Electromagnetic properties of thin metallic films
我们计算了在薄导电膜（如金属栅或二维电子气）附近由倏逝波约翰逊噪声引起的电磁涨落。这种噪声可以使附近的量子位退相干，它也是卡西米尔力的原因。我们已经改进了以前的计算，包括非局部介电响应的薄膜，这是一个重要的修正，在短距离。值得注意的是，负责电荷量子位从薄膜的退相干的波动大大增强的情况下，一个导电的半空间。通过减小薄膜厚度，退相干时间可以减少一个数量级以上。这似乎是由于泄漏到真空中的模式，以及在垂直方向上的本地化。对于自旋量子比特（磁场波动）没有相应的影响。我们还表明，一个非局部介电函数自然地消除了发散的Casimir力消失分离两个金属片或半空间。在分离制度的地方，一个本地和非本地的治疗是明显不同的，两个薄片和两个半空间之间的卡西米尔吸引力实际上是无法区分的任何物理膜厚度。
2013-10-08 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Casimir pressure in peptide films on metallic substrates: Change of sign via graphene coating
我们发现，在金属基底上沉积的肽膜的Casimir压力总是排斥的，这使得这些薄膜不稳定。结果表明，通过在肽膜的顶部添加石墨烯片，可以通过使其具有吸引力来改变卡西米尔压力的符号。为了这个目的，Lifshitz理论的形式主义被扩展到的情况下，当薄膜和衬底材料被描述的频率依赖的介电常数，而石墨烯的电磁场的响应是由在狄拉克模型的框架中发现的（2+1）维时空中的极化张量。原始石墨烯片和带隙石墨烯片以及掺杂石墨烯片都被认为具有一些非零能隙和化学势。根据我们的结果，在所有情况下，石墨烯片的存在使得沉积在金属基底上的肽膜中的卡西米尔压力从某个最小膜厚度开始具有吸引力。该最小厚度值随化学势的增大而减小，随能隙的增大和肽膜中水含量的增加而增大。给出了这些结果的物理解释，并讨论了它们在有机电子学中的可能应用。
2021-06-11 cond-mat.mes-hall quant-ph
Anomalous Casimir effect in axion electrodynamics
研究了轴子电动力学中的Casimir效应。如果$θ$是时间和/或空间相关的，则有限的$θ$项影响光子的能量色散关系。我们专注于一个特殊的情况下，线性非均匀$θ$沿$z$轴。然后，我们证明了Casimir力垂直于$z$轴的两个平行板之间可以是吸引力或排斥力，依赖于$θ$的梯度。我们把这种由非均匀$θ$引起的Casimir力中的排斥分量称为反常Casimir效应。
2019-08-08 cond-mat.mes-hall hep-ph hep-th
Anisotropic contribution to the van der Waals and the Casimir-Polder energies for CO$_2$ and CH$_4$ molecules near surfaces and thin films
为了理解为什么二氧化碳（CO $_2$）和甲烷（CH $_4$）分子与表面的相互作用不同，我们调查的Casimir-Polder能量的线性极化CO $_2$分子和各向同性极化CH $_4$分子前面的原子级薄的金膜和无定形二氧化硅板。我们定量分析了分子极化率的各向异性如何影响分子结合能的范德华贡献。
2015-06-04 cond-mat.mes-hall physics.chem-ph
Attractive and repulsive fluctuation-induced pressure in peptide films deposited on semiconductor substrates
我们考虑了在GaAs、Ge和ZnS衬底上沉积的肽薄膜中的涨落诱导（Casimir）压力，这些衬底是介电态或金属态的。Casimir压力的计算是在基本Lifshitz理论的框架内进行的，采用所有相关材料的频率依赖的介电常数。半导体衬底的导电性被考虑在内的实验和物理一致的方法。根据我们的结果，Casimir压力在一定的薄膜厚度的肽薄膜沉积在介电型半导体衬底上为零，是排斥较薄的和较厚的膜吸引。这种效果上的水在膜中的分数和半导体衬底上的静态介电常数的依赖性被确定。对于金属型半导体衬底，肽涂层中的Casimir压力被证明总是排斥的。这些结果的可能应用的问题，在微器件中的薄涂层的稳定性进行了讨论。
