Phase coexistence and resistivity near the ferromagnetic transition of manganites
氧空穴在顺磁相中配对成重双极化子，在铁磁相中它们的磁对断裂[所谓的载流子密度崩塌（CCDC）]解释了掺杂锰氧化物中的一阶铁磁相变、庞磁电阻（CMR）、同位素效应和赝能隙。在这里，我们提出了一个相共存的解释和描述的磁化强度和电阻率的锰氧化物附近的铁磁转变的框架中的CCDC。本文利用远离相变点的实验介电常数和实验磁化强度，在没有任何拟合参数的情况下，获得了电阻率的定量描述，基本上与模型无关。
2006-02-27 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Anisotropic magnetization, resistivity and heat capacity of single crystalline R3Ni2-xSn7 (R = La, Ce, Pr and Nd)
我们提出了一个详细的研究R3 Ni 2-xSn 7（R = La，Ce，Pr和Nd）单晶的晶体结构，化学计量，温度依赖的磁化率，磁化强度，电阻率，磁阻和比热的测量。该系列形成部分Ni占位，x从R = La的~ 0.1变化到R = Nd的~0.7。该系列的电阻率遵循高温下的金属行为。测定了R_3Ni_（2-x）Sn_（7）（R = Ce，Pr和Nd）的各向异性和反铁磁有序温度。对于Pr_3Ni_1.56Sn_7和Nd_3Ni_1.34Sn_7，在冷却时发生多个磁转变。在这个家庭（R = Ce，Pr和Nd）的变磁转变被检测到的磁场低于70千奥斯特。组装Ce3Ni1.69Sn7的H-T相图以阐明其低场特性并排除可能的量子临界效应。
2012-12-11 cond-mat.str-el
Resistivity model for both paramagnetic and ferromagnetic phases
电阻率，$ρ$作为温度和电离能（掺杂）和磁化强度的函数分别推导出与自旋无序散射的进一步限制。计算得到的Ga-$_{1-x}$-Mn-$_x$-As体系的$T_C$以下的$T_{crossover}$和载流子密度分别为8-12 K和10 $^{19}$-cm-$^{-3}$，与10-12 K和10 $^{18}-10^{20}$-cm-$^{-3}$的实验值非常吻合。
2004-08-15 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Spin-Glass-like Transition and Hall Resistivity of Y2-xBixIr2O7
研究了烧绿石氧化物Y2-xBixIr 2 O 7的各种物理性质。在零场冷却（ZFC）和场冷却（FC）条件下测量的磁化强度M在温度T=TG以下具有不同的值。在TG附近观察到的电致伸缩率r和热电功率S的异常T依赖性表明磁化行为是由于自旋冻结状态的转变。在这种自旋冻结状态下，用ZFC和FC条件测量的霍尔折射率rH在低温阶段（T<TG）也有不同的值。引起这种滞后行为的可能机制进行了讨论。
2003-02-21 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Orientation Dependence of the Anomalous Hall Resistivity in Single Crystals of Yb14MnSb11
本文报道了Yb_（14）MnSb_（11）单晶的霍尔电阻率、电阻率和磁化强度随电流I和磁场H相对于主晶轴方向的变化关系。当I沿唯一c方向，H在a-b平面上时，在零场极限下，对于T <53 K的所有温度T，反常霍耳电阻率均为负。在这个方向上，异常霍尔效应的行为方式类似于在其他铁磁体，如Fe，Co，Mn 5Ge 3和EuFe 4Sb 12中观察到的。然而，当I在a-b平面上，而H沿c方向时，反常霍尔行为完全不同。对于所有小于Tc的T，异常霍尔电阻率数据都是正的，并且对这些数据的类似分析失败。在这个方向上，异常响应不是磁化序参量的简单线性函数，并且对于固定温度（T小于Tc），不依赖于垂直于a-b平面中的电流的磁化的幅度。也就是说，当磁化强度和外加磁场旋转远离c方向时，异常霍尔电阻率不会改变。在我们已经研究过的所有其他软铁磁体中（包括Yb 14 MnSb 11的La掺杂晶体，即Yb 13.3 La 0.7 MnSb 11），磁化强度和磁场从垂直于I的方向旋转角度θ会导致霍尔电阻率的异常和正常部分都减小，其近似与cos（θ）成比例。我们认为，Yb 14 MnSb 11所表现出的独特的响应是铁磁性和近藤屏蔽之间的微妙平衡的直接反映。
2007-08-21 cond-mat.str-el
Structure, Magnetization and Resistivity of La$_{1-x}$M$_x$CoO$_3$ (M = Ca, Sr, and Ba)
我们提出了一个调查的结构畸变的影响，在电荷载流子掺杂\lmco取代La $^{3+}$与碱土金属强烈不同的离子尺寸，即M = Ca $^{2+}$，Sr $^{2+}$，和Ba $^{2+}$，分别。我们发现，磁性和电阻率都是M离子尺寸的非单调函数。用M = Sr $^{2+}$掺杂\lmco比用离子尺寸分别小于或大于Sr $^{2+}$的Ca $^{2+}$或Ba $^{2+}$掺杂产生更高的到铁磁有序态的转变温度和更低的介电常数。从这一观察，我们得出结论，不同的M（相同浓度$x$）的\lmco的不同转变温度和结晶度不仅取决于不同的化学压力。由于La $^{3+}$和M $^{2+}$的不同离子尺寸引起的局部无序也起重要作用。
2004-01-21 cond-mat.str-el
Sr$_2$IrO$_4$ magnetic phase diagram, from resistivity
我们发现，与以前的信念相反，在零磁场中的Sr $_2$ IrO $_4$的反铁磁态的转变并没有出现在横向电阻率。我们将此归因于与磁有序相关的横向积分的变化，考虑到本地化电荷的跳跃来评估。研究了外磁场作用下与磁转变有关的电阻率异常的演化规律。它跟踪磁相图，允许识别三条不同的线，特别是自旋翻转线，与磁化的铁磁分量的重新排序相关，以及一条有趣的场致磁性线，也被磁化测量所证实。
2015-04-28 cond-mat.str-el
