Resistance fluctuations and Aharonov-Bohm-type oscillations in antidot arrays in the quantum Hall regime
研究了量子霍尔区反点晶格中的电阻涨落现象。有限反点阵列系统的磁阻在量子霍尔平台过渡区表现出两种类型的振荡效应。一种是非周期电阻波动（RF），另一种是Aharonov-Bohm（AB）型振荡。它们对磁场和栅电压的依赖性是相当不同的。虽然非周期性RF归因于可压缩通道的导电网络的复杂演化，但AB型振荡被解释为围绕单个反点形成的边缘状态。自洽屏蔽效应对这两种现象都很重要，而单电子充电效应在本例中起次要作用。
2008-06-10 cond-mat.mes-hall
Capacitive interaction model for Aharonov-Bohm effects of a quantum Hall antidot
我们推导出一个一般的电容相互作用模型的基于反点干涉仪在整数量子霍尔制度，并研究Aharonov-Bohm共振在一个单一的反点与多个绑定模式，作为外部磁场或施加到反点的栅极电压的函数。Aharonov-Bohm共振的模式与非相互作用电子的情况有很大不同。这种差异的根源包括多余电荷的充电效应、束缚模之间的电荷弛豫、束缚模与反点附近扩展边缘通道之间的电容相互作用以及单粒子能级间距与反点充电能量之间的竞争。我们分析的情况下，绑定模式的数量是2，3，或4的模式。结果与最近的实验数据一致。
2011-01-14 cond-mat.mes-hall
Enhanced spin Hall effect by tuning antidot potential: Proposal for a spin filter
我们提出了一个有效的自旋过滤器，包括一个反点制造的半导体异质结与强自旋轨道相互作用。反点在异质结构中的二维电子气上产生可调的电势，这可能是吸引力以及排斥力。我们的想法是基于共振散射增强的非本征自旋霍尔效应时，吸引势是适当的调整。三端和四端器件的数值研究表明，自旋过滤器的效率可以超过50%，通过调整的潜在的共振条件。
2009-09-01 cond-mat.mes-hall
Dirac Fermion Quantum Hall Antidot in Graphene
在介观结构中定位和操纵单个准粒子的能力在量子力学和热力学的实验研究中以及在潜在的量子信息设备中是至关重要的，量子计算的拓扑方案。在强磁场中，量子霍尔边缘模可以被限制在一个小的反点周围，形成离散的能级，具有独特的局部化分数带电准粒子的能力。在这里，我们证明了一个狄拉克费米子量子霍尔反点在石墨烯的整数量子霍尔制度，其中电荷传输特性可以通过调整之间的耦合强度的接触和反点，从库仑阻塞为主的隧道弱耦合下的有效非相互作用的共振隧穿强耦合下。这两个制度的特点是单通量和电荷振荡电导持续高达2个数量级以上的温度比以前的报告在其他材料系统。这种石墨烯量子霍尔反点可以作为一个有前途的平台，用于建立和研究新的量子线路的量子模拟和计算。
2019-04-03 cond-mat.mes-hall
Localizing Individual Exciton on a Quantum Hall Antidot
本研究通过量子反铁电点双边缘通道方法，实现了在量子反铁电系统中定位和调谐单个激子，并观测到电子-空穴配对态的量子叠加。
2025-09-14 cond-mat.mes-hall
Electron interactions in an antidot in the integer quantum Hall regime
量子反点是二维电子系统中的亚微米耗尽区，在过去的二十年里得到了积极的研究，为理解量子霍尔系统提供了有力的工具。在垂直的磁场中，电子在反点周围形成束缚态。实验研究了通过这种束缚态的Aharonov-Bohm共振，发现了一些有趣的现象，如库仑荷电、h/2 e振荡、旁观者模式、线形电子相互作用的特征、近藤效应等。最近已经发展了上述观测的理论模型，如用于解释h/2 e振荡和近藤效应的电容相互作用模型，空穴最大密度液滴反点基态的数值预测，以及用于研究反点边缘可压缩性的自旋密度泛函理论。在这篇综述中，我们总结了这些实验和理论工作的电子相互作用的antidot。
2007-12-03 cond-mat.mes-hall
Spin-Resolved Edge States around an Antidot in the Vicinity of the $ν=2$ Quantum Hall State
我们研究了自旋相关效应对单个反点系统中$ν= 2$量子霍尔态附近电子输运的影响，其中在反点周围形成了两个最低朗道能级自旋不同的边缘态.电导呈现成对的$h/2e$ Aharonov-Bohm（AB）振荡。使用倾斜磁场技术，我们已经观察到的振荡与总磁场的演化和伴随的变化的差分电导的源漏偏置的依赖性。从观测中，我们提取了塞曼能量对AB振荡的影响。
2009-09-08 cond-mat.mes-hall
Tunable inter-edge interactions in a bilayer graphene quantum Hall antidot
