁绝缘体几乎退化与自旋液体的第三轨道。超导电性是激子熔化的结果。
2017-11-28 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Dynamical Breakup of the Fermi Surface in a doped Mott Insulator
本文用元胞动力学平均场论研究了二维哈伯德模型中从反常金属相到莫特绝缘体的演化。我们表明，密度驱动的莫特金属-绝缘体转变接近在一个非均匀的方式在不同区域的动量空间。这引起费米面的分裂和热区和冷区的形成，其位置取决于系统中载流子的空穴或电子性质。
2004-11-28 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Strong particle-hole asymmetry of charge instabilities in doped Mott insulators
采用适用于电子掺杂铜氧化物的二维t-J模型，研究了掺杂莫特绝缘体中可能存在的电荷不稳定性.尽管d波电荷密度波（通量相）和d波Pomeranchuk不稳定性（向列序）是对应于空穴掺杂铜氧化物的负t'的主要不稳定性，但我们发现这些不稳定性受到强烈抑制，并且仅在相当接近一半时才变得相关填充。相反，调制矢量接近（pi，pi）的各种类型的键级在中等掺杂区域中占主导地位。相分离也被增强，但它可以基本上被最近邻库仑排斥抑制，而不影响上述电荷不稳定性。
2014-12-03 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Antiferromagnetism and d-wave superconductivity in (doped) Mott insulators: A wave function approach
我们提出了一类波函数，提供了一个统一的描述（掺杂）莫特绝缘体的反铁磁性和d波超导。波函数具有杰斯特罗形式，并且禁止二重占据。在没有空穴的情况下，波函数精确地描述了反铁磁性。在有限掺杂条件下，形成非对角长程序有序，超导序参量具有d波对称性。我们还展示了如何节准粒子和中性自旋激发可以从这个波函数。
2005-02-25 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Hall effect in doped Mott insulator: DMFT-approximation
在动力学平均场论的框架下，分析了掺杂莫特绝缘体作为母体铜氧化物超导体的霍尔效应。我们考虑部分填充（空穴掺杂）的下哈伯德带和计算霍尔系数和霍尔数的依赖空穴掺杂，确定的临界浓度的霍尔系数的符号变化。注意到霍尔效应的显著温度依赖性。结果表明，在YBCO的正常状态下，霍尔数的浓度依赖性与实验结果吻合得很好。
2022-03-22 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Charge transport of electron doped Mott insulators on a triangular lattice
基于部分电荷自旋分离的费米子自旋理论，在t-J模型下研究了三角晶格上电子掺杂莫特绝缘体的电荷输运。电导率谱显示出低能量峰和不寻常的中红外波段，而电阻率的特征在于从高温金属样到低温绝缘样行为的交叉，与实验定性一致。我们的结果还表明，导致这种不寻常的电荷输运的机制与系统中的动能和磁能之间的竞争密切相关。
2004-06-23 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Theory of doped Mott insulators: duality between pairing and magnetism
通过对任意二维晶格上的电子t-J模型进行玻色化，并对平均场以外的从粒子的规范涨落进行积分，得到了物理库珀对和自旋凝聚的理论.在相互Berry相位的意义上，它们是对偶的。在作为掺杂的2D莫特绝缘体范例的共振价键思想\cite{rvb}中，相互对偶性是缺失的关键。我们认为，高$T_c$现象学的基本方面找到自然的解决方案的理论。我们还提供了有趣的预测系统的六角晶格。
2003-06-17 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Planar and Stripe Orders of Doped Mott Insulators In Dual Spin Models
我们专注于非常普遍的，非常大的U，掺杂莫特绝缘体任意跳跃和相互作用。我们提供了简单的证词，在这些系统中的磁性和超导订单之间的竞争。通过将硬核玻色子、无自旋和有自旋的费米子映射到XXZ模型上，我们的目标是做出非常简单精确的陈述。我们试图解决最佳和预期的填充分数的孔内的平面和条纹在各种孔和孔对几何形状。我们研究的作用，吸引力/排斥力之间的孔对和单孔，并提供平凡的预期数值填充分数在各种情况下。我们demnostrate，元胞状态似乎自然提供正确的条纹填充分数。
