本文给出了近最佳掺杂亚微米Bi $_2$ Sr $_2$ CaCu $_2$ O $_{8+δ}$本征约瑟夫森结的隧穿谱，并在超导能隙演变为赝能隙的区域进行了研究。使用Norman { \it et al.}提出的自能模型分析光谱，其中考虑了准粒子散射率$Γ$和对衰变率$Γ_Δ$。从该模型导出的态密度具有熟悉的Dynes形式，其中用$γ_+$ =（$Γ$ + $Γ_Δ$）/2简单地替换$Γ$。通过拟合实验光谱得到的$γ_+$参数显示出大致线性的温度依赖性，这对$Γ$和$Γ_Δ$之间的关系提出了很强的约束。我们从隧穿和角分辨光电子能谱实验中讨论和比较了赝能隙相中的费米弧行为。我们的结果表明，两个实验之间的一个很好的协议，这是有利于前体配对的赝能隙的观点。
英文摘要：
Tunneling spectra of near optimally doped, submicron Bi$_2$Sr$_2$CaCu$_2$O$_{8+δ}$ intrinsic Josephson junctions are presented, and examined in the region where the superconducting gap evolves into pseudogap. The spectra are analyzed using a self-energy model, proposed by Norman {\it et al.}, in which both quasiparticle scattering rate $Γ$ and pair decay rate $Γ_Δ$ are considered. The density of states derived from the model has the familiar Dynes' form with a simple replacement of $Γ$ by $γ_+$ = ($Γ$ + $Γ_Δ$)/2. The $γ_+$ parameter obtained from fitting the experimental spectra shows a roughly linear temperature dependence, which puts a strong constraint on the relation between $Γ$ and $Γ_Δ$. We discuss and compare the Fermi arc behavior in the pseudogap phase from the tunneling and angle-resolved photoemission spectroscopy experiments. Our results indicate an excellent agreement between the two experiments, which is in favor of the precursor pairing view of the pseudogap.
Local Ordering in the Pseudogap State of the High-T$_c$ Superconductor Bi$_2$Sr$_2$CaCu$_2$O$_{8+δ}$
本文报道了高温$_c$超导体Bi $_2$ Sr $_2$ CaCu $_2$ O $_{8+δ}$中赝能隙态的原子尺度特性。在赝能隙内的低能量的电子状态表现出空间调制具有能量无关的无公度周期性。这些图案，这是沿着铜-氧键方向取向，似乎是一个电子有序现象的结果-观察相关的电子态密度的赝隙。我们的研究结果提供了一个严格的测试，在铜酸盐，这一直是在这些化合物的pseudogap和复杂的电子相图的性质的辩论中的核心的各种订购方案。
Unambiguous connection between the Fermi surface topology and the pseudogap in Bi$_{2}$Sr$_2$CaCu$_2$O$_{8+d}$
用电子喇曼散射（ERS）和角分辨光电子能谱（ARPES）研究了过掺杂Bi $_{2}$ Sr $_2$ CaCu $_2$ O $_{8+d}$中赝能隙的行为.使用这两种技术，我们发现，与超导能隙，赝间隙相关的反键带消失以上的临界掺杂p $_c$ = 0.22。同时，我们从ARPES测量结果表明，费米表面的反键带是空穴状低于pc和成为电子状以上的p $_c$。这表明赝能隙的出现依赖于Bi $_{2}$ Sr $_2$ CaCu $_2$ O $_{8+d}$中费米面的拓扑结构，更一般地说，对赝能隙相的理论提出了强的约束.
