Strongly correlated zero-bias anomaly in double quantum dot measurements
掺杂过渡金属氧化物的实验经常显示费米能级的单粒子态密度的抑制，但在强关联系统中无序诱导的零偏置异常仍然知之甚少。对Anderson-哈伯德模型的数值研究已经发现了一个零偏异常，它是强关联材料所特有的，其宽度正比于点间跳跃幅度t [S]。基耶萨省查克拉博蒂湾E. Pickett和R. T. Scalettar，Phys. Rev. Lett. 101，086401（2008）]。在两个位置系统的系综中，也出现了具有相同参数依赖性的零偏异常，这表明了类似的物理起源[R。Wortis和W. A. Atkinson，Phys.Rev.B82，073107（2010）]。我们描述了如何在基于双量子点的介观实现中看到这种动能驱动的两个站点系统的合奏零偏置异常。此外，双量子点测量不仅提供了整体平均态密度，而且还提供了引起零偏异常的跃迁细节。
2022-06-15 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Electron phase shift at the zero-bias anomaly of quantum point contacts
近藤效应是在极低温度下，电子云对局域自旋的多体屏蔽。它已被提出作为量子点接触中的零偏置异常的解释，其中相互作用驱动一个自发的电荷本地化。然而，这种异常的近藤起源仍在争论中，需要更多的实验证据。在这里，我们报告的第一个相位敏感测量的零偏置异常量子点接触使用扫描门显微镜创建一个电子干涉仪。我们观察到的干涉条纹的突然移位的半个周期的零偏置异常的偏置范围内，单粒子模型不能再现的行为。相反，我们将其与近藤系统的电子散射所经历的相移有关。因此，我们的实验为量子点接触中的多体效应提供了新的证据。
2016-03-29 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Influence of leads on signatures of strongly-correlated zero-bias anomaly in double quantum dot measurements
Trent University（特伦特大学）
研究揭示电极对双量子点测量中强关联零偏异常特征的影响，显示电极改变稳定性图但异常特征仍清晰。
2026-01-18 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Bulk and boundary zero-bias anomaly in multi-wall carbon nanotubes
我们计算了掺杂多壁纳米管的隧穿态密度，包括无序和电子-电子相互作用。根据最近的实验结果，发现了一个非常规的库仑阻塞，反映非微扰Altshuler-Aronov-Lee幂律零偏异常。边界的存在意味着扩散极限中边界指数的普遍加倍。
2001-06-09 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Zero-bias conductance anomaly in bilayer quantum Hall systems
在总填充因子$ν=1$下的双层量子霍尔系统中，由于层间和层内库仑相互作用的竞争，呈现出丰富多样的对称性破缺基态。当这些层足够接近时，双层系统会产生自发的层间相位相干性，这种相干性通过零偏压层间隧穿电导的显著增强来体现。我们提出了一个理论，这种隧道电导异常，并表明，零偏压电导的平方成正比的{ \it准粒子}隧穿振幅。
2002-03-25 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Effect of Exchange-type Zero-bias Anomaly on Single Electron Tunnelling of Au Nanoparticles
使用低温扫描隧道显微镜和扫描隧道光谱，我们测量了孤立的Au纳米粒子的半径为1.4 nm的单电子隧穿。在隧穿电导谱中观察到零偏压附近存在一个能隙Δ V2 e/C（C为Au粒子的电容），随后在负偏压和正偏压下出现一系列电压宽度为ECe/C的离散单电子隧穿峰。考虑到电子交换相互作用对Au纳米粒子单电子隧穿的影响，很好地解释了实验数据。零偏压附近的隧穿峰被交换型零偏压反常所抑制，导致带隙Δ V2 EC。
2011-06-14 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
0.7-anomaly and magnetotransport of disordered quantum wires
对于弹道一维器件，通常观察到电导量子化的意外的“0.7”平台。在这项工作中，我们研究了准弹道量子线，其中的无序诱导的背散射减少了电导量子化步骤。我们发现透射几率共振与反常平台共存。这些共振作为平面内磁场和电子密度的函数的研究指出在低载流子浓度下存在自旋极化，并且构成了用于确定适用于无序量子线的有效g因子的方法。
2007-12-14 cond-mat.mes-hall
Zero-bias anomaly in disordered wires
