Pseudogap metal and magnetization plateau from doping moiré Mott insulator
本研究基于半导体莫尔材料模拟三角晶格Hubbard模型，预测在小掺杂和中等磁场下，莫特绝缘体会因自旋极化子准粒子形成一种具有单粒子能隙和依赖掺杂磁化平台的赝能隙金属态。
2022-09-12 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Dimer Mott Insulator in an Oxide Heterostructure
研究了在相关氧化物异质结构中设计人工莫特绝缘体的问题。我们考虑了基于离子不连续掺杂的量子限制的极限，并认为在GdTiO $_3$基质中的单个SrO层的情况下可以实现独特的二聚体莫特绝缘体。在二聚体莫特绝缘体中，电子不是局限于单个原子，而是局限于在两个TiO $_2$平面的双层上形成的分子二聚体上的键合轨道，类似于20世纪90年代研究的哈伯德阶梯的莫特绝缘状态。我们通过从头算和模型哈密顿量研究验证了二聚体莫特绝缘体的存在，并发现对于合理的Hubbard $U$值，它是稳定的和铁磁性的，具有0.65 eV量级的明确的成键/反键分裂，以及显著较小的Mott带隙，其大小取决于$U$。极性不连续性、强结构弛豫和电子关联的综合作用都有助于实现这种独特的基态。
2013-01-17 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
A spin-gapped Mott insulator with the dimeric arrangement of twisted molecules Zn(tmdt)$_{2}$
对单组分分子材料Zn（tmdt）$_{2}$进行了$^{13}$ C核磁共振测量，其中tmdt在准二维莫特绝缘体和超导体中形成类似于所谓的$κ$型分子堆积的排列。对粉末光谱的详细分析揭示了tmdt $π$轨道中的局部自旋磁化率。所得到的位移和弛豫速率揭示了$π$自旋的单重态-三重态激发，表明Zn（tmdt）$_{2}$是自旋带隙的莫特绝缘体，与传统的分子莫特系统相比具有异常大的电子相关性。
2017-06-07 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Insulator-to-Metal Transition and Anomalously Slow Hot Carrier Cooling in a Photo-doped Mott Insulator
本文利用扫描超快电子显微镜直接观测了Mott绝缘体α-RuCl3中光激发物种的时空演化，发现低光通量下热载流子输运时间超过一纳秒，高光通量下出现光致绝缘体-金属转变，展示了SUEM探测强关联电子体系光激发的独特能力。
2024-06-11 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
The electronic structure of NaIrO$_3$, Mott insulator or band insulator?
基于五价后钙钛矿结构的NaIrO $_3$的电子绝缘行为的复杂性，我们采用局域密度近似和Gutzwiller方法研究了其在库仑排斥和自旋轨道耦合（SOC）平面上的电子结构和相图.我们的理论研究提出金属-绝缘体转变可以由两种不同的物理图象产生：重整化带绝缘体或莫特绝缘体区。对于NaIrO $_3$中的实际材料参数，库仑相互作用$U=2.0 (J=U/4)$ eV和SOC强度$η=0.33$ eV，它倾向于支持我们的研究所揭示的重整化带绝缘体图片。
2012-10-10 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Correlation-Driven Charge Order at a Mott Insulator - Band Insulator Digital Interface
为了研究数字莫特绝缘体LaTiO_3和带绝缘体SrTiO_3的界面，我们将关联带理论（LDA+U）应用于（n，m）多层膜，1<n，m<9.如果Ti上的原位排斥足够大，可以模拟立方块状LaTiO 3的磁绝缘行为，则在所有情况下，界面处的电荷不平衡都可以通过反离子化（Ti 4 + + Ti 3+）、电荷有序化和Ti 3 + d_xy轨道有序化来调节，并且界面层中的自旋之间具有反铁磁交换耦合。晶格弛豫通过移动（轻微但重要的）较低的哈伯德带来影响传导行为，但是弛豫和轨道有序对弛豫是鲁棒的。
2006-08-09 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Nonlinear optical response and spin-charge separation in one-dimensional Mott insulators
