Room-temperature annealing effects on the basal-plane resistivity of optimally doped YBa$_2$Cu$_3$O$_{7-δ}$ single crystals
我们揭示了最佳掺杂的$_2$ O $_{7-δ}$单晶的基面正常态电阻的温度依赖性可以在s-d电子-声子散射模型的框架内得到很高的精度近似。这需要考虑波动电导率，其贡献随温度降低呈指数增加，并随缺氧增加而减少。室温退火改善了样品，从而提高了超导转变温度。2D-3D交叉的温度在退火期间降低。
2019-01-18 cond-mat.supr-con
Effect of Vacuum Annealing on Superconductivity in Fe(Se,Te) Single Crystals
本文研究了真空退火对Fe（Se，Te）单晶超导电性的影响。发现在高真空（~ 10^（-3）Pa）下退火或在密封的真空石英管中退火都不能增强超导性。在中等真空气氛（~ 1 Pa）下，发现氧化铁层出现在样品表面，这将从晶体中抽出过量的Fe。因此，它建议，recruitment氧有效地工作，以消除多余的铁从基体的Fe（Se，Te）晶体，从而提高超导转变温度。我们的运输测量表明，过量的铁散射电子和空穴型通道的载流子以不同的方式。我们讨论了两种类型的载流子的迁移率与超导性的关系。由于电子带和空穴带对超导电性的发生都很重要，过量的Fe会抑制超导电性，主要是由于电子的强烈散射。
2013-04-12 cond-mat.supr-con
The change of electronic state and crystal structure by post-annealing in superconducting SrFe2(As0.65P0.35)2
研究了退火对SrFe $_2$（As $_{1-x}$ P $_x$）$_2$（$x=0.35$）物理性能的影响。通过退火，超导转变温度（$T_c$）从26 K提高到33 K。X射线衍射结果表明，退火后晶体的$a/c$ -轴变短/变长，氮族元素高度$h_\mathrm{Pn}$变大。这必须与退火引起的$T_c$增强有关。此外，发现后退火降低了$T$ =0 K时的电子比热系数$γ_r$，并将磁场（$H$）依赖性从次线性$γ_r\propto H^{0.7}$改变为$H$ -线性$γ_r\propto H$。这可以归因于带$s_{\pm}$隙的超导体从脏到干净的电子变化。
2013-05-09 cond-mat.supr-con
Dynamics and mechanism of oxygen annealing in Fe$_{1+y}$Te$_{0.6}$Se$_{0.4}$ single crystal
铁的硫属化合物Fe（Te，Se）因其结构简单，有利于探索超导机制而受到人们的广泛关注。与铁砷化物相比，其毒性较小的性质也有利于铁基超导体的应用。通过插入间隔层，超导转变温度提高到40K以上.另一方面，Fe（Te，Se）单晶中过量Fe的存在几乎是不可避免的，这阻碍了体超导性的出现，并引起了对其基本性质的强烈争议。在这里，我们报告了一个系统的研究O $_2$-退火动力学在Fe $_{1+y}$ Te $_{1-x}$ Se $_{x}$通过控制O $_2$的量，退火温度和时间。通过增加O $_2$的含量和适当的退火时间，可以逐渐诱导体超导电性。最佳退火的晶体可以通过在400 $^{\circ}$ C下用~1.5%摩尔比的氧退火超过1小时而容易地获得。超导性主要从晶体的边缘向中心演化。在最佳退火后，通过STM测量证明了过量Fe的完全去除。一些基本性能进行了重新表征，并与生长的晶体进行比较，讨论过量的铁的影响。
2014-04-03 cond-mat.supr-con
Growth and hole density control through equilibrium oxygen annealing of optimally doped Y1-xCaxBa2Cu3O7-δ single crystals
采用自熔法生长了钙氧共掺的Y_（1-x）Ca_xBa_2Cu_3 O_（7-δ）单晶。建立了一种通过原位监测电导率变化来微调氧含量达到平衡态的方法。对最佳共掺杂Y1-xCaxBa 2Cu 3 O 7-δ晶体的结构、成分和电子性质的表征表明，它们是高质量的平衡晶体，具有0.2K的陡峭超导转变宽度。
2010-09-08 cond-mat.supr-con
New Superconducting Phase of Li$_x$(C$_6$H$_{16}$N$_2$)$_y$Fe$_{2-z}$Se$_2$ with $T_\textrm{c}$ = 41 K Obtained through the Post-Annealing
