Zero bias anomaly out of equilibrium
D. B. Gutman, Yuval Gefen, A. D. Mirlin
研究了扩散金属薄膜隧穿态密度中的非平衡零偏异常。一个有效的行动描述虚拟波动的平衡。平衡ZBA的奇异行为通过非弹性散射的真实过程而被平滑。
The non-equilibrium zero bias anomaly (ZBA) in the tunneling density of states of a diffusive metallic film is studied. An effective action describing virtual fluctuations out-of-equilibrium is derived. The singular behavior of the equilibrium ZBA is smoothed out by real processes of inelastic scattering.
机构、总结、中文摘要均由AI分析而来，可能存在错误，请以论文正文为准。
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On the Zero-Bias Anomaly in Quantum Wires
未掺杂的GaAs/AlGaAs异质结构已被用于制造量子线，其中平均杂质分离大于器件尺寸。我们比较的零偏置异常的行为对近藤和自旋极化模型的预测。这两种理论都有不足之处，其中最引人注目的是在固定磁场B下零偏置反常自旋分裂与电子密度的线性关系，以及在夹断时塞曼效应的抑制。
Strongly correlated zero-bias anomaly in double quantum dot measurements
掺杂过渡金属氧化物的实验经常显示费米能级的单粒子态密度的抑制，但在强关联系统中无序诱导的零偏置异常仍然知之甚少。对Anderson-哈伯德模型的数值研究已经发现了一个零偏异常，它是强关联材料所特有的，其宽度正比于点间跳跃幅度t [S]。基耶萨省查克拉博蒂湾E. Pickett和R. T. Scalettar，Phys. Rev. Lett. 101，086401（2008）]。在两个位置系统的系综中，也出现了具有相同参数依赖性的零偏异常，这表明了类似的物理起源[R。Wortis和W. A. Atkinson，Phys.Rev.B82，073107（2010）]。我们描述了如何在基于双量子点的介观实现中看到这种动能驱动的两个站点系统的合奏零偏置异常。此外，双量子点测量不仅提供了整体平均态密度，而且还提供了引起零偏异常的跃迁细节。
Electron phase shift at the zero-bias anomaly of quantum point contacts
近藤效应是在极低温度下，电子云对局域自旋的多体屏蔽。它已被提出作为量子点接触中的零偏置异常的解释，其中相互作用驱动一个自发的电荷本地化。然而，这种异常的近藤起源仍在争论中，需要更多的实验证据。在这里，我们报告的第一个相位敏感测量的零偏置异常量子点接触使用扫描门显微镜创建一个电子干涉仪。我们观察到的干涉条纹的突然移位的半个周期的零偏置异常的偏置范围内，单粒子模型不能再现的行为。相反，我们将其与近藤系统的电子散射所经历的相移有关。因此，我们的实验为量子点接触中的多体效应提供了新的证据。
Influence of leads on signatures of strongly-correlated zero-bias anomaly in double quantum dot measurements
研究揭示电极对双量子点测量中强关联零偏异常特征的影响，显示电极改变稳定性图但异常特征仍清晰。
Bulk and boundary zero-bias anomaly in multi-wall carbon nanotubes
我们计算了掺杂多壁纳米管的隧穿态密度，包括无序和电子-电子相互作用。根据最近的实验结果，发现了一个非常规的库仑阻塞，反映非微扰Altshuler-Aronov-Lee幂律零偏异常。边界的存在意味着扩散极限中边界指数的普遍加倍。
Zero-bias conductance anomaly in bilayer quantum Hall systems
在总填充因子$ν=1$下的双层量子霍尔系统中，由于层间和层内库仑相互作用的竞争，呈现出丰富多样的对称性破缺基态。当这些层足够接近时，双层系统会产生自发的层间相位相干性，这种相干性通过零偏压层间隧穿电导的显著增强来体现。我们提出了一个理论，这种隧道电导异常，并表明，零偏压电导的平方成正比的{ \it准粒子}隧穿振幅。
Effect of Exchange-type Zero-bias Anomaly on Single Electron Tunnelling of Au Nanoparticles
使用低温扫描隧道显微镜和扫描隧道光谱，我们测量了孤立的Au纳米粒子的半径为1.4 nm的单电子隧穿。在隧穿电导谱中观察到零偏压附近存在一个能隙Δ V2 e/C（C为Au粒子的电容），随后在负偏压和正偏压下出现一系列电压宽度为ECe/C的离散单电子隧穿峰。考虑到电子交换相互作用对Au纳米粒子单电子隧穿的影响，很好地解释了实验数据。零偏压附近的隧穿峰被交换型零偏压反常所抑制，导致带隙Δ V2 EC。
Zeeman splitting of zero-bias anomaly in Luttinger liquids