我们从理论上研究了莫特绝缘体的非线性光学响应和光激发态。用精确对角化方法计算了小团簇的非线性光学极化率χ^（3）。通过系统地研究χ^（3）与维数的关系，我们发现自旋-电荷分离在一维莫特绝缘体中对χ^（3）的增强起着至关重要的作用。在此基础上，我们提出了描述一维莫特绝缘体非线性响应的holon-doublon模型。这些发现表明自旋-电荷分离将成为光电子器件的一个关键概念。
2000-07-08 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Inverse Faraday effect in Mott insulators
逆法拉第效应（IFE），即由圆偏振光诱导静态磁化，为超快控制自旋态提供了一条有前途的途径。本文利用Floquet理论研究了莫特绝缘体中的IFE。我们发现两个不同的IFE行为由反演对称性。在具有反转对称性的莫特绝缘体中，我们发现由IFE诱导的有效磁场与相邻的自旋铁磁耦合。而对于不具有反转对称性的莫特绝缘体，由于IFE产生的有效磁场与相邻自旋反铁磁耦合。我们应用该理论的自旋-轨道耦合的单和多轨道哈伯德模型是相关的Kitaev量子自旋液体材料，并证明磁相互作用可以通过光调谐。
2022-05-31 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Resistive switching induced by electronic avalanche breakdown in GaTa$_4$Se$_{8-x}$Te$_x$ narrow gap Mott Insulators
由强电场引起的Mott跃迁正受到越来越多的关注。最近的理论建议集中在莫特绝缘体的齐纳介质击穿，但实验研究仍然太少，得出结论的机制。在这里，我们报告的研究，在窄间隙莫特绝缘体GaTa $_4$ Se $_{8-x}$ Te $_x$的介电击穿。我们发现，I-V特性和阈值电场（E $_{th}$）的大小不对应于齐纳击穿，而是雪崩击穿。E $_{th}$随Mott Hubbard能隙（E $_g$）的幂律增加，与半导体雪崩击穿的普遍规律E $_{th}$ $\propto$ E $_g$ $^{2.5}$惊人地一致。然而，我们在莫特绝缘体中观察到的雪崩延迟时间比传统半导体长三个数量级以上。我们的研究结果表明，电场诱导局部绝缘体到金属莫特转变，产生导电域，其生长以形成贯穿样品的导电路径。
2013-04-17 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Strongly Correlated Electrons on a Silicon Surface: Theory of a Mott Insulator
我们从理论上证明了钾覆盖的Si（111）-B表面的电子基态是一个莫特绝缘体，这与能带理论明显矛盾，但与最近的实验结果吻合得很好。我们用密度泛函方法确定了体系的物理结构，通过对多体哈密顿量的精确对角化得到了体系的电子基态。多体电导率揭示了临界相互作用强度下的Brinkman-Rice金属-绝缘体转变;计算的相互作用强度远高于这个临界值。
1998-12-03 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Electronic Ferroelectricity in a Dimer Mott Insulator
基于最近的实验结果，研究了kappa-（BEDT-TTF）_2Cu_2（CN）_3二聚体-莫特绝缘体的介电和磁性。我们推导出有效的哈密顿量，其中每个二聚体的电子数为1。利用平均场方法和蒙特卡罗方法获得了有限温度下的电荷和磁结构。磁性相和铁电相是相互排斥的。在二聚体-莫特相和铁电相之间的相边界附近，介电波动是显著的。讨论了kappa-（BEDT-TTF）_2Cu_2（CN）_3的研究结果。
2010-02-26 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Non-Thermal Resistive Switching in Mott Insulators
通过施加电流/电压，可以在莫特绝缘体中实现电阻开关，这触发绝缘体-金属转变（IMT）。这种现象是理解IMT物理学和开发新型记忆元件和脑启发技术的关键。尽管如此，电场和焦耳热在开关过程中的作用仍然存在争议。我们通过研究两种典型的莫特绝缘体-VO 2和V2 O3的纳米线来解决这个问题。我们的研究结果表明，两个性质不同的制度之间的交叉。在一种情况下，IMT由焦耳加热驱动到转变温度，而在另一种情况下，场辅助载流子产生产生纯粹非热的掺杂驱动IMT。通过确定这些现象的关键材料特性，我们提出了一个通用的机制，电阻开关在莫特绝缘体。这种理解使我们能够使用聚焦离子束照射来控制开关机制，从而促进电驱动的非热IMT。与非热IMT相关的能量消耗极低，可与最先进的电子和生物神经元相媲美。这些发现为莫特绝缘体的高能效应用铺平了道路。