研究了退火后对锂和六亚甲基二胺（HMDA）插层超导体Lix（C6 H 16 N2）yFe 2-zSe 2的晶体结构和超导电性的影响。通过后退火，已经观察到相邻Fe层之间的层间距d的两步减小。结果表明，由于HMDA在FeSe层间可能存在稳定的嵌入倾向，形成了一种不同于原始相的新相Lix（C6 H 16 N2）yFe 2-zSe 2（d= 10.30（2）K，Tc = 41 K）。这一结果支持了FeSe基嵌入超导体中Tc和d之间的domic关系。讨论了后退火过程中Tc随d的减小而增大的原因。
2016-04-12 cond-mat.supr-con
Post-growth annealing effects on charge and spin excitations in Nd$_{2-x}$Ce$_x$CuO$_4$
我们报告了一个铜K-和L $_3$ -边缘共振非弹性X射线散射研究体Nd $_{2-x}$ Ce $_x$ CuO $_4$的电荷和自旋激发，重点是生长后的退火效应。对于母体化合物Nd $_2$ CuO $_4$（$x = 0$），在生长状态下观察到明显的电荷转移带隙，而电荷激发光谱表明，在退火状态下电子被掺杂。这与RE $_2$ CuO $_4$（RE =稀土）的退火薄膜和多晶样品在没有Ce掺杂的情况下在足够高的电子浓度下可以变成金属和超导的观察结果一致。对于$x = 0.16$，Ce浓度，它是已知的，氧还原破坏远程反铁磁秩序和诱导超导性，我们发现，非超导的生长和超导退火晶体的高能自旋激发几乎是相同的。这一发现与先前通过中子散射观察到的低能自旋激发的显著变化形成鲜明对比。
2020-08-08 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Growth, Annealing Effects on Superconducting and Magnetic Properties and Anisotropy of FeSe_1-x_Te_x_ (0.5 =< x =< 1) Single Crystals
用坩埚下降法生长了FeSe_（1-x）Te_x_（0.5=<x=<1）单晶。x=0.5-0.9的单晶在真空中400 ℃退火100小时后，表现出体超导性。本文研究了FeSe_（1-x）Te_x（x=0.6）单晶的电阻率和上临界场H_c_2_的各向异性。结果表明，面内电阻率Rho_ab_与金属温度有关，而面外电阻率Rho_c_在100 K附近有一个很宽的最大值。在290 K和超导转变温度Tc以上，电阻率比Rho_ab_/Rho_c_分别为44和70。各向异性参数，gamma= H_c2_^para^/H_c2_^perp^（para和perp分别表示平行和垂直于ab平面的场方向），估计为2.7，略低于T_c。
2010-04-07 cond-mat.supr-con
Increase in Tc and change of crystal structure by high-pressure annealing in BiS2-based superconductor CeO0.3F0.7BiS2
近年来，人们发现了几种BiS 2基超导体，如Bi 4 O 4S 3、REO 1-xFxBiS 2（RE：稀土）和Sr 1-xLaxFBiS 2。在本研究中，我们研究了两种BiS 2基超导体CeO_（0.3）F_（0.7）BiS_2多晶样品（生长态和高压退火样品）的晶体结构和超导性能。我们发现，无论是生长和高压退火的CeO0.3F0.7BiS2样品显示体超导性。在高压退火样品中观察到较高的Tc。通过高压退火，CeO_（0.3）F_（0.7）BiS_2的Tc从Tczero = 2.7 K提高到Tczero = 3.7 K。a轴和c轴的晶格常数没有表现出显着的差异之间的生长和高压退火的样品。然而，（200）峰的峰对称性似乎变得更对称，而（004）峰没有显示出这种差异，这表明在CeO 0.3F 0.7BiS2中通过高压退火，ab平面内的晶体结构改变为更高对称性的相，即完全的四方晶系。
2014-08-05 cond-mat.supr-con
Thermal conductivity and annealing effects in the iron-based superconductor FeSe$_{0.3}$Te$_{0.7}$
