Symmetry Violation in a Superconducting Film with a Square Array of Ferromagnetic Dots
本文研究了覆盖有规则正方形垂直磁化磁点阵列的超导薄膜的平衡态。这些点在它们正下方的薄膜中诱导出涡流，并在点之间诱导出反涡流。我们发现，对称性的点阵自发违反的旋涡。涡旋和反涡旋的位置取决于点的磁化强度和大小。
2002-11-06 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Current sharing between superconducting film and normal metal
介绍了一个二维模型，该模型描述了典型的YBCO涂层导体的配置中的超导层和正常金属层之间的电流共享。该模型用于比较环绕稳定器和更传统的单侧稳定器的有效性。当超导体和稳定剂之间的界面的电阻足够低时，环绕稳定剂在稳定超导膜中的毛细裂纹方面不如单侧稳定剂有效。
2007-03-07 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Structural transitions in superconducting NbTiN thin films
本研究通过分析掠射角X射线衍射图谱，考察了反应磁控溅射沉积的NbTiN薄膜在不同氮气分压下的结构相变，发现其超导转变温度与晶体结构相关，高度结晶的FCC相获得了14.26 K的最高T_C。
2023-11-23 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Preparation and Characterization of High-Entropy Alloy (TaNb)$_{1-x}$(ZrHfTi)$_x$ Superconducting Films
本文报道了（TaNb）_1-x（ZrHfTi）_x高熵合金超导薄膜的制备和物理性质。薄膜采用磁控溅射法在室温下制备，x = 0 ~ 1，平均厚度为600 ~ 950 nm。所有的薄膜结晶在一个伪体心立方（BCC）结构。对于x < 0.65的样品，正常状态下的性质是金属性的，而对于x > 0.65的薄膜是弱绝缘的。从金属到弱绝缘的转变发生在接近等摩尔化学计量。我们发现所有的薄膜，除了x = 0或1，成为超导在低温下，我们解释其超导性质的巴丁库珀施里弗（BCS）框架内。当x = 0.43时，固溶体的最高转变温度Tc = 6.9K。在近等摩尔比x = 0.65时，最大上临界场B_c2（0）= 11.05T，此时混合熵最大。所有的膜从运输测量导出的超导参数被发现是接近那些报道的非晶超导体。我们的研究结果表明，这些薄膜的高熵合金是有前途的候选人超导器件的制造。
2020-02-20 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Magnetization Controlled Superconductivity in a Film with Magnetic Dots
我们考虑一个超导薄膜，在薄膜上放置磁点阵列（MDA），假设这些磁点的磁矩垂直于薄膜，并且足够强以在超导薄膜中产生涡旋。点之间的磁相互作用可以忽略不计。在零磁场中，当薄膜的超导转变温度低于超导转变温度时，随机磁化点的MDA使薄膜产生电阻态。特别地，在有限的磁场中，含有MDA的膜是可逆的。
1998-02-25 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Molecular Beam Epitaxy Growth of Superconducting LiFeAs Film on SrTiO3(001) Substrate
化学计量比为“111”的铁基超导体LiFeAs近年来引起了人们极大的研究兴趣。首次采用分子束外延（MBE）方法在SrTiO 3（001）衬底上成功生长了LiFeAs薄膜，并利用反射高能电子衍射（RHEED）和低温扫描隧道显微镜（LT-STM）研究了LiFeAs薄膜的界面生长行为。研究了衬底温度和Li/Fe比对薄膜性能的影响。形成了厚度为3个五层（QL）的均匀LiFeAs薄膜。在4.7 K下，厚度大于4 QL的LiFeAs薄膜出现了超导能隙。当薄膜厚度大于13 QL时，由相干峰间距离确定的超导能隙约为7 meV，接近体材料的值。对LiFeAs厚膜的非原位输运测量表明，在16 K附近存在一个明显的超导转变.由温度相关的磁电阻估算了上临界磁场Hc 2（0）= 13.0T。LiFeAs薄膜的精确厚度和质量控制为生长类似砷化铁薄膜铺平了道路。