Luttinger液体中的隧穿态密度（DoS）在零能量处有一个下降，通常称为零偏异常（ZBA）。在存在磁场的情况下，除了零偏置异常之外，DoS还产生两个峰，这两个峰与原点由塞曼能量分开。我们发现这些峰的形状在任意强度的电子-电子相互作用。所发展的理论适用于各种量子线，包括碳纳米管。
Zero-bias anomaly in one-dimensional tunneling contacts
研究了库仑相互作用对两条平行量子线构成的接触的隧穿电导的影响。考虑了两条完全相同的量子线、两条完全相同的无序量子线以及一条完全相同的量子线和另一条无序量子线的非对称接触。我们表明，低电压的隧道电导异常是奇异性比低能量的单粒子态密度异常。
Zero-bias anomaly in two-dimensional electron layers and multiwall nanotubes
研究了二维和一维多层结构中隧穿态密度$ν(ε)$与隧穿粒子能量$ε$的关系中的零偏异常。我们表明，对于弹道二维（2D）系统的一阶相互作用修正DOS由于Khveshchenko和Reizer研究的等离子体激元激发部分补偿的电子空穴对的贡献是小的两倍，并具有相反的符号。对于多层系统，对费米能附近的态密度的总校正具有$δν/ν_0 = {max} (| ε|, ε^*)/4ε_F$的形式，其中$ε^*$是多层2D系统的等离子体激元能隙。在一维导体的情况下，我们研究的弹性平均自由程超过纳米管的半径的多壁纳米管。发现了隧穿态密度与能量、温度和壳层数的关系。
Non-Kondo zero bias anomaly in electronic transport through an ultra-small Si quantum dot
我们研究了超小硅量子点的低温单电子输运。我们发现，在低温下，库仑阻塞是部分解除在某些栅极电压。此外，我们观察到零偏压下的微分电导的增强。这种零偏置异常的磁场依赖性与GaAs量子点中报道的非常不同，与近藤效应的预测不一致。
Zero-bias anomaly in cotunneling transport through quantum-dot spin valves
我们预测了一个新的零偏置异常的微分电导通过一个量子点耦合到两个铁磁导线与反平行磁化。这种异常在起源和性质上不同于通过量子点传输的其他异常，例如近藤效应。它发生在库仑阻塞谷中，带有一个未成对的点电子，它是单势垒和双势垒共隧穿过程相互作用的结果，以及它们对点中自旋积累的影响。当施加磁场时，异常变得显著改变。
0.7 Structure and Zero Bias Anomaly in Ballistic Hole Quantum Wires
我们研究了在平行于$B_{\perp}$和平行于$B_{\parallel}$的面内磁场作用下，$G = 0.7(2e^{2}/h)$周围的反常电导平台和弹道空穴量子线中的零偏压反常.正如在电子量子线中所看到的，磁场将0.7结构向下移动到$G = 0.5(2e^{2}/h)$，同时淬灭零偏置异常。然而，由于空穴量子线中的高度各向异性的有效Landé \emph{g} -因子$g^{*}$，这些效应强烈地依赖于磁场的取向。我们的研究结果突出了自旋在0.7结构和零偏异常中所起的重要作用。
Non-equilibrium Luttinger liquid: Zero-bias anomaly and dephasing
本文在Luttinger液体模型的框架下研究了一维非平衡电子相互作用系统。我们分析了几个设置，并开发了一个理论隧道到这样的系统。这个问题的一个显着的属性是没有放松的能量分布函数的左和右移动，但存在的有限的退相率由于电子-电子散射，这涂抹零偏置异常的奇异性的隧道态密度。
Asymmetric Zero-Bias Anomaly for Strongly Interacting Electrons in One Dimension
我们研究了一个系统的一维电子在政权的强排斥相互作用，其中的自旋交换耦合J是小的费米能量相比，和传统的Tomonaga-Luttinger理论不适用。我们发现，隧穿态密度有一个形式的非对称峰附近的费米能级为中心。在自旋非相干区中，温度比J大，态密度以费米能级测量的能量ε的幂律下降，正能量处的前因子是负能量处的两倍。相反，在低于J的温度下，态密度形成分裂峰，大部分权重移动到负ε。
Coexistence of Coulomb blockade and zero bias anomaly in a strongly coupled quantum dot
测量了通过与金属引线良好耦合的金属量子点的电流-电压特性。结果表明，I-V曲线由两部分组成。一个是在费米能级的隧道导电性的抑制和第二个是一个振荡的功能，随着栅极电压的变化。结果表明，在非对称强耦合量子点中，零偏压反常和库仑阻塞现象共存。
Bias dependent subband edges and the 0.7 conductance anomaly
通过测量微分电导G与源漏偏压V_sd和栅源偏压V_gs以及温度的关系，研究了强限制刻蚀GaAs/GaAlAs量子点接触中0.7 2e^2/h的电导反常现象.在V_gs-V_sd平面中，我们使用Δ dG/dV_gs的灰度图来绘制正常和异常电导平台之间的偏压相关跃迁。任何给定的转变被解释为当漏（源）储层的偏压控制的化学势mu_d（mu_s）穿过点接触中的子带边缘e_a时出现。从灰度图中，我们提取恒定的正常子带边缘e_0，e_1，.并且最值得注意的是从E_0分离的依赖于偏置的异常子带边缘E '_0（μ_d）。我们表明，通过应用有限偏置版本的最近提出的BCF模型，如何偏置依赖的异常子带边缘的关键是分析各种实验观测相关的0.7异常。