Doping Dependencies of Onset Temperatures for the Pseudogap and Superconductive Fluctuation in Bi$_{2}$Sr$_{2}$CaCu$_{2}$O$_{8+δ}$, Studied from both In-Plane and Out-of-Plane Magnetoresistance Measurements
为了研究赝能隙和超导性之间的关系，我们测量了氧控制的Bi $_{2}$ Sr $_{2}$ CaCu $_{2}$ O $_{8+δ}$单晶在高达17.5 T的磁场（平行于$c$轴）下的面内（$ρ_{ab}$）和面外（$ρ_c$）电阻率。的起始温度的波动，$T_{scf}$，是由大的正的平面内磁阻（MR）和负的平面外MR附近观察到的$T_c$确定，而赝隙开放温度$T^*$是由零场$ρ_c$的反转。发现$T_{scf}$与$T_c$大致成比例，在掺杂时它们之间的温度间隔减小。另一方面，$T^*$开始时比$T_{scf}$高得多，但在掺杂时单调下降;最后，在重度过掺杂状态下，在$T_{scf}$以上未观察到$T^*$。这些结果表明，赝能隙不是一个简单的超导性的先驱，但需要进一步的研究，以确定是否存在$T^*$低于$T_{scf}$在重度过掺杂状态。
Interplay between Superconducting and Pseudogap States Revealed by Heating-Compensated Interlayer Tunneling Spectroscopy on Bi$_2$Sr$_2$CaCu$_2$O$_{8+x}$
热补偿层间隧穿谱是在Bi $_2$ Sr $_2$ CaCu $_2$ O $_{8+x}$本征结的叠层上进行的。在温度和磁场变化的情况下，不考虑局部加热的高精度谱表明，形成超导相干峰的谱权主要来自赝能隙态驼峰结构的凹陷位置。观察到的U形子带隙结构与参考文献[17]中提出的结中Cu-O双层之间的加权波腹隧穿一致。
Pseudogap Behavior Revealed in Interlayer Tunneling in Overdoped Bi$_2$Sr$_2$CaCu$_2$O$_{8+x}$
我们报告的热补偿层间隧道光谱（ITS）进行堆叠过掺杂的Bi $_2$ Sr $_2$ CaCu $_2$ O $_{8+x}$本征结，其中大部分的偏压引起的加热在ITS被消除。的赝能隙（PG）的起始温度，显示在驼峰结构的电子激发光谱，达到近室温的过掺杂本征结，这代表了真正的PG发病。在低于但接近$T_c$的温度下，超导相干峰和赝能隙峰共存，这意味着这两个能隙是不同的起源。在$T_c$以下的峰电压随着超导能隙电压的增加而增加，由此得出结论：在我们的ITS中，$T_c$以下的峰结构是由两种不同特征的准粒子谱权的联合贡献引起的：一种是超导态，另一种是靠近波腹区的PG态。
Intrinsic Tunneling Spectra of Bi$_2$Sr$_2$CaCu$_2$O$_{8+δ}$ near Optimal Doping
我们报道了近最佳掺杂的Bi $_2$ Sr $_2$ CaCu $_2$ O $_{8+δ}$本征约瑟夫森结的隧穿光谱，面积为0.09 $μ$ m $^2$，这避免了以前的隧穿实验中的一些基本困难，并允许稳定的温度依赖性测量。d波Eliashberg分析表明，在4.2 K的光谱可以很好地拟合考虑电子耦合到玻色子磁共振模式和一个广泛的高能量连续。在$T_c$以上，光谱显示出持续到230 K的明显赝能隙，并且可以看到交叉，表明在$T_c$以上存在两个不同的赝能隙相。在分析中讨论了本征电子隧穿性质。
We report on magnetization experiments from which we obtain the field-induced kinetic energy density, $E_k$, in the superconducting phase of several Bi$_2$Sr$_2$CaCu$_2$O$_{8+δ}$ single crystal samples. The kinetic energy magnitude changes according to the characteristic reduction of the single-electron density of states produced by the pseudogap in the underdoped limit. Moreover, a remarkable peak of $E_k$ occurring at the specific holes density $p\sim0.18$ is related to a van Hove singularity due to the pseudogap closure. We also extracted the superfluid density, $ρ_s$. We conclude that $E_k…