在考虑电子-电子相互作用的情况下，我们非微扰地计算了$N$沟道无序线的低能隧穿态密度$ν(ε, T)$。有限散射率$1/τ$导致从较高能量下的Luttinger液体行为$ν\proptoε^α$到低能量下的指数依赖性$ν(ε, T=0)\propto \exp{(-ε^*/ε)}$的交叉，其中$ε^*\propto 1/(N τ)$。在有限温度$T$下，隧穿态密度依赖于通过无量纲变量$ε/\sqrt{ε^* T}$的能量。在费米能级$ν(ε=0,T) \propto \exp (-\sqrt{ε^*/T})$。
2001-11-17 cond-mat.mes-hall
Interference and zero-bias anomaly in tunneling between Luttinger-liquid wires
我们提出的理论计算和实验测量，揭示了Luttinger液体（LL）性质的元激发在一个系统中由两个量子线连接的GaAs/AlGaAs双层异质结的边缘的狭长隧道结。导线的边界是重要的，并导致在短结上的测量中的特征干涉图案。我们表明，实验观察到的电导振荡幅度的调制作为电压偏置的函数，可以占由自旋-电荷分离的相互作用的电线中的基本激发。此外，边界影响的LL指数的电压和温度依赖性的隧穿电导在低能量。我们表明，测得的温度依赖性的电导零偏压下降以及电压调制的电导振荡模式可以用来提取电子相互作用参数的导线。
2003-09-23 cond-mat.mes-hall
Zeeman splitting of zero-bias anomaly in Luttinger liquids
Luttinger液体中的隧穿态密度（DoS）在零能量处有一个下降，通常称为零偏异常（ZBA）。在存在磁场的情况下，除了零偏置异常之外，DoS还产生两个峰，这两个峰与原点由塞曼能量分开。我们发现这些峰的形状在任意强度的电子-电子相互作用。所发展的理论适用于各种量子线，包括碳纳米管。
2002-11-15 cond-mat.mes-hall
Zero-bias anomaly in two-dimensional electron layers and multiwall nanotubes
研究了二维和一维多层结构中隧穿态密度$ν(ε)$与隧穿粒子能量$ε$的关系中的零偏异常。我们表明，对于弹道二维（2D）系统的一阶相互作用修正DOS由于Khveshchenko和Reizer研究的等离子体激元激发部分补偿的电子空穴对的贡献是小的两倍，并具有相反的符号。对于多层系统，对费米能附近的态密度的总校正具有$δν/ν_0 = {max} (| ε|, ε^*)/4ε_F$的形式，其中$ε^*$是多层2D系统的等离子体激元能隙。在一维导体的情况下，我们研究的弹性平均自由程超过纳米管的半径的多壁纳米管。发现了隧穿态密度与能量、温度和壳层数的关系。
2001-10-08 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Statistical study of conductance properties in one-dimensional quantum wires focussing on the 0.7 anomaly
一维（1D）量子线的电导的属性进行了统计研究，使用256光刻相同的分裂门阵列，制造的GaAs/AlGaAs异质结。所有的分离门都是在相同的条件下在一次冷却中测量的。电子多体效应在一维量子线的电导中产生了一种反常特征，称为“0.7结构”（或“0.7反常”）。为了处理大数据集，开发了一种自动估计0.7结构电导值的方法。尽管温度恒定且器械设计相同，但观察到0.7结构的强度和值存在较大差异[从$0.63$到$0.84\times (2e^2/h)$ ]。在1D电位分布的变化进行量化，通过估计的曲率的障碍在电子输运的方向，以下鞍点模型。的0.7结构似乎是高度敏感的具体限制在个别设备的潜力。
2014-07-28 cond-mat.mes-hall
Non-Kondo zero bias anomaly in electronic transport through an ultra-small Si quantum dot
我们研究了超小硅量子点的低温单电子输运。我们发现，在低温下，库仑阻塞是部分解除在某些栅极电压。此外，我们观察到零偏压下的微分电导的增强。这种零偏置异常的磁场依赖性与GaAs量子点中报道的非常不同，与近藤效应的预测不一致。
1999-08-09 cond-mat.mes-hall
Dependence of the 0.7 anomaly on the curvature of the potential barrier in quantum wires
在1.4K下一次冷却过程中测量了98个用GaAs/AlGaAs异质结上的分裂栅定义的一维沟道。这些器件在单个芯片上排列成阵列，并使用多路复用技术单独寻址。利用统计技术研究了被称为“0.7结构”的异常电导特征。数据的合奏表明，0.7异常变得更加明显，并发生在较低的值作为在运输方向上的势垒的曲率减小。这对应于装置的有效长度的增加。0.7的异常是不强烈的影响，与密度有关的电导的其他属性。在给定的T和B下，势垒的曲率似乎是控制0.7结构形状的主要因素。
2015-06-02 cond-mat.mes-hall
Zero-bias anomaly in cotunneling transport through quantum-dot spin valves
我们预测了一个新的零偏置异常的微分电导通过一个量子点耦合到两个铁磁导线与反平行磁化。这种异常在起源和性质上不同于通过量子点传输的其他异常，例如近藤效应。它发生在库仑阻塞谷中，带有一个未成对的点电子，它是单势垒和双势垒共隧穿过程相互作用的结果，以及它们对点中自旋积累的影响。当施加磁场时，异常变得显著改变。