Institute of Physics, École Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL)（洛桑联邦理工学院物理研究所）；Research Center for Functional Materials, National Institute for Materials Science（国立材料研究所功能材料研究中心）；International Center for Materials Nanoarchitectonics, National Institute for Materials Science（国立材料研究所国际纳米材料架构中心）；Institute of Experimental and Applied Physics and Halle-Berlin-Regensburg Cluster of Excellence CCE, University of Regensburg（雷根斯堡大学实验与应用物理研究所及哈勒-柏林-雷根斯堡卓越集群CCE）；Center for Quantum Science and Engineering (QSE Center), École Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL)（洛桑联邦理工学院量子科学与工程中心）
本研究利用双层石墨烯反点，通过调节边缘间相互作用实现单点到双点行为的转变，并观察到隧穿电荷加倍，揭示了边缘间耦合对干涉效应的重要影响。
2026-09-29 cond-mat.mes-hall
Upstream modes and antidots poison graphene quantum Hall effect
量子霍尔效应是拓扑保护的开创性例子，因为载流子通过禁止反向散射的一维边缘通道传输。石墨烯已经成为一个特殊的平台，揭示了这一非凡属性的新方面。然而，在传统的霍尔条几何形状中，石墨烯边缘沟道的拓扑保护被发现令人遗憾地不如高迁移率半导体中的那样稳健。在这里，我们探索石墨烯量子霍尔制度在本地规模，使用扫描门显微镜。我们揭示了沿石墨烯边缘的反量子点的不利影响，介导反向散射向上游边缘通道，从而触发拓扑击穿。结合模拟，我们的实验结果提供了进一步的见解石墨烯量子霍尔通道的脆弱性。反过来，这可能会使未来的发展朝着精确操纵的拓扑保护的边缘通道托管在各种类型的二维晶体。
2021-04-19 cond-mat.mes-hall
Detection of Coulomb Charging around an Antidot in the Quantum Hall Regime
我们已经探测到二维电子气中电荷围绕势峰（反点）的振荡是大磁场B的函数。电场将反点周围的电子限制在闭合轨道上，其面积通过阿哈罗诺夫-玻姆效应量子化。增加B会减少每个状态的面积，将电子推到更靠近中心的位置，直到有足够的电荷积累，使电子隧穿出去。这是一种新的库仑阻塞形式，见于静电限制点。直流偏压下的加和激发谱证实了隧道效应的库仑阻塞。
1999-07-29 cond-mat.mes-hall
Screening and Collective Modes in Disordered Graphene Antidot Lattices
在$π$能带紧束缚模型下研究了石墨烯反点晶格的激发光谱和集体模.在无规相位近似下计算了动态极化率和介电函数。计算中考虑了几何无序和化学无序等不同类型无序的影响。我们强调了GAL相对于单层石墨烯（SLG）的主要差异。我们的研究结果表明，除了在掺杂样品中的体等离子体激元，带间等离子体激元出现在GAL。我们进一步表明，未掺杂和掺杂的GAL的静态屏蔽性能是定量不同的SLG。
2013-11-05 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Temperature dependent nonlinear Hall effect in macroscopic Si-MOS antidot array
通过测量Si-MOSFET型宏观反点阵列在经典中等垂直磁场下的磁阻和霍尔效应，发现了一种新的效应：霍尔电阻率随磁场的非线性、温度和密度的变化。我们讨论了这一现象的定性解释，并认为这可能是由于反点壳层的电阻率和迁移率具有很强的温度依赖性。
2015-12-23 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
All-electrical detection of spin dynamics in magnetic antidot lattices by the inverse spin Hall effect
在亚微米尺度上对横向受限结构中自旋动力学的理解已经成为新型磁存储技术发展的一个重要方面。众多的铁磁共振测量，光学特性的克尔显微镜和布里渊光散射光谱和X射线研究进行了检测图案化的磁性antidot晶格的动态。在这里，我们调查奥斯特场驱动的自旋动力学在矩形Ni 80 Fe 20/Pt反点晶格与不同的晶格参数通过电气手段，并比较它们的微磁学模拟。当系统被驱动到谐振时，检测到样品长度上的直流电压，其在场反转时改变其符号，这与基于逆自旋霍尔效应的整流机制一致。此外，我们表明，电压输出的比例线性与所施加的微波驱动在调查范围内的功率。我们的研究结果对工程磁振子应用和器件的发展有直接的影响。
2016-01-06 cond-mat.mes-hall
Hall Conductance of a Two-Dimensional Electron Gas in Periodic Lattice with Triangular Antidots
本文的主题是研究电子气在横向晶格周期势作用下的量子态和量子霍尔效应。势是由位于正方形晶格上的三角形量子反弧形成的。在这样的系统中，不存在反转中心和四重旋转对称性。计算了表征不同磁子带的拓扑不变量及其霍尔电导。它示出的antidot几何的细节是至关重要的霍尔电导量子化规则。确定了霍尔电导急剧变化的三角形反点形状的晶格参数的临界值。我们证明了三角形反点晶格的量子态和霍尔电导量子化定律不同于圆柱形反点的正方形晶格。作为一个例子，计算了当每个晶胞的磁通量量子数等于3时，不同反点几何结构的磁子带的霍尔电导.