We present an extended zero-field muon spin relaxation (ZF-$μ$SR) study of overdoped Bi$_{2+x}$Sr$_{2-x}$CaCu$_2$O$_{8+δ}$ (Bi2212) single crystals, intended to elucidate the origin of weak quasistatic magnetism previously detected by $μ$SR in the superconducting and normal states of optimally-doped and overdoped samples. New results on heavily-overdoped single crystals show a similar monotonically decreasing ZF-$μ$SR relaxation rate with increasing temperature that persists above the pseudogap (PG) temperature $T^*$ and does not evolve with hole doping ($p$). Additional measurements using an …
The electron-boson spectral density function of underdoped Bi$_2$Sr$_2$CaCu$_2$O$_{8+δ}$ and YBa$_2$Cu$_3$O
利用Eliashberg理论研究了欠掺杂Bi $_2$ Sr $_2$ CaCu $_2$ O $_{8+δ}$（Bi-2212）和欠掺杂YBa $_2$ Cu $_3$ O $_{6.50}$（Y-123）中CuO $_2$面的电子玻色子谱密度函数$I^2χ(ω,T)$.我们应用一个新的（面内）赝隙模型来提取电子玻色子谱函数。为了提取谱函数，我们假设谱密度函数由两个分量组成：尖锐模式和宽Millis-Monien-Pines（MMP）模式。我们观察到，所得到的谱密度函数和赝能隙的强度都表现出很强的温度依赖性：锐模占据了函数的大部分谱权重，锐模的峰位置向低频移动，赝能隙的深度$1-\tilde{N}(0,T)$随着温度的降低而变深。我们还观察到，随着温度的降低，电子玻色子密度和质量增强系数的总谱权重增加。我们估计虚构的（最大）超导转变温度，$T_c(T)$，从提取的光谱函数在不同的温度下使用广义McMillan公式。估计的（最大）$T_c$也显示出很强的温度依赖性;在所有测量温度下，它都高于实际的$T_c$，并随温度降低而降低。由于赝能隙随温度的降低而变强，最大$T_c$变低，我们认为赝能隙可能抑制铜酸盐的超导电性。
Origin of positive out-of-plane magnetoconductivity in overdoped Bi$_{1.6}$Pb$_{0.4}$Sr$_{2}$CaCu$_{1.96}$Fe$_{0.04}$O$_{8+δ}$
为了阐明赝能隙相图，包括过掺杂状态的高转变温度（高- $T_c$）的铜酸盐，我们必须了解的起源，观察到这些化合物的积极的面外磁导率（MC）。为此，在高达60 T的脉冲磁场下测量过掺杂的Bi $_{1.6}$ Pb $_{0.4}$ Sr $_{2}$ CaCu $_{1.96}$ Fe $_{0.04}$ O $_{8+δ}$（Bi-2212）单晶的面外电阻率$ρ_c(T,H)$。我们发现，除了赝能隙效应外，超导态密度（DOS）的耗尽效应在超导态的涨落区之下明显地出现，并且贡献在超导态中占主导地位。
Closing the Pseudogap by Zeeman Splitting in Bi_2Sr_2CaCu_2O_8+y at High Magnetic Fields
利用层间隧穿电阻率来探测由于Bi $_2$ Sr $_2$ CaCu $_2$ O $_{8+y}$正常态中的赝能隙引起的能量密度（DOS）耗尽。高达60 T的测量表明，恢复DOS到其ungapped状态的字段显示出显着不同的温度和掺杂的超导状态的特征字段的依赖性。赝能隙闭合场和赝能隙温度$T^{\star}$的独立评估是通过一个简单的塞曼能量标度相关。这些研究结果表明，在形成的赝隙的轨道效应的自旋的主导作用。
Effect of the pseudogap on T$_c$ in the cuprates and implications for its origin
铜氧化物的最有趣的方面之一是一个大的赝能隙与高的超导转变温度共存。在这里，我们研究配对中的铜酸盐从电子-电子相互作用，通过构建对顶点使用的光谱函数来自角度分辨的光电发射数据为近最佳掺杂的Bi $_2$ Sr $_2$ CaCu $_2$ O $_{8+δ}$样品，具有明显的赝隙。假设赝能隙是{ \it not}，我们发现超导不稳定性被强烈抑制，与实际观察到的形成鲜明对比。使用的光谱函数的解析近似，我们可以跟踪这种抑制BCS对数奇异性的破坏的赝能隙和寿命加宽的组合。我们的研究结果强烈支持这些理论的pseudogap是由于配对的铜酸盐。
Although phase diagrams can be leveraged to investigate high transition temperature (high-$T_c$) superconductivity, the issue has not been discussed thoroughly. In this study, we elucidate the phase diagram of the overdoped side of high-$T_c$ cuprates via systematic anisotropic transport measurements for Pb-doped Bi-2212 single crystals. We demonstrate that the characteristic temperatures of the "weak" pseudogap opening and electronic coherence cross each other at a critical doping level, while those of the "strong" pseudogap merges into that of superconducting fluctuations above the critical …