Kondo-like zero-bias conductance anomaly in a three-dimensional topological insulator nanowire
拓扑纳米线中的零偏异常最近引起了人们的极大关注，因为它们可能是马约拉纳模式的签名。然而，纳米线中的零偏置峰还有许多其他可能的起源，例如，弱局域化、Andreev束缚态或近藤效应。在这里，我们讨论的观察微分电导峰在零偏置电压在非超导电子输运通过三维拓扑绝缘体纳米线。零偏压电导峰显示出对数温度依赖性，并且经常与磁场线性分裂，这两者都是量子点中近藤效应的特征。在这里，我们描述了零偏置峰，并讨论了它们的起源。
Zero-bias anomaly in the tunneling density of states of graphene
在费米能级附近，石墨烯的能带结构可以用狄拉克方程很好地描述。杂质一般会感应出标量势和作用在狄拉克费米子上的（虚构的）规范场。我们表明，在一个特定的杂质周围的空间分辨的隧穿态密度（TDOS）的零偏异常的角度依赖性允许一个区分这两个贡献。我们的预测可以在石墨烯的扫描隧道显微镜测量中进行测试。
Bias and temperature dependence of the 0.7 conductance anomaly in Quantum Point Contacts
通过测量差分电导随源漏和栅偏压以及温度的变化，研究了强约束刻蚀GaAs/GaAlAs量子点接触中0.7（2e^2/h）的电导异常。我们详细调查如何，对于一个给定的栅极电压，差分电导取决于有限的偏置电压，并找到一个所谓的自选通效应，我们纠正。零偏压下的0.7异常在有限偏压下平滑地演变为0.85（2e^2/h）的电导平台。改变栅极电压，在1.0和0.85（2e^2/h）平台之间的转变对于确定的偏置电压发生，其定义了依赖于栅极电压的能量差$Δ$。将该能量差与从低偏压下0.7反常的实验观察到的激活行为中提取的激活温度T_a进行比较。我们发现Δ= k_BTa，这支持了电导反常是由于通过两个传导通道传输的观点，其中一个子带边缘Δ低于化学势的通道随着温度的升高而变得热密度降低。
Relation between width of the zero-bias anomaly and Kondo temperaure in transport measurements through correlated quantum dots: Effect of asymmetric coupling to the leads
从理论上研究了电流通过自旋$1/2$量子点和两个金属接触形成的系统时由近藤效应引起的低温零偏压反常现象。特别是，我们比较了这种异常的宽度$2T_{\rm NE}$与近藤共振的状态$2T_{K}^ρ$，从相应的曲线的Fano拟合的光谱密度，也与近藤温度，$T_K^G$，定义从温度演变的平衡电导$G(T)$。与$T_K^G$和$2T_{K}^ρ$相反，我们发现，当总杂化保持恒定时，$2T_{\rm NE}$的规模强烈地依赖于量子点与引线之间的耦合的不对称性。虽然这三个尺度具有相同的数量级，但$2T_{\rm NE}$和$T_{K}^ρ$仅在接触和量子点的不同隧穿耦合之间存在较大不对称性的情况下才一致。另一方面，对于相似的耦合，$T_{\rm NE}$变得大于$T_{K}^ρ$，对于相同的耦合，达到$30\%$量级的最大偏差。事实上，一个额外的参数，$T_{\rm NE}$是需要来表征近藤效应，削弱了普适性的性质，点，在通常的识别实验中的低温宽度的零偏异常的近藤尺度应采取一些谨慎。此外，我们的结果表明，比率$T_{\rm NE}/T_K^G$和$T_{K}^ρ/T_K^G$取决于用于拟合的范围。
Zero-bias Anomaly of Quantum Point Contacts in the Low-Conductance Limit
大多数在高迁移率二维电子气中制备的量子点接触（QPC）在夹断附近显示出零偏压电导峰，但该峰的起源仍然是一个谜。以前的实验主要集中在中等电导率下的零偏压峰，范围在（1-2）e^2/h。这里给出的测量结果是零偏峰值，其持续时间低至10^{-4} e^2/h。磁场和温度的依赖性的零偏置峰值在低电导极限是定性不同的类似现象在较高的电导，与现有的理论模型的低密度量子光子晶体中的运输的影响。
Magnetically stable zero-bias anomaly in Andreev contact to the magnetic Weyl semimetal Co$_3$Sn$_2$S$_2$
受拓扑结构、超导性和磁性之间相互作用的启发，我们实验研究了Nb超导体与Weyl半金属Co $_3$ Sn $_2$ S $_2$之间的界面电荷输运.除了邻近感应超导能隙隙外，我们还观察到几个亚能隙特征，其中最有趣的是显著的亚能隙零偏置异常，对外部磁场绝对稳定，直到Nb的临界场。作为输运特性中出现零偏压异常的可能情形，我们考虑了与半金属Co $_3$ Sn $_2$ S $_2$界面上的邻近诱导零能Andreev束缚态，该束缚态受强自旋轨道耦合和大塞曼分裂的影响.