2002-09-03 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
D-wave superconductivity in doped Mott insulators
确定了接近莫特绝缘相对超导体电荷输运性质的影响。描述的低能量物理的行动制定和不同的情况下，莫特相的方法区分不同的变化与掺杂的参数在行动中。一个至关重要的问题被发现是掺杂的准粒子的电荷，这是在这里定义和控制的温度和场依赖的电磁响应函数的依赖性。分析了高温$_{c}$超导体的现有数据。这些数据虽然既不完整也不完全一致，但表明当接近莫特相时，准粒子速度和准粒子电荷都不会消失，这与几种广泛研究的轻掺杂莫特绝缘体理论的预测相矛盾。高T $_{c}$超导体的涡旋结构的结果的影响进行了确定。给出了正方形和三角形涡格的比热随场变化的数值系数。
2001-12-31 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Non-magnetic impurities as probes of insulating and doped Mott insulators in two dimensions
我们通过对静态非磁性杂质的响应来表征顺磁性莫特绝缘体。具有自旋解除禁闭（或自旋-电荷分离）的状态与具有自旋禁闭的状态通过不同的杂质可磁化性和有限尺寸的光谱来区分。我们讨论了掺杂后的d波超导体的物理性质的演变，并认为，一些最近的实验有利于自旋限制在参考莫特绝缘状态。
2000-11-02 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Self-localization of holes in a lightly doped Mott insulator
我们发现，轻掺杂的空穴将在低温下自陷在反铁磁自旋背景中，导致自发的平移对称性破缺。这种载流子的新颖自定位是由底层的莫特物理学造成的。有趣的传输和介电性能被发现的后果，包括大的掺杂依赖的热电势和介电常数，低温可变范围跳跃电阻率，以及高温奇异金属样电阻率，这是一致的实验测量在高T $_c$铜酸盐。混乱和杂质在这里只起次要的辅助作用。
2004-03-06 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Coherence and pairing in a doped Mott insulator: Application to the cuprates
在掺杂莫特绝缘体的从玻色子规范理论中研究了单粒子相干性及其与单重态配对的相互作用。我们中的一个人以前的工作（T。Senthil，arXiv：0804.1555）表明，朗道准粒子出现的相干尺度在参数上低于从属玻色子平均场论中确定的相干尺度。在这里，我们研究所产生的新的非费米液体中间温度制度的特点是由一个单一的粒子散射率，是线性的温度（$T$）。在存在d波对振幅的情况下，这导致在节方向附近具有$T$依赖的费米弧的赝能隙状态。理解的铜酸盐的影响进行了讨论。
2009-04-08 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Visualizing the evolution from the Mott insulator to a charge ordered insulator in lightly doped cuprates
高温铜氧化物超导体中的一个中心问题是电荷掺杂后母体莫特绝缘体的命运。在这里，我们使用扫描隧道显微镜调查的本地电子结构的轻掺杂铜酸盐在反铁磁绝缘制度。我们发现，掺杂的电荷诱导的光谱重量转移从高能量的哈伯德带的低能量的间隙状态。随着掺杂浓度的增加，费米能级出现V型态密度抑制，并伴随着棋盘电荷序的出现。新的STM观点揭示了这里是铜酸盐首先成为一个电荷有序的绝缘体掺杂。随后，进一步掺杂，费米面和高温超导性生长出来。
2015-08-23 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Influence of Magnetism and Correlation on the Spectral Properties of Doped Mott Insulators
揭示掺杂诱导的莫特绝缘体和弱关联金属之间跃迁的本质对于理解强关联材料中的新涌现相至关重要。为此，我们利用Hubbard模型和t-J-like模型的团簇微扰理论，研究了掺杂Mott绝缘态后光谱性质的演化。具体地说，一个准自由色散跨越费米能级的发展与小掺杂，并最终演变成最主要的功能在高掺杂水平。虽然这种色散与自由电子跳跃有关，但我们的研究表明，这种光谱特征实际上内在地受到电子-电子相关和自旋交换相互作用的影响：相关性破坏相干性，而自旋和移动电荷之间的耦合使其在光电子能谱中恢复。由于相关性和自旋物理的持续影响，可以预期掺杂莫特绝缘体中会出现能隙或光谱函数中的高能异常。