Two-fold anisotropic superconducting state in topological superconductor Sn$_4$Au
本研究合成了拓扑超导体Sn$_4$Au单晶，通过磁输运等测量证实其为第二类超导体，发现其超导态下上临界场存在二重各向异性（参数1.26），推测该特性源于材料的层状结构。
2023-03-15 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Superconducting and normal-state properties of the noncentrosymmetric superconductor Re6Zr
我们系统地研究了非中心对称Re $_{6}$ Zr的正常和超导性质，使用磁化强度，热容和电阻率测量。电阻率测量表明Re $_{6}$ Zr具有较差的金属行为，并且以无序为主。Re $_6$ Zr在$T_{\mathrm{c}} = \left(6.75\pm0.05\right)$ K下发生超导转变。磁化测量给出了较低的临界场，$μ_{0}H_{\mathrm{c1}} = \left(10.3 \pm 0.1\right)$ mT。用Werthamer-Helfand-Hohenberg模型来近似上临界场$μ_{0}H_{\mathrm{c2}} = \left(11.2 \pm 0.2\right)$ T，它接近泡利极限场12.35 T，可以指示单重态-三重态混合。然而，低温比热数据表明，Re $_{6}$ Zr是一个各向同性的，完全带隙的s波超导体增强的电子-声子耦合。在磁化数据中观察到导致峰值效应的异常磁通钉扎，表明非常规的涡旋状态。
2017-09-05 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Crystals, magnetic and electronic properties of a new ThCr2Si2-type BaMn2Bi2 and K-doped compositions
本文报道了从铋熔剂中结晶出的新的122三元过渡金属磷属元素化物BaMn_2Bi_2。BaMn_2Bi_2为ThCr_2Si_2型结构（I_4/mmm），a = 4.4902（3）μ m，c = 14.687（1）μ m，具有各向异性磁化率的反铁磁性和半导体性质，带隙Eg = 6 meV。热容结果证实了BaMn 2Bi 2的绝缘基态，电子剩余索末菲系数γ ~ 0.高温磁化结果表明，磁有序温度为TN ~ 400 K.通过Ba_（1-x）K_xMn_2Bi_2中的钾在BaMn_2Bi_2中进行空穴掺杂导致x = 0.10（1）、0.32（1）和0.36（1）的金属行为。随着K掺杂，观察到更多的磁各向异性行为。虽然在> 30%掺杂的晶体中，电阻率和低于4K的低场磁化数据下降，但没有零电阻或抗磁性的迹象。本文报道了BaMn_2Bi_2和Ba_（1-x）K_xMn_2Bi_2（0从粉末X射线衍射，各向异性的温度和磁场相关的磁化强度，温度和磁场相关的电阻率和热容的结果。
2013-03-22 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Magnetic and magnetoresistance behavior of Tb7Rh3, an intermetallic compound with a negative temperature coefficient of electrical resistivity in the paramagnetic state, and Paramagnetic Giant Magnetoresistance Phenomenon
直流磁化，电和磁电阻和热容量测量（2-300 K）的结果Tb 7 Rh 3，在Th 7 Fe 3型六方结构结晶，报告。在这种化合物中，磁有序集在约90 K，在低温下具有额外的转变，并且电阻率（R）的温度系数dR/dT在顺磁状态下在很宽的温度范围内为负。磁化结果表明，该化合物在磁场-温度相图中具有丰富的特征。主要强调的一点是，顺磁状态下的dR/dT的符号可以通过施加磁场而逐渐改变。结果，除了在磁有序状态下的巨磁阻行为之外，磁阻（MR）的幅度即使在室温附近（远高于磁有序温度）也相当大。与该系列的其他重稀土元素类似，这类化合物可以被归类为顺磁性巨磁阻系统。一种新的理论方法是必要的，以了解这一现象。
2006-09-10 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Optimized fabrication of high quality La0.67Sr0.33MnO3 thin films considering all essential characteristics
本文综述了高质量La_（0.67）Sr_（0.33）MnO_3（LSMO）薄膜的制备和性能。高质量的LSMO膜结合了光滑的表面形态、大的磁化强度和小的剩余电阻率，同时避免了沉淀物和表面偏析。在文学中，通常只有少数这些问题得到解决。因此，我们提出了一个彻底的表征我们的薄膜，这是通过脉冲激光沉积生长。采用反射高能电子衍射、原子力显微镜、x射线衍射、磁化强度和输运测量、x射线光电子能谱学和扫描透射电子显微镜对薄膜进行了表征。薄膜的饱和磁化强度为4.0 μB/Mn，居里温度为350 K，剩余电阻率为60 μΩcm。这些结果表明，高质量的薄膜，结合大的磁化强度和小的剩余电阻率，实现。文献中提出的不同样品之间的比较表明，专注于一个单一的属性是不够的沉积过程的优化。对于高质量的薄膜，必须解决所有的性能。对于LSMO器件，薄膜质量对器件性能至关重要。因此，本研究对LSMO在器件中的应用具有重要意义。
2011-03-11 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Successive phase transitions under high pressure in FeTe0.92
我们进行了磁化强度和电阻率测量下的高压高达19 GPa的FeTe0.92。该化合物在大气压下的磁化强度和电阻率显示出异常，这是由于伴随着磁性转变的结构畸变。我们还观察到高压下的磁异常和电阻异常，这表明在低温下存在两个压力诱导相。与FeAs基化合物不同，在高达19 GPa的高压下没有检测到超导性，尽管在大气压下的异常被施加压力所抑制。