2005-07-22 cond-mat.mes-hall
Electron transmission through a short interacting wire: 0.7 conductance anomaly
我们调查隧道通过一个短的相互作用的电线。我们确定了两种温度状态：（a）$T_{Kondo}<T\le T^{wire}=\hbar v_F/k_Bd$（$d$是短导线的长度）和（b）$T<T_{Kondo}\ll T^{wire}$。在第一制度的有效（重整化）电子-电子相互作用小于隧穿矩阵元。这是在有限温度$T$下的情况，其中线的单粒子谱的特征在于具有磁量子数S=0的多级“量子点“系统，其能量高于SU（2）自旋二重态$S=\pm1/2$。由于单粒子能量，我们发现进入导线的隧穿电子必须具有与短线中的电子相反的自旋，从而产生电导，$G= G_\uparrow+G_\downarrow$，$e^2/h\le G\ll 2e^2/h$。在第二种情况下，当$T \to0$时，我们有一种情况，即有效（重整化）电子-电子相互作用大于隧穿矩阵元。这个问题相当于一个Kondo问题。我们发现对于$T<T_{Kondo}$，电导由$G=2e^2/h$给出。这些结果与最近的实验一致，其中对于$T_{Kondo}<T<T^{wire}$，电导$G$服从$e^2/h\le G\ll 2e^2/h$，对于$T< T_{Kondo}$，电导$G=2e^2/h$。在这两种情况下，电流都没有极化，SU（2）对称性没有破缺。
2004-11-02 cond-mat.mes-hall
Non-Kondo zero-bias anomaly in quantum wires
有人认为，量子线中的零偏压电导峰表明存在近藤自旋相关，这也可能与一种有趣的1D自旋效应（称为0.7结构）有关。这些零偏异常（ZBA）强烈地依赖于温度，并且已经被观察到在磁场中分裂成两个峰，这两个峰都是量子点中近藤关联的特征。我们目前的数据中，ZBA一般不分裂磁场增加到10 T。我们的几个ZBA分裂磁场，但显着小于近藤分裂值，并演变回一个单一的峰值后，横向移动的一维收缩。因此，ZBA似乎没有近藤起源，相反，我们提出了一个简单的唯象模型来重现ZBA，这是在协议中观察到的特点。
2009-04-17 cond-mat.mes-hall
Asymmetric Zero-Bias Anomaly for Strongly Interacting Electrons in One Dimension
我们研究了一个系统的一维电子在政权的强排斥相互作用，其中的自旋交换耦合J是小的费米能量相比，和传统的Tomonaga-Luttinger理论不适用。我们发现，隧穿态密度有一个形式的非对称峰附近的费米能级为中心。在自旋非相干区中，温度比J大，态密度以费米能级测量的能量ε的幂律下降，正能量处的前因子是负能量处的两倍。相反，在低于J的温度下，态密度形成分裂峰，大部分权重移动到负ε。
2006-05-11 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Non-equilibrium Luttinger liquid: Zero-bias anomaly and dephasing
本文在Luttinger液体模型的框架下研究了一维非平衡电子相互作用系统。我们分析了几个设置，并开发了一个理论隧道到这样的系统。这个问题的一个显着的属性是没有放松的能量分布函数的左和右移动，但存在的有限的退相率由于电子-电子散射，这涂抹零偏置异常的奇异性的隧道态密度。
2008-04-27 cond-mat.mes-hall
Coexistence of Coulomb blockade and zero bias anomaly in a strongly coupled quantum dot
测量了通过与金属引线良好耦合的金属量子点的电流-电压特性。结果表明，I-V曲线由两部分组成。一个是在费米能级的隧道导电性的抑制和第二个是一个振荡的功能，随着栅极电压的变化。结果表明，在非对称强耦合量子点中，零偏压反常和库仑阻塞现象共存。
2010-07-25 cond-mat.mes-hall
Energy-level pinning and the 0.7 spin state in one dimension: GaAs quantum wires studied using finite-bias spectroscopy
利用有限偏置光谱研究了电子-电子相互作用对GaAs量子线（QW）能级的影响。我们探测了零磁场下和高面内磁场B中自旋相反能级交叉点处的能谱。我们的结果构成了直接的证据，自旋（更高的能量）水平钉在化学势，因为他们填充。我们还表明，自旋向上和自旋向下的水平突然重新排列在交叉点的方式类似的磁相变预测发生在交叉点的朗道水平。这种子带的重新排列和钉扎为0.7结构、一维（1D）纳米磁性状态及其高B变体提供了唯象解释。
2007-08-24 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Magnetic properties of 2D nickel nanostrips: structure dependent magnetic anomaly