2018-01-11 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Persistence of fermionic spin excitations through a genuine Mott transition in $κ$-type organics
研究了有机二聚体-Mott体系$κ$ -[（BEDSe-TTF）$_x$（BEDT-TTF）$_{1-x}$ ] $_2$ Cu[N（CN）$_2$ ]Br中化学取代诱导电子态从费米液体到量子自旋液体的连续变化.电输运测量表明，BEDSe-TTF到BEDT-TTF层的混合诱导的量子莫特跃迁约$x$ =0.10。虽然电荷间隙在这一点上消失，磁化率和热容测量表明，费米低能激发仍然存在于绝缘盐中，这表明费米自旋激发仍然存在。我们建议，过渡可以归类为一个真正的莫特过渡。
2022-03-08 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Confinement-deconfinement interplay in quantum phases of doped Mott insulators
人们普遍认为，掺杂莫特绝缘体可以很好地用t-J模型表征。在t-J模型中，电子分馏是由相弦效应决定的。我们发现，在欠掺杂制度，反铁磁和超导相是双重的：在前者，holon被限制，而自旋取消罚款，和{ \it反之亦然}在后者。这两个相被一个新的相分开，即所谓的玻色绝缘相，在这个相里，holon和spinon都被解除限制。一对威尔逊圈被发现构成一套完整的序参量，确定这一零温相图。这些相位之间的量子相变被认为是非Landau-Ginzburg-Wilson型。
2011-03-17 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Breakdown of Fermi Liquid Theory in Doped Mott Insulators by Dynamical Spectral Weight Transfer
我们发现，掺杂的莫特绝缘体表现出集体自由度，而不是由元素的激发，因为在低能量每电子每自旋的单粒子添加状态的数量大于1。这种集体自由度的存在不是接近相变的结果，而是从高能量到低能量的动态光谱权重转移的结果。这种物理现象被电荷$2e$玻色子捕获，它是在哈伯德模型中明确积分出高能尺度后出现的。电荷$2e$玻色子与空穴结合，从而在低能量下介导新的电荷$e$态。正是这种电荷$e$态的存在提供了费米液体理论在掺杂莫特绝缘体中崩溃的一般机制，而在非相互作用系统中没有对应物。解释了荷电$2e$玻色子公式和标准微扰处理之间的关系。
2008-05-30 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Universality of pseudogap and emergent order in lightly doped Mott insulators
人们普遍认为，铜氧化物的高温超导性来自掺杂的莫特绝缘体。母态的物理学看起来简单得令人难以置信：电子从一个位置跳到另一个位置是被禁止的，因为它们在位置上的库仑斥力U大于动能增益t。当通过插入一小部分额外载流子来掺杂这些材料时，电子变得可移动，但莫特态的强关联被认为是幸存的;不均匀的电子秩序，神秘的赝能隙，最终出现超导性。掺杂剂原子的插入如何驱动这种演变尚不清楚，也不知道这些现象是否仅仅是空穴掺杂铜氧化物特有的干扰，或者代表掺杂莫特绝缘体的真正物理特性。在这里，我们可视化的电子状态的演变（Sr 1-xLax）2 IrO 4，这是一个有效的自旋1/2莫特绝缘体一样的铜酸盐，但化学上是根本不同的。使用光谱成像STM，我们发现，对于x= 5%的掺杂浓度，一个不均匀的，相分离的状态出现，与周围的掺杂剂原子簇的pseudogap水坑的成核。在这些水坑中，我们观察到相同的玻璃态电子秩序，这对于低掺杂的铜酸盐来说是如此具有标志性。此外，我们照亮了这种状态的起源，使用独特的可能性本地化掺杂剂原子在这些样品中的形貌。在低掺杂，我们发现的证据更深的捕获载体相比，铜酸盐。这导致完全带隙的光谱，其中化学势在中间带隙处，其在约4%的阈值处突然崩溃。我们的研究结果澄清了Mott状态的熔化，并建立相分离和电子秩序作为掺杂莫特绝缘体的一般特征。
2016-09-30 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Anisotropic softening of collective charge modes in the vicinity of critical doping in a doped Mott insulator