2015-03-11 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Synthesis of Single Phase Hg-1223 High Tc Superconducting Films With Multistep Electrolytic Process
本文报道了用多步电解法制备高Tc单相HgBa_2Ca_2Cu_3 O_（8+）（Hg-1223）超导薄膜的工艺。该过程包括：i）BaCaCu前体合金的沉积，ii）BaCaCu膜的氧化，iii）Hg在前体BaCaCuO膜中的电解插层和iv）Hg插层的BaCaCuO膜的电化学氧化和退火以转化成Hg 1Ba 2Ca 2Cu 3 O 8+（Hg-1223）。采用热重分析（TGA）、差热分析（DTA）、X射线衍射（XRD）和扫描电子显微镜（SEM）对薄膜进行了表征。汞在BaCaCuO前驱体中的电解插层被证明是一种新的替代高温高压汞化过程。薄膜为单相Hg-1223，Tc = 121.5 K，Jc = 4.3 × 104 A/cm 2。
2003-05-03 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Interaction between soft magnetic and superconducting films
本文从理论上研究了软磁薄膜与超导薄膜之间的相互作用。结果表明，涡流诱导的磁性薄膜中的磁化分布，从而修改的磁场，以及与例如布洛赫壁的相互作用。特别地，来自涡旋的场可能由于涡旋感应磁化而在靠近芯部处改变符号，从而导致涡旋与布洛赫壁之间从吸引到排斥的交叉。此外，我们表明，通过调整磁膜的各向异性场，可以增强布洛赫壁和涡旋之间的相互作用。最后，我们讨论了如何在存在的薄膜超导体的布洛赫壁的结构可以揭示磁光成像使用一个额外的磁光指示器。
2003-08-03 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Fabrication of superconducting tantalum nitride thin films using infra-red pulsed laser deposition
本文报道了用1064 nm脉冲激光沉积技术成功制备了超导氮化钽（TaN）薄膜。在MgO（100）单晶和氧化硅（SiO $_{2} $）衬底上沉积的厚度为$ \sim $ 100 nm的薄膜的超导转变温度分别为$\sim $ 8 K和6 K。这些膜的形貌进行了研究，使用原子力和扫描电子显微镜，揭示相当大的面积颗粒自由和光滑的表面，而膜的结构进行了研究，使用标准的$ θ-2 θ$和掠射角X-射线衍射技术。对于生长在MgO上的薄膜，观察到TaN的面心立方相，而生长在SiO $_{2} $上的薄膜表现出面心立方相以及单氮化物六方相。发现沉积在SiO $_{2} $上的TaN的转变温度比沉积在MgO上的TaN对沉积期间的氮气压力更敏感。
2013-02-19 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Resistance Anomaly in Disordered Superconducting Films
我们报告的电阻异常无序超导薄膜中含有阵列的不规则分布的纳米级孔。在高驱动电流下，峰值出现在电阻作为温度的函数，峰值高达2%以上的经典正常状态电阻。我们将所观察到的电阻异常归因于耗散引起的粒度，这增强了准粒子态密度的涨落引起的减少的贡献。无序超导薄膜的颗粒特征源于局部耗散和/或传热的变化引起的温度分布的不均匀性。
2007-01-19 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Superconducting Mg-B films by pulsed laser deposition in an in-situ two-step process using multi-component targets
利用脉冲激光烧蚀产生的Mg-B等离子体，采用两步原位法制备了超导薄膜。靶由Mg和MgB 2粉末的混合物组成，以补偿Mg的挥发性，从而确保膜中的高Mg含量。薄膜在室温至300摄氏度的温度下沉积，然后进行低压原位退火。已经使用了各种基板，并且应用了各种方式来增加膜中的Mg含量。薄膜的零电阻转变温度为22-24 K，电阻率发生了急剧的转变。
2001-03-26 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
The electron-phonon relaxation time in thin superconducting titanium nitride films