我们利用自旋密度泛函理论研究了不同几何形状的二维无限长且宽度不断增加的镍纳米线。我们的模拟结果表明，该基序是最稳定的结构，并将该基序是更稳定的矩形结构相比。导线是导电的，并且电导通道随着宽度的增加而增加。金属丝的弹道各向异性磁电阻比随磁化方向呈非线性变化。所有的二维纳米线以及Ni（111）和Ni（100）单层研究是铁磁性的Stoner标准下，表现出增强的磁矩相比，块体镍和相应的镍单层。斯通纳参数被认为取决于NWS的结构和尺寸。所有镍纳米线的易轴被观察到的调查是沿着线轴。与Ni（100）单层相比，双矩形纳米线表现出具有较小磁矩的磁异常，并且是唯一具有垂直于线轴的易轴的结构。
2015-02-11 cond-mat.mes-hall
Bias dependent subband edges and the 0.7 conductance anomaly
通过测量微分电导G与源漏偏压V_sd和栅源偏压V_gs以及温度的关系，研究了强限制刻蚀GaAs/GaAlAs量子点接触中0.7 2e^2/h的电导反常现象.在V_gs-V_sd平面中，我们使用Δ dG/dV_gs的灰度图来绘制正常和异常电导平台之间的偏压相关跃迁。任何给定的转变被解释为当漏（源）储层的偏压控制的化学势mu_d（mu_s）穿过点接触中的子带边缘e_a时出现。从灰度图中，我们提取恒定的正常子带边缘e_0，e_1，.并且最值得注意的是从E_0分离的依赖于偏置的异常子带边缘E '_0（μ_d）。我们表明，通过应用有限偏置版本的最近提出的BCF模型，如何偏置依赖的异常子带边缘的关键是分析各种实验观测相关的0.7异常。
2001-11-07 cond-mat.mes-hall
Relation between width of the zero-bias anomaly and Kondo temperaure in transport measurements through correlated quantum dots: Effect of asymmetric coupling to the leads
从理论上研究了电流通过自旋$1/2$量子点和两个金属接触形成的系统时由近藤效应引起的低温零偏压反常现象。特别是，我们比较了这种异常的宽度$2T_{\rm NE}$与近藤共振的状态$2T_{K}^ρ$，从相应的曲线的Fano拟合的光谱密度，也与近藤温度，$T_K^G$，定义从温度演变的平衡电导$G(T)$。与$T_K^G$和$2T_{K}^ρ$相反，我们发现，当总杂化保持恒定时，$2T_{\rm NE}$的规模强烈地依赖于量子点与引线之间的耦合的不对称性。虽然这三个尺度具有相同的数量级，但$2T_{\rm NE}$和$T_{K}^ρ$仅在接触和量子点的不同隧穿耦合之间存在较大不对称性的情况下才一致。另一方面，对于相似的耦合，$T_{\rm NE}$变得大于$T_{K}^ρ$，对于相同的耦合，达到$30\%$量级的最大偏差。事实上，一个额外的参数，$T_{\rm NE}$是需要来表征近藤效应，削弱了普适性的性质，点，在通常的识别实验中的低温宽度的零偏异常的近藤尺度应采取一些谨慎。此外，我们的结果表明，比率$T_{\rm NE}/T_K^G$和$T_{K}^ρ/T_K^G$取决于用于拟合的范围。
2018-12-06 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Kondo-like zero-bias conductance anomaly in a three-dimensional topological insulator nanowire
拓扑纳米线中的零偏异常最近引起了人们的极大关注，因为它们可能是马约拉纳模式的签名。然而，纳米线中的零偏置峰还有许多其他可能的起源，例如，弱局域化、Andreev束缚态或近藤效应。在这里，我们讨论的观察微分电导峰在零偏置电压在非超导电子输运通过三维拓扑绝缘体纳米线。零偏压电导峰显示出对数温度依赖性，并且经常与磁场线性分裂，这两者都是量子点中近藤效应的特征。在这里，我们描述了零偏置峰，并讨论了它们的起源。
2015-10-07 cond-mat.mes-hall
Zero-bias anomaly in the tunneling density of states of graphene
在费米能级附近，石墨烯的能带结构可以用狄拉克方程很好地描述。杂质一般会感应出标量势和作用在狄拉克费米子上的（虚构的）规范场。我们表明，在一个特定的杂质周围的空间分辨的隧穿态密度（TDOS）的零偏异常的角度依赖性允许一个区分这两个贡献。我们的预测可以在石墨烯的扫描隧道显微镜测量中进行测试。
2007-02-01 cond-mat.mes-hall
Electron Interactions in Bilayer Graphene: Marginal Fermi Liquid Behaviour and Zero Bias Anomaly
我们分析了双层石墨烯（BLG）在电荷中性，由电子之间的长程相互作用的多体性质。微扰理论在大量的口味中使用，其中的相互作用被描述在一个随机相位近似，考虑到动态屏蔽效应。关键是，动态屏蔽的相互作用保留了一些长程特征，导致关键量的$\log^2$重整化。我们对BLG进行了一个圈级的微扰重整化群计算，发现BLG表现为一个边缘费米液体。相互作用产生了准粒子残基和相互作用顶点函数的对数平方重整化，而所有其他量只在几何上重整化。我们以对数精度求解了格林函数的RG流方程，发现准粒子剩余流在RG下趋于零。同时，规范不变量，如压缩性，保持有限的$\log^2$阶，与subleading对数修正。这种边缘费米液体行为的关键实验特征是对隧穿态密度的强烈抑制，这表现为在可压缩性基本上与非相互作用值不变的情况下隧穿实验中的零偏异常。