动量分辨非弹性共振X射线散射被用来映射电子掺杂的莫特绝缘体类Nd $_{2-x}$ Ce $_x$ CuO $_4$中的电荷激发在大范围的能量、动量和掺杂水平上的演化。随着掺杂诱导的AFM-SC（反铁磁-超导）转变的接近，我们观察到一个各向异性软化的集体电荷模式在一个大的能量尺度上沿伽马（π，π）-方向，而模式表现出展宽（$\sim$ 1 eV）与相对较小的软化沿伽马（π，0）相对于父莫特绝缘体（x=0）。我们的研究表明，一个系统的崩溃的间隙一致的情况下，该系统均匀掺杂电子，即使软化的模式涉及一个异常大的能量尺度。
2007-04-24 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Doped Mott-Hubbard materials with a low quasiparticle transparency
本文基于Wilson判据扩展识别出一类不属常规分类的掺杂Mott-Hubbard材料，其局域对称性导致准粒子态在Hubbard间隙消失，引入“准粒子透明度”概念并提供实验识别方法，观察到高压自旋交叉及Jahn-Teller效应的实例。
2023-11-15 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Properties of the doped spin 3/2 Mott insulator near half filling
本文对自旋为3/2的哈伯德模型在半填充附近具有大的反Hunds规则耦合的情形，给出了一个精确的广义Bogoliubov变换.由于我们的变换是么正的，因此我们可以在全希尔伯特空间中采用标准的近似平均场理论方法来分析掺杂的莫特绝缘体，这与基于截断希尔伯特空间补充硬核约束的传统方法相反。在完全半填充的基态是绝缘（莫特）单态，根据我们的分析，非费米液体序参量$ Δ$通常与扩展的s波超导性，将出现自洽尽快有限密度$ n $孔被引入。非费米液体行为是将Mott单重态映射到Fock真空的幺正变换的非线性性质的结果，该幺正变换在有效拉格朗日量中引入了诸如$Δn$的反常项。我们的分析使用的方法，很容易推广到多带哈伯德模型，并可以提供一种机制，即非费米液体序参量的密度成正比的莫特绝缘体与局部纠缠基态。对于更复杂的系统，这样的序参量可以自然地与各种其他序参量共存。
2004-06-29 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
The Wiedemann-Franz law in doped Mott insulators without quasiparticles
本文通过数值计算掺杂哈伯德模型，发现无准粒子的掺杂莫特绝缘体在低温下洛伦兹数仍趋近维德曼-弗朗兹常数，并揭示动能与势能贡献间的补偿机制，为理解强关联金属的非常规输运提供了新视角。
2023-12-01 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Hourglass-Like Spin Excitation in a Doped Mott Insulator
本文在掺杂莫特绝缘体的双组分RVB框架中，结合玻色子与费米子自旋子，通过RPA计算揭示反铁磁耦合导致沙漏型自旋激发，为铜氧化物实验观测提供新解释，并讨论了非公度磁序不稳定性。
2023-07-11 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Reply to Comment on "Evolution of electronic structure of doped Mott insulator - reconstruction of poles and zeros of Green's function" [arXiv:0904.0454] by P. Phillips
在最近的评论[arXiv：0904.0454]对我们的信[物理。102，056404（2009）; arXiv：0809：0950]，Phillips批评了我们论文中讨论的一个具体问题，即在我们对填充控制Mott转变的广泛澄清中关于光谱权重转移的问题。在这里，我们表明，他所有的批评与我们的贡献无关。我们在这一特定方面的重要发现是，由于对莫特绝缘体进行微量掺杂，导致光谱权重在化学势上方迅速非线性增加，这在文献中确实是前所未有的。我们提请注意它的新颖性相比，微扰理论，并再次强调我们的图片的快速重量转移，即，一个雪崩屏蔽的doublon-holon结合能。
2009-04-15 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Hallmarks of the Mott-Metal Crossover in the Hole Doped J=1/2 Mott insulator Sr2IrO4