2022-12-14 cond-mat.mes-hall
Suspended graphene films and their Casimir interaction with ideal conductor
采用Dirac模型计算了平面悬浮石墨烯样品与平行平面理想导体之间的Casimir相互作用能。我们采用量子场论（QFT）的方法，和Lifshitz公式的推广。结果表明，第一种方法的耦合常数比第二种方法的大。该系统的Casimir相互作用似乎相当弱，但实验上可测量。它表现出很强的依赖于石墨烯中的准粒子的质量。
2009-10-10 cond-mat.mes-hall hep-th quant-ph
Effect of increased stability of peptide-based coatings in the Casimir regime via nanoparticle doping
我们发现，由于电磁涨落的作用，掺杂金属纳米颗粒的肽薄膜和涂层更稳定。结果表明，对于掺杂的自支撑真空肽膜的Casimir吸引力变得更大的幅度。对于涂覆有肽膜的介电基板，纳米颗粒掺杂导致更宽范围的膜厚度，其中卡西米尔压力是有吸引力的，并且在极值点处导致更大的压力幅度。用磁性纳米颗粒掺杂肽涂层保留了三聚体酮的所有优点，同时赋予涂层超顺磁性，这可以显着扩展生物电子学的应用领域。
2020-10-27 cond-mat.mes-hall quant-ph
Magnonic Casimir Effect in Ferrimagnets
量子涨落是量子力学的核心概念。在空间边界条件下，量子场的量子涨落会引起能量零点的移动。这种被称为卡西米尔效应的量子现象，已经吸引了许多超越能量尺度层次的关注，从基本粒子物理学到凝聚态物理以及光子学。然而，Casimir效应在自旋电子学中的应用还没有得到足够的研究，特别是亚铁磁薄膜，尽管钇铁石榴石（YIG）是自旋电子学的最佳平台之一。我们在这里填补这个空白。利用晶格场论研究了绝缘磁体中磁振子的量子场诱导Casimir效应，发现不仅在反铁磁体中，而且在包括YIG薄膜在内的亚铁磁体中也能产生磁振子Casimir效应。我们的研究结果表明，YIG，基于磁振子的自旋电子学的关键成分，也可以作为一个有前途的平台，操纵和利用卡西米尔效应，称为卡西米尔工程。微加工技术可以控制薄膜的厚度，实现磁共振卡西米尔效应的操控。因此，我们铺平了道路的磁卡西米尔工程。
2023-03-01 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
The van der Waals and Casimir energy of anisotropic atomically thin metallic films
我们讨论的范德瓦尔斯（Casimir）自由能和压力的薄金属膜，从一个到十五个原子层组成，在其介电性能的各向异性。这两个独立的膜和膜沉积在介质基板上被认为是。计算是针对Au膜和蓝宝石衬底进行的。根据我们的研究结果，对于由一个和三个原子层组成的独立的Au膜的各向同性（体）介电常数的使用所产生的各自的相对误差是等于73%和37%的范德华能量，和70%和35%的压力。我们列出的能量和压力的范德瓦尔斯系数计算的薄Au膜的各向异性帐户。结果表明，Au的体介电常数可用于由30个以上原子层组成的膜，即，厚度大于约7nm。相对论效应的作用也进行了研究，并表明是重要的，即使是由两个或三个层的薄膜。所得结果可应用于薄膜稳定性的研究和新型纳米器件的开发。
2015-11-14 cond-mat.mes-hall cond-mat.other quant-ph
Efficient Reduction of Casimir Forces by Self-assembled Bio-molecular Thin Films
本研究实验发现自组装生物分子薄膜可将平板与球体间的 Casimir 力减小达14%，并通过 Lifshitz 理论验证其机制，为解决 MEMS 微型化中的粘附问题提供了新途径。
2023-06-28 cond-mat.mes-hall quant-ph
Anomalous Nernst Effects of [CoSiB/Pt] Multilayer Films
本文报道了在具有垂直磁各向异性的[CoSiB/Pt]多层膜中由温度梯度引起的反常能斯特效应的测量结果。能斯特电压显示出一个特征磁滞，它反映了在异常霍尔效应的情况下的膜的磁化。与局部加热的几何形状，我们还测量的异常能斯特电压的依赖性上的距离d从加热元件。它大致与1/d^1.3成比例，可以从热方程中沿着样品的预期温度梯度来计算。