2010-09-20 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Bias and temperature dependence of the 0.7 conductance anomaly in Quantum Point Contacts
通过测量差分电导随源漏和栅偏压以及温度的变化，研究了强约束刻蚀GaAs/GaAlAs量子点接触中0.7（2e^2/h）的电导异常。我们详细调查如何，对于一个给定的栅极电压，差分电导取决于有限的偏置电压，并找到一个所谓的自选通效应，我们纠正。零偏压下的0.7异常在有限偏压下平滑地演变为0.85（2e^2/h）的电导平台。改变栅极电压，在1.0和0.85（2e^2/h）平台之间的转变对于确定的偏置电压发生，其定义了依赖于栅极电压的能量差$Δ$。将该能量差与从低偏压下0.7反常的实验观察到的激活行为中提取的激活温度T_a进行比较。我们发现Δ= k_BTa，这支持了电导反常是由于通过两个传导通道传输的观点，其中一个子带边缘Δ低于化学势的通道随着温度的升高而变得热密度降低。
2000-05-03 cond-mat.mes-hall
Conductance Anomalies in Quantum Point Contacts and One Dimensional Wires
在过去的十年中，一维电荷输运的兴趣已经从电导的Landauer量子化的开创性发现（作为载流子密度的函数）发展到量子化开始时的更精细尺度现象。这被称为“0.7异常”，而意味着某种深刻和普遍性的理论之谜，至今仍是开放的。它有点想象力的名称可能会引起误解，因为异常表现在电导值的范围内：在0.25到0.95兰道尔量子之间的任何地方。在本文中，我们提供了一个0.7异常的批评，并讨论在何种程度上，它代表了一个深刻的物理问题。
2018-06-16 cond-mat.mes-hall
Zero-bias Anomaly of Quantum Point Contacts in the Low-Conductance Limit
大多数在高迁移率二维电子气中制备的量子点接触（QPC）在夹断附近显示出零偏压电导峰，但该峰的起源仍然是一个谜。以前的实验主要集中在中等电导率下的零偏压峰，范围在（1-2）e^2/h。这里给出的测量结果是零偏峰值，其持续时间低至10^{-4} e^2/h。磁场和温度的依赖性的零偏置峰值在低电导极限是定性不同的类似现象在较高的电导，与现有的理论模型的低密度量子光子晶体中的运输的影响。
2010-07-09 cond-mat.mes-hall
Magnetically stable zero-bias anomaly in Andreev contact to the magnetic Weyl semimetal Co$_3$Sn$_2$S$_2$
受拓扑结构、超导性和磁性之间相互作用的启发，我们实验研究了Nb超导体与Weyl半金属Co $_3$ Sn $_2$ S $_2$之间的界面电荷输运.除了邻近感应超导能隙隙外，我们还观察到几个亚能隙特征，其中最有趣的是显著的亚能隙零偏置异常，对外部磁场绝对稳定，直到Nb的临界场。作为输运特性中出现零偏压异常的可能情形，我们考虑了与半金属Co $_3$ Sn $_2$ S $_2$界面上的邻近诱导零能Andreev束缚态，该束缚态受强自旋轨道耦合和大塞曼分裂的影响.
2020-02-10 cond-mat.mes-hall
Theory of Zero-Bias Anomaly in Magnetic Tunnel Junctions: Inelastic Tunneling via Impurities
利用闭合时间路径积分方法，我们非微扰地研究了磁性隧道结中电子通过势垒中磁性杂质的非弹性隧穿并伴随声子发射。声子发射谱密度表现出幂律的红外奇异性$\simω^{-(1-g)}$，其中$g$为无量纲的电子-声子耦合。结果，隧穿电导$G(V)$随着偏置电压$| V|$增加为$G(V)-G(0)\sim| V|^{2g}$，对于$g\le 0.5$，在V=0处表现出斜率的不连续性。该理论可以再现实验中广泛观察到的隧道电阻和磁电阻零偏异常的尖点和非尖点特征。
2004-08-26 cond-mat.mes-hall
Superconducting proximity effect and zero-bias anomaly in transport through quantum dots weakly attached to ferromagnetic leads
利用实时图解法，在顺序隧穿和共隧穿两种模式下，对耦合到两个外铁磁引线和一个超导引线的量子点的Andreev输运进行了理论研究.我们表明，隧道磁电阻（TMR）的Andreev电流显示的偏置电压和水平失谐的非平凡的依赖关系，并可以描述在零温度极限的解析公式。共隧穿过程导致TMR的强烈修改，这是最明显的库仑阻塞制度。我们发现了一个零偏置异常的Andreev微分电导的平行配置，这是与一个非平衡自旋积累的点触发的Andreev过程。
2014-03-12 cond-mat.mes-hall
Universal lineshape of the Kondo zero-bias anomaly in a quantum dot
受到最近的实时重整化群结果的鼓舞，我们对在InAs单晶量子点中观察到的非平衡Kondo电导进行了详细的分析，发现它们非常吻合。我们表明，在一个广泛的偏置的近藤电导零偏置异常缩放的近藤温度的数值研究预测的一个普遍的线形。线形可以近似为一个单一的参数$eV_{sd}=k_{\rm B}T_{\rm K}$的唯象表达式。的线形的解析表达式的知识提供了一种替代的方法，在一个真实的实验中的近藤温度的估计，而不需要耗时的线性电导的温度依赖性测量。
