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单层(Ga,Mn)As层的横向磁各向异性超晶格

Lateral magnetic anisotropy superlattice out of a single (Ga,Mn)As layer

R. G. Dengel, C. Gould, J. Wenisch, K. Brunner, G. Schmidt, L. W. Molenkamp

摘要:

我们使用光刻诱导的应变弛豫周期性地调制在一个单一的(Ga,Mn)As层的磁各向异性。这导致横向磁阻器件,其中在零外部磁场下存在两个非易失性磁状态,其中电阻由单个连续层中的两个光刻限定区域的取向产生。

英文摘要:

We use lithographically induced strain relaxation to periodically modulate the magnetic anisotropy in a single (Ga,Mn)As layer. This results in a lateral magnetoresistance device where two non-volatile magnetic states exist at zero external magnetic field with resistances resulting from the orientation of two lithographically defined regions in a single and contiguous layer.

机构、总结、中文摘要均由AI分析而来,可能存在错误,请以论文正文为准。

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