2004-04-22 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Electron tunneling spectroscopy of a quantum antidot in the quantum Hall regime
量子反点是在二维电子系统中引入的一个小势丘，是研究电子相互作用的量子力学的一个有吸引力的工具.本文报道了在整数i = 1，2，3，4，5，6量子霍尔平台上通过量子反点进行电子共振隧穿的实验.报告了几个新特征。首先，作为磁场的函数，我们观察到六个准周期共振隧穿峰内的基本通量周期：当通量h/e被添加到反点的面积有i个峰上的第i个整数平台，当i自旋极化朗道能级被占用。相应的背栅电压数据显示在所有整数平台上每个增加的电荷e有一个峰值。第二，我们观察到隧穿下降的四端电阻（“前向散射”）的偶数i = 2，4和6高原，当人口的两个自旋几乎相等。此外，第一次，我们报告的内部结构内的H/E期间：在i = 3自旋分裂平台，三个共振隧穿峰中的两个是更高和/或更接近于第三个。令人困惑的是，在这种情况下，当扫描背栅电压时，隧穿峰成对分组。这些结果归因于电子-电子库仑相互作用的主导地位，有效地混合朗道能级占据，和自洽静电的反点。
2008-03-24 cond-mat.mes-hall
Weak Localization and Transport Gap in Graphene Antidot Lattices
我们在单层石墨烯中制造并测量了晶格周期低至90 nm的反点晶格。在大周期晶格中，观察到了定义明确的量子霍尔效应。当反点间距变小时，量子霍尔效应随着几何尺寸效应逐渐消失。在反点之间具有窄收缩的晶格表现为纳米带的网络，显示出高电阻状态和狄拉克点周围几mV的输运间隙。我们观察到明显的弱磁致电阻的本地化，表明强烈的谷间散射的antidot边缘。在低温下，相相干路径的面积由晶胞尺寸限制，因此晶格的每个晶胞充当弹道腔。
2009-09-16 cond-mat.mes-hall
Wave function description of conductance mapping for quantum Hall electron interferometer
基于量子透射边界方法的有限差分实现，从散射波函数的角度研究了整数量子霍尔机制下量子点接触的扫描门显微术。评价了干净QPC以及收缩内包括反点的系统的电导（$G$）图。当反点被引入收缩区时，干净QPC的台阶状局部平坦$G$图变成了在外部磁场中可重入的圆形共振。反点周围的电流循环和磁场尺度下的共振间距对接近QPC的探针作出反应。计算的具有刚性但软的反点势的$G$图再现了最近在电子干涉仪中检测到的特征[F. Martins等人，Nature Sci. 3，1416（2013）]。
2014-04-03 cond-mat.mes-hall
Controlled motion of skyrmions in a magnetic antidot lattice
基于skyrmion的未来自旋电子器件将需要精确控制skyrmion运动。我们表明，这一目标可以通过使用磁性antidot阵列来实现。通过微磁学模拟和基于Thiele方程的半解析计算，我们证明了反点阵列可以根据所施加电流脉冲的参数在不同的方向上引导skyrmions。尽管净驱动电流的方向是固定的，但由于由反点引入的排斥势、skyrmion霍尔效应和非均匀电流分布之间的非平凡相互作用，可以实现对2D晶格中skyrmion运动的完全控制。此外，我们证明了Skyrmion运动的方向可以通过调整电流脉冲的单个参数，即电流幅度来控制。对于较低的电流幅值，斯基尔米恩可以垂直于电流方向移动，并且可以克服斯基尔米恩霍尔效应。对于较大的电流幅度，斯基尔米恩霍尔效应可以有效地抑制和斯基尔米恩可以平行于所施加的电流移动。
2019-10-16 cond-mat.mes-hall
Quantum Hall Antidot as a Fractional Coulombmeter
Institute of Physics, École Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL)（洛桑联邦理工学院物理研究所）；Rudolf Peierls Centre for Theoretical Physics（鲁道夫·派尔斯理论物理中心）；Research Center for Functional Materials, National Institute for Materials Science（国家材料科学研究所功能材料研究中心）；International Center for Materials Nanoarchitectonics, National Institute for Materials Science（国家材料科学研究所国际纳米材料架构中心）；Center for Quantum Science and Engineering (QSE Center), École Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL)（洛桑联邦理工学院量子科学与工程中心）
本研究利用栅极定义的双层石墨烯反点，通过电导测量直接探测分数量子霍尔态下的准粒子电荷，为在范德华材料中测量分数电荷提供了简单且可调的实用平台。