经过几十年的积极研究，掺杂莫特绝缘体的物理学仍然存在争议，阻碍了可能的竞争秩序和波动之间的相互作用。因此，人们非常希望将Mott-metal跨界车的内在特征与其他起源的特征区分开来。我们研究了空穴掺杂J=1/2莫特绝缘体Sr 2 IrO 4的电子结构和动力学演化。有效的空穴掺杂是通过用Rh原子取代Ir来实现的，化学势立即跳到或接近较低的哈伯德带的顶部。掺杂的铱酸盐表现出多种奇异的功能，以前观察到的掺杂铜酸盐-赝隙，费米“弧”，和边缘费米液体的电子散射率，尽管不同的机制，禁止电子双占用。我们认为，这些普遍的特点莫特金属交叉是不相关的预先形成的电子配对，量子临界性或密度波形成最常见的讨论。相反，短程反铁磁关联可能发挥不可或缺的作用。
2014-06-19 cond-mat.str-el
Evolution of electronic structure of doped Mott insulators - reconstruction of poles and zeros of Green's function
本文采用集团扩展的动力学平均场论，在载流子掺杂的二维哈伯德模型中研究了金属从莫特绝缘体中的演化。传统金属的特征仅在于费米面（格林函数G的极点），而在掺杂莫特绝缘体中，G的零点面与极点面的干涉变得至关重要。相互干扰的极点和零表面显着转移的莫特间隙，当轻掺杂的空穴协同放松的doublon-holon绑定。莫特物理学的核心，如赝能隙、空穴、费米弧、能隙内态和Lifshitz跃迁，都是频率空间中这种全局干涉的自然结果。
2008-09-05 cond-mat.str-el
Comment on "Absence of the Mott Glass Phase in 1D Disordered Fermionic Systems"
对T. Nattermann，A. Petkovic，Z. Ristivojevic和F. Schutze，Phys. Rev. Lett. 99，186402（2007）中所述。
2008-09-26 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
Experimental observation of pseudogap in a modulation-doped Mott insulator: Sn/Si(111)-($\sqrt{3}\times \sqrt{3}$)-R30$^\textrm{o}$
在掺杂莫特绝缘体时，通常会出现不寻常的量子现象。利用低温扫描隧道显微镜结合分子束外延系统，研究了调制掺杂莫特绝缘体Sn/Si（111）-（$\sqrt{3}\times \sqrt{3}$）-R30 $^\textrm{o}$的电子结构.在欠掺杂区，我们观察到一个普遍的赝能隙开放周围的费米能级，它的变化不大的磁场和Sn空位的出现。赝能隙在高温下被涂掉，并随着莫特绝缘相的空间限制而改变大小。我们的研究结果，以及先前观察到的超导性在较高的掺杂水平，是非常令人联想到的掺杂氧化铜化合物的电子相图。
2021-10-04 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Local Moment Formation in the Superconducting State of a Doped Mott Insulator
本文提出了高温超导体中非磁性杂质或铜缺陷附近局域磁矩形成的微观理论。本文利用t-J模型的重整化平均场理论，研究了掺杂莫特绝缘体自旋S=0和S=1/2扇区中d波超导态的完全自洽、空间无限制解.当重正化交换耦合超过依赖于掺杂的临界值时，我们发现从单重d波SC态到自旋二重SC态的转变。诱导S=1/2矩是交错的，并局限于周围的杂质。它产生于S=1/2节准粒子激发的杂质的绑定。计算了局域态密度谱，并讨论了与NMR和STM实验的关系。
2002-09-20 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Particle-Hole Asymmetry in Doped Mott Insulators: Implications for Tunneling and Photoemission Spectroscopies
在一个具有强局部排斥相互作用的系统中，增加一个电子应该比抽出一个电子更困难。我们使这一想法精确的推导出各种精确的总和规则的单粒子谱函数的细节描述的系统和基态的性质的哈密顿独立。我们将这些结果推广到超导基态和低激发态。我们的研究结果揭示了高Tc超导体的隧穿谱中的显著不对称性，也应该是有用的，在估计非均匀材料中的局部掺杂变化。
2004-12-04 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Pseudogap induced by short-range spin correlations in a doped Mott insulator