2013-08-26 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Anomalous conductivity dependence of plasticized PVC for different modificator "A" concentrations and film thicknesses
实验研究了增塑PVC膜的电导率与增塑剂A质量分数和膜厚的关系。电导率对增塑剂浓度的非单调依赖关系和膜电阻对膜厚度的强非线性依赖关系被发现.模型的建设描述所收到的结果的可能性被显示和讨论。
2011-03-30 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Surface alignment disorder and pseudo-Casimir forces in smectic-A liquid crystalline films
在近晶-A液晶膜的表面锚定中的随机（无序）组分通常修改热伪Casimir相互作用。淬火型的退火无序通常与热赝卡西米尔力解耦，并产生额外的无序生成的相互作用，与退火无序不同，退火无序对赝卡西米尔力的影响是非加性的。我们认为表面锚定无序的影响，通过假设膜的基板之一是由无序源污染，导致在该基板上的优选分子锚定取向（易轴）的高斯加权分布，具有有限的平均值和方差，或更一般地说，一个均匀的面内，两点关联函数。我们表明，存在的障碍，无论是淬火或退火类型，导致一个显着减少的净热波动力的大小之间的限制基板的膜。在淬火的情况下，这是一个直接后果的附加自由能依赖于方差的障碍，而在退火的情况下，抑制的相互作用力可以理解的基础上的障碍重整化，有效的锚定强度。
2019-09-17 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall cond-mat.soft
Searching for the Casimir Energy
在这篇文章中，我们提出了一个纳米机电系统（NEMS），旨在检测卡西米尔能量的变化。卡西米尔效应是电磁真空中出现量子涨落的结果。以前的实验使用纳米或微米级平行板电容器，通过测量这些波动在两个表面之间施加的微小吸引力来检测卡西米尔力。在这组新的实验中，我们的目标是直接检测真空中由于金属平行板（其中之一是超导体）的存在而导致的Casimir $\textit{energy}$的位移。这种结构的卡西米尔能量的变化被预测为改变超导转变温度（T $_\textrm{c}$），因为它和超导凝聚能之间的相互作用。我们讨论的实验包括取一个超导薄膜，仔细测量它的转变温度，把一个导电板靠近薄膜，创造一个卡西米尔腔，然后再次测量转变温度。预期的偏移将很小，与在循环超导薄膜到低温温度时看到的正常偏移相当，因此使用NEMS谐振器并在原位进行此操作是获得准确，可重复数据的唯一实用方法。使用薄的Pb膜和相对的Au表面，我们观察到T $_\textrm{c}$的偏移不大于12 $μ$ K，最小间距约为70 nm。
2020-04-28 cond-mat.mes-hall physics.app-ph
Anomalous quantum transport in a thin film
我们提出了一个电子输运的薄膜中的不同的无序强度与距离其表面的数值研究。一个简单的紧束缚模型被用来描述的系统，其中的膜是连接到两个金属电极和耦合的电极，这一膜的Newns-Anderson化学吸附理论说明。有趣的是，我们观察到，在平滑变化的无序薄膜电流的振幅增加与无序强度的增加在强无序制度，而在弱无序制度减少。这一行为与传统无序薄膜中电流幅值总是随无序强度的增加而减小的现象完全相反。
2009-01-04 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
2+1 dimensional Fermions on the low-buckled honey-comb structured lattice plane and classical Casimir-Polder force