Electron Interactions in Bilayer Graphene: Marginal Fermi Liquid Behaviour and Zero Bias Anomaly
我们分析了双层石墨烯（BLG）在电荷中性，由电子之间的长程相互作用的多体性质。微扰理论在大量的口味中使用，其中的相互作用被描述在一个随机相位近似，考虑到动态屏蔽效应。关键是，动态屏蔽的相互作用保留了一些长程特征，导致关键量的$\log^2$重整化。我们对BLG进行了一个圈级的微扰重整化群计算，发现BLG表现为一个边缘费米液体。相互作用产生了准粒子残基和相互作用顶点函数的对数平方重整化，而所有其他量只在几何上重整化。我们以对数精度求解了格林函数的RG流方程，发现准粒子剩余流在RG下趋于零。同时，规范不变量，如压缩性，保持有限的$\log^2$阶，与subleading对数修正。这种边缘费米液体行为的关键实验特征是对隧穿态密度的强烈抑制，这表现为在可压缩性基本上与非相互作用值不变的情况下隧穿实验中的零偏异常。
Theory of Zero-Bias Anomaly in Magnetic Tunnel Junctions: Inelastic Tunneling via Impurities
利用闭合时间路径积分方法，我们非微扰地研究了磁性隧道结中电子通过势垒中磁性杂质的非弹性隧穿并伴随声子发射。声子发射谱密度表现出幂律的红外奇异性$\simω^{-(1-g)}$，其中$g$为无量纲的电子-声子耦合。结果，隧穿电导$G(V)$随着偏置电压$| V|$增加为$G(V)-G(0)\sim| V|^{2g}$，对于$g\le 0.5$，在V=0处表现出斜率的不连续性。该理论可以再现实验中广泛观察到的隧道电阻和磁电阻零偏异常的尖点和非尖点特征。
Superconducting proximity effect and zero-bias anomaly in transport through quantum dots weakly attached to ferromagnetic leads
利用实时图解法，在顺序隧穿和共隧穿两种模式下，对耦合到两个外铁磁引线和一个超导引线的量子点的Andreev输运进行了理论研究.我们表明，隧道磁电阻（TMR）的Andreev电流显示的偏置电压和水平失谐的非平凡的依赖关系，并可以描述在零温度极限的解析公式。共隧穿过程导致TMR的强烈修改，这是最明显的库仑阻塞制度。我们发现了一个零偏置异常的Andreev微分电导的平行配置，这是与一个非平衡自旋积累的点触发的Andreev过程。
Universal lineshape of the Kondo zero-bias anomaly in a quantum dot
受到最近的实时重整化群结果的鼓舞，我们对在InAs单晶量子点中观察到的非平衡Kondo电导进行了详细的分析，发现它们非常吻合。我们表明，在一个广泛的偏置的近藤电导零偏置异常缩放的近藤温度的数值研究预测的一个普遍的线形。线形可以近似为一个单一的参数$eV_{sd}=k_{\rm B}T_{\rm K}$的唯象表达式。的线形的解析表达式的知识提供了一种替代的方法，在一个真实的实验中的近藤温度的估计，而不需要耗时的线性电导的温度依赖性测量。
Activated Behavior of the 0.7 2(e^2)/h Conductance Anomaly in Quantum Point Contacts
实验研究了沟槽刻蚀GaAs量子点接触量子化电导中的0.7电导异常。在源漏偏压消失的情况下测量的异常的温度依赖性揭示了与先前报道的顶栅结构相同的激活行为。我们的主要结果是，零偏，高温0.7异常发现在活化测量和有限的偏差，低温0.9异常发现在输运光谱有相同的起源：密度相关的激发间隙。
Universality of transport properties in equilibrium, Goldstone theorem and chiral anomaly
研究了一类具有两个守恒手征电荷的物理系统的输运问题。我们描述了这类系统的输运性质的普遍性和手征异常之间的关系。我们表明，目前的期望值的非零意味着存在的无间隙模式，类似于戈德斯通定理。我们的主要工具是一个新的公式，表示电流的异常的转换器。电导的普适性是反常非重整化的自然结果。为了说明我们的形式主义，我们研究了（1+1）维量子线和（3+1）维背景磁场中的无质量QED的输运性质。
Zero-bias anomaly and Kondo-assisted quasi-ballistic 2D transport
介观准弹道二维电子系统的非平衡输运测量表明，费米能附近的微分电导增强。在非常低的温度下，这种零偏异常分裂，导致在低能量下线性输运的抑制。我们还观察到在低能量下的非平衡特性的标度，这类似于两态系统的电子散射，在双通道Kondo模型的框架下解决。详细的样品到样品的再现性表明在无约束的2D系统中的低电子密度制度的内在现象。
Zero-bias anomaly induced by the point defect in graphene
通常认为，石墨烯中的点缺陷在零能量下产生杂质态，并在缺陷位点附近的局部态密度中引起尖峰。我们重新审视了石墨烯中的缺陷问题，发现普遍的共识是不正确的。通过解析和数值计算，我们证明了在热力学极限下杂质态对局域态密度的贡献为零。相反，明显的峰值的零偏置异常是一个幂律奇点$1/|E|$从无限的共振峰在低能量区的缺陷。我们的发现表明，该峰应被看作是一个集体现象，而不是在以前的研究中的单个杂质状态。