2025-09-18 cond-mat.mes-hall
Antidot tunneling between Quantum Hall liquids with different filling factors
我们考虑隧道穿过具有不同填充因子的量子霍尔液体的两个边缘之间的两个点接触$ν_{0,1}=1/ (2m_{0,1}+1)$与$m_0-m_1\equiv m>0$。在强隧穿极限的点接触之间形成的反点的属性被证明是非常不同的$ν_0 =ν_1$的情况下，包括消失的平均总电流在两个接触和准粒子的电荷$e/m$。对于$m>1$，准粒子隧穿导致通过反点的有效通量的非平凡的$m$态动力学，其恢复通量中电流的常规“电子”周期性，尽管准粒子的分数电荷和统计。
2004-12-21 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Comment on "Absence of Compressible Edge Channel Rings in Quantum Antidots"
在最近的一篇文章中，Karakurt等人[I. Karakurt等人，物理修订信函89，226803（2002）]报道了在量子霍尔机制中反量子点周围不存在可压缩区域。我们希望指出他们的分析中的一个重大缺陷，这使他们的说法无效。
2004-04-20 cond-mat.mes-hall
Coulomb Oscillations in Antidots in the Integer and Fractional Quantum Hall Regimes
我们报告的电阻振荡的测量在微米级antidot在整数和分数量子霍尔制度。在整数制度，我们得出结论，振荡是库仑型的磁场周期的标度与数量的边缘绑定到antidot。基于栅电压和场周期，我们发现在填充因子ν = 2时，隧道电荷为e和两个带电边缘。将这幅图推广到分数态，我们发现（同样，基于场和栅电压周期）在ν = 2/3时，隧穿电荷为（2/3）e，并且有一个带电荷的边缘。
2012-01-08 cond-mat.mes-hall quant-ph
Signatures of fractional Hall quasiparticles in moments of current through an antidot
在边缘态的手征Luttinger液体图像中，研究了含反点的分数量子霍尔样品中隧穿电流的统计特性。提出了Fano因子和偏度之间的比较，以便在热极限和发射极限中清楚地区分载流子的电荷。此外，我们解决当前时刻的非普适指数在单准粒子传播的影响。正相关，传播行为的结果，得到的Fano因子的散粒噪声限制，和可能的实验结果进行了概述。
2006-01-25 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Generating and controlling spin-polarized currents induced by a quantum spin Hall antidot
我们研究了嵌入二维拓扑绝缘棒中的电控量子自旋霍尔反点。螺旋边缘状态周围的反点和沿边缘的酒吧隧道耦合。自旋和手征之间的紧密联系，典型的螺旋系统，允许产生一个自旋极化电流流过酒吧。通过改变势垒之间的不对称性，将该电流作为外部电压的函数进行研究。对于不对称的设置，观察到的自旋电流的切换行为的偏置增加，在电子相互作用的存在和不存在。该装置允许通过简单的电气手段产生和控制自旋极化电流。
2013-02-21 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Transport of fractional Hall quasiparticles through an antidot
本文研究了分数量子霍尔体系中Laughlin级数反点的电流统计。采用重正化相互作用指数为$g$的边缘态手征Luttinger液体图像。在连续隧穿机制中发现了几个特殊的特征。一方面，当$g<1$作用时，电流呈现负微分电导和双峰结构。另一方面，通过对更高电流时刻的分析，确定了普遍的亚泊松输运机制。Fano因子和偏度之间的比较，提出了为了清楚地区分载流子的电荷，而不管可能的非普遍相互作用重整化。在$g<1$的发射极限中获得了超泊松统计，并跟踪了由于有限尺寸反点而引起的等离子体效应。
2007-03-20 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Transport through a quantum spin Hall antidot as a spectroscopic probe of spin textures
我们研究了嵌入在二维拓扑绝缘体窄条中的反点的电子输运。我们专注于最通用的和实验相关的情况下，打破轴向自旋对称性。自旋不守恒允许额外的散射过程，深刻地改变输运性质。我们从一个分析模型的非相互作用的运输，我们也比较了数值紧束缚模拟。然后，我们扩展了这个模型，包括库仑排斥的antidot，我们研究了运输的库仑封锁限制。我们调查顺序隧穿和cotunneling制度，我们发现，电流-电压特性允许光谱测量的边缘态自旋纹理。
2016-07-18 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Triple Antidot Molecules