Tunnel and thermal c-axis transport in BSCCO in the normal and pseudogap state
我们考虑的问题，在双层铜酸盐的c轴输运，特别是参考Bi $_{2}$ Sr $_{2}$ CaCu $_{2}$ O $_{8+δ}$化合物。我们利用这两个障碍的热和隧道传输的效果。由此产生的模型是能够准确地描述正常状态的c-轴电阻率在Bi $_{2}$ Sr $_{2}$ CaCu $_{2}$ O $_{8+δ}$，从欠掺杂侧到强过掺杂。我们扩展的模型，不引入额外的参数，以允许减少的障碍时，施加外部电压偏置。扩展的模型被发现适当地描述c轴电阻率为小的电压偏置以上的赝隙温度$T^{*}$，c轴电阻率为大的电压偏置甚至低于$T_c$，和差分$dI/dV$曲线在台面结构。
Modeling Study of the Dip/Hump Feature in Bi$_2$Sr$_2$CaCu$_2$O$_{8+δ}$ Tunneling Spectroscopy
在Bi $_2$ Sr $_2$ CaCu $_2$ O $_{8+δ}$（Bi-2212）上的高温超导体的隧穿谱可重复地显示出在高于间隙电压的电压下以dip-hump形式的高偏压结构。核心问题是，这一特征是否源于正常态背景，或者是超导机制所固有的。我们通过生成一组模型电导曲线来解决这个问题-一个“正常状态”电导，考虑到诸如能带结构和可能的赝能隙的影响，以及一个纯超导状态电导。当结合时，结果表明，在实验电导曲线中存在的dip-hump特征不能天真地归因于正常状态效应。特别是，在超导体-绝缘体-超导体数据中发现的最佳掺杂的Bi-2212，包括负的dI/dV的强倾角功能，不能是一个外在的赝能隙的后果。然而，这样的特征可以容易地由超导态密度中的状态守恒偏差引起，例如，强耦合效应。
On the Nature of the `Quasiparticle' Peak in the Angular Resolved Spectrum of the Superconducting Underdoped Bi$_2$Sr$_2$CaCu$_2$O$_8$
研究了Bi $_2$ Sr $_2$ CaCu $_2$ O $_8$在超导转变温度以下冷却时，$M$点附近角分辨光电子能谱的重构.限制我们的注意力的情况下，欠掺杂的样品，我们提供了一个现象学的机制独立的参数，解释了出现在频谱中的正常状态pseudogap的峰值。所有的基本实验观察，包括峰值色散，“dip-and-hump”形状的超导态谱和外观的峰值在温度略高于$T_c$，自然解释。
Evidence of strong correlations at the van Hove singularity in the scanning tunneling spectra of superconducting Bi_{2}Sr_{2}CaCu_{2}O_{8+δ} single crystals
Anomalous dispersion in the autocorrelation of ARPES data of Bi$_2$Sr$_2$CaCu$_2$O$_{8+δ}$
我们发现，在角分辨光电子能谱数据的自相关的峰值Bi $_2$ Sr $_2$ CaCu $_2$ O $_{8+δ}$在超导状态下的结合能小于最大超导能隙的色散行为。然而，对于更高的能量，观察到一个惊人的异常色散，这是电子与集体激发相互作用的结果。相比之下，在赝能隙阶段，我们只观察到自相关峰的无色散行为。我们的研究结果的影响方面的傅立叶变换扫描隧道光谱数据进行了讨论。
Coexistence of the superconducting energy gap and pseudogap above and below the transition temperature of superconducting cuprates
我们表示的超导间隙，$Δ(T)$，在$s$和d波对称的热力学函数。应用到Bi $_2$ Sr $_2$ CaCu $_2$ O $_{8+δ}$和Y $_{0.8}$ Ca $_{0.2}$ Ba $_2$ Cu $_3$ O $_{7-δ}$，我们发现，对于所有的掺杂$Δ(T)$持续存在，作为一个部分的差距，高以上$T_c$由于强的超导涨落。因此，一般来说，在$T_c$上方存在两个能隙，超导能隙和赝能隙，有效地调和了关于赝能隙物理的两种高度极化的观点。