2009-08-04 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Influence of Cu on spin-polaron tunneling in the ferromagnetic state of La(2/3)Ca(1/3)Mn(1-x)Cu(x)O(3) from the resistivity data
在La（2/3）Ca（1/3）Mn（1-x）Cu（x）O（3）的Mn位上仅掺杂4%的Cu，电阻率ρ（T，x）就降低了近50%。将这一现象归因于在居里点T_C（x）=T_C（0）（1-x）以下的自旋极化子能量E_s（x）的替代引起的降低，发现所有数据都符合非热相干隧穿表达式ρ（T，x）= ρ_0*exp（-γM^2（T，x）），假设M（T，x）=M_R（x）+M_0（x）*tanh{ \sqrt{[T_C(x)/T]^2-1} }。所有数据点的最佳拟合结果分别为：M_0（x）= \sqrt（1-x）M_0（0），M_R（x）= \sqrt（x）M_0（0），E_s（x）=E_s（0）（1-x）^[4]，其中，Cu诱导的Mn自旋变化分别主导了零温自发磁化强度、剩余顺磁贡献和自旋极化子能量，E_s（0）=0.12 eV。
1999-01-25 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Anisotropic magnetization, specific heat and resistivity of RFe2Ge2 single crystals
我们用Sn助熔剂作溶剂生长了R = Y的RFe_2Ge_2单晶和10个镧系元素（Pr，Nd，Sm，Gd-Tm，Lu）。该方法产生干净、高质量的晶体片，如分别在3-12 μ Ohm cm和20-90范围内的残余折射率和RRR值所证明的。晶体也几乎没有磁性杂质或第二相，允许研究每种化合物的固有各向异性磁性行为。用X射线衍射、温度和磁场依赖的磁化强度、比热和电阻率进行表征。非常强的各向异性所产生的CEF效应，观察到所有的磁性稀土，除Gd。反铁磁有序发生在16.5 K（Nd）和1.1 K（Ho）之间的温度，大致规模与德热内因子的重稀土。对于某些构件，还存在与磁结构的变化相关联的较低温度转变。Tm没有命令下降到0.4 K，似乎是一个范Vleck顺磁体。对于低于70 kOe的场，所有有序度高于2 K的成员在2 K时均表现出变磁转变。计算出的每个稀土原子的有效磁矩与预期的R^3+自由离子值接近，但Sm在顺磁状态下表现出反常行为。这个系列中的非磁性成员（Y，Lu）的特征是具有异常大的电子比热系数（γ ~ 60 mJ/mol K^2）和与温度无关的磁化率项（chi_0 ~ 0.003 emu/mol），这表明费米表面的态密度相对较大。
2003-05-08 cond-mat.str-el
Scaling Behavior of Magnetoresistance and Hall Resistivity in Altermagnet CrSb
本研究测量了Altermagnet CrSb单晶的磁阻与霍尔电阻率，发现其表现出明显的标度行为，首次在AM材料中证实磁输运性质源于本征电子结构并由洛伦兹力主导。
2024-12-16 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Single crystal growth and characterization of the large-unit-cell compound Cu13Ba
用Ba-Cu自熔剂成功地生长出Cu $_{13}$ Ba单晶。报告了温度相关磁化强度$M(T)$、电阻率$ρ(T)$和比热$C_p(T)$数据。等温磁化测量，$M(H)$，在$T$ = 2 K的低至$μ_0H$ = 1 T的磁场下，显示出明显的de Haas-van Alphen振荡。在$T$ ~ 50 K范围内观察到磁化率的反常行为，反映了在相当高的温度下的deHaas-van Alphen振荡效应。磁场和温度依赖性的磁化强度表明存在稀释的磁性杂质的浓度的顺序为0.01at.%。因此，在$T$ = 15 K及以下的电阻率中观察到的最小且较低的温度升高归因于近藤杂质效应。
2013-10-31 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Conductivity, weak ferromagnetism and charge instability in $α-MnS$ single crystal
在$5 K < T < 550 K$温度范围内测量了$α- MnS $单晶的电阻率、磁化强度和电子自旋共振随温度的变化关系。在$T=5 K, 77 K, 300 K$上，在高达0.7 T的外加磁场中，发现了磁化强度和电阻率的不可逆温度行为。用简并紧束缚模型和无规相位近似对实验数据进行了解释。研究了锰离子的$t_{2g}$和$e_g$带中空穴对$α-MnS $的电导率、光吸收谱和电荷不稳定性的贡献。在$T=160 K, 250 K, 475 K$上计算了不同轨道上空穴间的在位库仑相互作用和子带间的小杂化作用引起的电荷极化率最大值。
2004-08-11 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Re-entrance of resistivity due to the interplay of superconductivity and magnetism in $\ce{Eu_{0.73}Ca_{0.27}(Fe_{0.87}Co_{0.13})2As2}$
通过Co和Ca共掺杂获得超导与反铁磁共存的EuFe2As2基化合物，发现反铁磁有序触发电阻率重入现象，结合多种测量提出物理解释。
2023-11-14 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Evidence of structural phase transition in superconducting SmFeAsO_(1-x)F_x from 19^F NMR