本文报道了对无序TiN薄膜中电子-声子弛豫时间τeph的直接测量。在4.2 ~ 1.7 K温度范围内，τeph的测量值为5.5 ~ 88 ns，与T-3温度相关性一致。费米能级N 0处的电子态密度由测量的材料参数估计。所提出的结果证实，TiN薄膜是有前途的候选材料的超灵敏超导探测器。
2013-12-20 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Superconducting properties of MgB2 thin films prepared on flexible plastic substrates
采用真空共沉积法在50 μ m厚的柔性聚酰亚胺Kapton-E薄膜上制备了标称厚度约为100 nm的MgB 2超导薄膜。在最佳退火工艺中，Mg-B膜被加热到约600 ℃，但同时，结构的背面被附接到水冷散热器以避免塑料基板过热。MgB 2薄膜为非晶态，超导转变开始温度T_（c，on）约为33 K，转变宽度约为3 K。在4.2 K时，临界电流密度大于7 × 10^5 A/cm^2，其温度依赖性表明其为颗粒状薄膜，具有颗粒间弱连接网络。薄膜可以沉积在大面积的箔上（高达400平方厘米），加工后，切割成任何形状（例如，条带）或多次弯曲，而没有观察到它们的超导性能的任何劣化。
2002-06-25 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Ferromagnetic Film on a Superconducting Substrate
研究了超导衬底上垂直磁化方向为M_0的铁磁薄膜的平衡畴结构和磁通量。在4πM_0< H_{c1}时，SC处于迈斯纳态，并且膜中的平衡畴宽度l按比例表示为（1/4πλ_{L}）=（l_{N} /4πλ_{L}）^{2/3}，其中正常（非超导）衬底上的畴宽度l_{N} /4πλ_L >> 1。这里λ_L是伦敦穿透长度。当4πM_0 > H_{c1}和l_{N}大于35 λ L时，畴间由SC涡旋连接。我们认为FM/SC多层膜中的磁畴对涡旋的钉扎可以提供高的临界电流。
2000-07-10 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Manipulating composition gradient in cuprate superconducting thin films
单次生长不同参数的薄膜技术使快速建立样品库成为可能。在本工作中，我们采用精确控制的移动掩模，在SrTiO_3衬底上合成了La_（2-x）Ce_xCuO_（4 +/-δ）组合超导薄膜，掺杂浓度从x = 0.1到0.19。通过微区X射线衍射和电输运测量验证了沿设计方向掺杂的单调性。更重要的是，通过数值模拟发现，La 2-xCexCuO 4 +/-δ组合薄膜中掺杂浓度的真实变化与掺杂浓度的线性梯度变化相一致。我们的研究结果表明，这是有希望的，以准确地调查材料的关键组成的组合膜技术。
2017-06-21 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Growth of superconducting MgB2 thin films
这是迄今为止对MgB_2超导薄膜的首次综述。
2002-03-18 cond-mat.supr-con
Effect of layer thickness on structural, morphological and superconducting properties of Nb$_3$Sn films fabricated by multilayer sequential sputtering
通过控制Sn的原子浓度，可以制备出Nb_3Sn超导薄膜。多层连续溅射Nb和Sn薄膜，然后高温退火被认为是一种方法来制备Nb3Sn薄膜，其中沉积的薄膜的Sn成分可以通过交替的Nb和Sn层的厚度来控制。本文报道了在蓝宝石衬底上多层连续溅射Nb和Sn薄膜，然后在950 °C退火3 h制备的Nb3Sn薄膜的结构、形貌和超导性能。我们研究了Nb和Sn层厚度以及Nb：Sn比对Nb_3Sn薄膜性能的影响。采用X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）和X射线能谱仪（EDS）对薄膜的晶体结构、表面形貌、表面形貌和薄膜成分进行了表征。结果表明，由于在退火过程中的蒸发，Sn从表面损失。制备了临界温度高达17.93 K的Nb3Sn超导薄膜。
2020-04-23 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con physics.app-ph