2019-08-22 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Doped Mott insulator on Penrose tiling
我们研究了载流子掺杂对莫特绝缘体的彭罗斯镶嵌效应的影响，旨在阐明准周期性和强电子关联之间的相互作用。我们在实空间动力学平均场论中数值求解了Penrose-tiling结构上的哈伯德模型，该理论可以处理描述莫特绝缘体和空间不均匀性所必需的奇异自能。我们发现，强关联效应产生的电荷分布无法达到的静态平均场近似。在一个小的掺杂区域，光谱显示出一个位置依赖的间隙正好高于费米能，这是由一个奇异的大的自能从莫特物理涌现，并被视为一个真实的空间对应的动量依赖的赝能隙中观察到的正方形晶格哈伯德模型。
2022-01-14 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Interface ordering and phase competition in a model Mott-insulator--band-insulator heterostructure
本文用半经典近似的动态平均场方法研究了模型莫特绝缘体-带-绝缘体异质结的相图，它是厚度、耦合常数和电荷限制的函数。一个界面稳定的铁磁相被发现，允许它的竞争和可能的共存与体莫特绝缘体的反铁磁序特性的研究。
2005-08-28 cond-mat.str-el
Spin-$0$ Mott insulator to metal to spin-$1$ Mott insulator transition in the single-orbital Hubbard model on the decorated honeycomb lattice
利用旋转不变的从玻色子研究了装饰蜂窝晶格上单轨道哈伯德模型在三分之二填充时强电子关联和三角形内自旋交换的相互作用.我们发现当自旋- $1$莫特绝缘体、金属和自旋- $0$莫特绝缘体之间的自旋交换是反铁磁的时，自旋交换是调谐的.莫特绝缘体产生于有效的三角形内多轨道相互作用，并与孤立三角形的基态电连接。反铁磁自旋交换，如确定的古德诺-Kanamori规则，可以发生在配位聚合物从动力学交换通过配体。我们的特点的磁性在该政权的自旋三重态占主导地位。对于小的$U$，自旋$1$ Slater绝缘体在三角形之间出现反铁磁序。自旋$1$莫特绝缘体中的磁性由蜂窝晶格上的自旋$1$海森堡模型描述，其基态为Néel有序.
2021-08-05 cond-mat.str-el
Metal-insulator transition via control of spin liquidity in a doped Mott insulator
量子自旋液体态，其中自旋是量子力学离域的方向，迄今已研究的电荷局域莫特绝缘体产生的强排斥相互作用。然而，最近发现具有三角形晶格的掺杂莫特绝缘体$κ$ -（ET）$_4$ Hg $_{2.89}$ Br $_8$既表现出类似自旋液体的磁性又表现出金属导电性。因此，现在可以通过实验探索自旋流动性如何影响电导，这是一个受到理论关注的问题。在这里，我们研究了一种新开发的方法，结合单轴和静水压力，在掺杂莫特绝缘体的导电与控制的三角形晶格几何形状和排斥强度，决定了自旋流动性和Mottness，分别。我们发现，在一个强相互作用的制度，电子状态急剧变化，从绝缘体到费米液体通过非费米液体不同的几何挫折，这表明自旋流动性促进电荷的离域。这一结果表明，自旋自由度的挫折通过掺杂的莫特绝缘体中的自旋和电荷的纠缠对电荷的输运具有决定性的影响。
2022-02-12 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Peierls-insulator Mott-insulator transition in 1D
为了澄清从Peierls带绝缘体到Mott Hubbard绝缘体的交叉的性质，我们利用精确对角化技术分析了一维半填充Holstein哈伯德模型的基态和光谱性质.
2001-07-26 cond-mat.str-el
Gutzwiller description of non-magnetic Mott insulators: a dimer lattice model
我们介绍了一种新的扩展Gutzwiller变分波函数能够处理绝缘体逃脱任何平均场的描述，例如非磁性绝缘体。作为应用，我们研究了顺磁性金属到非磁性Peierls或价键莫特绝缘体的莫特跃迁。在大配位晶格的极限下，我们利用Gutzwiller波函数对该模型进行了分析，发现：（1）Mott跃迁是一级跃迁;（2）在莫特绝缘体中，Peierls能隙很大，但主要是由电子排斥作用造成的;（3）在跃迁附近出现了单重态超导.