本文报道了SmFeAsO_（0.86）F_（0.14）多晶样品的电阻率、磁化强度和~（19）FNMR结果。电阻率和磁化强度数据显示在48 K时急剧下降，表明超导转变。核自旋-晶格速率（1/T_1）和自旋-自旋弛豫速率（1/T_2）清楚地表明样品在163 K附近存在结构相变，并发生超导转变。这一发现引起了人们的兴趣，以探索这是否是唯一的Sm为基础的系统，或者它也存在于其他稀土为基础的1111超导体。
2012-11-19 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Superconductivity and local-moment magnetism in Eu(Fe$_{0.89}$Co$_{0.11}$)$_{2}$As$_{2}$
本文报道了掺钴Eu（Fe $_{0.89}$ Co $_{0.11}$）$_{2}$ As $_{2}$单晶在平行于基面和垂直于基面的磁场下的电阻率和磁化强度的测量结果。我们观察到的电阻率下降，在$T_c\sim$ 21 K，向较低的温度下的外场，这表明超导转变。$T_c$附近的上临界场表现出大的各向异性，与其他的'122' FeAs基超导体相反。低场磁化率数据也显示了21 K以下超导性的证据。而不是预期的零电阻低于$T_c$，然而，电阻率再入出现在17 K下的零场，符合磁有序的Eu $^{2+}$时刻。基于各向异性磁化强度的温度和磁场依赖性，提出了Eu $^{2+}$自旋的螺旋磁结构。外磁场很容易改变helimagnetism铁磁性与完全极化的Eu $^{2+}$自旋，伴随着消失的电阻率重入。因此，在相对低的磁场下，超导性与Eu $^{2+}$自旋的铁磁态共存。最后总结了$H\parallel ab$和$H\parallel c$的磁性和超导相图。
2009-11-02 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
The two-dimensional metallic triangular lattice antiferromagnet CeCd3P3
研究了$R$ Cd $_{3}$ P $_{3}$（$R$ = La和Ce）单晶的磁化强度、电阻率、霍尔系数和比热。CeCd $_{3}$ P $_{3}$的磁化强度测量显示出清晰的准二维磁性行为。电阻率和霍尔系数测量表明，$R$ Cd $_{3}$ P $_{3}$化合物是低载流子密度金属系统，与多晶材料的早期研究形成强烈对比。CeCd $_{3}$ P $_{3}$的比热和电阻率测量表明，在$T_{s} = 127$ ~K处存在高温（结构）相变，在低于$T_{N} = 0.41$ ~K处存在反铁磁有序.当在易平面（$H {\parallel} ab$）内施加磁场时，磁有序温度在$H \sim 15$ ~kOe处升高到0.43~K，表明磁阻挫部分提升.大的电子比热在高于$T_{N}$的异常宽的温度范围内持续存在，这是由于受抑的自旋。在电阻率中的常规金属行为的观察表明，CeCd $_{3}$ P $_{3}$中的$f$ -电子与传导电子进行可忽略的杂化。因此，CeCd $_{3}$ P $_{3}$可能是用于探索低载流子密度Ce三角晶格上的磁阻挫和RKKY物理之间的复杂相互作用的模型系统。
2022-06-13 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Antiferromagnetism of CeCd$_{0.67}$As$_{2}$ existing deep inside the narrow gap semiconducting state
采用高温三元熔体法合成了$R$ Cd $_{0.67}$ As $_2$（$R$ = La和Ce）单晶，并通过磁化强度、比热、电阻率、霍尔系数和热电势等测试手段研究了其物理性质。$R$ As $_2$化合物在高温下表现出（结构）相变，伴随着极低载流子浓度下电阻率的显著增加。CeCd $_{0.67}$作为$_2$在低于$T_{N} = 4$ ~K时表现出大的磁各向异性和反铁磁（AFM）级。用晶体电场的点电荷模型分析了样品的磁化率曲线、磁化等温线和比热。在顺磁状态下，所观察到的磁性可以很好地解释CEF效应，这意味着4 $f$时刻保持本地化。电阻率测量，连同霍尔电阻率和热电功率，也表明高度本地化的4 $f$电子，近藤的贡献是可以忽略不计的。低温物理性质表现出强烈的磁场依赖性。对于$H \perp c$，随着磁场的增加，$T_{N}$向低温移动，并最终在$H_{c} \sim 60$ ~ kOe处消失。内部的AFM状态，三个变磁性转变清楚地证明了从磁化等温线。RKKY相互作用可能是CeCd $_{0.67}$ As $_2$中AFM有序化的原因，然而它必须由极低的电荷载流子介导。尽管CeCd $_{0.67}$ As $_2$的AFM有序温度可以被连续抑制到零，但由于缺乏传导电子云来屏蔽4个$f$时刻，预计没有AFM量子相变。
2023-02-24 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Giant nonlinear conduction and thyristor-like negative derivative resistance in BaIrO3 single crystals
采用熔融助熔剂法合成了单斜BaIrO 3单晶样品，测量了样品的磁化强度、电阻率、塞贝克系数和非线性伏安特性。磁化强度在低于180 K的铁磁转变温度TC时迅速增加，在此温度下，电阻率伴随着显示出驼峰型异常，随后在低于30 K时急剧增加。Seebeck系数在TC以下突然增大，在50 K以下呈线性温度依赖关系。该化合物最显著的特征是在30 K以下观察到异常巨大的非线性导电，其中20 A/cm 2的小电流密度显著抑制电阻率的急剧增加，从而诱导金属导电降低到4 K。
2005-09-16 cond-mat.str-el
Itinerant G-type antiferromagnet SrCr2As2 studied by magnetization, heat capacity, electrical resistivity, and NMR measurements