Stony Brook University（石溪大学）
研究三 interacting 量子霍尔准粒子在抗点分子中的实现与建模，通过磁场调节隧道耦合，揭示分子能级及库仑相互作用，建立符合实验观测的隧道模型。
2026-03-06 cond-mat.mes-hall quant-ph
Coulomb oscillations of a quantum antidot formed by an airbridged pillar gate in the integer and fractional quantum Hall regime
本文利用空气桥柱状栅极在整数和分数量子霍尔 regime 中形成量子反点，通过分析库仑振荡发现 ν=2/3 时有效电荷为 ν=2 和 1 时的 2/3，可用于以 2e/3 为单位捕获和发射电荷。
2024-12-16 cond-mat.mes-hall
Probing Electron-Electron Interactions with a Quantum Antidot
在整数量子霍尔（IQH）制度，antidot提供了一个有限的，可控的量子霍尔流体的“边缘”，是一个理想的实验室，研究大量的相互作用的电子的集体动力学。单个antidot的传输测量探测antidot边缘的激发光谱，并且栅极定义的antidot设备提供了改变antidot的尺寸及其与作为引线的扩展IQH边缘模式的耦合的灵活性。我们还利用IQH边缘模的自旋选择性进行自旋分辨输运测量，从中我们可以推断出反点的自旋结构。本论文描述了这样的输运实验和相关的计算模型相结合，旨在研究量子antidot中的电子-电子相互作用的影响，在IQH系统中的自旋和电荷的物理的一般影响。
2019-12-17 cond-mat.mes-hall quant-ph
Imaging backscattering through impurity-induced antidots in quantum Hall constrictions
我们利用偏置的扫描门显微镜（SGM）的尖端诱导反向传播的边缘通道之间的量子霍尔制度的宽收缩的控制背散射。我们比较我们详细的电导图与数值渗流模型，并表明，在这些设备中观察到的电导波动作为栅极电压的函数起源于背散射事件介导的本地化状态钉扎的潜在波动。我们的成像技术使我们能够确定这些背散射过程的激活的必要条件，也重建的收缩约束电位分布和潜在的障碍。
2012-09-11 cond-mat.mes-hall quant-ph
Kondo Effect in a Quantum Antidot
我们报告近藤样行为的量子antidot（一个亚微米的二维电子气耗尽区）在量子霍尔制度。当最低朗道能级的两个自旋分支在磁场（$\sim 1$ T）中环绕反点时，当隧穿被库仑阻塞时，通过反点束缚态在扩展边缘态之间发生额外的共振。这些共振只出现在交替库仑阻塞区域，并成为抑制时，温度或源漏偏置升高。虽然确切的机制是未知的，我们认为，近藤相关隧穿来自Skyrmion型边缘重建。这一观察结果证明了近藤现象的普遍性。
2002-10-03 cond-mat.mes-hall
Electronic properties of antidot lattices fabricated by atomic force lithography
利用原子力光刻技术，利用局部氧化技术制备了反点晶格。高质量的有限20 × 20晶格被证明具有300 nm的周期。低温磁电阻显示出良好的可磁化性振荡以及零磁场附近的霍尔效应的淬灭。此外，我们还发现在1.7K的温度下，B周期振荡叠加在经典的可磁化率峰上。这些观察结果表明我们的样品具有高电子质量。
2001-08-30 cond-mat.mes-hall
Entropy of Non-Abelian Anyons from Slow Quasiparticle Dynamics in Quantum Hall Interferometers
Raymond and Beverly Sackler School of Physics and Astronomy, Tel Aviv University（特拉维夫大学雷蒙德和贝弗利·萨克勒物理与天文学学院）；Institute of Physics, École Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL)（洛桑联邦理工学院物理研究所）；Center for Quantum Science and Engineering (QSE Center), École Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL)（洛桑联邦理工学院量子科学与工程中心）
提出通过干涉仪中反点电荷的非局域测量，提取分数量子霍尔态中非阿贝尔任意子的特征熵（如ν=5/2态的d=√2），利用中间温度下的干涉相位时间依赖开关。
2026-07-07 cond-mat.mes-hall
Enhanced spin Hall effect in semiconductor heterostructures with artificial potential