2007-04-11 cond-mat.str-el
Breakdown of Luttinger's theorem in two-orbital Mott insulators
对Luttinger定理的分析表明，与最近的说法相反，它对一般的莫特绝缘体是无效的。研究了每格点有两个电子的双轨道哈伯德模型从非磁关联绝缘相（Mott或Kondo绝缘体）到能带绝缘体的渡越.莫特绝缘相的特征在于自能的极点和格林函数中相应的零点，定义了带状绝缘体不存在的"Luttinger表面“。然而，这种每个晶胞有两个电子的绝缘体的基态是电连接的。
2007-11-20 cond-mat.str-el
Spatial inhomogeneity and strong correlation physics: a dynamical mean field study of a model Mott-insulator/band-insulator heterostructure
本文利用动力学平均场方法研究了有限个莫特绝缘体层嵌入无限大带绝缘体中的异质结构的电子性质。确定了相关效应随Mott绝缘层数目和异质结构中的位置的演化，并计算了光学电导率。结果表明，异质结一般是金属，适度重整化带的准粒子出现在相关和非相关区域之间的界面。
2004-07-22 cond-mat.str-el
From Mott Insulator to Band Insulator: A DMFT Study
莫特绝缘体和带状绝缘体是否有本质上的不同，这个问题最近一直是深入研究的问题。在这里，我们考虑一个简单的模型，它允许通过调整一个参数，连续地从莫特绝缘体带绝缘体。该模型由两个通过单粒子跳跃连接的Hubbard系统组成。Hubbard哈密顿量由动力学平均场论求解，使用量子蒙特卡罗来解决由此产生的量子杂质问题。计算了准粒子谱函数。在这里，我们专注于光学电导率，特别是可以通过实验测量的Drude重量。从我们的计算中，我们得出结论，有一个连续的过渡带绝缘体的莫特绝缘体相在有限的温度。
2006-05-23 cond-mat.str-el
Buried topological edge state associated with interface between topological band insulator and Mott insulator
用层动力学平均场论研究了拓扑带绝缘体与莫特绝缘体界面的电子结构。为了表示这些系统的体相，我们使用广义Bernevig-Hughes-Zhang模型，该模型除了导致能带反转的自旋-轨道耦合项之外还包含Hubbard样的现场库仑能量U。分别通过适当选择较小和较大的U值来实现拓扑相和莫特绝缘相。正如预期的那样，界面被发现是金属，因为本地化的边缘状态。然而，当莫特绝缘体中的库仑能量接近临界值时，这种边缘状态在莫特绝缘体内部而不是在界面处表现出其最大幅度。这一发现对应于邻近拓扑带绝缘体诱导的新型邻近效应，并表明，由于莫特绝缘体内的自旋轨道耦合，界面附近的几个层从莫特绝缘相转变为拓扑绝缘相。此外，我们认为，普通的邻近效应，即近藤峰诱导在莫特绝缘体由相邻的金属状态，伴随着一个额外的反向邻近效应，近藤峰引起的状态密度在相邻的金属层的增强。
2014-08-29 cond-mat.str-el
Inhomogeneity in doped Mott insulator
我们引入了自然界中存在两类通用莫特绝缘体的概念。他们的区别在于他们对弱兴奋剂的反应。掺杂电荷在I型莫特绝缘体中形成团簇（即不均匀分布），而在II型莫特绝缘体中均匀分布。我们提出我们的意见的作用不均匀性在铜酸盐。
2002-08-26 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Characterization of a topological Mott insulator in one dimension
通过研究关联电子模型的体拓扑不变量和纠缠谱，研究了一维拓扑莫特绝缘体的性质。阐明了无相互作用拓扑带绝缘体中的无隙边态如何演化为拓扑莫特绝缘体中的自旋边态。此外，我们还提出了一种拓扑Mott相变，这是一种新的拓扑相变，在自由费米子系统中从未观察到过。这种非常规的转变发生在自旋液相中的莫特绝缘体，并伴随着零的单电子格林函数和自旋激发光谱的间隙关闭。
2014-05-09 cond-mat.str-el
Dilemma in strongly correlated materials: Hund's metal vs relativistic Mott insulator
我们指出了相关材料中Hund耦合和自旋轨道耦合之间的竞争，这种竞争导致了Hund金属和相对论绝缘体之间的电子困境。洪德的金属指的是未来绝缘体的命运，洪德的耦合抑制了相关性，并将系统驱动为相关金属。相对论性莫特绝缘体指的是未来金属的命运，其中相对论性自旋轨道耦合增强了相关性，并将系统驱动为莫特绝缘体。这些相互矛盾的趋势自然存在于许多相关材料中。我们研究了相关材料中Hund耦合和自旋轨道耦合之间的竞争，并从这两种相互矛盾的趋势中探索了它们之间的相互作用和平衡。该系统可以成为自旋轨道耦合的洪德金属或洪德辅助相对论莫特绝缘体。我们的观察可以找到一个广泛的应用和相关的许多相关材料与多轨道。
2020-12-12 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Variational description of Mott insulators
强相关模型的Gutzwiller波函数，如果补充一个长程Jastrow因子，可以提供一个适当的变分描述的莫特绝缘体，到目前为止还没有。我们证明了这一概念的原型一维$t-t^\prime$哈伯德模型，在半填充，我们重现所有已知的阶段，即普通莫特未二聚体绝缘体与幂律自旋相关性在小$t^\prime/t$，自旋带隙金属以上的临界$t^\prime/t$和小$U$，和二聚体莫特绝缘体在大排斥。