本文在Klimchitskaya-Mostepanenko理论的基础上计算了微粒子与薄片的Casimir-Polder相互作用。我们发现，对于非平凡的磁化率值的片材和微粒子，有吸引和排斥行为之间的交叉。转变仅取决于阻抗，涉及磁导率和介电常数，除了膜厚度和微粒分离的比率（D/d）和温度。计算具有硅烯片的微粒的CPI的方法涉及将样品的介电常数替换为使用极化函数的表达式获得的静态介电函数。硅烯用低能Liu-Yao-Feng-Ezawa（LYFE）模型哈密顿量来描述，其中Dirac矩阵在服从Clifford代数的手征表象中，我们发现在零掺杂时的集体电荷激发，在该系统中，在狄拉克极限中不存在固有等离子体激元。在特征频率接近10 THz的大质量Dirac粒子中，产生了谷自旋分裂的本征等离子体激元。此外，在硅烯中存在纵向电场诱导的拓扑绝缘体（TI）到自旋谷极化金属（SVPM）的相变，也称为拓扑相变（TPT）。低能SVP载流子在TPT具有接近布里渊区两个节点的无隙（无质量）和有隙（有质量）能谱，具有最大自旋极化。我们发现，Casimir-Polder力的大小在一个给定的比例的薄膜厚度和之间的微粒和薄膜的分离是在TPT大于在拓扑绝缘体和平凡绝缘体相。
2016-07-10 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
On the Casimir effect between superconductors
最近的一个实验[R。A. Norte等人，Phys. Rev. Lett. { \bf 121}，030405（2018）]探测了两个紧密间隔的薄Al膜之间的卡西米尔力的变化，当它们转变成超导状态时，观察到零结果。我们在这里提出的超导体的Casimir效应的计算，基于Mattis-Barclay公式的光学响应。我们表明，在实验中使用的铝腔的过渡的影响是超过250倍小于实验灵敏度，与观察到的零结果一致。我们证明了一个大的增强效果可以通过使用由Au镜和超导NbTiN膜组成的腔来实现。我们估计，超导转变的效果将是可观察到的建议Au-NbTiN配置，如果设备的灵敏度可以增加一个数量级。
2019-02-25 cond-mat.mes-hall quant-ph
Large anomalous Nernst effect in thin films of the Weyl semimetal Co2MnGa
Heusler化合物薄膜的磁热电性能是多种多样的。本文讨论了$_2$-MnGa薄膜的反常能斯特响应。我们系统地研究了反常能斯特系数随温度的变化，发现与反常霍尔效应不同，Co $_2$ MnGa的反常能斯特效应随温度变化很大.我们利用片上测温技术来量化的热梯度，这使我们能够直接评估异常能斯特系数。我们将这些结果与参考CoFeB薄膜进行比较。我们发现，50 nm厚的Co $_2$ MnGa薄膜在300 K时表现出-2 $μ$ V/K的大的反常能斯特效应，而10 nm厚的Co $_2$ MnGa薄膜尽管具有相似的体积磁化强度，但表现出明显较小的反常能斯特系数。这些结果表明，Co $_2$ MnGa中反常能斯特效应的微观起源是复杂的，可能包含斜散射、侧跳或本征Berry相的贡献.在任何情况下，大的反常能斯特系数的Co $_2$ MnGa薄膜在室温下，使这种材料系统是一个非常有前途的候选人，有效的自旋热电子器件。
2018-07-17 cond-mat.mes-hall
Quantum Anomalous Hall Effect in Perfectly Compensated Collinear Antiferromagnetic Thin Films
我们发现，量子反常霍尔效应几乎总是发生在磁性拓扑绝缘体薄膜的顶部和底部表面层的磁化是平行的，独立的内层磁化配置。使用这个标准，我们确定的结构，有一个量子异常霍尔效应，即使他们有共线的磁性结构，没有净磁化，并讨论实现这些有趣的磁性状态的实验策略。
2021-10-02 cond-mat.mes-hall
Anomaly in anomalous Nernst effect at low temperature for C1b-type NiMnSb half-Heusler alloy thin film
在MgO（001）衬底上沉积的C1b型NiMnSb半Heusler合金薄膜中观察到反常能斯特效应（ANE）的反常现象。能斯特角（θANE）随温度的降低出现最大值，在80 K时达到0.15，这可能是由于NiMnSb在低温下发生了半金属向正常铁磁体的转变。这种异常也被观察到的传输特性，即，在相同的温度范围内的电阻率和异常霍尔电阻率。
2018-11-09 cond-mat.mes-hall
Gate-Tunable Quantum Anomalous Hall Effects in MnBi$_2$Te$_4$ Thin Films