Magnetic-field-dependent zero-bias diffusive anomaly in Pb oxide-n-InAs structures: Coexistence of two- and three-dimensional states
本文介绍了在高达6 T的磁场中对Pb-oxide-n-InAs隧道结构零偏异常的实验和理论研究结果。该结构的一个具体特征是在半导体表面附近的费米能处的2D和3D状态的共存。所测得的ZBA振幅对所施加的磁场的强度和方向的依赖性与所提出的理论模型一致。根据该模型，电子隧穿进入2D状态，并在2D层中扩散移动，而对屏蔽的主要贡献来自3D电子。
Break-junction experiments on the zero-bias anomaly of non-magnetic and ferromagnetically ordered metals
我们研究了正常非磁性金属以及铁磁体在低温下的断裂结。半径为0.15 - 15 nm的点接触显示出零偏压异常，这可以归因于在接触处的单个Kondo杂质处的Kondo散射或单个导电通道的切换。由异常宽度推算的近藤温度在10 ~ 1000 K之间变化。这些结果与铁磁体的原子尺寸接触以及各种金属上的矛砧型接触的文献数据吻合得很好。
Zero-bias tunneling anomaly in a clean 2D electron gas caused by smooth density variations
我们证明了在干净的二维电子气中，局域电子浓度的平滑变化δn（{ \bf r}）会引起隧道态密度ν（ω）的零偏异常，即使在没有散射体的情况下，也不会产生Friedel振荡.异常的能量宽度ω_0与波动的震级δn和特征空间范围D成比例关系，即（δn/D）^{2/3}，而相对震级δν/ν成比例关系，即（δn/D）。随着ω的增加，平均δν随ω振荡。我们证明了异常的起源是由于气体的光滑不均匀性导致的经典电子轨迹的弱弯曲。这种弯曲抑制了由两个电子-空穴对虚过程引起的对电子自能的修正
Cotunneling through quantum dots coupled to magnetic leads: zero-bias anomaly for non-collinear magnetic configurations
利用实时图解法对弱耦合量子点与非共线磁化导线的共隧穿输运进行了理论分析。计算了在库仑阻塞条件下和系统任意磁结构下的电流、量子点占据和量子点自旋。结果表明，施加在点上的铁磁导线的有效交换场可以显着修改非共线磁配置，特别是最近发现的反平行配置的零偏置异常的输运特性。对于非对称Anderson模型，交换场引起量子点自旋的进动，导致微分电导和隧道磁阻与引线的磁矩夹角的非单调关系.对于某些非共线结构，发现了增强的微分电导和负TMR。
Conductance oscillations and zero-bias anomaly in a single superconducting junction to a three-dimensional $Bi_2Te_3$ topological insulator
我们实验研究了Andreev输运通过s波铟超导体和三维$Bi_2Te_3$拓扑绝缘体厚膜之间的单个结。我们研究$Bi_2Te_3$样品具有不同的体积和表面特性，其中的拓扑表面状态的存在下证实了直接ARPES测量。所有的结都证明了超导能隙内的Andreev输运。对于具有透明$In-Bi_2Te_3$界面的结，我们发现了一些近周期的电导振荡，这是伴随着零偏压电导异常。这两种效应在超导转变或电阻结以上消失。我们提出了一个一致的解释，这两种效应起源于邻近诱导的超导关联内的$Bi_2Te_3$拓扑表面状态。
Zero-Field Satellites of a Zero-Bias Anomaly
二维系统中电子费米面的自旋轨道（SO）分裂$\pm ω_{SO}$表现为相互作用引起的对隧穿态密度$ν(ε)$的修正。也就是说，在光滑无序的情况下，它会产生能量为$ε=\pm 2ω_{SO}$的零偏异常的卫星。在弱平行磁场中的塞曼分裂$\pm ω_{Z}$在每个尖锐的卫星峰的顶部引起宽度为$δε=2ω_{Z}$的窄{ \em坪}。当$ω_{Z}$超过$ω_{SO}$时，SO卫星在$ε= \pm 2ω_{Z}$处跨越到传统的狭窄极大值，顶部是SO诱导的高原$δε=2ω_{SO}$。
Zero-bias anomaly in disordered wires
在考虑电子-电子相互作用的情况下，我们非微扰地计算了$N$沟道无序线的低能隧穿态密度$ν(ε, T)$。有限散射率$1/τ$导致从较高能量下的Luttinger液体行为$ν\proptoε^α$到低能量下的指数依赖性$ν(ε, T=0)\propto \exp{(-ε^*/ε)}$的交叉，其中$ε^*\propto 1/(N τ)$。在有限温度$T$下，隧穿态密度依赖于通过无量纲变量$ε/\sqrt{ε^* T}$的能量。在费米能级$ν(ε=0,T) \propto \exp (-\sqrt{ε^*/T})$。
What lurks below the last plateau: Experimental studies of the 0.7 x 2e^2/h conductance anomaly in one-dimensional systems