2004-12-16 cond-mat.str-el
Ferromagnetic Mott State in Twisted Graphene Bilayers at the Magic Angle
我们解决了有效的紧束缚哈密顿描述绝缘莫特态的扭曲石墨烯双层在一个魔角。在这种结构中，扭曲的双层形成了一个蜂窝状的局域态超晶格，其特征是出现了具有四重简并度的平带。在计算了超晶格的最大局域Wannier波函数后，我们导出了描述Mott态的有效自旋模型。我们认为，该系统是一个异国情调的铁磁莫特绝缘体，具有明确的实验签名。
2018-12-10 cond-mat.str-el
Purely electronic THz polarization in dimer Mott insulators
理论上发现了二聚体莫特绝缘体$κ$ -（BEDT-TTF）$_2$ X在太赫兹频段的纯电子极化模。不寻常的低频模式产生的内二聚体电偶极矩的振荡和交替的二聚体间键级之间的耦合。这些集体运动在二聚体莫特绝缘体的动态介电性质中起着重要的作用。在二聚体Mott相变的相界附近，通过引入电子-晶格耦合实现铁电基态。
2010-03-24 cond-mat.str-el
Phase separation in doped Mott insulators
受莫特绝缘体远离整数填充的常见观察的启发，我们构建了一个简单的热力学参数的相分离一阶掺杂驱动的莫特转变。我们展示了如何计算临界掺杂所需的驱动莫特过渡使用电子结构计算的钛酸盐家族的钙钛矿，发现与实验良好的协议。该理论预测，过渡是可逆的，应该表现出库仑阻挫。
2014-08-01 cond-mat.str-el
Evidence of Gate-Tunable Mott Insulator in Trilayer Graphene-Boron Nitride Moiré Superlattice
莫特绝缘体在强关联物理学中起着核心作用，其中排斥库仑相互作用支配电子动能，并导致绝缘状态，其中一个电子占据每个晶胞。掺杂的莫特绝缘体通常用Hubbard模型3来描述，它可以引起其他相关的现象，如异常的磁性，甚至高温超导性。一种可调的莫特绝缘体，其中库仑相互作用和动能之间的竞争可以在原位改变，可以为莫特物理的研究提供一个宝贵的模型系统。在这里，我们报告了这种可调莫特绝缘体的ABC三层石墨烯（TLG）和六方氮化硼（hBN）异质结构与莫尔超晶格的实现。与单层石墨烯中的无质量狄拉克电子不同，原始ABC TLG中的电子具有四次能量色散和大有效质量的特征，这有利于强相关现象。TLG/hBN异质结构中的莫尔超晶格导致栅极可调谐的窄电子能带。由于石墨烯的自旋和谷简并性，每个填充的迷你带在一个莫尔晶格位点中包含4个电子。莫特绝缘体态出现在1/4和1/2填充处，分别对应于每个位置一个电子和两个电子。此外，ABC TLG/hBN异质结构中的Mott态表现出前所未有的可调谐性：Mott带隙可以通过垂直电场原位调制，同时，电子掺杂可以被栅极调谐以填充从一个Mott绝缘态到另一个Mott绝缘态的能带。我们对可调莫特绝缘体的观察为探索二维莫尔超晶格异质结构中的新型强关联现象提供了令人兴奋的机会。
2019-01-19 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Higher-Order Topological Mott Insulator on the Pyrochlore Lattice
我们提供了第一个无偏的证据，高阶拓扑莫特绝缘体在三维数值精确的量子蒙特卡罗模拟。该绝缘相在非相互作用极限下与三阶拓扑绝缘体电连接，其特征在于烧绿石晶格拐角处的无隙模式，其特征在于$\mathbb{Z}_{4}$自旋Berry相。关联和非关联拓扑相位之间的区别在于，在前一相位中，无隙角模仅出现在Mott类自旋激发中。我们还表明，从三阶拓扑莫特绝缘体到通常的莫特绝缘体的拓扑相变发生时，体自旋能隙单独关闭。
2021-10-25 cond-mat.str-el
From band insulator to Mott insulator in one dimension
我们导出了最近由江上、石原和立木[Science，{ \bf 261}，1307（1993）]提出的铁电钙钛矿的一维模型的相图。我们发现，共价性，电离性和强关联之间的相互作用，在一个自发的二聚相分离的弱耦合带绝缘体的强耦合莫特绝缘体的结果。从带绝缘体的二聚相的过渡被确定为伊辛临界点。电荷间隙在该单个点处消失，光导率发散为$σ(ω)\sim ω^{-3/4}$。自旋激发在第二跃迁到莫特绝缘体相以上是无隙的。
1999-04-22 cond-mat.str-el
Colossal magnetoresistance in a Mott insulator via magnetic field-driven insulator-metal transition
我们提出了一种新型的巨磁电阻效应，这种效应是由于在适当的磁场作用下，双层层状钛掺杂的Ca $_3$ Ru $_2$ O $_7$中Mott绝缘态的反常崩塌引起的。这种绝缘体-金属转变伴随着晶格和磁性结构的变化。我们的发现具有重要的意义，因为磁场通常稳定的绝缘基态在Mott-Hubbard系统，因此需要更深入的理论研究，重新审视磁场调谐的Mott系统的磁和电子的不稳定性和自旋晶格电荷耦合。这项研究进一步提供了一个模型的方法来寻找CMR系统以外的锰氧化物，如莫特绝缘体之间的竞争相的边界附近。
2018-02-07 cond-mat.str-el