本文对FeSe $_{0.3}$ Te $_{0.7}$单晶在磁场中的热导率进行了测量，并在真空（$\sim$ 10 $^{-4}$ Pa）中于400 { \degree }C退火100 h。已经发现，退火晶体的{ \it ab}平面中的热导率，{ \kab }，由于准粒子引起的热导率，在刚好低于超导转变温度{ \tc }的低温下显示出增强，而生长晶体的{ \kab }没有。这表明FeSe $_{1-x}$ Te $_{x}$是一个强关联电子系统。还发现，对于退火晶体，施加磁场对{\kab}正下方的{\kab }的增强程度和{ \kab }的抑制行为都取决于晶体的厚度。这些结果表明，体超导电性在生长的晶体中是不存在的，只出现在表面区域中的退火厚晶体和出现在几乎整个区域中的退火薄晶体。可以得出结论，通过真空退火从表面去除了生长态晶体中包含的过量Fe。
2013-06-12 cond-mat.supr-con
The nontrivial effects of annealing on superconducting properties of Nb single crystals
本研究通过磁测量和STM发现，铌单晶真空退火虽抑制氢化物析出，却引入纳米缺陷，导致超导性能恶化，揭示了退火对超导性能的非平凡影响。
2024-03-24 cond-mat.supr-con
Effects of annealing on the fluctuation conductivity and pseudogap in slightly doped $HoBa_2Cu_3O_{7-δ}$ single crystals
研究了室温退火对乏氧$ReBa_2Cu_3O_{7-δ}$（Re = Ho）单晶ab基面涨落电导（FLC）$σ^\prime(T)$和赝能隙（PG）$Δ^*(T)$的影响。结果表明，在所有阶段的退火，FLC附近的$T_c$可以描述的Aslamazov $-$拉金和Maki $-$汤普森波动理论，证明了一个三维$-$二维交叉与温度的增加。交叉温度$T_0$用于确定沿$c$轴的相干长度，$ξ_c(0)$ =2.82在退火的中间阶段，揭示了二维FLC的异常增加，这与$HoBa_2Cu_3O_{7-δ}$（HoBCO）中未补偿磁矩的影响有关：$μ_{eff, Ho}$ =9.7 $μ_{B}$。对于淬火的样品S1，PG的温度依赖性具有典型的具有大量缺陷的单晶的形状。然而，$Δ^*(T)$在高温下具有两个小的额外最大值，这是具有明显孪晶的HoBCO单晶的特征，并指示样品的两相性质。在退火时，$Δ^*(T)$的形状显著改变，很可能是由于磁相互作用的增加（样品S2）。更重要的是数据在高温下的斜率变化，它变得大约3.5倍陡。由于退火过程中的扩散过程中的氧分布的有序性在一定程度上补偿了磁相互作用的影响。有趣的是，斜率原来是相同的FeAs为基础的超导体，这表明在PG状态的HoBCO中存在自旋密度波的可能性。
2023-01-06 cond-mat.supr-con
Multiband Effect and Possible Dirac Fermions in Fe$_{1+y}$Te$_{0.6}$Se$_{0.4}$
研究了O $_2$退火制备的Fe $_{1+y}$ Te $_{0.6}$ Se $_{0.4}$单晶的输运性质。O $_2$退火显著改善了输运性质。特别是，仅在完全退火的晶体中观察到强非线性的霍尔电阻率，并且在退火后磁电阻（MR）急剧增强，在16 K和14 T下达到大于17%的值。退火后输运性质的明显变化表明Fe $_{1+y}$ Te $_{0.6}$ Se $_{0.4}$的能带结构受到了过量Fe的影响。非线性霍尔电阻率和（修正的）Kohler标度对大磁电阻的破坏证明了Fe $_{1+y}$ Te $_{0.6}$ Se $_{0.4}$单晶中的多带效应。完全退火晶体的MR从中间场（e. G. 2 T（16 K时）至测量极限14 T。这一现象可以用狄拉克锥态的存在来解释，在狄拉克锥态中所有的狄拉克费米子只占据量子极限中最低的朗道能级。
2014-04-24 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Encapsulated Single Crystal Growth and Annealing of the High-Temperature Superconductor Tl-2201
用自熔法生长了Tl_2Ba_2 CuO_{6+d}（Tl-2201）的高完整片状单晶。一种新的封装方案允许前体反应之前，密封需要含有挥发性的氧化铊，并允许在生长结束时去除熔体，可重复地产生高产量的清洁晶体。晶体在良好控制的氧分压下退火，然后表征。它们具有尖锐的超导转变，窄的X射线摇摆曲线和低4%的铜替代铊，所有这些都证明了它们的高度完美性和均匀性。晶体是正交的，在大多数掺杂，和以前未报道的相称的超晶格畸变观察。