我们从理论上研究了半导体异质结构中的非本征自旋霍尔效应（SHE），这是由于由反点、STM针尖等产生的人工电势的散射引起的。首先，我们制定的SHE在分波展开二维电子气的相移。当适当调节吸引势时，共振散射显著增强了这种效应。其次，我们研究了一个三端设备，包括antidot，这可能会产生一个自旋电流的极化超过50%。
2009-05-28 cond-mat.mes-hall
Coulomb blockade of tunnelling through compressible rings formed around an antidot: an explanation for $h/2e$ Aharonov-Bohm oscillations
我们考虑单电子隧穿通过antidot状态使用库仑阻塞模型，并给出了一个解释h/2 e Aharonov-Bohm振荡，这是实验观察到的最低朗道能级的两个自旋时形成的束缚态。我们表明，边缘通道可能包含可压缩区域，并使用简单的静电，通过外部自旋状态的共振应该发生两次每h/e周期。反点可能是一个强大的工具，用于研究量子霍尔边缘状态，以及量子点中发生的自旋和充电效应的相互作用。
2000-07-25 cond-mat.mes-hall
The quenching of compressible edge states around antidots
我们提供了一个系统的定量描述周围的量子反点在整数量子霍尔制度的边缘态结构。在哈特里近似下对无自旋电子的计算表明，广泛使用的Chklovskii等人的静电描述大大高估了可压缩带的宽度;这些方法之间的差异随着反点尺寸的增加而减小。通过在局域自旋密度近似下的密度泛函理论中引入自旋效应，我们证明了交换相互作用可以抑制可压缩带的形成，并导致自旋向上和自旋向下态之间的空间分离.随着磁场的增加，与自旋下降状态相关的最外面的可压缩带开始形成。然而，与量子线形成鲜明对比的是，最里面的可压缩带（由于自旋向上的状态）永远不会发展为反量子点。
2006-06-29 cond-mat.mes-hall
Correlated transport of FQHE quasiparticles in a double-antidot system
我们计算了具有填充因子$ν=1/(2m+1)$的初级量子霍尔液体的单个准粒子通过两个串联反点系统的隧穿相关的线性电导。在位库仑相互作用模拟了费米排斥，使准粒子动力学类似于隧穿电子的动力学。液体的边缘作为准粒子的水库，也创造了反点之间的隧穿耗散机制。在强耗散区，电导应该呈现出不寻常的共振峰，其宽度正比于准粒子相互作用能$U$。在弱阻尼区，共振电导峰的形状反映了反点的相干隧道耦合。准粒子隧穿速率的Luttinger液体奇点/从液体边缘表现为电导曲线中的一个额外的弱共振结构。
2007-02-26 cond-mat.mes-hall
Electron-electron interactions in antidot-based Aharonov-Bohm interferometers
我们提出了一个微观图片的量子反点在量子霍尔制度考虑电子相互作用。我们讨论了边态结构、能级演化、电荷量子化和线性响应电导随磁场或栅压的变化。特别注意的电导振荡由于Aharonov-Bohm干扰和他们意想不到的周期性。为了解释后者，我们提出了散射的点缺陷和库仑阻塞隧穿的机制。它们得到了Hartree近似下自洽计算的支持，表明在费米能级处的单粒子态的钉扎和相关性以及当反点束缚态减少时的电荷振荡。我们还发现了有趣的反共振反射的Fano型的现象。
2009-05-08 cond-mat.mes-hall
High Magnetic Field Microwave Conductivity of 2D Electrons in an Array of Antidots
我们测量了高磁场（$B$）微波电导率，Re $σ_{xx}$，一个高迁移率的二维电子系统包含反点阵列。Re $σ_{xx}$与频率（$f$）在分数量子霍尔效应系列的区域中强烈增加，Landau填充$1/3<ν<2/3$。在微波$f$下，Re $σ_{xx}$与$B$表现出以$ν=1/2$为中心的宽峰。在峰值上，10 GHz Re $σ_{xx}$可以超过其直流极限值5倍。对于温度$T \gtrsim 0.5$ K，这种增强的微波电导率是不可观察的，并且随着$T$的降低而变得更加明显。这种效应可能是由于反点边缘所支持的激发，但与众所周知的边缘磁等离子体激元不同。
2001-03-06 cond-mat.mes-hall
Tunable tunnel coupling in a double quantum antidot with cotunneling via localized state
本文提出利用局域态作为第三量子反点，通过共隧穿过程实现两个量子反点间可调的隧道耦合，并在朗道能级填充因子ν=2下通过库仑阻塞峰防交叉分析验证了该方案。
2023-08-29 cond-mat.mes-hall
Geometric Suppression of Single-Particle Energy Spacings in Quantum Antidots