Comment on "Origin of Giant Optical Nonlinearity in Charge-Transfer--Mott Insulators: A New Paradigm for Nonlinear Optics"
评论物理。86、2086（2001）
2001-05-30 cond-mat.str-el
Mechanism of hopping transport in disordered Mott insulators
通过使用详细的实验研究和简单的理论论证相结合，我们确定了一种新的机制，其特征在于在莫特绝缘相的Ca $_{2-x}$ Sr $_x$ RuO $_4$附近的金属-绝缘体转变的跳跃输运。跳变指数$α$显示了从绝缘体中更深处的$α=1/2$值到更接近过渡的常规Mott值$α=1/3$的系统演化。这种行为，我们认为是一个普遍的特点，无序莫特系统接近金属-绝缘体过渡，反映了逐渐出现的无序诱导的局部电子状态填充莫特-哈伯德间隙。
2004-08-11 cond-mat.str-el
Quantitative Determination of the Critical Points of Mott Metal-Insulator Transition in Strongly Correlated Systems
本文利用动力学平均场理论研究Hubbard模型中的Mott相变，引入局部量子态保真度定量测定相变临界点，并一致描述了两种不同形式的Mott相变点。
2023-11-28 cond-mat.str-el
Finite-Temperature Charge Dynamics and the Melting of the Mott Insulator
莫特绝缘体是典型的强关联电子态。通过将从费米子（holon-doublon）描述扩展到有限温度，我们获得了对二维莫特绝缘体物理的完全了解。我们首先基准其预测对国家的最先进的量子蒙特卡罗模拟，证明定量协议。同时，短程自旋涨落既诱导出了holon-doublon束缚态，又重整化了电荷扇区，形成了Hubbard带。莫特能隙被理解为由这些自旋涨落向下重整化的电荷能隙。随着温度的升高，莫特能隙在电荷能隙之前闭合，导致在莫特绝缘体熔化期间自然出现赝能隙状态。
2019-06-28 cond-mat.str-el
Mechanism of Ambipolar Field-Effect Transistors on One-Dimensional Organic Mott Insulators
实验观察到的，双极场效应特性的莫特绝缘体复制在一维哈伯德模型连接到一个紧束缚模型的源极和漏极。肖特基势垒的形成，源于功函数的差异，考虑到由一个潜在的满足泊松方程与适当的边界条件。然后，这些场效应特性被证明是由独特的电流-电压特性的金属-莫特-绝缘体接口相关。
2007-10-18 cond-mat.str-el
Fractional Quantum Hall Effect and Featureless Mott Insulators
我们指出并明确证明了无特征的莫特绝缘体和分数量子霍尔液体之间存在着密切的联系。在最低朗道能级（LLL）下，以磁Wannier态为单粒子基，证明了LLL中相互作用玻色子的哈密顿量映射到由磁Wannier态形成的三角晶格上无特征莫特绝缘体的哈密顿量上.哈密顿量非常简单，只包含短程排斥和环交换项。
2010-03-11 cond-mat.str-el
Topological Bose-Mott insulators in one-dimensional non-Hermitian superlattices
研究了一维非厄米特超晶格中玻色-莫特绝缘体的拓扑性质，这些绝缘体可以作为具有两体损耗和单体损耗的冷原子光学系统的有效哈密顿量.我们发现，在强排斥极限下，整数填充下具有有限两体损耗的Bose-哈伯德模型的莫特绝缘体态是拓扑绝缘体，其特征在于有限的电荷间隙，非零的整数Chern数，以及在开边界条件下低能激发谱中的非平凡边缘模.由于强排斥作用抑制了两体损耗，得到了一个稳定的拓扑玻色-莫特绝缘体，它具有与厄米特绝缘体相似的特征。然而，对于与单体损耗有关的非厄米模型，我们发现非厄米拓扑莫特绝缘体在有限的虚激发能隙下是不稳定的。最后，通过求解Lindblad主方程，我们还讨论了在两体损失存在下Mott相的稳定性。
2020-07-28 cond-mat.str-el
Proximity effects in a topological-insulator/Mott-insulator heterostructure
利用非均匀动力学平均场论研究了二维莫特绝缘体（MI）和拓扑绝缘体（TI）关联异质结构中的邻近效应。我们表明，TI的边缘状态诱导MI区域内的强重整化的中间间隙状态，仍然有剩余的螺旋能谱。界面隧穿$V$控制的低能电子的穿透大大增强了MI内部的电子质量，并且在强$V$区域中将边缘位置处的单个Dirac锥分裂成空间分离的两个Dirac锥。
2013-03-12 cond-mat.str-el
Theory of Mott insulator/band insulator heterostructure
提出了一种由莫特绝缘体LaTiO $_3$和带状绝缘体SrTiO $_3$组成的异质结构理论。Ti $d$ % -电子的能带结构用最近邻紧束缚近似处理; La $^{3+}$ /Sr $^{2+}$电荷差和载流子引起的电场用Hartree近似处理;原位相互作用用无限制的Hartree-Fock近似处理。确定了作为相互作用强度和层数的函数的相图，并对光学电导率实验进行了预测。值得注意的发现是异质结构的边缘通常是金属的。
2004-04-13 cond-mat.str-el
Kondo proximity effect: How does a metal penetrate into a Mott insulator?