一维电子系统的整数量子化电导是量子限制效应的一个很好理解的结果。一些分数量化的平台也经常观察到。它们被归因于多体效应，但它们的确切起源仍然是一个有争议的问题，在过去15年中引起了相当大的兴趣。这篇综述报道了半导体量子点接触和量子线中分数量子化平台的实验研究，重点是0.7 x 2e^2/h电导异常，在较高电导下的类似物，以及在电导小于2e^2/h的直流源漏偏压中观察到的零偏压峰。
Interference and zero-bias anomaly in tunneling between Luttinger-liquid wires
我们提出的理论计算和实验测量，揭示了Luttinger液体（LL）性质的元激发在一个系统中由两个量子线连接的GaAs/AlGaAs双层异质结的边缘的狭长隧道结。导线的边界是重要的，并导致在短结上的测量中的特征干涉图案。我们表明，实验观察到的电导振荡幅度的调制作为电压偏置的函数，可以占由自旋-电荷分离的相互作用的电线中的基本激发。此外，边界影响的LL指数的电压和温度依赖性的隧穿电导在低能量。我们表明，测得的温度依赖性的电导零偏压下降以及电压调制的电导振荡模式可以用来提取电子相互作用参数的导线。
Zero-bias transport anomaly in metallic nanobridges: Magnetic field dependence and universal conductance fluctuations
我们目前的数据传输测量通过金属纳米桥表现出扩散电子输运。观察到微分电导的对数温度依赖性和零偏异常，独立于磁场。这些数据可以用一个标度律来描述。无序系统中的电子-电子相互作用理论适用于非平衡的有限尺寸系统的情况，与实验定量一致。普适电导函数的测量支持了电子相位相干理论的假设。
Coulomb zero bias anomaly for fractal geometry and conductivity of granular systems near the percolation threshold
略低于逾渗阈值的颗粒系统是有限金属团簇的集合，其特征在于宽范围的尺寸、电阻和充电能量。电子通过高电阻的短绝缘“链接”从一个团簇跳到另一个团簇。在低温下，所有的集群库仑阻塞和直流电导率呈指数抑制。在最低T的领先的运输机制是可变范围cotunneling通过最大的（临界）集群，导致修改后的Efros-Shklovsky定律。在中等温度下，电导率的主要抑制源自库仑零偏置异常发生时，电子隧道相邻的大集群与大电阻之间。这类星系团基本上是扩展的天体，应当考虑到它们的内部动态。在这个制度中的T-依赖性的电导率是拉伸指数与非平凡的指数，表示通过指数的渗流理论。由于大集群的分形结构的异常强烈增强：它不仅出现在低维，但也在d=3的情况下。
Non-Kondo zero-bias anomaly in quantum wires
有人认为，量子线中的零偏压电导峰表明存在近藤自旋相关，这也可能与一种有趣的1D自旋效应（称为0.7结构）有关。这些零偏异常（ZBA）强烈地依赖于温度，并且已经被观察到在磁场中分裂成两个峰，这两个峰都是量子点中近藤关联的特征。我们目前的数据中，ZBA一般不分裂磁场增加到10 T。我们的几个ZBA分裂磁场，但显着小于近藤分裂值，并演变回一个单一的峰值后，横向移动的一维收缩。因此，ZBA似乎没有近藤起源，相反，我们提出了一个简单的唯象模型来重现ZBA，这是在协议中观察到的特点。
Zero-bias anomaly in a nanowire quantum dot coupled to superconductors
我们研究了自旋为1/2的量子点在InAs/InP纳米线中的低能态，并与铝超导导线耦合。通过改变超导能隙Δ和磁场B，我们研究了从强耦合Δ T_{K}到弱耦合Δ>> T_{K}的转变，其中T_{K}是近藤温度。在临界场以下，我们观察到持续的零偏置近藤共振，仅在低B或更高的温度下才消失，在Δ和2Δ之间的偏置电压下为更鲁棒的子带隙结构留下空间。对于强的和近似对称的隧道耦合，除了近藤峰观察到约瑟夫森超电流。我们将近藤共振和超导能隙的共存归因于能隙内的准粒子态密度，而有限偏置子能隙结构归因于Shiba态的隧穿.我们的研究结果，数值计算的支持下，自己的相关性也在隧道光谱实验，旨在观察混合纳米结构中的马约拉纳费米子。
Magnetic-field-induced Luttinger liquid
它示出了一个强的磁场施加到大块金属诱导Luttinger液相。这一阶段的特点是零偏压异常的隧道：隧道电导的规模作为一个幂律的电压或温度。隧穿指数随着磁场的增加而增加，如BlnB。零偏置异常是最明显的隧道与垂直于隧道结的平面施加的字段。
Symmetry-dependent electron-electron interaction in coherent tunnel junctions resolved by zero bias anomaly measurements
我们提供了确凿的实验证据，零偏置异常的磁隧道结（MTJ）的微分电阻是由于电子-电子相互作用（EEI），澄清了一个长期存在的问题。现在通过在低至0.2 K的低温下进行测量，并将交流测量电压降低至0.06 mV，可以排除导致混淆的磁振子效应。电导的归一化变化与$\ln{(eV/k_{B}T)}$成比例，这与描述由于EEI导致的态密度降低的Altshuler-Aronov隧穿理论一致，但与磁性杂质散射不一致。$\ln{(eV/k_{B}T)}$依赖性的斜率是对称依赖性的：对于具有对称滤波的相干隧道结，P和AP状态的斜率是不同的，而对于没有对称滤波的相干隧道结（非晶势垒），P和AP状态的斜率几乎相同。这一发现对于验证寻找新的相干隧穿结的对称性保持滤波，以及探测和分离其他关联系统中不同对称性的电子Bloch态具有重要意义。