Growth and Properties of Superconducting MgB2 Thin Films
本文综述了近30个月来超导MgB_2的薄膜生长和结制备的研究进展，包括MgB_2的化学和物理性质的简要总结。
2004-02-12 cond-mat.supr-con
Molecular beam epitaxy growth of superconducting Sr2RuO4 films
本文报道了用氧化物分子束外延（MBE）生长Sr_2RuO_4超导薄膜。仔细调整的Ru通量与电子束蒸发器，使我们能够优化生长条件，包括Ru/Sr通量比，也调查化学计量的结构和传输性能的影响。观察到的最高起始转变温度约为1.1 K的膜生长在一个稍微富钌的熔剂条件，以抑制钌不足。氧化物分子束外延制备Sr_2RuO_4超导薄膜为研究该材料的非常规超导电性开辟了一条新的途径。
2019-03-20 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Generation of Teraherz Oscillations by Thin Superconducting Film in Fluctuation Regime
在含时Ginzburg-Landau理论的框架下，导出了超导薄膜在任意电场中高于和低于临界温度的电导率的显式解析表达式。证实了在略低于临界温度时，只要电场足够小，超导薄膜的微分电导率就会变为负值。如果超导膜与谐振器适当地耦合，则该事实可能导致电磁振荡的产生。它们的最大频率与超导转变的临界温度成正比。所得结果可促进基于高温超导薄膜的太赫兹发电机的发展。
2019-01-28 cond-mat.supr-con
Morphology of Superconducting FeSe thin films deposited by co-sputtering and MBE
用射频溅射和分子束外延（MBE）方法从两种元素源沉积了可能是非常规的超导体β-FeSe。在MgO（100）和YAlO 3（010）衬底上沿（001）取向生长了超导薄膜。研究了样品的形貌，并将其与β-FeSe薄膜的超导性能直接相关。分子束外延生长的薄膜显示出微裂纹和约100 nm的粗糙度。相比之下，溅射沉积的超导薄膜显示出几乎没有沉淀物的光滑表面。在这两种情况下的电阻超导转变与临界温度高达8.5 K进行了观察。然而，溅射沉积膜的光滑度对于未来的表面依赖性研究至关重要。
2015-05-11 cond-mat.supr-con
Magnetically Induced Metallic Phase in Superconducting Tantalum Films
研究了均匀无序超导钽薄膜在磁场中的电子输运性质。薄膜表现出三种不同的运输制度，在零温度极限，我们确定为超导，金属和绝缘相。金属相是出乎意料的。这种金属相的传输特性被发现是类似的MoGe薄膜和高迁移率稀释二维电子或空穴限制在半导体界面或晶体管的几何形状。
2006-01-20 cond-mat.supr-con
Tunneling into thin superconducting films: interface-induced quasiparticle lifetime reduction
对生长在普通金属钨衬底上的超导镧薄膜的扫描隧道谱测量表明，其相干峰有极大的展宽。所观察到的加宽对应于在隧穿过程中非常短的类电子准粒子寿命。考虑到不同的弛豫过程的一个彻底的分析表明，占主导地位的机制是一个有效的准粒子弛豫之间的超导薄膜和衬底的界面。这个过程是一般相关的扫描隧道光谱研究薄超导薄膜，并使薄膜厚度的测量通过光谱方法。
2016-04-13 cond-mat.supr-con
Imprinting skyrmions in thin films by ferromagnetic and superconducting templates
磁性Skyrmions是新一代存储器中很有希望的信息载体。如何产生和稳定skyrmions是其成功应用于技术的关键。在这里，我们从理论上证明，阵列的skyrmions可以印在大量的铁磁薄膜，使磁性纳米结构的模板接近薄膜。研究了目前纳米技术所允许的两种模板：铁磁纳米棒阵列和超导涡旋。Skyrmion是在磁性薄膜短时间暴露于模板场时产生的，并且在去除模板后保持稳定。
2014-07-03 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Strong vortex-antivortex fluctuations in the type II superconducting film