量子反常霍尔（QAH）效应最近在MnBi $_4$ $_2$ Te等本征磁性拓扑绝缘体（IMTI）的薄膜中实现。在这里，我们指出，这些IMTI的QAH间隙可以被优化，并且轴子绝缘体/半金属和陈绝缘体/半金属跃迁可以由$\sim 10$ meV/nm尺度上的电栅极场驱动。这种效应可以用简化的多层薄膜耦合狄拉克锥模型和薛定谔-泊松自洽场方程来描述。
2021-01-18 cond-mat.mes-hall
Observation of large intrinsic anomalous Hall conductivity in polycrystalline Mn$_3$Sn films
本研究在镀Pt的Al₂O₃衬底上制备的Mn₃Sn多晶薄膜中观测到高值反常霍尔电导率，分析了其磁滞、电阻率随温度的变化及负磁阻特性，为相关自旋电子学研究提供了实验基础。
2023-07-19 cond-mat.mes-hall
Transverse spin Seebeck vs. Anomalous and Planar Nernst Effects in Permalloy Thin Films
研究了生长在MgO和GaAs衬底上的坡莫合金薄膜的横向磁热电效应，并与生长在悬浮SiN膜上的薄膜进行了比较。测量沿坡莫合金膜顶部图案化的铂条的横向电压与外部磁场的关系，作为角度和温度梯度的函数。在确定了平面能斯特效应和反常能斯特效应的贡献后，我们发现了横向自旋Seebeck效应的上限，它比以前报道的小了几个数量级。
2013-10-15 cond-mat.mes-hall
Quantum Anomalous Hall Effect in Three-dimensional Topological Insulator/Thin-film Ferromagnetic Metal Bilayer Structure
我们从理论上证明了三维拓扑绝缘体（TI）/薄膜铁磁金属（FMM）双层结构是一种具有宽禁带的量子反常霍尔（QAH）绝缘体.通过对本征态的能带结构和权重分布的研究，我们证明了在3DTI上附加金属薄膜可以使原Dirac点附近的能带杂化，从而使拓扑非平凡态转移到金属层中.通过在薄膜层中引入磁交换相互作用，我们计算了双层结构的反常霍尔电导率和磁各向异性，表明比通常的材料，如3DTI和3DTI/铁磁绝缘体异质结构的磁掺杂薄膜，更宽的间隙实现QAH效应的出现。结果表明，3DTI/薄膜FMM双层结构即使在室温下也能实现QAH效应，这将为其他奇异拓扑量子现象的实验实现铺平道路.
2021-04-09 cond-mat.mes-hall
Field-effect Modulation of Anomalous Hall Effect in Diluted Ferromagnetic Topological Insulator Epitaxial Films
采用分子束外延技术在热处理过的SrTiO 3（111）衬底上生长了高质量的Cr掺杂三维拓扑绝缘体（TI）Sb 2 Te 3薄膜。我们报告说，狄拉克表面状态是不敏感的Cr掺杂，和一个完美的鲁棒性的长程铁磁秩序被揭开在外延Sb 2-xCrxTe 3薄膜。与传统稀磁半导体（DMS）中的铁磁性相反，通过施加底栅来调制异常霍尔效应，这里的磁势场不随载流子密度的降低而显著改变。非载流子依赖的铁磁性预示着Sb_（2-x）Cr_xTe_3薄膜是实现量子反常霍尔效应的基础候选材料。这些结果也表明了在未来TI基磁电子学和自旋电子学中控制反常霍尔电压的潜力。
2015-09-22 cond-mat.mes-hall
Anomalous electronic heat capacity of copper nanowires at sub-kelvin temperatures
我们已经测量了电子热容的薄膜纳米线的铜和银在0.1 - 0.3 K的温度下，通过标准的电子束蒸发沉积的膜。亚100 nm厚度的Ag膜的比热与体值和自由电子估计一致，而类似的Cu膜的比热超过相应的参考值一个数量级。铜膜的高热容的原因目前还不清楚。基于低热容量和在其上设计隧道探针温度计的可能性，Ag膜形成有前途的吸收材料，例如，用于微波光子量热法。
2018-02-28 cond-mat.mes-hall
Visualization of Anomalous Ettingshausen Effect in a Ferromagnetic Film: Direct Evidence of Different Symmetry from Spin Peltier Effect