Non-equilibrium Transport in the Anderson model of a biased Quantum Dot: Scattering Bethe Ansatz Phenomenology
推导了零温下量子点在源漏偏压和磁场作用下的输运性质。利用经典热力学Bethe Anstaz方法推广到非平衡开放系统的散射Bethe Anstaz方法，我们得到了非平衡量子点占据的精确结果，并通过在电流计算中引入唯象的自旋和电荷涨落分布函数，得到了大U/Γ时的微分电导.描述量子点系统的哈密顿量是安德森杂质哈密顿量，数值计算得到了电流和量子点占有率随电压的变化关系。我们也改变了栅极电压和研究过渡从混合价的近藤政权的存在下的非平衡电流。最后，我们在这个模型中遇到的困难和可能的方式来解决他们，而不诉诸现象学的方法。
Tuning spinaron and Kondo resonances via quantum confinement
本研究通过Ag(111)表面圆形量子围栏的量子限制工程，调控磁性原子的自旋子和近藤共振，发现零偏压异常宽度随围栏半径振荡，为多体量子激发调控提供新途径。
Out-of-equilibrium Anderson model at high and low bias voltages
我们研究了量子点的非平衡Anderson模型的高电压和低电压特性，使用Keldysh形式主义中的泛函方法。在杂质位置的格林函数可以看作是一个非平衡分布函数的泛函。格林函数对偏置电压V和温度T的依赖性通过非平衡分布函数产生。从这个行为作为一个功能，它表明，非平衡格林函数在高压极限是相同的平衡格林函数在高温极限。当点和左右两个引线的耦合相等时，这种对应关系成立。在相反的限制，对于小电子伏特，低能量的行为的格林函数可以描述的本地费米液体理论的订单条款$(eV)^2$。这些结果意味着，由于库仑相互作用U的相关效应，可以在两个限制，在高和低偏置电压的辩证地对待。
Nonequilibrium Kondo effect by equilibrium numerical renormalization group method: The hybrid Anderson model subject to a finite spin bias
我们研究了具有正常电极和超导电极的量子点中的近藤关联，其中在器件两端施加自旋偏置电压，并且局部相互作用$U$是吸引的或排斥的。当自旋流被阻断在大能隙区时，这个非平衡强关联问题映射成一个平衡模型，可以用数值重整化群方法求解。由此得到了高精度的具有非平衡自旋积累特征分裂的近藤谱。结果表明，当偏压引起的自旋近藤效应的退相干被超导性部分补偿时，电荷近藤效应被超导邻近效应增强而脱离平衡，并经历了额外的分裂，在局域谱密度中产生四个近藤峰.在电荷近藤制度，我们发现一个普遍的缩放的电荷电导在这种混合器件在不同的自旋偏置。作为与超导引线的耦合的函数的通用电导在Kondo温度处达到峰值，因此直接测量Kondo温度。我们的结果与最近在混合氧化物量子点中实现负$U$电荷近藤效应的实验直接相关[Nat.Commun. \textbf{8}，395（2017）]。
Incipient singlet-triplet states in a hybrid mesoscopic system
在目前的工作中，我们提供了一个容易获得的方法来实现单重态-三重态近藤效应的混合系统组成的量子点接触（QPC）耦合到电子腔。我们发现，通过激活QPC和腔之间的耦合，零偏置异常发生在低电导制度，零偏置和有限偏置异常（FBA）的共存在中等电导制度，和FBA唯一的异常在高电导制度。后两个观测结果是由于单重态-三重态近藤效应。
Zero-bias anomaly in nano-scale hole-doped Mott insulators on a triangular silicon surface
在重掺杂p型Si（111）衬底上吸附1/3单层Sn，形成空穴掺杂的莫特绝缘体，其电子性质与高Tc氧化铜化合物非常相似。在这项工作中，我们表明，该系统的最大空穴密度随着域尺寸的减小而增加，因为莫特绝缘域的面积接近纳米级制度。与此同时，在4.4 K的扫描隧道光谱数据揭示了一个日益突出的零偏异常（ZBA）。我们考虑了两种不同的可能机制：手征d_（x^2 -y^2）+ id_xy波超导和动力学库仑阻塞（DCB）效应。后者是由于在纳米畴和衬底之间形成电阻耗尽层而产生的。这两种模型都适合隧道光谱与较弱的ZBA，而DCB模型显然更适合在较高的温度下记录的光谱，或从最小的域与最强的ZBA。一致地，STS光谱从轻掺杂衬底显示振荡行为，可以归因于传统的库仑阶梯行为，这变得更强的较小尺寸的域。我们的结论是，ZBA主要是由于DCB效应，而超导不稳定性是缺席或一个次要的贡献因素。
Non Equilibrium Noise as a Probe of the Kondo Effect in Mesoscopic Wires
我们研究了含有磁性杂质的介观扩散线中的非平衡噪声。我们发现，散粒噪声电流比开发一个峰值在中间源漏偏置的近藤温度的顺序。在中间偏置的增强杂质的贡献也表现在有效分布。预测的峰值表示在非平衡Kondo交叉处增加的非弹性散射速率。
Equilibrium Dynamics of the Sub-Ohmic Spin-boson Model Under Bias