在二维哈伯德模型中，利用元胞动力学平均场论研究了Mott-Hubbard绝缘体向关联金属的掺杂演化。短程自旋关联在谱函数中除了熟悉的哈伯德带外还产生了两个额外的带。即使是一个微小的掺杂到这个绝缘体的费米能量的跳跃，这些额外的频带之一，并立即动量依赖的抑制在这个费米能量的光谱权重。赝能隙与这些能带的存在密切相关。这表明一个强耦合机制，从短程自旋相关性和大的散射率的赝隙现象中看到几个铜酸盐。
2006-04-20 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Self-doped Mott insulator for parent compounds of nickelate superconductors
我们提出了新发现的超导镍酸盐Nd $_{1-x}$ Sr $_{x}$ NiO $_{2}$的母体化合物作为自掺杂莫特绝缘体，其中低密度的$5d$传导电子耦合到局域Ni-3 $% d_{x^{2}-y^{2}}$电子，在低温下形成近藤自旋单线态。这个建议的动机与我们的分析报告的电阻率和霍尔系数的数据在正常状态下，显示在低温下的对数温度依赖性。在强Kondo耦合极限下，我们导出了一个广义的$t$ - $J$模型，其中Kondo单态和镍holon都在镍自旋为1/2的晶格中运动.反铁磁长程序因此被抑制，在实验中观察到。随着Sr掺杂，镍位置上的holon数量增加，从而产生超导性和类似于超导铜氧化物中的奇怪金属相。
2019-09-26 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Spin-charge separation in the single hole doped Mott antiferromagnet
基于t-J模型研究了Mott反铁磁体中单个空穴的运动。得到了能谱的精确表达式，其中不可修复的相弦效应[Phys.Rev.Lett.1999]被认为是一种新的能谱。77，5102（1996）]明确存在。通过识别自旋回流的相弦效应，我们指出在这样的系统中必然存在自旋-电荷分离：掺杂空穴必须与相弦一起衰变为中性自旋子和无自旋的空穴。我们表明，虽然自旋保持相干，holon运动是由相弦阻止，导致其在空间中的本地化。我们计算的电子光谱函数，解释了线的光谱函数的形状，以及“准粒子”的角度分辨光电发射实验中观察到的光谱。其他分析和数值方法进行了讨论，本框架的基础上。
2000-10-19 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Metal-insulator transition via control of spin liquidity in a doped Mott insulator
量子自旋液体态，其中自旋是量子力学离域的方向，迄今已研究的电荷局域莫特绝缘体产生的强排斥相互作用。然而，最近发现具有三角形晶格的掺杂莫特绝缘体$κ$ -（ET）$_4$ Hg $_{2.89}$ Br $_8$既表现出类似自旋液体的磁性又表现出金属导电性。因此，现在可以通过实验探索自旋流动性如何影响电导，这是一个受到理论关注的问题。在这里，我们研究了一种新开发的方法，结合单轴和静水压力，在掺杂莫特绝缘体的导电与控制的三角形晶格几何形状和排斥强度，决定了自旋流动性和Mottness，分别。我们发现，在一个强相互作用的制度，电子状态急剧变化，从绝缘体到费米液体通过非费米液体不同的几何挫折，这表明自旋流动性促进电荷的离域。这一结果表明，自旋自由度的挫折通过掺杂的莫特绝缘体中的自旋和电荷的纠缠对电荷的输运具有决定性的影响。
2022-02-12 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Emergence of Quasiparticles in a Doped Mott Insulator
莫特绝缘体如何在掺杂后发展成为弱耦合金属是理解各种新兴相关现象的核心问题。为了分析这种演化及其与高$T_c$铜氧化物的联系，我们用超团簇微扰理论研究了掺杂哈伯德模型的单粒子谱。从极低的掺杂开始，我们确定了一个严重的重整化准粒子色散，立即发展整个费米能级，并在较高的结合能削弱极化子边带。准粒子光谱权重大致以低掺杂制度中的掺杂速率的两倍增长，但在最佳掺杂下该速率减半。在重掺杂制度，我们发现强的电子-空穴不对称性和持久存在的莫特光谱特征。最后，我们讨论了单带哈伯德模型描述角分辨光电子能谱（ARPES）测量的单层铜氧化物La $_{2-x}$ Sr $_x$ CuO $_4$（$0 \le x \le 0.15$）的节谱的演变的适用性。这项工作基准的预测能力的哈伯德模型的高$T_c$铜酸盐的电子性质。
2020-11-15 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Phase separation in doped Mott insulators