2009-10-19 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Synthesis and post-annealing effects of alkaline-metal-ethylenediamine-intercalated superconductors Ax(C2H8N2)yFe2-zSe2 (A = Li, Na) with Tc = 45 K
采用碱金属在乙二胺中的插层法，成功地合成了Tc = 45 K的新型铁基插层超导体Ax（C2 H8 N2）yFe 2-zSe 2（A = Li，Na）。Ax（C2 H8 N2）yFe 2-zSe 2（A = Li，Na）的c轴长度分别为20.74（7）nm和21.9（1）nm，比KxFe 2Se 2的长约50%，表明FeSe的Se-Se层间不仅有碱金属而且有乙二胺插层。Ax（C_2H_8N_2）_yFe_（2-z）Se_2（A = Li，Na）的高Tc可能是由于其c轴长度较大而可能具有的二维电子结构所致。通过在真空玻璃管中的后退火，已经发现Tc随着后退火温度的升高而降低，并且EDA从插层样品中的脱嵌发生在低于250 °C的低温下。
2014-08-02 cond-mat.supr-con
Influence of annealing on the electrical resistance of YBCO single crystals
本文研究了在较宽氧含量范围内退火对YBaPDMATHABMMCuPDMATHABMNOPDMATHABMO单晶基面电阻率的影响。在声子对电子的s-d散射的框架内，氧亏损指数$δ$的增加导致德拜温度$θ$的显著增加，这与氧空位浓度增加时声子谱的各向同性有关。在最佳掺杂附近，亚导电性的作用变得至关重要，而其贡献随着$δ$的增加而减小。在大值的$δ$一些偏离s-d模型的电子散射声子在室温下观察到，而没有观察到paratiproductivity。在超导过渡区，观察到一个2D-3D的交叉点，随着$δ$的增加，该交叉点向$T_c$方向移动。对横向相干长度的估计约为$1$\，μ。
2019-01-18 cond-mat.supr-con
Induction of superconductivity by sulphur doping in FeTe system and post effect of low temperature oxygen annealing
在这里，我们报告的合成和表征硫取代的碲化铁，即FeTe 1-xSx;（x = 0- 30%）系统，并研究低温氧气（O2）退火的影响，以及。室温X射线衍射（XRD）的Rietveld分析表明，所有化合物均为四方晶系（空间群P4/nmm），没有观察到第二相。晶格常数随S浓度的增加而减小。该系统的母体化合物，即FeTe不表现出超导性，但在约78 K的电阻率测量中显示出异常，这对应于结构相变。热容Cp（T）的测量也证实了FeTe化合物的结构相变。FeTe_（0.75）S_（0.25）样品的超导转变起始温度约为8 K。热电功率测量S（T）也表明FeTe_（0.75）S_（0.25）样品在7 K附近发生超导转变。应用Ginzburg Landau（GL）方程估算了0 K时的上临界场Hc 2（10%）、Hc 2（50%）和Hc 2（90%）分别为400、650和900 kOe。有趣的是，超导体积分数增加与低温（200 ℃）氧在常压下退火。详细介绍和讨论了FeTe_（1-x）S：O_2系统的结构（XRD）、输运[S（T），R（T）H]、磁化强度（交流和直流磁化率）和热[Cp（T）]测量。
2012-01-24 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Growth of Strongly Biaxially Aligned MgB2 Thin Films on Sapphire by Post-annealing of Amorphous Precursors
采用脉冲激光沉积法（PLD）在蓝宝石衬底上冷生长了MgB 2薄膜，并在富Mg、Zr吸杂的混合还原性气体环境中进行退火处理。薄膜的Tcs在29 K至34 K的范围内，Jcs（20 K，H=0）在30 kA/cm 2至300 kA/cm 2的范围内，并且在20 K下的不可逆场为4 T至6.2 T。发现Tc与不可逆场呈负相关。该膜具有0.1-1微米的晶粒尺寸，并且在950 ℃退火的膜中观察到强的双轴取向。
2001-06-14 cond-mat.supr-con
Crystal growth and annealing study of fragile, non-bulk superconductivity in YFe$_2$Ge$_2$