利用玻色子数值重整化群方法，研究了偏置亚欧姆自旋玻色子模型中自旋算符$σ_z$的平衡动力学关联函数$C(ω)$。发现小- $ω$行为$C(ω) \propto ω^s$是普遍的并且独立于偏置$ε$和耦合强度$α$（除了在量子临界点$α=α_c$和$ε=0$）。我们的NRG数据还显示了$C(ω) \propto χ^{2}ω^{s}$的参数范围很广，包括偏强耦合制度（$ε\neq 0$和$α> α_c$），支持的柴关系的一般有效性。接近量子临界点$α_c$，$C(ω)$对$α$和$ε$的依赖性被理解为$ε$和无偏情况下的交叉能量尺度$ω_{0}^{\ast}$之间的竞争。对于$ε\ll ε^{\ast}$，$C(ω)$相对于$ε$稳定。对于$ε\gg ε^{\ast}$，它在低频区被$ε$抑制。我们建立了$ε^{\ast} \propto (ω_0^{\ast})^{1/θ}$适用于所有亚欧姆机制$0 \leqslant s < 1$，其中$θ=2/(3s)$适用于$0 < s \leqslant 1/2$，$θ= 2/(1+s)$适用于$1/2 < s < 1$。$C(ω)$与$α$和$ε$的变化概括为$α-ε$平面上的交叉相图。
Mapping of strongly correlated steady-state nonequilibrium to an effective equilibrium
通过映射稳态非平衡到一个有效的平衡，我们制定非平衡问题内的平衡图片，我们可以应用现有的平衡多体技术稳态电子输运问题。研究了多体散射态的解析性质，将边界条件算符简化为简单形式，并证明了这种映射与正确的线性响应理论是等价的。在一个无限U Anderson杂质模型的例子中，我们近似求解了散射态的产生算符，并在此基础上导出了偏置算符Y，从而构造了Boltzmann因子exp（-beta（H-Y））形式的非平衡系综.由此产生的哈密顿量求解的非交叉近似。我们得到了零偏压下的近藤反常电导、量子点上的电荷激发引起的非弹性输运以及在较宽偏压范围内的非弹性电流背景。最后，我们提出了一个映射一般稳态非平衡态的自洽算法。
Fate of the Quasi-condensed State for Bias-driven Hard-Core Bosons in one Dimension
一维的玻色子显示出一种称为准凝聚的现象，其中相关性以幂律方式衰减。我们研究了在不同的化学势下，耦合到宏观铅原子上的硬核玻色子链在非平衡稳态下准凝聚的命运。发现有限偏压破坏了准凝聚态，并确定了准凝聚态在零偏压跃迁附近的临界标度函数。相关的临界指数的确定和数值验证。远离平衡，系统表现出指数衰减的相关性，其特征在于由偏置依赖的相关长度，在平衡发散。此外，幂律修正被发现，其特征在于由一个指数，依赖于链引线耦合，是非解析零偏。这一精确可解的非平衡强相互作用系统具有一个显著的性质，即在线性响应范围内，不能得到无穷小偏差下的近平衡态。这些结果有助于解开强相互作用一旦从平衡约束中解放出来所产生的复杂性质。
Quenching the CME via the gravitational anomaly and holography
在手征异常的引力贡献的存在下，手征磁效应感应出与平衡温度的平方成比例的能流。在全息照相术中，热态相当于一个黑洞。我们用数值方法研究了一个标量物质的平面壳层落入黑洞并使其温度升高的全息猝灭。在这个过程中，动量密度（能量流）守恒。能量流有两个组成部分，一个是由异常引起的非耗散流，另一个是耗散流。耗散分量可以通过它对附加的辅助色电荷的拖曳来测量。我们的研究结果表明，强烈的抑制非常远离平衡。
Anisotropy of zero-bias diffusive anomalies for different orientations of an external magnetic field
我们考虑了在经典磁场存在下，电子-电子相互作用对隧道结低偏压下非线性电流-电压特性（扩散异常）的影响。我们提出了一种新的现象，这表明在强各向异性的扩散异常的磁场的不同取向相对于隧道结的界面的理论。非线性微分隧穿电导具有普遍的磁场依赖性，因此只涉及垂直于界面的磁场分量。特别地，当磁场平行于界面时，I-V特性不依赖于磁场的值。
Origin of the 0.25-anomaly in the nonlinear conductance of a quantum point contact
在Hartree近似下，利用非平衡格林函数方法计算了量子点接触的非线性电导。我们定量再现了微分电导中的0.25异常（即最低平台在0.25-0.3*2e^2/h）以及实验中观察到的较高电导半整数平台的向上弯曲，并将这些特征与非线性屏蔽和钉扎效应联系起来。
Effect of magnetization on the tunneling anomaly in compressible quantum Hall states
已知电子隧穿到二维电子系统中在低偏压下表现出异常，其中隧穿电导由于多体相互作用效应而消失。最近的实验已经测量了半填充朗道能级的两个副本之间的这种异常，作为面内磁场的函数，他们认为增加自旋极化驱动更深的抑制隧穿。在这里，我们提出了一个理论的隧道异常的两个副本之间的部分自旋极化Halperin-Lee-Read状态，我们表明，传统的描述的隧道异常，基于库仑自能注入的电荷包，是不符合实验观察。我们建议，实验是在一个不同的制度，以前没有考虑，其中的电荷扩散行动是由复合费米子的可压缩性。
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