2012-01-31 cond-mat.mes-hall
Activated Behavior of the 0.7 2(e^2)/h Conductance Anomaly in Quantum Point Contacts
实验研究了沟槽刻蚀GaAs量子点接触量子化电导中的0.7电导异常。在源漏偏压消失的情况下测量的异常的温度依赖性揭示了与先前报道的顶栅结构相同的激活行为。我们的主要结果是，零偏，高温0.7异常发现在活化测量和有限的偏差，低温0.9异常发现在输运光谱有相同的起源：密度相关的激发间隙。
1998-08-05 cond-mat.mes-hall
Universal zero-bias conductance through a quantum wire side-coupled to a quantum dot
用数值重整化群方法研究了量子线与量子点的耦合电导。研究了嵌入量子点的对称Anderson量子线模型的电导随温度和量子点能量的变化关系，得到了近藤区电导随温度变化的线性映射和描述电导的普适函数.确定了两条导电路径，一条穿过导线，另一条通过量子点的旁路。示出了施加到量子线的栅极电势以控制通过旁路的流量。当电位有利于通过导线传输时，近藤区的电导从低温时的近零上升到高温时的近弹道。当它倾向于点时，模式相反：电导从接近弹道衰减到接近零。当通过这两个路径的通量是可比的，电导是近藤制度几乎与温度无关，和Fano反共振的固定温度图的电导作为点能量信号干扰的函数。在整个近藤制度，在低温下，即使在混合价制度，数值数据是在很好的协议与普遍的映射。
2009-07-17 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Probing e-e interactions in a periodic array of GaAs quantum wires
我们提出了一个独立的量子线阵列和相邻的二维电子气（2DEG）在双量子阱结构之间的非线性隧道光谱的结果。这两个层使用表面栅极方案单独接触，并且导线都非常规则，尺寸经过仔细选择，使得通过限定导线的栅极对2DEG的调制最小。我们已经映射的1D线的色散谱下降到最后的1D子带的耗尽通过测量电导\emph{G}作为面内磁场\emph{B}，层间偏置$V_{\rm dc}$和线栅电压的函数。有一个强烈的抑制隧穿在零偏置，与温度和直流偏置的依赖性符合幂律，如预期的Tomonaga-Luttinger液体所造成的电子-电子相互作用的导线。此外，电流峰值非常符合自由电子模型，但只有一个1D子带，存在可能指示相互作用的额外结构。
2007-08-06 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
The effect of split gate size on the electrostatic potential and 0.7 anomaly within one-dimensional quantum wires on a modulation doped GaAs/AlGaAs heterostructure
我们研究了95个不同大小的分裂门在一个单一的芯片上使用多路复用技术。每个分裂栅在调制掺杂的GaAs/AlGaAs异质结构上限定一维沟道，通过该沟道电导被量化。表现出良好量化的器件的产量随着分裂门长度的增加而迅速下降。然而，对于示出良好量化的器件的子集，在一维沟道的静电长度（使用鞍点模型估计）与栅极长度之间不存在相关性。相同栅极长度的器件的静电长度和一维子带间距的变化超过了不同长度的器件之间的平均值的变化。在传输方向上的势垒曲率和“0.7异常”的强度之间存在明显的相关性：0.7异常的电导值随着势垒曲率变浅而减小。这些结果突出了静电环境在一维系统中的关键作用。即使在具有干净的电导平台的器件中，背景电势的随机波动在确定有源器件区域中的电势景观中也是至关重要的，使得名义上相同的栅极结构具有不同的特性。
2015-11-07 cond-mat.mes-hall
Zero-bias anomaly induced by the point defect in graphene
通常认为，石墨烯中的点缺陷在零能量下产生杂质态，并在缺陷位点附近的局部态密度中引起尖峰。我们重新审视了石墨烯中的缺陷问题，发现普遍的共识是不正确的。通过解析和数值计算，我们证明了在热力学极限下杂质态对局域态密度的贡献为零。相反，明显的峰值的零偏置异常是一个幂律奇点$1/|E|$从无限的共振峰在低能量区的缺陷。我们的发现表明，该峰应被看作是一个集体现象，而不是在以前的研究中的单个杂质状态。
2009-01-26 cond-mat.mes-hall
Magnetic-field-dependent zero-bias diffusive anomaly in Pb oxide-n-InAs structures: Coexistence of two- and three-dimensional states
本文介绍了在高达6 T的磁场中对Pb-oxide-n-InAs隧道结构零偏异常的实验和理论研究结果。该结构的一个具体特征是在半导体表面附近的费米能处的2D和3D状态的共存。所测得的ZBA振幅对所施加的磁场的强度和方向的依赖性与所提出的理论模型一致。根据该模型，电子隧穿进入2D状态，并在2D层中扩散移动，而对屏蔽的主要贡献来自3D电子。
1999-09-21 cond-mat.mes-hall