量子反点（AD）结构在整数量子霍尔区具有显著的性质，尽管它们是开放的几何结构，但表现出库仑阻塞充电和近藤效应。在某些情况下，一个简单的单粒子（SP）模型就足以描述实验观察，而在其他情况下，相互作用效应显然很重要，尽管相互作用是如何以及为什么出现的还不清楚。我们提出了一个组合的实验数据和新的计算结果，有关SP轨道状态，显示如何观察到的抑制状态之间的能量间隔可以通过充分考虑的AD电位来解释，而不需要任何影响，由于电子相互作用，如形成可压缩区域组成的多个状态，这可能会发生在较高的磁场。充分理解这些效应发生的机制对于设计使用AD共振相干操纵边缘态电子的设备是重要的。
2007-07-09 cond-mat.mes-hall
Artificial Gauge Field and Quantum Spin Hall States in a Conventional Two-dimensional Electron Gas
在Born-Oppemheimer近似下，我们将自旋轨道耦合系统中的总电子哈密顿量分解为慢轨道运动和快带间跃迁过程。我们发现，快速运动诱导规范场慢轨道运动，垂直于电子动量，诱导拓扑相。从这个一般设计原理出发，我们提出了一种在抛物线渐变GaAs/In $_{x}$ Ga $_{1-x}$ As/GaAs量子阱中产生人工规范场和拓扑相的理论。通过调整反点晶格的刻蚀深度和周期，叠加势引起的能带折叠导致了能带的形成和相邻子带之间的能带反转。子带间的自旋轨道相互作用打开了相当大的非平凡的迷你间隙，并导致许多对螺旋边缘状态在这些间隙。
2015-04-24 cond-mat.mes-hall
Quantum computation with quasiparticles of the Fractional Quantum Hall Effect
我们提出了一种方法，使任何子量子计算系统中的antidots在二维电子液体中的EQUIHE制度的实施。该方法基于反点系统中的量子准粒子的绝热转移，并利用它们的分数阶统计来实现量子逻辑。我们的方案相对于其他基于量子计算的方案的优点包括：在抑制退相干的量子液体中的能隙，以及准粒子统计的拓扑性质，使得两个准粒子在没有直接动力学相互作用的情况下纠缠成为可能。
2001-10-10 cond-mat.mes-hall quant-ph
Anyon Exchange Phase from Antidot Interferometry
Institut für Theoretische Physik, Universität Leipzig（莱比锡大学理论物理研究所）
通过非平衡Keldysh方法研究法布里-珀罗干涉仪中的量子反点，发现透射相位在共振时非单调演化，可从相位平台差提取任意子交换相位。
2026-07-14 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Trapping $e/4$ quasiparticles in bilayer graphene
Institute of Physics, École Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL)（洛桑联邦理工学院物理研究所）；International Center for Materials Nanoarchitectonics, National Institute for Materials Science（国家材料科学研究所纳米材料国际中心）；Center for Quantum Science and Engineering (QSE Center), École Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL)（洛桑联邦理工学院量子科学与工程中心）
本研究通过门控反点测量双层石墨烯分母为偶数的FQH态准粒子电荷，观测到$e/4$等电荷，揭示其与非阿贝尔基态兼容，为准粒子局域用于拓扑量子计算提供依据。
2026-08-28 cond-mat.mes-hall
Skyrmion Racetrack memory with an antidot
Skyrmion赛道存储器在未来的非易失性固态器件中具有很大的潜力。一般来说，这样的设备需要电流通过自旋转移矩（STT）效应使skyrmions成核。此外，还需要电流来驱动纳米线器件中的skyrmion。然而，在连续Skyrmion的成核期间施加的电流可能对先前生成的Skyrmion的传播具有不希望的扰动\emph{viz.}焦耳加热和Skyrmion霍尔效应。因此，需要新的方法来解耦skyrmions的产生和传播。在这里，我们提出了一种新的路线，通过微磁模拟产生的skyrmions三角形antidot结构的铁磁纳米轨道使用本地奥斯特场。反点是磁性纳米元件中的孔。可通过调整放置在纳米轨道的任一端的反点的尺寸来实现受控的skyrmion注入。多个skyrmions可以同时产生通过纳入更多数量的antidot。在这里，我们提出了一种新的设计，实现skyrmionic racetrcak内存，其中一个可以单独生成和操纵的纳米轨道内的skyrmion。
2020-08-26 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Quantum Hall nano-interferometer in graphene