通过电阻率、热容、热稳定性等测试手段，研究了体心结构的巡游反铁磁（AFM）SrCr $_2$ As $C_{\rm p}$的单晶和多晶结构的物理性能，磁化率$χ$与温度~ $T$和磁化$M$与施加磁场$H$等温线测量以及$^{75}$ As和$^{53}$ Cr核在$T$ = 1.6- 900 K的宽温度范围内进行了核磁共振（NMR）测量。从$χ(T)$和$^{75}$ As NMR测量，已经确定了低于$T_{\rm N}$ = 615（15）K的G型AFM状态，与先前的中子衍射测量一致。通过在$H$ = 0下观察$^{53}$ Cr NMR谱，显示了Cr自旋磁有序的直接证据。从$χ(T)$测量单晶SrCr $_2$作为$_2$在两个不同的磁场方向$H||ab$和$H||c$在AFM状态下，Cr有序矩被证明是沿$c$轴在G型AFM状态。金属态直接由$ρ$、$C_{\rm p}$和NMR测量证明，并且AFM态中费米能${\cal D}(E_{\rm F})$处的态密度估计为7.53态/eV f.u.。对于两个自旋方向，这几乎是裸${\cal D}(E_{\rm F})$的两倍，估计从第一原理计算，这表明在AFM状态的导电载流子质量的增强的一个因素。发现${\cal D}(E_{\rm F})$在低于至少100 K时几乎是恒定的，并且与$H$无关。发现$ρ(T)$在高于$T_{\rm …
2022-03-27 cond-mat.str-el
Possible Magnetic separation in Ru doped La0.67Ca0.33MnO3
对La_（0.67）Ca_（0.33）Mn_（1-x）RuxO_3（0x < 0.1）进行了X射线衍射、电阻率、交流磁化率和磁化强度的研究。晶格参数的显着增加表明存在混合价态的Ru：Ru 3+和Ru 4+。掺杂化合物的电阻率表现出两个特点：一个宽的最大值和一个相对尖锐的峰值。虽然可以观察到的后一个峰值的对位铁磁过渡，没有磁信号，无论是在交流磁化率或磁化强度测量可以观察到的广泛的最大值。磁矩在Ru组分从0到8.5原子%的范围内从3.55到3 mB非线性地减小。基于目前的研究结果和现有文献的Mn位取代系统，我们认为，在Ru掺杂系统中发生磁相分离。电阻率的尖峰对应于与相邻Mn离子具有铁磁耦合的Ru 4+富集区，而宽峰对应于与相邻Mn离子具有反铁磁耦合的Ru 3+富集区。
2002-04-20 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Investigation of the quaternary Fe2-xCoxMnSi alloys by structural, magnetic, resistivity and spin polarization measurements
研究了Co替代对Fe_（2-x）Co_xMnSi合金的结构、磁性和磁输运性质的影响。合金的居里温度和饱和磁化强度随Co的替代量线性增加。当x小于0.2时，Fe_（2-x）Co_xMnSi中存在铁磁（FM）和反铁磁（AFM）之间的竞争磁相互作用，当x大于或等于0.2时，AFM相完全消失。这些合金的Rhodes-Wohlfarth比pc/ps值大于1，这是该系统中存在的重复磁性的特征。穆斯堡尔谱测量研究了某些x值的原子无序和局域磁矩。电阻率测量也证实了铁磁性的稳定性与浓度的钴，也显示了半金属性的迹象。对于x = 0.4，电阻率显示半导体行为，这在自旋无隙半导体方面是有趣的。
2014-08-11 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Evidence for filamentary superconductivity nucleated at antiphase domain walls in antiferromagnetic CaFe$_2$As$_2$
电阻率，磁化强度和微观$^{75}$作为核磁共振（NMR）测量在反铁磁有序状态的铁基超导体母体材料CaFe $_2$作为$_2$表现出异常的功能，是一致的集体冻结域壁。低于$T^*\approx 10$ K，电阻率呈现峰值和下降，体磁化强度呈现急剧增加，并且$^{75}$ As NMR测量揭示超精细场的缓慢波动的存在。这些功能在这两个电荷和自旋响应是强烈的场依赖性，完全抑制由$H^*\approx 15$ T，并建议在这种材料的反相畴壁的非线性超导性的存在下成核。
2012-01-27 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Synthesis and physical properties of a new caged compound Ce3Pd20As6 of the C6Cr23-type structure
我们已经发现，Ce 3 Pd 20 As 6结晶成立方C6 Cr23型结构。结合化学成分的电子探针显微分析和粉末X射线衍射图的Rietveld分析，揭示了可变化学计量的不均匀原子组成。通过测量Ce 3 Pd 20 As 6的磁化强度、电阻率和比热，研究了Ce 3 Pd 20 As 6的物理性能。Ce ~（3+）离子的4f电子局域性很好，但在0.5 K以下没有出现相变。金属电阻率显示出弱的近藤屏蔽。残余电阻率比相当低，可能是由于可变的化学计量。磁化强度曲线和磁熵表明，在两个Ce晶位中至少有一个处于γ_8四重晶体电场基态。
2014-10-29 cond-mat.str-el
Ferromagnetism and possible heavy fermion behavior in single crystals of NdOs$_4$Sb$_{12}$
用电阻率、磁化强度和比热测量方法研究了填充方钴矿化合物NdOs $_4$ Sb $_{12}$的单晶。NdOs $_4$ Sb $_{12}$晶体具有LaFe $_4$ P $_{12}$型立方结构，晶格参数为9.3 Ω。可能的重费米子行为推断从比热测量，揭示了一个大的电子比热系数$γ\approx 520$ mJ/mol-K $^2$，对应于一个有效质量$m^* \sim$ 98 $m_e$。与{ $\sim$ 0.9 K}铁磁转变相关的特征可以在电阻率、磁化强度和比热中观察到。传统的Arrott图分析表明，NdOs $_4$ Sb $_{12}$符合平均场铁磁性。
2005-07-04 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Possible Excitonic Phase of Graphite in the Quantum Limit State