我们用X射线衍射、电阻率和比热测量研究了Sn助熔剂中生长的YFe $_2$ Ge $_2$单晶的超导电性的发生和性质。我们发现，通过在$\sim$ 350 $^\circ$ C下从熔融Sn中倾析晶体和/或通过在550 $^\circ$ C和600 $^\circ$ C之间的温度下退火，单晶的剩余电阻率比（RRR）可以大大提高，达到高达$\sim$ 60。我们发现，样品与RRR $\gtrsim$ 34显示超导性的电阻签名与超导转变$T_c\approx1.4$ K的开始。RRR值在35和65之间变化，平均而言，$T_c$值没有系统性变化，表明RRR的系统性变化不会导致$T_c$的可比变化。样品的比热测量显示出超导转变的清晰电阻特征，但没有显示出超导相变的任何特征，这表明在这种化合物中观察到的超导性要么是某种间接的，与少量应力YFe $_2$ Ge $_2$相关的应变稳定超导电性（可能在孪晶界或位错处）或者是以低于常规粉末X射线技术的检测能力的水平存在的第二结晶相。
2014-08-14 cond-mat.supr-con
Annealing effects on superconductivity in SrFe2-xNixAs2
研究了自熔盐溶液法生长的掺Ni的FeAs化合物SrFe_（2-x）Ni_xAs_2单晶的超导电性。随着Ni掺杂浓度x的增加，SrFe_2As_2的反铁磁有序结构逐渐被抑制，在最佳掺杂浓度x = 0.15附近出现了具有完全反磁屏蔽的体相超导，最高转变温度Tc ~ 9.8K。对生长态样品的高温退火研究表明，热处理可使Tc提高约50%。
2011-01-18 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
High resolution characterisation of microstructural evolution in Rb$_{x}$Fe$_{2-y}$Se$_{2}$ crystals on annealing
已知相分离的A $_x$ Fe $_{2-y}$ Se $_2$化合物的超导和磁性取决于生长后的热处理和冷却曲线。本文着重研究了退火过程中微观结构的演变，以及退火对Rb $_x$ Fe $_2-y$ Se $_2$晶体超导性能的影响。我们发现，生长的晶体中的少数相具有增加的晶胞各向异性（c/a比），减少Rb含量和增加Fe含量相比，矩阵。微观结构相当复杂，具有沿{113}惯面排列的两相介观板状特征。少数相在{113}平面上强烈地刻面，我们已经表明通过使作为相变的结果引入的体积应变能最小化来驱动。在488 K退火导致粗化的介观板状特征和第三个不同的相的形成。晶体中少数相的结构和化学性质的微妙差异被认为是超导转变温度变化的原因。此外，扫描光电子显微镜已经清楚地表明，少数相的电子结构具有较高的低结合能Fe 3d轨道的占据态密度，这是表现出超导性的晶体的特征。这表明具有高c/a比的Fe-无空位相与超导相的电子结构特征之间存在明显的相关性。
2014-06-06 cond-mat.supr-con
Advances in single crystal growth and annealing treatment of electron-doped HTSC
采用无容器移动式溶剂浮区法生长了高质量的电子掺杂高温超导单晶$\rm Pr_{2-x}Ce_{x}CuO_{4+δ}$和$\rm Nd_{2-x}Ce_{x}CuO_{4+δ}$。最佳掺杂的$\rm Pr_{2-x}Ce_{x}CuO_{4+δ}$和$\rm Nd_{2-x}Ce_{x}CuO_{4+δ}$晶体的转变温度$T_{\rm c}$分别为$25$ \，K和$23.5$ \，K，转变宽度小于$1$ \，K。我们发现一个强烈的依赖性的最佳生长参数上的Ce含量$x$。我们讨论了样品的生长后退火处理的优化，两种化合物的超导圆顶的掺杂延伸以及过量氧的作用。从热重实验测定了生长态晶体的绝对氧含量，发现其为$\ge 4.0$。通过生长后退火处理，这种氧过剩几乎完全去除。还原过程是可逆的，如磁化测量所示。在生长态样品中，过量的氧存在于顶端位置O（3）。这种顶端氧几乎没有掺杂效应，而是通过在CuO $_{2}$层中诱导额外的无序来影响超导性的演变。$\rm Nd_{2-x}Ce_{x}CuO_{4+δ}$的非常高的晶体质量在不同掺杂水平的几个样品上观察到的磁量子振荡中特别明显。他们提供了一个独特的机会，研究费米表面和它的依赖于在大量的晶体中的载流子浓度。
2010-08-19 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
In-field dependences of the critical current density J$_c$ in GdBa$_2$Cu$_3$O$_{7-d}$ coated conductors produced by Zr irradiation and post-annealing at low temperatures