利用锁相热成像技术，研究了铁磁FePt薄膜在面内和面外磁化时，由于反常艾丁斯豪森效应（AEE）引起的温度调制的空间分布.将FePt的AEE与Pt /钇铁石榴石结的自旋Peltier效应（SPE）进行比较，提供了AEE和SPE不同对称性的直接证据。我们的实验和数值计算表明，AEE引起的热源分布强烈依赖于磁化方向，导致FePt薄膜在面内和垂直磁化配置之间的显着不同的温度分布。
2017-09-16 cond-mat.mes-hall
Thickness dependence of the anomalous Nernst effect and the Mott relation of Weyl-semimetal Co2MnGa thin films
我们报告了一个强大的异常能斯特效应在Co2 MnGa薄膜的厚度范围为20和50 nm之间。在300 K时，反常能斯特系数在-2.0 ~-3.0uV/K范围内变化。我们证明，反常霍尔和能斯特系数表现出类似的行为，并满足莫特关系。我们同时测量了纵向电阻率、横向电阻率、塞贝克系数和异常能斯特系数的所有四个输运系数。我们连接的测量值和计算的能斯特电导率通过使用剩余的三个磁热输运系数，莫特关系仍然有效。由于纵向输运和横向输运之间的关系，内禀Berry曲率在输运中起主导作用。因此，我们得出结论，莫特关系是适用于描述的磁热电输运在Weyl半金属Co2 MnGa作为膜厚度的函数。
2020-04-07 cond-mat.mes-hall
Anomalous Hall-like transverse magnetoresistance in Au thin films on Y$_3$Fe$_5$O$_{12}$
铂与磁性绝缘体接触时的异常霍尔信号是常见的观测结果，可以用邻近磁化或自旋霍尔磁阻来解释。在这项工作中，纵向和横向的磁阻测量的纯金薄膜上的亚铁磁绝缘体Y $_3$ Fe $_5$ O $_{12}$（钇铁石榴石，YIG）。我们发现，无论是纵向和横向的磁阻有定量一致的缩放YIG/Au和YIG/Pt参考系时，应用自旋霍尔磁阻框架。由于磁邻近效应而引起的反常霍尔效应的贡献是不明显的。
2018-11-14 cond-mat.mes-hall
Quantum Anomalous Hall Effect of Magnetic Topological Insulator Thin Films by Phase Boundary Engineering
在考虑磁拓扑绝缘体（TI）自旋耦合的情况下，将TI薄膜的拓扑相图推广到包含面外（OP）和面内（IP）交换场的扩展参数空间中.结果表明，激电场可使相界发生变形，并普遍诱发量子反常霍尔效应。对于对称自旋耦合，极弱的OP和IP交换场通过用栅极偏置调谐SIA来创建QAH状态。对于反对称耦合，没有足够强的IP场，QAH相不存在。这些研究结果表明，在薄膜制度，工程相边界是一个关键的过程，有效地实现和操纵QAH效应的非耗散电子应用。
2015-09-02 cond-mat.mes-hall
Anomalous optical transmission through a vortex lattice in a film of type-II superconductor
研究了强磁场作用下第二类超导薄膜中涡旋阵列的反常光透射效应。这种效应的机制是系统中两个表面等离子体激元（SPP）之间的共振传输。研究了系统中SPP带隙随磁场和温度的变化。通过改变磁场和/或温度的传输控制进行了分析。
2007-09-14 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Quantum Anomalous Parity Hall Effect in Magnetically Disordered Topological Insulator Films
在磁掺杂薄膜拓扑绝缘体中，排列磁矩产生支持单个手征边缘态的量子反常霍尔相位。我们表明，作为系统退磁，无序随机取向的磁矩可以产生一个“量子反常宇称霍尔”相位与\emph{helical}边缘模式保护的酉反射对称性。我们进一步表明，引入超导性，结合选择性的反射对称性的门，允许创建和操纵的马约拉纳零模式，通过纯电气手段和零施加磁场。
2019-07-27 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall
Strong thermal and electrostatic manipulation of the Casimir force in graphene multilayers