研究了石墨在沿\textit{c}轴方向施加脉冲磁场时的面内电阻率、霍尔电阻率和磁化强度。霍尔电阻率在约53 T处接近零，其中面内和面外电阻率急剧减小。差分磁化也显示出异常在这个领域与类似的振幅相比，在较低的领域的de Haas-van Alphen振荡。这种过渡场对无序不敏感，但随着掺杂空穴的增加而减小。这些结果表明，在53 T以上的温度下，可以实现量子极限态.作为一个合理的解释所观察到的带隙的面外导电高于53 T，在石墨中的激子BCS类状态的出现提出。
2015-03-15 cond-mat.str-el
Structural and magnetic properties of CeZnAl$_3$ single crystals
我们合成了CeZnAl $_3$单晶，它是Ce基金属间化合物Ce $TX_3$（$T$ =过渡金属，$X$ = Si，Ge，Al）家族的新成员，以非中心对称的四元BaNiSn $_3$型结构结晶。磁化强度、比热和电阻率的测量均表明CeZnAl $_3$在低于4.4 K时磁性有序。此外，磁化测量在低温和磁场下表现出磁滞回线，表明在磁性状态下存在铁磁成分。这表明CeZnAl $_3$与其他同构Ce $T$ Al $_3$化合物相比具有不同的磁性。在高达1.8 GPa的压力下的电阻率测量显示出有序温度随压力的适度抑制，这表明需要测量更高的压力来寻找量子临界行为。
2018-04-16 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Superzone gap formation and low lying crystal electric field levels in PrPd$_2$Ge$_2$ single crystal
通过测量PrPd $_2$ Ge $_2$单晶的磁化强度、磁化率、电阻率和热容，研究了其磁晶各向异性。PrPd $_2$ Ge $_2$以熟知的ThCr $_2$ Si $_2$-型四元结构结晶。反铁磁有序度为5.1~K，易磁化轴为[001]轴.当电流沿[001]方向通过时，从电阻率测量观察到超区间隙形成。对磁化率、磁化强度和热容测量的晶体电场（CEF）分析证实了具有相对低的总体CEF能级分裂的双重基态。由于CEF能级交叉，CEF能级间距和高场塞曼分裂变得相当，并导致34 T的变磁转变。
2017-02-01 cond-mat.str-el
Designing Pu Intermetallics with First Principle Calculations
本研究利用第一性原理计算预测并发现了两种新型Pu基金属间化合物PuNiSn和PuPtSn，实验表征表明其具有反铁磁有序、强电子关联及Kondo等物理特性。
2024-07-28 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Possible Evolution of Antiferromagnetism in Zn-Doped Heavy-Fermion Superconductor CeCoIn5
我们成功地生长了重费米子超导体CeCo（In_（1-x）Zn_x）_5（x ≤ 0.07）的单晶。比热，电阻率，直流磁化强度和交流磁化率的测量表明，超导（SC）转变温度Tc从2.25 K（x=0）降低到1.8 K（x=0.05）通过掺杂Zn到CeCoIn 5。在T_o ~ 2.2K（x=>0.05）以下，出现了一种新的有序相，其特征是有序相的磁化强度和电阻率降低，T_o处的比热增大。这种相变也可以通过在低温磁化强度场变化中在H_o ~ 55 kOe处观察到的肩状异常来识别，这与x=0.05时的超导临界场H_c ~ 2 =49 kOe和x=0.07时的超导临界场H_c ~ 2 = 42 kOe明显不同。我们建议从这些结果，反铁磁（AFM）秩序产生的掺杂Zn，SC和AFM订单之间的相互作用是实现在CeCo（In 1-xZnx）5。
2014-02-04 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Hysteretic magnetoresistance and unconventional anomalous Hall effect in the frustrated magnet TmB_4
我们通过磁化和输运实验研究了阿基米德Shastry-Sutherland晶格上的阻挫磁体TmB_4。TmB_4的电阻率无各向异性，表明它是一个电子三维系统。磁阻（MR）在低温下是滞后的，即使相应的磁化滞后是缺席。霍尔电阻率显示出非常规的异常霍尔效应（AHE），是线性的饱和以上，尽管一个大的MR。我们建议，复杂的结构在磁畴壁可能是负责滞后MR，也可能导致AHE。
2016-05-13 cond-mat.str-el
Small-polaron hopping conductivity in bilayer manganite La$_{1.2}$Sr$_{1.8}$Mn$_{2}$O$_{7}$
本文报道了La $_{1.2}$ Sr $_{1.8}$ Mn $_{2}$ O $_{7}$单晶在温度$T$为2 ~ 400 K和磁场$H$高达14 T范围内的各向异性电阻率测量结果。对于$T\geq 218$ K，零场面内$ρ_{ab}(T)$电阻率的温度依赖性服从绝热小极化子跳跃机制，而面外$ρ_{c}(T)$电阻率的温度依赖性服从阿克里先乌斯定律，且激活能相同.考虑到极化子的磁性和电阻率与磁化强度之间的密切相关性，我们建立了一个模型，可以确定$ρ_{ab,c}(H,T)$。计算结果与测量结果的良好一致性表明，小极化子在双层锰氧化物顺磁相的电输运性质中起着至关重要的作用。
2003-02-19 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Current percolation model for the special resistivity behavior observed in Cu-doped Apatite
针对Cu掺杂磷灰石Pb10-xCux(PO4)6O中多种异常电阻率行为，研究提出基于Cu/Pb电流通道的电流渗流模型加以解释，并因未观测到Meissner效应而认为其超导性尚未证实。
2023-08-10 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Anomalous Hall Effect of Calcium-doped Lanthanum Cobaltite Films