受莫特绝缘体远离整数填充的常见观察的启发，我们构建了一个简单的热力学参数的相分离一阶掺杂驱动的莫特转变。我们展示了如何计算临界掺杂所需的驱动莫特过渡使用电子结构计算的钛酸盐家族的钙钛矿，发现与实验良好的协议。该理论预测，过渡是可逆的，应该表现出库仑阻挫。
2014-08-01 cond-mat.str-el
Dynamics of screening in photo-doped Mott insulators
本文利用扩展的动态平均场论的非平衡实现方法研究了光激励莫特绝缘体中的动态屏蔽效应。双光子和空穴的插入增加了低能屏蔽模，并导致莫特能隙的减小。耦合到低能量玻色子模式进一步打开新的弛豫通道，并显着加快热化过程。我们还考虑了掺杂载流子的能量分布对屏蔽的影响。
2015-07-28 cond-mat.str-el
Asymmetry between the electron- and hole-doped Mott transition in the periodic Anderson model
研究了Mott-Hubbard机制下周期性Anderson模型中掺杂驱动的Mott金属-绝缘体相变。发现电子或空穴驱动的跃迁具有明显的不对称性，在较大的U值下，电子掺杂的MIT与单带哈伯德模型中的结果相似，由于溶液的共存，具有一阶特征.与此相反，空穴掺杂的MIT是二阶的，并且可以被描述为Zhang-Rice单线态的离域。
2009-06-25 cond-mat.str-el
A simple metal-insulator criterion for the doped Mott-Hubbard materials
我们推导出一个简单的金属-绝缘体准则的解析形式的掺杂Mott-Hubbard材料。它的读数与晶胞的基态的轨道和自旋性质密切相关。在顺磁相的可用的标准读数（金属或绝缘体）点的绝缘体状态的掺杂材料与禁止的第一个去除电子状态的可能性。从物理意义上讲，该结果与巡游电子系统中的Wilson判据相似。讨论了该判据在高温铜酸盐中的应用。
2014-11-19 cond-mat.str-el
Electronic charge reconstruction of doped Mott insulators in multilayered nanostructures
采用动力学平均场论计算了由半无限金属铅层包围强关联材料势垒面（可通过金属-绝缘体Mott跃迁调谐）构成的多层非均匀器件的电荷重构。主要的重点是掺杂的莫特绝缘体的障碍，以及如何的电子电荷重建可以创建良好定义的莫特绝缘区的设备，其厚度是由本征材料的属性，因此可能是能够重现。
2006-12-13 cond-mat.str-el
Non-Fermi liquid from confinement in doped Mott insulators
在规范理论方法中提出了掺杂莫特绝缘体中分数激发禁闭的唯象描述。在t-J模型的SU（2）规范理论中引入Polyakov环参数，我们证明了在所谓的相干温度以下，电子激发出现，这是由于通过Polyakov环的形成对自旋子和空穴的限制。值得注意的是，这种受限的电子原来表现出非费米液体物理没有量子临界性，产生的电阻率与实验数据定量一致。希格斯相是不允许的，由于限制，这表明一个可能的新机制的超导性在强耦合的方法。
2009-12-09 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con hep-ph
A heterojunction modulation-doped Mott transistor
提出了一种异质结莫特场效应晶体管（FET），其由表现出电子相关诱导的莫特金属到绝缘体转变的外延沟道材料组成。莫特材料是远程（调制）掺杂的简并掺杂的常规带绝缘体。外加电压调制从掺杂带绝缘体到莫特材料的电子转移，并通过诱导绝缘体到金属的转变来产生晶体管动作。稀土镍酸盐和SrTiO 3的材料参数用于评估“调制掺杂Mott FET”（ModMottFET或MMFET）作为下一代开关的潜力。它表明，MMFET的特点是独特的“电荷增益”的特性，以及竞争性的双稳态，小信号增益和电流驱动。
2011-09-24 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Dynamical mean-field theory of electron-phonon interaction in correlated electron materials: general results and application to doped Mott insulators
动力学平均场方法是用来制定一个计算上容易处理的理论，电子-声子相互作用的系统中的任意本地电子-电子相互作用的物理相关的绝热限制的声子频率小相比，电子带宽或相互作用的规模。作为应用，测定了轻掺杂莫特绝缘体中声子对载流子有效质量的贡献，并讨论了相分离边界。
2002-05-09 cond-mat.str-el