我们表明，石墨烯介电多层膜引起了一个不寻常的可调谐的Casimir-Lifshitz力，并允许轻松地实现完全不同的制度在同一结构。关于热效应，石墨烯-介电多层膜利用了对于孤立的悬浮石墨烯片预测的异常特征，即使它们受到介电衬底的存在的相当大的影响。它们还可以通过增加石墨烯片密度和它们的费米能来实现反常的非单调热金属行为。除了在短间隔处发生的强热调制之外，在力比在大距离处发生的力大几个数量级的区域中，还可以通过改变石墨烯层的数量以及它们的费米能级来调节力，从而允许通过简单地施加电势来非常快速地和原位地调谐相关的力放大。我们的预测可以是相关的Casimir实验和微/纳机电系统和新设备的技术应用。
2017-02-28 cond-mat.mes-hall physics.optics quant-ph
Giant Casimir effect in fluids in non-equilibrium steady states
本文考虑了在具有温度梯度的流体中，两个相距$L$的平板之间的涨落诱导力。我们预测，对于一系列的距离$L$，这种非平衡力是非常大的相比，其他卡西米尔力。其物理原因是，非平衡流体中的相关性通常比其他相关性，甚至比平衡临界点附近的相关性具有更长的范围。这种巨大的卡西米尔力与发散的伯内特系数有关，伯内特系数表征了压力和温度梯度之间的昂萨格交叉效应。预测的卡西米尔力应该可以用现有的实验技术检测到。
2013-06-12 cond-mat.mes-hall cond-mat.stat-mech
Anomalous interaction between vortices and nanomagnets
我们研究了一个由超导薄膜和磁性薄膜组成的薄膜系统，其中超导薄膜中含有一个涡旋，磁性薄膜中含有一个纳米磁体。我们发现，如果磁性薄膜具有平面各向异性，涡流诱导的磁化分布，其与纳米磁体的相互作用跨越从吸引到排斥在短距离。
2004-05-29 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Dissipationless Anomalous Hall Current in $Fe_{100-x}(SiO_2)_x$ Films
无耗散反常霍尔电流的观测是证实反常霍尔效应内在起源的实验证据之一。为了研究铁中反常霍尔效应的起源，采用共溅射法制备了Fe $_{100-x}$（SiO $_{2}$）$_{x}$颗粒膜，其体积分数为SiO $_{2}$ 0 \le x \le 40.51.霍尔和纵向磁电阻测量温度范围5至350 K的磁场高达5特斯拉。当x从0增加到40.51时，异常霍尔电阻率和纵向电阻率分别增加约4和3个数量级。分析结果表明，所有样品的归一化反常霍尔电导率都是一个常数，这是铁中存在无耗散反常霍尔电流的证据。
2010-04-13 cond-mat.mes-hall cond-mat.other
Phases found at grain boundary of YBa2Cu3O7-d 50 nm films on SrTiO3 by enhanced anomalous scattering at O:K, Cu:L2,3 and Ba:M4,5 edges
用增强的（001）反常散射方法，在SrTiO_3衬底上YBa_2Cu_3 O_7-d 50 nm薄膜中，在24 ° ab晶界（GB）100 μ m范围内发现了一个新相。网站识别和温度依赖性解释使用晶体学的重量，以区分增强散射总电子产率和荧光光谱。c轴，c 0表示仅邻位I相存在于远离GB处，邻位I相和II相都存在于GB附近。在向超导性转变的过程中，相位c 0相对于温度是恒定的。
2005-09-30 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Repulsive Casimir force between Weyl semimetals
外尔半金属是一类由于时间反演对称性破缺而表现出体霍尔效应的拓扑材料。我们证明了在理想半无限情形下，两个相同的Weyl半金属之间的Casimir力在短程是排斥的，在长程是吸引的。考虑有限厚度的板，我们可以减小长程吸引力的大小，甚至当足够薄时，使其对所有距离都是排斥的。在薄膜的限制，我们研究了一个有吸引力的卡西米尔力在较短的距离，由于纵向导电性的外观。磁场、厚度和化学势为这种效应提供了可调的节点，控制着卡西米尔力：它是吸引力还是排斥力、效应的大小、陷阱和反陷阱的位置和存在。
2015-06-01 cond-mat.mes-hall quant-ph