在高达7 T的磁场下测量了在铝酸镧上生长的x在0.25和0.4之间的La_{1-x} Ca_{x} CoO_{3}外延膜的霍尔电阻率、磁阻和磁化强度。x=1/3的薄膜，显示出凹入的金属绝缘体转变。在100 K以下，x=1/3和0.4的薄膜具有显著的介电常数，其随温度的降低而增加。在低温下的霍尔电阻率保持大，基本上在这些薄膜中的字段独立，除了在矫顽场的符号变化，这是更突然的比磁化的切换。一个独特的磁阻行为伴随着这种效果。这些结果进行了讨论的渗流图片和混合自旋态模型为该系统。我们认为低温下的霍尔效应是由于自旋极化载流子在自旋有序团簇中的轨道无序散射而引起的。
2002-08-27 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Metastable magnetization behavior in magnetocaloric R6Co1.67Si3 (R=Tb and Nd) compounds
在最近发现的三元硅化物R6 Co 1.67Si 3中观察到了磁场和时间诱导的台阶。在低温磁化等温线的不同环中观察到巨大的弛豫台阶。该系统中存在的巨弛豫现象表明，在一定的磁场下，存在一个达到饱和时刻的孕育时间。在该系统中观察到的测量协议敏感的磁化行为可能是由强磁结构耦合和/或磁阻挫引起的。电阻率和磁阻也反映了化合物的磁性状态。磁热效应被发现是大的温度接近磁转变温度。
2010-05-20 cond-mat.str-el
Berry's phase contribution to the anomalous Hall effect of gadolinium
当传导电子被迫跟随局部自旋织构时，所产生的Berry相可以诱导反常霍尔效应（AHE）。在钆中，如在双交换磁体中，交换相互作用由传导电子介导，因此AHE可能类似于二氧化铬和其他金属双交换铁磁体的AHE。在高达30 T的磁场中测量了单晶钆的霍尔电阻率、磁阻和磁化强度。2 K和400 K之间的测量与以前报道的数据是一致的。作为磁化强度的函数的霍尔电阻率的标度分析表明，存在一个Berry的相位贡献的异常霍尔效应。
2004-04-21 cond-mat.str-el
Ferromagnetic Properties of ZrZn$_2$
低居里温度（T_C约为28 K）和小有序矩（M_0约为0.17 μ_B f.u.^-1）是一种很好的超导材料。1)使其成为少数几个弱巡回铁磁体的例子之一。我们报告的结果，磁化率，磁化强度，电阻率和比热测量高品质的单晶ZrZn 2。从T_C（0.001<|T-T_C|/T_C<0.08），得到临界指数β =0.52 ± 0.05，δ =3.20 ± 0.08，T_C=27.50 ± 0.05K。低温磁化强度测量结果表明，易磁化轴为[111]。电阻率测量结果表明，在T_C处存在反常现象，非费米液体温度依赖关系为rho（T）= rho_0 +AT^n，其中n=1.67+/-0.02，1 <T<14 K。比热测量表明，在T_C处存在类似平均场的异常。我们将我们的结果与各种理论模型进行比较。
2005-10-14 cond-mat.str-el
High-field moment polarization in the itinerant ferromagnet URhSi
我们报告了一个高磁场的巡回铁磁体URhSi的研究。在磁场$μ_0H$高达58 T的情况下，沿正交结构的方向$\mathbf{a}$、$\mathbf{b}$和$\mathbf{c}$以及温度$T$在1.5至50 K范围内测量磁化强度和电阻率。对于$\mathbf{H}\parallel\mathbf{b}$，在$μ_0H_m\simeq30-40$ ~T处的赝变磁性与磁化强度的宽阶跃和电阻率的最大值相关联。讨论了URhSi的性质，并与同结构超导铁磁体URhGe和UCoGe以及超导顺磁体UTe $_2$的性质进行了比较。
2019-09-09 cond-mat.str-el
Multiple magnetic transitions, metamagnetism and large magnetoresistance in GdAuGe single crystals
本文研究Bi助熔剂生长的GdAuGe单晶，发现其17.2 K反铁磁有序、多场致变磁转变、169%大磁电阻及大反常霍尔电导率，并通过计算确认其为Dirac nodal-line半金属。
2023-12-16 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Anomalous Magnetoresistance in Centrosymmetric Skyrmion-Lattice Magnet Gd2PdSi3
我们进行了系统的研究的温度和磁场的磁化强度和电阻率的Gd2PdSi 3，这是一个中心对称的skyrmion晶体的依赖性。虽然磁化行为是一致的报告的相图的基础上的磁化率，我们表明，相图也可以构建的基础上的异常磁阻与一一对应的所有功能。此外，还确定了进入场致铁磁态的交叉边界。我们的研究结果表明，铁磁自旋涨落以上的内尔温度起着关键作用，在高灵敏度的电阻率异常磁场，指向丰富的相互作用，在零和有限波矢量下的skyrmion晶格在这个挫折巡回磁铁不同的磁关联。
2020-04-20 cond-mat.str-el
Anisotropic physical properties and pressure dependent magnetic ordering of CrAuTe$_4$
系统测量了室温下CrAuTe $_4$单晶的磁化强度、电阻率和角分辨光电子能谱（ARPES），以及在5.25 GPa压力下的电阻率。磁化强度数据表明，在低于$T_\textrm{N}$ = 255 K时，磁矩沿结晶学$c$ -轴反铁磁性排列. ARPES测量显示带重建由于磁有序。磁电阻数据显示明确的各向异性，并在高场，量子振荡。Neel温度在压力下单调降低，在5.22 GPa下降低到$T_\textrm{N}$ = 236 K。（i）$T_\textrm{N}$、（ii）剩余电阻率比和（iii）低温磁阻的大小和幂律行为的压力依赖性都显示出在2 GPa附近的异常，表明可能存在由压力引起的相变（结构、磁性和/或电子）。对于压力高于2 GPa的显着不同的量子振荡频率出现，与压力引起的电子状态的变化一致。
2016-11-21 cond-mat.str-el