本文考虑了在低于Tc的宽温度区间内，II型超导薄膜中的小尺寸涡旋-反涡旋对的增殖。计算了相应的自由能贡献。结果表明，这些波动的主要贡献的热容量的膜在低温和附近的过渡。
2004-04-20 cond-mat.supr-con
Identification of a Large Amount of Excess Fe in Superconducting Single-Layer FeSe/SrTiO3 Films
在SrTiO 3（STO）衬底上生长的单层FeSe薄膜因其具有极高的超导临界温度（Tc）而受到人们的广泛关注。通常认为外延生长的单层FeSe/STO膜的组成是化学计量的，即，Fe和Se的比例为1：1。在这里，我们报告了大量的过剩铁的超导单层FeSe/STO膜的识别。通过在超导单层FeSe/STO膜上沉积Se，我们通过原位扫描隧道显微镜（STM）发现，在退火过程中，在比通常的生长温度（$\sim$ 490° C）低得多的令人惊讶的低温（$\sim$ 150° C）下，在第一层的顶部上形成第二层FeSe岛。这一观察结果被用来检测过量的Fe和估计其数量在单层FeSe/STO膜。检测到的过量Fe的量为至少20%，这对于超导单层FeSe/STO膜是令人惊讶地高的。在理解高Tc超导性时应考虑到这种大量过量Fe的发现，并指出进一步提高超导单层FeSe/STO膜中Tc的可能途径。
2019-04-09 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Anomalous skin effect study of superconducting film
以铌（Nb）为例，研究了不同平均自由程的超导射频（SRF）薄膜内部的场分布。计算了不同衬底、不同膜厚的洁净Nb膜的表面电阻。我们还研究了一种特殊结构的多层超导薄膜，称为超导体-绝缘体-超导体（SIS）结构。
2021-03-19 cond-mat.supr-con physics.acc-ph
Comment on "Microwave vortex dissipation of superconducting Nd-Ce-Cu-O epitaxial films in high magnetic fields"
虽然Yeh等人[Phys.Rev.B48，9861（1993）]对超导薄膜的电动力学处理表面上具有“薄膜极限”的应用，但他们的工作表明采用了块状电动力学而不是薄膜电动力学，并且因此获得了表面上违反热力学热力学第一定律和与电阻率无关的表面电阻。其他理论和实验的困难简要说明。
2000-07-10 cond-mat.supr-con
Surface reconstruction and charge modulation in BaFe2As2 superconducting film
外延生长的超导薄膜是否具有类似块材的超导特性是一个重要的问题。利用扫描隧道显微镜和扫描隧道光谱（STS）研究了外延生长的Ba（Fe_（1-x）Co_x）_2As_2薄膜的结构和电子性质。这部电影表现出不同的表面结构，（2sqrtx2sqrt2）R45重建，从散装晶体的解理表面。生长的薄膜的电子结构与体相的不同，值得注意的是，薄膜表现出相同的超导输运性质。在STS测量中，我们发现表面的超导能隙在Ba层表面被屏蔽，在超导状态下，在样品表面观察到电荷密度波。
2018-03-08 cond-mat.supr-con
In-situ growth of superconducting MgB2 thin films by molecular beam epitaxy
从多个角度研究了原位生长MgB 2超导薄膜。本文讨论了（1）生长温度，（2）过量Mg的影响，（3）生长过程中残余气体的影响，（4）原位退火的影响，（5）厚度依赖性，（6）衬底的影响。我们的研究结果为制备高质量的超导MgB2薄膜提供了指导。
2002-10-11 cond-mat.supr-con
Superconducting MgB2 thin films nano-bridges for cryo-electronic application
采用磁控溅射法在蓝宝石衬底上制备了前驱体MgB 2薄膜。讨论了非原位退火工艺对MgB 2超导薄膜粗糙度的影响。通过优化MgB前驱体薄膜的真空退火工艺，得到了表面粗糙度小于10 nm，临界温度Tcon = 31 K，相变宽度DTc小于1 K的光滑超导MgB 2薄膜。利用光学光刻和聚焦离子束光刻技术制备了基于超导MgB 2薄膜的纳米桥。在50 nm宽的带材上测得的临界电流密度jc（4.2 K）为7.3 × 10 6 A/cm 2，并且没有检测到超导性能的显著损失。电阻与温度和临界电流与温度特性的测量，这些结构上使用标准的DC四探针测量。