Both electronic Raman scattering (ERS) and angle-resolved photoemission spectra (ARPES) revealed two energy scales for the gap in different momentum spaces in the cuprates. However, the interpretations were different, and the gap values were also different in two experiments. In order to clarify the origin of these discrepancies, we directly compared ERS and ARPES by calculating ERS from the experimental data of ARPES through the Kubo formula. The calculated ERS spectra were in good agreement with the experimental results except for the B$_{1g}$ peak energies. The doping-dependent B$_{2g}$ pea…
Signatures of superconductivity and pseudogap formation in non-equilibrium nodal quasiparticles revealed by ultrafast angle-resolved photoemission
我们用时间分辨和角分辨光电子能谱测量了$_2$ $_2$ O $_2$的各种掺杂的节非平衡电子态。我们发现，这些ungapped状态的初始泵浦诱导的瞬态信号的强烈影响的超导能隙在$T_c$，超导配对波动在$T_p$，和赝能隙在$T^*$的发病。此外，$T_p$标记了通量依赖性瞬态信号中的一个提示性阈值，出现了低于$T_p$的临界通量，该临界通量对应于使所有库珀对断裂所需的能量。这些结果挑战了铜氧化物超导体中结-反结二分法的概念，在结准粒子和铜氧化物相图之间建立了一个新的联系。
Evidence for a pseudogap in underdoped $Bi_2Sr_2CaCu_2O_{8+δ}$ and $YBa_2Cu_3O_{6.50}$ from in-plane optical conductivity measurements
欠掺杂Bi $_{2}$ Sr $_{2}$ CaCu $_{2}$ O $_{8+δ}$（Bi-2212）和ortho Ⅱ YBa $_{2}$ Cu $_{3}$ O $_{6.5}$的面内光学自能数据的实部包含了关于赝能隙的新的重要信息。使用理论模型的方法，我们发现，在赝能隙$Δ_{pg}$以下的态密度损失伴随着一个堆积以上的能量。的堆积，随着一个尖锐的模式在玻色子光谱函数导致一个不寻常的快速增加的光散射率和一个典型的倾斜的峰值在实部的光学自能。这些特征在最佳掺杂和过掺杂样品中没有发现，并且代表了迄今为止在面内光学电导率中的赝隙开口的最清晰的签名。
Nonlinear c-axis transport in Bi_2Sr_2CaCu_2O_(8+d) from two-barrier tunneling
基于$_2$ CaCuPDMATHABMM O $_{8+δ}$台面在正常态下的本征隧穿谱所观察到的特殊性质，我们推广了c轴输运的正常态双势垒模型[M. Giura等人，Phys. Rev. B { \bf 68}，134505（2003）]中的方法来分析$dI/dV$曲线。我们已经发现，纯正常态模型再现了以下所有实验特征：（a）高$T$区域中$dI/dV$的抛物线$V$依赖性（高于常规的赝能隙温度），（b）来自这种抛物线行为的“峰”的出现和几乎与电压无关的位置降低了温度，以及（c）绝对$dI/dV$曲线在特征电压$V^\times$处的交叉。我们的研究结果表明，传统的隧道可以在起源的大多数不寻常的功能的c轴运输在Bi $_2$ Sr $_2$ CaCu $_2$ O $_{8+δ}$。我们已经比较了我们的计算在严重欠掺杂和轻微欠掺杂的Bi $_2$ Sr $_2$ CaCu $_2$ O $_{8+δ}$小台面的实验数据。我们发现数据和计算值之间有很好的一致性，在垂直尺度上计算的dI/dV没有任何变化。特别是，在正常状态下（高于$T^\ast$），简单隧穿定量地再现了实验dI/dV。低于$T^\ast$的定量差异仅限于通过因子$\sim$ 2对理论曲线中的电压进行简单的重新缩放。需要这样的修改仍然是一个悬而未决的问题，这可能是连接到一个变化的一部分的载流子跨越赝间隙开口的电荷。
Pressure-induced decoupling of the pseudogap and superconductivity in a bilayer cuprate
Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences（中国科学院物理研究所）；University of Chinese Academy of Sciences（中国科学院大学）；Nanyang Technological University（南洋理工大学）；Songshan Lake Materials Laboratory（松山湖材料实验室）
Discriminating superconducting fluctuations from the pseudogap in Bi$_2$Sr$_2$Ca$_{n-1}$Cu$_n$O$_{2n+4+δ} (n = 2,3)$: A magnetotransport study
Hirosaki University（弘前大学）；Kyoto University of Advanced Science (KUAS)（京都先端科学大学）；University of Tokyo（东京大学）；Tohoku University（东北大学）；Kyoto University（京都大学）；Iwate University（岩手大学）
