Impedance measurements have been performed on a sintered polycrystalline sample of the perovskite LaBiMn4/3Co2/3O6. Colossal dielectric permittivity often is measured in this class of semiconducting materials as a result of extrinsic factors. Our results show that a large offset in the capacitance, measured on a series of samples with different thickness, is due to the interfacial polarization. This contribution then can be removed from the data, creating a general procedure for dielectric measurements in semiconducting samples.
Dielectric/semiconductor interfacial doping to develop solution processed high performance 1 V ambipolar oxide-transistor and its application as CMOS inverter
Effect of Interfacial Defects on the Electronic Properties of MoS$_2$ Based Lateral T-H Heterophase Junctions
MoS $_{2}$单分子膜的半导体（2 H）和金属（1 T）相的共存进一步推动了它们在基于二维横向异质结的下一代电子器件中的强大应用潜力。结构缺陷对这些2D器件的性能有相当大的影响。特别地，两相的界面通常是不完美的，并且可能包含由相工程技术（例如，在电子束下）产生的许多空位。本文利用第一性原理计算和非平衡格林函数方法研究了点缺陷存在下异质结的输运行为。虽然半导体MoS $_{2}$中的空位充当散射中心，但它们在界面处的存在改善了载流子的流动。在$V_{Mo}$的情况下，与理想器件相比，电流增加了两个数量级。T-H界面电子密度的变化为电子传导开辟了新的传输通道，从而解释了透射率的增强。
Defect Structure of the High-Dielectric-Constant Perovskite Cacu3ti4o12
使用透射电子显微镜（TEM），我们研究了CaCu 3 Ti4 O 12，一个有趣的材料，表现出巨大的介电响应，高达千赫兹的频率，在很宽的温度范围内。无论是在单晶，也不是在多晶样品，包括烧结散装和薄膜，我们没有观察到的孪晶畴在文献中建议。然而，在单晶中，我们看到了非常高密度的位错，其Burger矢量为[110]，以及具有阳离子无序和平面缺陷的区域，其位移矢量为1/4[110]。在多晶样品中，与晶粒内部相比，我们观察到许多晶界缺氧。缺陷相关的结构紊乱和不均匀性，作为一个内部的势垒层电容（IBLC）在半导体矩阵，可以解释非常大的介电响应的材料。我们在CaCu 3 Ti4 O 12的结构缺陷的TEM研究支持最近提出的形态学模型，与分隔导电区域和阻塞区域。
Tuning the Coercive Field in Ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2-Al2O3 Heterostructures via Interfacial Charge Dynamics
School of Materials Science and Engineering, Georgia Institute of Technology（佐治亚理工学院材料科学与工程学系）；School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology（佐治亚理工学院电气与计算机工程学系）；Center for Nanophase Materials Sciences, Oak Ridge National Laboratory（橡树岭国家实验室纳米相材料科学中心）；The Institute for Matter and Systems, Georgia Institute of Technology（佐治亚理工学院物质系统研究所）
Plasma-enhanced atomic layer deposition of Al$_2$O$_3$ on graphene using monolayer hBN as interfacial layer
在石墨烯上沉积介电材料是释放石墨烯在电子应用中潜力的瓶颈之一。在本文中，我们展示了等离子体增强原子层沉积的10 nm薄的高品质的Al $_2$ O $_3$石墨烯使用单层的hBN作为保护层。进行拉曼光谱以分析由等离子体沉积引起的石墨烯晶格的可能的结构变化。结果表明，hBN单层结合优化的沉积工艺可以有效地保护石墨烯免受损伤，而在没有hBN层的情况下观察到显著的损伤。双栅极石墨烯场效应器件的电特性证实了石墨烯在Al $_2$ O $_3$的等离子体沉积期间没有降解。对于高达8 MV/cm的绝缘体上的电场，泄漏电流密度始终低于1 nA/mm，并且不可逆击穿发生在上面。这样的击穿电场对于Al $_2$ O $_3$是典型的，并且可以被看作是高质量介电膜的指标。