我们考虑一个异质结构的金属和一个顺磁莫特绝缘体使用适应的动态平均场论来描述非均匀系统。金属可以通过近藤效应渗透到绝缘体中。我们研究了接近莫特绝缘体临界点的金属-绝缘体界面的标度特性。在临界状态下，准粒子的重量按照我们的平均场论中的公式，随着离金属的距离x的增加，衰减为1/x^2。我们的数值结果（使用数值重整化群作为杂质解算器）表明，该幂律的前因子是非常小的。
2008-05-05 cond-mat.str-el
Field theories of paramagnetic Mott insulators
本文总结了作者最近发表的综述文章（cond-mat/0109419、cond-mat/0211005和cond-mat/0211027）中的一个中心论点。本文导出了具有共线自旋关联的顺磁莫特绝缘体中低能自旋单重态激发的有效场论。
2003-04-09 cond-mat.str-el
Surface effects in doping a Mott insulator
研究了在固体-真空界面存在下掺杂莫特绝缘体的物理过程。使用嵌入方法的动态平均场论，我们表明，在掺杂的莫特绝缘体的表面光谱演化的变化是由电荷转移效应和增强的相关效应的组合驱动。接近莫特绝缘相从金属侧，我们表明，死层形成在固体的表面，准粒子振幅呈指数抑制。表面跳跃积分的变化会对表面关联和电荷转移效应产生很大的影响。
2011-03-04 cond-mat.str-el
Relaxation Dynamics of Photocarriers in One-Dimensional Mott Insulators Coupled to Phonons
研究了一维莫特绝缘体中光生载流子与声子耦合的复合过程。通过密度矩阵重整化群计算，我们发现即使在小的电子-声子耦合下，也会动态地产生大量的声子，从而导致辐照后的初始弛豫过程。同时，抑制了由照射引起的高能态和低能态的混合引起的自旋-电荷耦合。我们讨论莫特和带状绝缘体的弛豫动力学之间的差异。
2012-02-02 cond-mat.str-el
Emergent Novel Metallic State in a Disordered 2D Mott Insulator
对于非相互作用的电子，增加的无序将金属驱动成无间隙的局部安德森绝缘体。虽然在三维中，过渡必须跨越无序的阈值，但在二维和更低的维度中，最小量的无序使金属不稳定。相互作用系统中金属-绝缘体转变的性质仍然没有得到解决。在这里，我们探讨的影响，在强关联莫特绝缘体不改变载流子浓度的无序。角分辨光电子能谱（ARPES）测量铜插层单晶的层状二硫属化物1 T-TaS 2揭示了新的离域状态的存在下，在莫特间隙。这是第一个实验实现了一种新的无序诱导金属，理论上预测存在于莫特绝缘体和安德森绝缘体之间。
2014-05-22 cond-mat.str-el
Cluster Mott insulators and two Curie-Weiss regimes on an anisotropic Kagome lattice
受量子自旋液体候选材料LiZn 2 Mo 3 O 8最近实验的启发，我们研究了各向异性Kagome晶格上1/6电子填充的单带扩展哈伯德模型.由于晶格的部分填充，需要产生莫特绝缘体，其中电子被定位在簇中，而不是在晶格位置处的位置间排斥相互作用。结果表明，这些团簇莫特绝缘体一般是具有自旋费米面的U（1）量子自旋液体.团簇莫特绝缘体中的电荷激发的性质与传统的莫特绝缘体有很大的不同，我们发现存在一种新颖的团簇莫特绝缘体，其中六角团簇周围的电荷波动诱导了元胞电荷序（PCO）。由于PCO的存在，自旋液体团簇莫特绝缘体中的自旋子激发谱被重构，只有1/3的自旋子激发是磁激活的。基于这些结果，我们提出LiZn_2 Mo_3 O_8中自旋磁化率的两个Curie-Weiss区域可以用具有PCO的团簇莫特绝缘体的有限温度性质以及自旋子的分数激发来解释。现有的和可能的未来实验LiZn 2 Mo 3 O 8，和其他钼基团簇磁体进行了讨论，根据这些理论预测。
2016-06-15 cond-mat.str-el
Spin susceptibility anomaly in cluster Mott insulators on a partially-filled anisotropic Kagome lattice: applications to LiZn2Mo3O8