我们报道了6 MeV Zr $^{4+}$辐照和辐照后退火（200 °C）对共蒸发生长的1.3 μ m厚GdBa $_2$ Cu $_3$ O $_{7-d}$涂层导体的临界电流密度J $_c$的内场依赖性的影响。用6 MeV Zr $^{4+}$和2.3x10 $^{11}$ cm $^{-2}$和3x10 $^{12}$ cm $^{-2}$之间的能量密度辐照样品。分析了超导临界温度T_PDMATHABMN与临界电流密度J_PDMATHABMN随磁场变化的关系。此外，通过在200 °C下热退火来减少由辐照引入的随机无序。对我们的实验发现的分析表明，最佳照射（通过退火减少随机无序）导致$\simeq$ 10 $\%$的自场J $_c$的抑制，并且在约5 T时场内J $_c$增强几乎加倍。观察到T $_c$、无序和自场J $_c$之间的明确相关性。额外的随机无序和纳米团簇系统地抑制T $_c$，并在中间温度下增加通量蠕变松弛（降低特征玻璃态$μ$值）。
2018-06-11 cond-mat.supr-con
Large, Homogeneous, and Isotropic Critical Current Density in Oxygen-Annealed Fe1+yTe0.6Se0.4 Single Crystal
我们报道了一种可控的方法，通过在固定量的O2中退火来去除Fe_（1 + y）Te_（0.6）Se_（0.4）中过量的Fe。与稀酸诱导的弱超导电性相比，O2退火可以成功地诱导体超导电性。适当的氧气退火改变了电阻率的温度依赖性在低温下从半导体到金属，这来自于过量的Fe的脱嵌。发现沿c轴和ab平面的场的临界电流密度几乎是各向同性的，在2 K时具有3*10^5 A/cm 2和2.5*10^5 A/cm 2的大值。此外，磁光图像揭示了ab平面内的各向同性电流。
2013-04-05 cond-mat.supr-con
Superconductivity at T_c ~ 14 K in Single Crystalline FeTe$_{0.61}$Se$_{0.39}$
通过缓慢炉冷和随后的低温退火合成了在$T_{\textrm{c}} \sim$ 14 K下具有尖锐超导转变的单晶FeTe $_{0.61}$ Se $_{0.39}$。退火对化学和超导不均匀性的影响进行了仔细的表征。我们还报告了这种晶体的电阻率，磁化强度和磁光图像。基于Bean模型，在零场条件下，当温度低于5 K时，临界电流密度超过$1 \times 10^5$ A/cm $^2$.在较低的温度下，弱的鱼尾效应。
2009-06-10 cond-mat.supr-con
Influence of Mg deficiency in MgB2 single crystals on crystal structure and superconducting properties
研究了高温真空退火对高压生长的MgB 2单晶中Mg的影响。随着退火温度从800 ℃升高到975 ℃，MgB_2晶体中的平均Mg含量系统地降低，而Tc基本保持不变，超导转变从0.55 K略微加宽到1.3 K。在875 ℃退火后，超导体积分数的减少已经是明显的。在975 ℃退火的样品部分分解，Mg占位率从生长态晶体的0.98降低到0.92。在1000 ℃退火完全破坏超导性。X射线衍射分析表明，MgB_2分解的最终产物主要是多晶MgB_4，因此MgB_2的分解反应可以描述为2 MgB_2（s）= MgB_4（s）+ Mg（g）。超晶胞方法中的Mg 1-x（VMg）xB 2电子结构的第一性原理计算显示费米能级的小的下移。空位诱导的空穴进入σ带和π带。这些小的修改预计不会影响Tc，与观察结果一致。的超导体积分数的显着减少，而没有明显的Tc降低表明共存，在同一晶体内，与富镁和贫镁空位的区域相关的电子相和非电子相。
2010-02-03 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Bulk Superconductivity in Fe1+yTe0.6Se0.4 Induced by Removal of Excess Fe
输运、磁性和磁光（MO）图像测量的实验证据证实了砷（As）蒸气退火是诱导Fe 1 + yTe 0. 6Se 0. 4单晶体具有各向同性、大的和均匀的超导临界电流密度（Jc）的体超导性的另一种有效方法。由于As是Fe_（1 + y）Te_（0.6）Se_（0.4）单晶中的一种外来重元素，且易于检测，因此As蒸气退火对研究退火机制是非常有利的。详细的微观结构和元素分析排除了其他后退火方法中可能发生的插层或掺杂效应的可能性，证明Fe与As在晶体表面发生反应，反应本身作为驱动力将过量的Fe拖出来。过量Fe的去除导致了良好的超导性能。