2007-05-29 cond-mat.supr-con
A generalized proximity effect model in superconducting bi- and tri-layer films
本文提出了一个计算邻近耦合超导双层膜和三层膜态密度和库珀对势的通用模型。以超导隧道结为例说明了模型的有效性。
2004-07-13 cond-mat.supr-con
High critical current densities in superconducting MgB2 thin films
在Al 2 O3（0001）和MgO（100）衬底上制备了MgB 2超导薄膜。硼薄膜的沉积通过电子束蒸发，然后与镁的后退火工艺。研究了合适的后退火工艺条件，以制备出性能良好的MgB 2超导薄膜。X射线衍射分析表明，在我们的薄膜中，MgB_2相是随机取向生长的。用扫描电子显微镜（SEM）和原子力显微镜（AFM）观察了表面形貌。用输运法测得15 K时MgB 2/Al 2 O3薄膜的临界电流密度（Jc）约为10^7 A/cm^2，超导转变温度（Tc）约为39 K。
2001-04-12 cond-mat.supr-con
Magnetic Field of an In-Plane Vortex Inside and Outside a Layered Superconducting Film
本文研究了有限厚度的各向异性层状超导薄膜。膜表面被认为平行于晶体的$bc$面。涡旋线的取向垂直于薄膜表面，平行于超导平面。我们计算了这种几何的局部场和伦敦自由能。我们的计算是以前的工作的推广，其中的样品是作为一个半无限超导体。作为该理论的一个应用，我们研究了超导表面的磁通扩展。
2000-08-04 cond-mat.supr-con
Elastic Properties of the Vortex Lattice for a Superconducting Film of Finite Thickness
本文研究了有限厚度超导薄膜涡旋晶格的弹性性质。我们推导出压缩模量的解析表达式。剪切模量的数值计算使用珍珠相互作用潜力，有效的限制非常薄膜，和一个潜在的膜的任意厚度。剪切模量进行了比较研究。
2000-02-22 cond-mat.supr-con
Contribution of residual quasiparticles to the characteristics of superconducting thin-film resonators
结果表明，即使在远低于转变温度的温度下，超导体中仍存在大量的准粒子，这些准粒子对超导薄膜谐振器的特性有重要影响。
2020-12-09 cond-mat.supr-con
Nucleation and Collapse of the Superconducting Phase in Type-I Superconducting Films
利用磁光成像技术研究了I型超导薄膜中中间态和正常态之间的相变。发现了不同过渡场下超导畴的坍缩和成核的磁滞现象，并伴随着以环形畴坍缩和层状畴出现为特征的拓扑磁滞现象。磁滞所示，从过冷和过热状态。由于长程磁相互作用引起的畴形不稳定性是拓扑磁滞的主要原因。连接与系统中类似的影响与远程磁相互作用的强调。
2005-11-03 cond-mat.supr-con
Fabrication of Superconducting YBa2Cu4O8 Film via Coprecipitation
采用共沉淀法和提拉法在SrTiO 3（100）衬底上成功地制备了具有c轴取向的YBa 2Cu 4 O 8（Y-124）薄膜。用Y、Ba、Cu的金属硝酸盐溶液和氢氧化钠-草酸水溶液沉淀Y、Ba、Cu。在磁化强度和电阻测量中，在64-70 K观察到了与体相Y-124相对应的超导转变。所发展的方法适合于制备具有工艺应用价值的Y-124超导薄膜。
2019-04-06 cond-mat.supr-con
Fabrication of superconducting MgB2 thin films by magnetron co-sputtering on (001) MgO substrates
我们在（001）MgO衬底上制备了MgB_2超导薄膜。通过磁控射频和直流共溅射在加热的衬底上制备样品。它们在450°C和750°C之间的温度下非原位退火1小时。我们将表明，在溅射过程中的衬底温度和后退火温度在形成MgB 2超导薄膜中起着至关重要的作用。在薄膜厚度为30nm时，薄膜的临界起始温度为27.1K。通过X射线衍射测量晶体结构。
2010-10-26 cond-mat.supr-con