Fermi surface arcs and the infrared conductivity of underdoped YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{6.50}$
我们重新分析了欠掺杂$_{2}$（YBCO $_{6.50}$）的面内远红外电导率的数据，在这个模型中，赝能隙在费米面的一部分上打开，而剩余的未被覆盖的部分与温度成正比.我们的模型的动机来自于最近的角度分辨光电子能谱数据欠掺杂的Bi $_2$ Sr $_2$ CaCu $_2$ O $_{8+δ}$（Bi-2212），这揭示了费米表面上的弧的存在。我们发现的光学数据是一致的电弧形成。此外，我们发现一些证据表明，电子状态下失去的赝能隙$Δ_{pg}$恢复的能量区域，至少在$T_c$附近的温度。
Rapid change of superconductivity and electron-phonon coupling through 19% doping in Bi2212
电子-玻色子耦合在许多体系的超导电性中起着关键作用。然而，在铜基高温（$T_c$）超导体中，尽管有很强的光谱指纹，但它与超导性的关系仍然存在争议。在这里，我们使用角分辨光电子能谱找到一个惊人的相关性之间的超导能隙和玻色子耦合强度附近的布里渊区边界的Bi $_2$ Sr $_2$ CaCu $_2$ O $_{8+δ}$。玻色子耦合强度从过掺杂的费米液体状态到最佳掺杂的奇异金属状态迅速增加，同时伴随着四倍的超导能隙和两倍的赝能隙边界上的能隙与Tc比。这种同步的晶格和电子响应表明，电子相互作用和电子-声子耦合的影响在进入奇怪的金属状态时变得紧密纠缠，这反过来可能会驱动更强的超导性。
Analysis of optical data using extended Drude model and generalized Allen's formulas
推广的Drude模型已成功地用于分析强关联电子系统的光谱，包括重费米子系统和高$T_c$超导铁磷属元素和铜酸盐。此外，推广的Allen公式已被开发和应用，以提取电子玻色子谱密度函数从测量的光学数据的高温超导体，包括铜在各种材料相。在这里，我们使用了一个相反的过程，以获得各种光学量开始从两个典型的电子玻色子谱密度模型函数的三个有趣的（正常，赝隙，和$d$波超导）材料相铜酸盐。我们还将计算的光学结果分配到空穴掺杂铜酸盐相图中的指定区域，并将它们与Bi $_2$ Sr $_2$ CaCu $_2$ O $_{8+δ}$（Bi-2212）的相应测量光谱进行了比较。这一比较表明，这种光学数据分析方法可以成为研究铜氧化物超导体和其他超导体系中关联电子的一种令人信服的方法。
The study of electronic nematicity in an overdoped (Bi, Pb)$_2$Sr$_2$CuO$_{6+δ}$ superconductor using scanning tunneling spectroscopy
赝能隙（PG）态及其相关的晶胞内对称性破缺一直是铜氧化物超导体研究的热点。虽然在$_2$ $_2$ O $_{8+δ}$，特别是欠掺杂样品中已经研究了向列性，但是它在其他铜酸盐和不同掺杂区域中的行为仍然不清楚。在这里，我们应用扫描隧道显微镜探索过掺杂（Bi，Pb）$_2$ Sr $_2$ CuO $_{6+δ}$与一个大的费米面（FS）。当能量尺度接近PG时，可以看到一个有序的建立及其实空间分布。
Charge density waves as the origin of dip-hump structures in differential tunneling conductance of cuprates: the case of $d$-wave superconductivity
计算了具有电荷密度波（CDW）的$d$波超导体与正常金属之间的非对称隧道结的电导-电压特性（CVC）。结果表明，它们在小电压$V$下具有V状形式，并且由于在其中一个$V$ -分支中存在CDW峰而在较大的$V$下是不对称的。电介质（CDW）序参量的空间散射将CDW峰涂抹成一个驼峰，并诱导出在这种结中观察到的典型CVC的峰-谷-驼峰结构（PDHS）。当温度高于超导临界温度时，PDHS演变为赝能隙凹陷。结果与Bi $_{2}$ Sr $_{2}$ CaCu $_{2}$ O $_{8+δ}$和YBa $_{2}% $ Cu $_{3}$ O $_{7-δ}$的扫描隧道显微镜数据一致。
Observation of Andreev reflection in the c-axis transport of Bi_2Sr_2CaCu_2O_{8+x} single crystals near T_c and search for the preformed-pair state
我们观察到Au $/$ Bi $_2$ Sr $_2$ CaCu $_2$ O $_{8+x}$（Bi 2212）结在超导转变温度$T_c$附近的$c$轴微分电导在零偏压附近的增强。我们将电导增强归因于表面Cu-O双层与相邻的超导内双层之间的Andreev反射。随着温度从下方接近$T_c$，零偏压微分电导从降低到增强的连续演化指向相邻Cu-O双层之间的非超导层的势垒强度的减弱。我们观察到，电导增强持续到几度以上$T_c$在轻微过掺杂的Bi 2212晶体上制备的结。然而，没有观察到电导增强以上$T_c$在欠掺杂晶体，虽然最近提出的理论考虑表明，甚至更宽的温度范围内增强零偏置电导。这似乎为赝能隙态中存在相位不相干的预成对提供了一个消极的观点。