2014-05-27 cond-mat.supr-con
Superconductivity in oxygen-annealed FeTe1-xSx single crystal
研究了FeTe_（1-x）S_x单晶中S掺杂驱动的从反铁磁到超导的相变。Te部分被S取代抑制了Fe方晶格中的反铁磁性。氧退火诱导的超导性只有FeTe 1-xSx的长程磁有序被抑制。为了在FeTe 1-xSx中实现超导电性，需要足够的S浓度来抑制反铁磁性和氧退火。氧退火的FeTe 0.886S 0.114的超导性的各向异性估计为1.17。
2010-09-17 cond-mat.supr-con
Extended superconducting dome of electron-doped cuprates after protect annealing revealed by ARPES
电子掺杂的铜氧化物通常具有比空穴掺杂的铜氧化物更强的反铁磁相和更窄的超导（SC）圆顶。近年来，人们对保护退火法制备的Pr_（1.3-x）La_（0.7）Ce_xCuO_（4-δ）（PLCCO）大块单晶进行了广泛的研究，发现了许多不同于传统退火方法的有趣性质。在这里，我们报告了系统的角度分辨光电子能谱研究PLCCO单晶保护退火后。结果表明，从费米表面积估计的实际电子浓度（nFS）是显着大于Ce浓度x和新的nFS为基础的SC圆顶的PLCCO是更多地延伸到过掺杂侧比x为基础的SC圆顶使用传统的退火方法制备的样品。
2021-01-18 cond-mat.supr-con
Improving quantum-transition temperatures in BaFe2As2-based crystals by removing local-lattice strain & electronic-structure disorder
量子材料如反铁磁体或超导体是复杂的，因为原子尺度上的化学、电子和自旋现象可以表现为它们的集体性质。虽然有一些设计这种材料的线索，但它们仍然主要是不可预测的。在这项工作中，我们发现在BaFe_2As_2基晶体的转变温度的提高是由于消除局部晶格应变和电子结构的无序热退火。退火通过消除面内电子缺陷和降低α-晶格常数提高了BaFe_2As_2晶体的Neel有序温度（TN=132 ~ 136 K），同时通过沉淀出Co掺杂剂和提高α-晶格常数提高了最佳Co掺杂BaFe_2As_2晶体的超导有序温度（Tc=23 ~ 25 K）。虽然退火促进局部化学和电子均匀性，导致母体中的较高TN，但其导致超导体中的纳米级相分离，导致主导结晶区域中的较低差异和强超导带隙，这导致较高的总Tc和临界电流密度Jc。
2016-12-08 cond-mat.supr-con
Complex structures of different CaFe$_{2}$As$_{2}$ samples
研究了三种CaFe $_{2}$ As $_{2}$样品的磁性与晶体结构之间的相互作用。在T $_{S}$ = 95 K和45 K之间，发现了不同晶格参数的不同晶畴，并发现了正交相、四方相和塌缩四方相共存。淬火晶体在350°C下退火导致通过c参数的大（~ 1.3%）膨胀和a参数的小（~ 0.2%）收缩的应变释放，以及在原子水平上的局部~0.2 π位移。该退火过程导致最均匀的晶体，其反铁磁和正交相变发生在T $_{N}$ /T $_{S}$ = 168（1）K。在700° C退火的晶体中，在80至120 K之间发生中间应变区，四方晶和正交晶结构相共存。转变温度的这种强烈变化的起源与结构参数有关。重要的是，随着退火，Fe-As长度的增加导致更多的局部Fe电子和Fe离子上更高的局部磁矩。其他结构参数的协同贡献，包括在Fe-Fe距离的减少，和c-参数的急剧增加，这增强了费米面嵌套在CaFe $_{2}$作为$_{2}$，也进行了讨论。
2014-02-18 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Evolution of Superconductivity in Fe$_{1+y}$Te$_{1-x}$Se$_{x}$ Annealed in Te Vapor
本文详细研究了Fe $_{1+y}$ Te $_{0.6}$ Se $_{0.4}$单晶的Te蒸气退火效应。随着Te含量的增加，退火可以逐渐诱导体超导电性，直到Te与样品的摩尔比达到1：10。进一步增加Te摩尔比，超导体积逐渐减小。电阻率和霍尔效应的测量表明，在Te蒸气中退火通过去除多余的Fe使电荷载流子离域。Te退火后的晶体具有均匀的临界电流密度，$\sim$ 4.3 $\times$ 10 $^5$ A/cm $^2$，证明Te退火对Fe $_{1+y}$ Te $_{1-x}$ Se $_{x}$的体超导性是有效的.