Comment on "Ferromagnetic film on a superconducting substrate"
与Bulaevskii和Chudnovsky [Phys. Rev. B，63，issue 1（2001）]的预测相反，超导衬底不能使铁磁膜中的畴急剧收缩。这是示出的基础上的条纹域结构的精确解。
2002-11-11 cond-mat.supr-con
Geometry Effects on Switching Currents in Superconducting Ultra Thin Films
涡旋动力学与超导装置的光子探测机制密切相关。事实上，光子吸收对超导性的局部抑制可能会引发涡旋成核和运动效应，这可能会使超导状态不稳定。此外，按比例缩小超导膜的厚度和/或桥几何形状的宽度可以强烈地影响超导膜的输运性质，例如影响其临界电流以及其切换到正常状态的电流。了解这种不稳定性可以提高基于纳米线几何结构的超导器件的性能。本文对几个纳米厚度的NbN和NbTiN超薄膜的阻变特性进行了实验研究。尽管这两种薄膜的图案具有相同的微桥几何形状，但这两种超导材料在非常低的外加磁场下表现出不同的行为。与其他低温超导材料的比较概述了几何效应对这些材料的超导输运性质的影响，特别是对设备的应用。
2017-12-31 cond-mat.supr-con
Fermi surface effect on spontaneous breaking of time-reversal symmetry in unconventional superconducting films
我们提出了一种有助于稳定具有破缺时间反转对称性的超导态的机制，该机制被预测在d波超导膜中实现[A。B. Vorontsov，Phys. Rev. Lett. 102，177001（2009）]。在此超导相，时间反演对称性破缺伴随着沿膜表面的平移对称性的自发破缺。我们研究如何正常超导相边界的厚度-温度相图中的薄膜被修改取决于费米面形状。特别地，当费米面满足嵌套条件时，发现非均匀超导相基本上延伸到相图中的较小厚度区域。我们证明了这种费米表面效应使用正方形晶格紧束缚模型。
2015-02-12 cond-mat.supr-con
Electroplating of superconducting films of MgB2 from molten salts
超导材料由于其超导转变温度（Tc）高达39 K，在磁场作用下具有高的临界电流密度（Jc），因而成为超导带材等电力电子产品的理想超导材料。然而，由于传统制备方法的技术限制，迄今为止，MgB 2超导膜仅在最大面积为几十平方厘米的平面衬底上制备。在这份报告中，我们描述了一种技术，用于制造的MgB2薄膜通过电解熔融的Mg和B的化合物，即电镀MgB2。超导薄膜的MgB2的Tc为36 K，成功地电镀在平面和曲面上，使用简单的装置。MgB2的电镀有望在超导工程领域开辟一条新的途径，因为它能够在各种形状的大表面上制备超导薄膜。
2002-11-15 cond-mat.supr-con
Normal zone propagation along superconducting films deposited on wide substrates
本文分析了介质或导电衬底上超导长膜中正常区的传播。所得到的表达式的传播速度允许一个分析的效果的薄膜和基板之间的热阻和基板的宽度。结果推广到弯曲和平行薄膜中正常区传播的情况，并可近似地应用于多层膜超导体。
2007-03-06 cond-mat.supr-con
Time resolved nanosecond vortex dynamics in high Tc superconducting films
我们报告的观察，在ns的时间尺度下的快速磁场的变化，由于选择性局部加热的高Tc超导薄膜的涡旋重排。详细的模拟描述了沿薄膜测量的光致电压信号，从而更好地理解了快速状态下的涡旋动力学，其中平均涡旋速度达到10000 m/s
2000-11-21 cond-mat.supr-con
Interaction of vortices in thin superconducting films and Berezinskii-Kosterlitz-Thouless transition
超导薄膜中BKT转变的前提条件是对数涡旋间相互作用，在相对于$Λ=2λ^2/d$较短的距离处满足，$λ$是体材料的伦敦穿透深度，$d$是膜厚度。因此，在尺寸为$L<Λ$的样本中进行了转换搜索。下面有人认为，薄膜边缘将相互作用转变为近指数（短程），从而使BKT转变不可能。然而，如果衬底是超导的，并通过绝缘层与膜分离，对数涡间相互作用被恢复，BKT转变应该是可观察的。
2006-11-07 cond-mat.supr-con