受量子自旋液体候选材料LiZn 2 Mo 3 O 8最近实验的启发，我们研究了各向异性Kagome晶格上1/6电子填充的单带扩展哈伯德模型.由于晶格的部分填充，需要产生莫特绝缘体，其中电子被定位在簇中，而不是在晶格位置处的位置间排斥相互作用。我们提供了这样的集群莫特绝缘体的例子，并研究金属态和集群莫特绝缘体的各向异性的可果美晶格之间的相变。结果表明，这些团簇莫特绝缘体一般是具有自旋费米面的U（1）量子自旋液体.然而，在不同的集群莫特绝缘体的电荷激发的性质可能是完全不同的，我们表明，存在一种新的集群莫特绝缘体的电荷波动周围的六边形集群诱导的元胞电荷秩序（PCO）。由于PCO的存在，自旋液体团簇莫特绝缘体中的自旋子激发谱被重构，只有1/3的自旋子激发是磁激活的。同一模型的强耦合极限也通过一个Kugel-Khomskii-like模型进行了分析。基于这些结果，我们认为LiZn_2Mo_3O_8有限温度自旋磁化率的反常行为可以用具有PCO的团簇莫特绝缘体的有限温度性质以及自旋子的分形激发来解释.现有的和可能的未来实验LiZn 2 Mo 3 O 8，和其他钼基团簇磁体进行了讨论，根据这些理论预测。
2014-08-14 cond-mat.str-el
Electronic charge reconstruction of doped Mott insulators in multilayered nanostructures
采用动力学平均场论计算了由半无限金属铅层包围强关联材料势垒面（可通过金属-绝缘体Mott跃迁调谐）构成的多层非均匀器件的电荷重构。主要的重点是掺杂的莫特绝缘体的障碍，以及如何的电子电荷重建可以创建良好定义的莫特绝缘区的设备，其厚度是由本征材料的属性，因此可能是能够重现。
2006-12-13 cond-mat.str-el
The Mott metal-insulator transition in the 1D Hubbard model in an external magnetic field
研究了在外加磁场中一维哈伯德模型在Mott金属-绝缘体相变过程中的低能行为。特别是，我们计算任意哈伯德排斥和磁化数值和在某些限制情况下，分析的莫特过渡的临界点处的修饰电荷矩阵的元素。结合非微扰有效场论方法，揭示了时间反演对称性破缺对Mott跃迁的影响。
2008-01-08 cond-mat.str-el
Electronic Structure of Mott Insulators Studied by Inelastic X-ray Scattering
莫特绝缘体的电子结构仍然是物理学中一个主要的未解决的问题，尽管半个多世纪的紧张的研究工作。发展良好的动量分辨光谱学，如光电子能谱或中子散射不能探测整个莫特能隙。本文报道了利用高分辨率共振非弹性X射线散射技术在高Tc母体Ca_2CuO_2Cl_2中观察到的Mott能隙中的色散电荷激发，揭示了Mott能隙的各向异性。这些结果为哈伯德模型描述Mott能隙中的电荷激发提供了直接的支持。
2001-03-24 cond-mat.str-el
Superconducting optical response of photodoped Mott insulators
超快激光脉冲可以在极短的时间尺度上重新分布莫特绝缘体中的电荷，导致光生载流子的快速产生。最近的研究表明，这些光生载流子可以在低温下形成一种新的$η$ --成对的凝聚体，其特征在于交错的超导配对场。在这篇会议论文中，我们讨论了起源的$η$ -配对隐藏的相位和它的光学响应，可以检测到的泵浦探测实验。隐藏相可能与莫特绝缘体中可能的光致超导性有关。
2020-01-01 cond-mat.str-el
Emergence of Spinon Fermi Arcs in the Weyl-Mott Metal-Insulator Transition
本文提出一个最小微观模型，证明Weyl-Mott绝缘体表面存在自旋子费米弧，并揭示有限温度下无准粒子的中间Weyl半金属相及表面Mott能隙被抑制的机制，为烧绿石铱氧化物中的坏半金属行为提供理论解释。
2023-07-19 cond-mat.str-el