2013-08-21 cond-mat.supr-con
Growth of superconducting MgB2 thin films via postannealing techniques
本文研究了退火温度在700 ~ 950 ℃范围内、退火时间在30 ~ 120 min范围内对MgB_2薄膜超导电性的影响。我们获得了质量最好的MgB 2薄膜，其转变温度为39 K，临界电流密度为~ 10^7 A/cm^2。利用扫描电子显微镜，我们还研究了薄膜的生长机制。在较高温度下退火的样品显示出较大的晶粒尺寸，沿c轴择优取向的良好排列的晶体结构，和光滑的表面形貌。然而，较长的退火时间阻止晶粒的排列，降低了超导电性，表明衬底和MgB 2膜之间的强烈的界面反应。
2002-09-10 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Reversibly tuning the insulating and superconducting state in KxFe2-ySe2 crystals by post-annealing
自从氧磷属化合物LaFeAsO_（1-x）Fx在26 K发现超导性以来，在凝聚态物理和材料科学领域引起了极大的兴趣。在铁磷属元素化物超导体的多种结构中，PbO结构的FeSe由于其化学组成中没有有毒的磷属元素，结构最简单，因而受到人们的特别关注。然而，铁硫族化合物的超导转变温度（Tc）并没有像其他铁磷属化合物超导体那样在常压下提高，直到在钾插层铁硒化物KxFe 2-ySe 2中发现了30 K以上的超导性。在具有不同化学计量的KxFe 2-ySe 2中观察到绝缘和超导状态，并且一些小组已经通过改变起始材料的比例将系统从绝缘状态调谐到超导状态[10，11]。最近的中子散射数据表明，超导性可能建立在Fe空位的有序态和具有很强有序磁矩3.4 B的反铁磁态的基础上。在这里，我们表明，超导电性实际上可以直接从绝缘状态的后退火和快速淬火调谐在一个单一的样品。在室温下等待几天后，超导性将消失，电阻率再次表现出绝缘行为。能量色散X射线能谱（EDXS）分析了生长态样品和退火淬火后样品的成分空间分布，发现它们非常接近。因此，很容易得出结论，当Fe空位处于随机（无序）状态时，实现了超导电性。一旦它们通过弛豫或缓慢冷却而排列成有序状态，系统就变成了绝缘体。
2011-03-07 cond-mat.supr-con
Thermal annealing of sputtered Nb3Sn and V3Si thin films for superconducting radio-frequency cavities
Nb_3Sn和V_3Si薄膜是下一代超导射频（SRF）谐振腔的理想材料。然而，溅射膜在沉积和后退火期间经常遭受化学计量和应变问题。在这项研究中，我们探讨了热退火的结构和化学效应，包括原位和溅射后，在Nb或Cu衬底上DC溅射的不同厚度的Nb 3Sn和V3 Si薄膜，从我们的初步研究[1]延伸。通过在950 °C下退火，我们成功地使具有化学计量和无应变晶粒的Nb衬底上的100 nm薄Nb 3Sn膜再结晶。对于2 μ m厚的膜，我们观察到应变的去除和晶粒尺寸随着温度的升高而略有增加。退火使V_3Si薄膜的结构从不稳定到稳定的相变，而我们观察到显着的Sn损失在2 μ m厚的Nb_3Sn薄膜高温退火后。我们观察到类似的Sn和Si的损失上的薄膜顶部的铜基板在退火过程中，可能是由于Cu-Sn和Cu-Si相的产生和随后的Sn和Si蒸发。这些结果鼓励我们改进我们的工艺以获得用于SRF的高质量溅射膜。
2023-01-02 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con physics.app-ph
Superconductivity and magnetism in RbxFe2-ySe2: Impact of thermal treatment on mesoscopic phase separation
本文对不同生长态和退火态的RbxFe_（2-y）Se_（2-x）单晶的超导和正常态性质进行了深入的研究。磁化实验证明，退火的RbxFe 2-ySe 2在413 K，远低于相分离的开始Tp=489 K，既不改变磁性，也不超导性能的晶体。此外，退火在563 K，远高于Tp，抑制超导转变温度Tc，并导致伴随着铁磁杂质相的产生，这是发展与退火时间的反铁磁磁化率的增加。然而，在T= 488 K =Tp下退火使Tc增加到33.3 K，使超导转变尖锐，增加了下临界场，并加强了所施加磁场的屏蔽效率。电阻率测量的生长和最佳退火样品揭示了沿两个晶体学方向的上临界场的增加，以及其各向异性。μ子自旋旋转和扫描透射电子显微镜实验表明，在Tp以下的两相共存：磁性多数相的Rb 2Fe 4Se 5和非磁性少数相的Rb 0.5Fe 2Se 2。这两种显微镜技术表明，退火的标本只是在Tp不影响的两个阶段的体积分数，虽然样品中的磁场分布的变化很大。这表明，样品的微观结构，介观相分离所造成的，是修改的退火只是在Tp，导致的超导性能的RbxFe 2-ySe 2的改善和Tc的增强。
2012-11-15 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