Irreversibility of field-induced magnetostructural transition in NiCoMnSb shape memory alloy revealed by magnetization, transport and heat capacity studies
研究了磁场对Ni 45 Co 5 Mn 38 Sb 12马氏体相变的影响。我们发现该系统存在很大的场致不可逆性，正如电阻率、磁化强度和热容量数据的场依赖性所揭示的那样。在临界温度下，场致马氏体向奥氏体相的转变在任何场变化下都是不可逆的。在该温度下，任何能量波动都会以亚稳马氏体相为代价诱导平衡奥氏体相的成核和生长并被阻止。所有这三个测量完全排除了奥氏体和马氏体相共存的不可逆制度。
2010-06-01 cond-mat.str-el
Inhomogeneous phase separation and domain wall dynamics in the orthorhombically distorted La_{0.87}MnO_x
我们在正交畸变的自掺杂锰氧化物La_{0.87} MnO_x中观察到有趣的磁化强度和电阻率结果。零场冷却和场冷却的磁化率以及磁化数据之间的显着的不可逆性被清楚地观察到的温度，这是远高于这两个顺磁到铁磁（T_c）和金属到绝缘体转变（T_{MI}）的温度。在铁磁有序和金属态的磁输运结果表明畴壁动力学的影响。在有限温度范围内的电阻率弛豫过程中，通过畴壁动力学观察到了有趣的记忆效应。磁输运行为的特征，建议由于结构驱动的非均匀相分离和畴壁动力学的共存。
2006-10-17 cond-mat.str-el
Magnetic Transition in the Kondo Lattice System CeRhSn2
我们的电阻率，磁阻，磁化强度和比热数据提供明确的证据，CeRhSn 2是一个近藤晶格系统，经历低于4 K的磁转变。
2002-09-17 cond-mat.str-el
Multiple ordered phases in the filled skutterudite compound PrOs$_{4}$As$_{12}$
对填充方钴矿化合物PrOs $_{4}$ As $_{12}$的单晶进行磁化强度、比热和电阻率测量。比热测量表明在温度10 K时的电子比热系数$γ$ $\sim 50-200$ mJ/mol K $^{2}$为$\leq T \leq 18$ K，$\sim 1$ J/mol K $^{2}$为$T \leq 1.6$ K。磁化强度、比热和电阻率测量结果表明，在低于$\sim 2.3$ K的温度和低于$\sim 3$ T的磁场中，存在两个或可能三个有序相。低温相显示出反铁磁特性，而在其他阶段（S）的有序性的性质还有待确定。
2006-03-07 cond-mat.str-el
Enhancement of the anomalous Hall effect and spin glass behavior in the bilayered manganite La(2-2x)Sr(1+2x)Mn2O7
本文研究了双层锰氧化物La（2-2x）Sr（1+2x）Mn_2 O_7（x=0.36）在铁磁状态下的霍尔电阻率和磁化强度。在低于50 K的低温下，霍尔电阻率显示出正常和异常霍尔系数的增加，在该区域中，在1 mT的低磁场中已经发现了自旋玻璃态的实验证据。霍尔电阻率与磁态相关的反常行为的根源可能在于准二维电子系统中固有的微观不均匀性。
2005-11-10 cond-mat.str-el
Existence of Fine Structure inside Spin Gap in CeRu2Al10
通过测量CeRu 2 Al 10的磁化强度和电阻率，研究了磁场对CeRu 2 Al 10自旋能隙态的影响.我们发现，磁场H//c的磁化曲线在T_0 =27 K以下的H ~*~4 T处出现类变磁异常，而H//a和H//b的磁化曲线没有异常。在Ts~5 K时，I//c的电阻率的肩部通过施加高于5 T的纵向磁场来抑制。在~5 K以下，Hkc的磁电阻也出现了许多反常现象.所得到的磁相图在T_0以下至少由两个或三个相组成。这些结果有力地表明，在最近的非弹性中子散射实验中观察到的激发能为8 meV的自旋能隙态中，在低能侧存在精细结构。
2010-05-25 cond-mat.str-el
Antiferro and ferromagnetic ordering in PrGe single crystal
采用提拉法生长了等原子PrGe单晶。发现生长的单晶具有空间群为\textit{Cmcm}（#63）的CrB型正交晶体结构。输运和磁化强度数据揭示了电阻率、磁化率和磁化强度的大的各向异性。发现PrGe分别在44 K和41.5 K呈现两个连续的磁有序。沿三个主要方向的磁化率测量，在低施加的领域，揭示了一个尖点样的行为在44 K，而在41.5 K的铁磁性增加观察。在1.8 K的磁化强度测量中的磁滞行为证实了PrGe在低温下的铁磁性。热容量数据清楚地揭示了两个磁性转变的本体性质，这是由于存在两个在各自温度下达到超过40 J/K $\cdot$ mol值的尖锐峰。在热容量的磁性部分中没有肖特基贡献，表明在该系统中存在准九重简并的J=4磁基态。电阻率的低温数据和热容的磁性部分表明自旋波谱中存在能隙。
2012-10-27 cond-mat.str-el
Residual resistivity ratio and its relation to the positive magnetoresistance behavior in natural multilayer LaMn2Ge2; relevance to artificial multilayer physics
报道了多晶铁磁（T_C接近300 K）天然多层膜LaMn_{2+x} Ge_{2-y} Si_y的低温磁电阻（$Δρ/ρ$）和等温磁化强度（M）测量结果。研究发现，具有较大剩余电阻率比的样品$ρ(300K)/ρ(4.2K)$在高磁场下表现出较大的正磁阻效应。在这些合金中不遵守科勒规则。此外，在4.5 K时，随着$ρ(300K)/ρ(4.2K$的增加，$Δρ/ρ$有随磁场线性变化的趋势;然而，$Δρ/ρ$的场依赖性不跟踪M的场依赖性，从而表明磁阻源自非磁性层。有趣的是，这些实验结果的大块多晶体是定性相似的，最近在人工生长的多层系统中看到的。
1998-12-03 cond-mat.str-el