Zero-bias anomaly and Kondo-assisted quasi-ballistic 2D transport
介观准弹道二维电子系统的非平衡输运测量表明，费米能附近的微分电导增强。在非常低的温度下，这种零偏异常分裂，导致在低能量下线性输运的抑制。我们还观察到在低能量下的非平衡特性的标度，这类似于两态系统的电子散射，在双通道Kondo模型的框架下解决。详细的样品到样品的再现性表明在无约束的2D系统中的低电子密度制度的内在现象。
2005-06-27 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall
Break-junction experiments on the zero-bias anomaly of non-magnetic and ferromagnetically ordered metals
我们研究了正常非磁性金属以及铁磁体在低温下的断裂结。半径为0.15 - 15 nm的点接触显示出零偏压异常，这可以归因于在接触处的单个Kondo杂质处的Kondo散射或单个导电通道的切换。由异常宽度推算的近藤温度在10 ~ 1000 K之间变化。这些结果与铁磁体的原子尺寸接触以及各种金属上的矛砧型接触的文献数据吻合得很好。
2011-09-17 cond-mat.mes-hall
Cotunneling through quantum dots coupled to magnetic leads: zero-bias anomaly for non-collinear magnetic configurations
利用实时图解法对弱耦合量子点与非共线磁化导线的共隧穿输运进行了理论分析。计算了在库仑阻塞条件下和系统任意磁结构下的电流、量子点占据和量子点自旋。结果表明，施加在点上的铁磁导线的有效交换场可以显着修改非共线磁配置，特别是最近发现的反平行配置的零偏置异常的输运特性。对于非对称Anderson模型，交换场引起量子点自旋的进动，导致微分电导和隧道磁阻与引线的磁矩夹角的非单调关系.对于某些非共线结构，发现了增强的微分电导和负TMR。
2006-11-16 cond-mat.mes-hall
Zero-bias tunneling anomaly in a clean 2D electron gas caused by smooth density variations
我们证明了在干净的二维电子气中，局域电子浓度的平滑变化δn（{ \bf r}）会引起隧道态密度ν（ω）的零偏异常，即使在没有散射体的情况下，也不会产生Friedel振荡.异常的能量宽度ω_0与波动的震级δn和特征空间范围D成比例关系，即（δn/D）^{2/3}，而相对震级δν/ν成比例关系，即（δn/D）。随着ω的增加，平均δν随ω振荡。我们证明了异常的起源是由于气体的光滑不均匀性导致的经典电子轨迹的弱弯曲。这种弯曲抑制了由两个电子-空穴对虚过程引起的对电子自能的修正
2007-11-19 cond-mat.mes-hall hep-th
Conductance oscillations and zero-bias anomaly in a single superconducting junction to a three-dimensional $Bi_2Te_3$ topological insulator
我们实验研究了Andreev输运通过s波铟超导体和三维$Bi_2Te_3$拓扑绝缘体厚膜之间的单个结。我们研究$Bi_2Te_3$样品具有不同的体积和表面特性，其中的拓扑表面状态的存在下证实了直接ARPES测量。所有的结都证明了超导能隙内的Andreev输运。对于具有透明$In-Bi_2Te_3$界面的结，我们发现了一些近周期的电导振荡，这是伴随着零偏压电导异常。这两种效应在超导转变或电阻结以上消失。我们提出了一个一致的解释，这两种效应起源于邻近诱导的超导关联内的$Bi_2Te_3$拓扑表面状态。
2017-10-27 cond-mat.mes-hall
Aluminum arsenide cleaved-edge overgrown quantum wires
我们报道了由砷化铝制成的量子线的电导测量，砷化铝是一种重质量、多谷的一维（1D）系统。零偏压电导步骤观察到的电子密度在导线中降低，与施加有限的直流偏置后观察到的额外的步骤。我们将这些步骤归因于连续1D子带的减少。相对于自旋和谷简并的一维系统的预期值，量子电导大大降低。这种减少是一致的无序引起的，线内反向散射抑制1D模式的传输。计算表明，应变的作用，这种劈裂边缘结构的1D状态。
2005-04-08 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Enhanced zero-bias Majorana peak in disordered multi-subband quantum wires
最近的一项实验[Mourik等人，Science 336，1003（2012）]提供了拓扑超导相的实现和马约拉纳束缚态的形成的可能证据。受这个实验的启发，我们考虑了多子带导线的微分隧穿电导中的Majorana束缚态的签名。我们发现，马约拉纳诱导的零偏置峰的重量强烈增强的子带的混合，当无序添加到量子线的末端。我们还考虑了拓扑相变是如何反映在间隙结构的电流-电压特性。
2012-12-14 cond-mat.mes-hall
What lurks below the last plateau: Experimental studies of the 0.7 x 2e^2/h conductance anomaly in one-dimensional systems