量子霍尔边缘态提供了准粒子干涉测量的途径，只要相位相干长度与量子霍尔干涉仪（QHI）尺寸之间的比值足够大。通过缩小QHI面积来最大化这个比率有利于库仑相互作用，削弱了清晰的干扰观测。在这里，我们使用扫描门光谱来探测基于解毒剂的石墨烯纳米QHI中的干涉机制，没有局域态（LS）。一个简单的法布里-珀罗模型，没有库仑相互作用，再现QHI现象，即使在最小的QHI，突出LS的不利作用。
2021-10-15 cond-mat.mes-hall
Electrostatic theory for imaging experiments on local charges in quantum Hall systems
我们使用一个简单的静电处理模型最近的实验量子霍尔系统，在其中充电的局域化状态，除了整数或分数带电准粒子观察。将局域态视为嵌入不可压缩背景中的可压缩量子点或反量子点，我们计算了其附近的静电势作为其电荷的函数，以及其电荷变化的化学势值。结果提供了一个定量的框架分析的意见。
2005-02-12 cond-mat.mes-hall
Impurity Effects and Spin Polarizations in a Narrow Quantum Hall System
窄量子霍尔系统的电子自旋极化的温度依赖性表现出类似于在主要填充因子的二维系统的行为。在最低的半满量子霍尔态，没有二维模拟存在，我们发现一个稳定的自旋部分极化系统。周期性的高斯排斥杂质（反点）在这样的系统中导致新的自旋跃迁在$ν=\frac13$和$ν=\frac12$和对关联函数提供线索的性质不同的基态的系统。这些结果可以在光学光谱学和光泵NMR奈特位移测量中进行探索。
1997-11-17 cond-mat.mes-hall
Selective braiding of different anyons in the even-denominator fractional quantum Hall effect
Weizmann Institute of Science（魏茨曼科学研究所）；National Institute for Materials Science（物质材料研究机构）
本研究通过可调谐干涉仪实现偶数分母量子反磁效应中不同任意子的编织，测量了统计相位并观察到任意子隧穿行为。
2026-03-11 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Screening Model of Magnetotransport Hysteresis Observed in Bilayer Quantum Hall Systems
我们报告的理论和实验研究的一种新的磁滞效应，已观察到的量子霍尔双层系统的磁阻。扩展到这些系统的最近的方法，基于非线性屏蔽理论和局部电导率模型，我们能够解释的滞后是由于屏蔽效应，如“不可压缩的条带”的形成，这阻碍了在量子霍尔制度内的层中的电子密度达到其平衡分布。
2006-07-27 cond-mat.mes-hall
Cotunneling in the ν= 5/2 fractional quantum Hall regime
我们表明，cotunneling在5/2分数量子霍尔制度，使我们能够测试摩尔-阅读波函数，提出了这个制度，并探测分数载流子的性质。我们计算了两个量子霍尔边缘态之间的电子隧道通过一个量子点和准粒子与分数电荷e/4和e/2隧道通过一个antidot的共隧穿电流。虽然电子cotunneling被强烈抑制，准粒子隧穿显示的摩尔-里德状态的特征签名。为了比较，我们还考虑了Laughlin态之间的共隧穿，发现在填充因子为1/3时，Moore-Read态和Laughlin态之间的电子输运具有相同的电压依赖性.
2012-12-13 cond-mat.mes-hall
Emission of entangled Kramers pairs from a helical mesoscopic capacitor
在整数量子霍尔系统中实现单电子源，为探索固态器件中的电子量子光学实验铺平了道路。在这项工作中，我们描述了一个单一的Kramers对发射器实现的驱动antidot嵌入在一个二维的拓扑绝缘体，自旋动量锁定边缘状态可以用来产生纠缠。与先前的提议相反，反点耦合到量子自旋霍尔棒的两个边缘，从而使这个介观电容器能够发射纠缠的双电子态。我们研究的并发$\mathcal{C}$的发射状态和效率$\mathcal{F}$的发射作为不同的自旋保持和自旋翻转隧道耦合的反点的边缘的函数。我们发现，即使对于最大纠缠态（$\mathcal{C}=1$），效率仍然很高（$\mathcal{F}\geq 50\%$）。我们还讨论了如何通过噪声测量和违反Clauser-Horne-Shimony-Holt不等式来探测纠缠。
2016-07-29 cond-mat.mes-hall cond-mat.stat-mech
Nonlinear Thomas-Fermi-Poisson theory of screening for a Hall bar under strong magnetic fields
用自洽方法研究了霍尔棒中非均匀二维电子气在强垂直磁场作用下的低温屏蔽特性。一个外部振荡调制电位的回旋能量的顺序的振幅被添加到电子限制的背景电位，和由此产生的变化的自洽电位的调制强度，磁场，和温度的函数进行了研究。朗道水平钉扎和可压缩和不可压缩区域的相互作用所产生的强烈的非线性屏蔽现象的后果进行了解释。
2003-01-17 cond-mat.mes-hall