In-situ Magnesium Diboride Superconducting Thin Films grown by Pulsed Laser Deposition
采用脉冲激光沉积法在氧化镁和蓝宝石衬底上制备了MgB 2超导薄膜。在450 ℃、氩气缓冲压力约10-2毫巴下用富镁靶生长的样品是超导的，其转变温度约为25 K。在超高真空条件下从MgB 2烧结颗粒靶沉积的膜显示出差的金属或弱的半导体行为，并且它们仅在Mg蒸气气氛中的异位退火后才变得超导。到目前为止，这两种方法得到的薄膜的超导性能没有差异。
2001-03-28 cond-mat.supr-con
Properties of mesoscopic superconducting thin-film rings. London approach
超导薄膜环小于膜穿透深度（珍珠长度）被认为是。电流分布，磁矩，和热力学势${\cal F}(H,N,v)$为一个平坦的，垫圈形的环形环在一个均匀的施加场$H$垂直于薄膜内解析求解的状态与绕组数$N$和一个漩涡半径$v$之间的内部和外部半径。
2003-10-16 cond-mat.supr-con
Comment on "First-order phase transitions of type-I superconducting films" [Phys. Rev. A 322 (2004) 111]
论文的作者在标题中指出，他们推导出了一个错误的超导板（膜）的有效自由能，这个错误导致他们得出了完全错误的结论。在这里我们将阐明这个错误的起源。
2004-04-12 cond-mat.supr-con
Sputtering Current Driven Growth & Transport Characteristics of Superconducting Ti40V60 Alloy Thin Films
本文研究了磁控溅射超导Ti40V60合金薄膜的室温生长与电输运特性，发现随溅射电流增加，薄膜应力由拉应力转为压应力，晶粒尺寸与织构增大，进而使超导转变温度TC升高。
2025-01-01 cond-mat.supr-con
Superconducting fluctuations in FeSe$_{0.5}$Te$_{0.5}$ thin films probed via microwave spectroscopy
我们研究了FeSe $_{0.5}$ Te $_{0.5}$在CaF $_2$上外延薄膜在超导转变附近的微波电导率谱。随着薄膜厚度的增加，我们观察到了超导涨落的临界行为，并出现了从二维到三维的空间交叉。由标度参数的温度依赖性，我们得出FeSe $_{0.5}$ Te $_{0.5}$超导转变的普适类是3D-XY模型。超导波动的起始温度的下限，Tonset，由我们的测量确定的是1.1 Tc，这表明FeSe $_{0.5}$ Te $_{0.5}$的超导波动至少与最佳和过掺杂的铜酸盐一样大。
2017-09-07 cond-mat.supr-con
Matching fields of a long superconducting film
我们得到了有限截面超导薄膜的涡旋位形、匹配场和磁化强度。外加的磁场垂直于这个截面，我们用London理论计算了它的许多性质，如局域磁场、自由能和混合态的感应。因此，在很长截面的特殊限制下，以前对无限长超导薄膜所做的类似理论工作，在这里得到了恢复。
1999-05-12 cond-mat.supr-con
Superconducting MgB2 Thin Films with Tc of about 39K Grown by Pulsed Laser Deposition
采用非原位工艺在Al 2 O3（0001）衬底上制备了MgB 2超导薄膜。硼薄膜的沉积通过脉冲激光沉积，然后通过后退火工艺。沉积的MgB 2薄膜的电阻测量显示约39 K的Tc，而扫描电子显微镜和X-射线衍射分析表明，薄膜由结晶良好的晶粒具有高度c轴取向的结构。
2001-04-28 cond-mat.supr-con
Tunnel junctions on as-grown superconducting MgB2 thin films
我们证明了良好的超导体/绝缘体/正常金属隧道结可以制作在生长的超导MgB 2薄膜。在280 ℃左右的低生长温度下通过共蒸发制备了生长态薄膜。绝缘屏障由Mg覆盖层形成，其随后在空气中氧化。Au/MgOx/MgB 2结的隧穿谱显示出可重复的且定义良好的超导能隙（delta= ~ 2.5 meV）。得到的2delta/ kBTc显著小于预测的BCS值3.52。
2002-10-01 cond-mat.supr-con