一维电子系统的整数量子化电导是量子限制效应的一个很好理解的结果。一些分数量化的平台也经常观察到。它们被归因于多体效应，但它们的确切起源仍然是一个有争议的问题，在过去15年中引起了相当大的兴趣。这篇综述报道了半导体量子点接触和量子线中分数量子化平台的实验研究，重点是0.7 x 2e^2/h电导异常，在较高电导下的类似物，以及在电导小于2e^2/h的直流源漏偏压中观察到的零偏压峰。
2011-10-16 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Non-locality of zero-bias anomalies in the topologically-trivial phase of Majorana wires
我们发现，拓扑平凡的零偏置峰（ZBP）出现在半导体马约拉纳线由于软约束表现出相关分裂振荡作为一个功能的应用塞曼场，类似的相关分裂的马约拉纳ZBP。此外，我们发现，强杂质的存在下，可以有效地切断线在两个和破坏的平凡和马约拉纳制度的相关分裂。我们确定了一个强大的非局部效应，只在拓扑平凡的制度，并证明了在马约拉纳线与两个正常的金属端接触的相对端的限制门电位上的ZBP的依赖性是一个强大的工具，用于区分拓扑平凡和非平凡的ZBP。
2014-07-16 cond-mat.mes-hall
Conductance distributions of 1D-disordered wires at finite temperature and bias voltage
我们计算了在有限温度T和偏置电压V下，在独立电子图像中，假设完全相干输运的一维无序导线的电导G的分布。在足够高的温度和偏置电压下，其中系统的几个谐振对电导有贡献，分布P（G（T，V））可以通过零温度和零偏置电压下电导分布的自卷积以良好的精度表示。卷积的数量取决于T和V。在非常低的T和V的制度，其中只有一个共振是相关的G（T，V），电导分布分析的共振隧穿电导模型。有限的T和V上的电导分布的强烈影响，观察和我们的理论分析很好地描述，因为我们验证了在不同的温度，电压和长度的线进行了一些一维无序线的数值模拟。还提供了在高温和偏置电压下P（G（T，V））的一阶矩的分析估计。
2006-06-28 cond-mat.mes-hall
Zero-Field Satellites of a Zero-Bias Anomaly
二维系统中电子费米面的自旋轨道（SO）分裂$\pm ω_{SO}$表现为相互作用引起的对隧穿态密度$ν(ε)$的修正。也就是说，在光滑无序的情况下，它会产生能量为$ε=\pm 2ω_{SO}$的零偏异常的卫星。在弱平行磁场中的塞曼分裂$\pm ω_{Z}$在每个尖锐的卫星峰的顶部引起宽度为$δε=2ω_{Z}$的窄{ \em坪}。当$ω_{Z}$超过$ω_{SO}$时，SO卫星在$ε= \pm 2ω_{Z}$处跨越到传统的狭窄极大值，顶部是SO诱导的高原$δε=2ω_{SO}$。
2002-01-07 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall
Rectification in Y-junctions of Luttinger liquid wires
我们研究了具有排斥电子相互作用的单通道Luttinger液体导线Y结中低频交流偏压的整流。由于导线中的三个散射体，整流出现。我们发现，在相同的相互作用强度和偏压下，Y结中的整流电流比具有非对称散射体的单线中的整流电流高。在没有时间反演对称性的情况下，整流效应最强。在这种情况下，即使对于低电压、弱散射体和适度的相互作用强度，最大整流电流也可以与总电流$\sim e^2V/h$相当。在一定的低电压范围内，整流电流可以随着电压的降低而增长。这导致$I$ - $V$曲线出现凸起。
2011-01-21 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Calculation of the current response in a nanojunction for an arbitrary time-dependent bias: application to the molecular wire
最近[Phys.Rev.B91，125433（2015）]，我们推导出了在宽带极限近似（WBLA）内的任意时间依赖性偏置下通过分子结的时间依赖性量子电子流的通式，并假设单粒子哈密顿量。在这里，我们提出了一个有效的计算电流和粒子数的数值方案。利用费米函数的Padé展开，可以证明电流通用公式中出现的所有频率积分都可以解析地去除。此外，当水库中的偏差被假定为正弦曲线时，可以将一般公式处理成仅包含特殊函数的求和的形式。为了说明该方法，我们考虑电子输运通过一个一维分子线耦合到两个引线受到异相偏置。我们还研究了有限尺寸的电流响应和粒子数的影响，结果从开关上这样的偏置。
2015-11-16 cond-mat.mes-hall
Zero-bias transport anomaly in metallic nanobridges: Magnetic field dependence and universal conductance fluctuations
我们目前的数据传输测量通过金属纳米桥表现出扩散电子输运。观察到微分电导的对数温度依赖性和零偏异常，独立于磁场。这些数据可以用一个标度律来描述。无序系统中的电子-电子相互作用理论适用于非平衡的有限尺寸系统的情况，与实验定量一致。普适电导函数的测量支持了电子相位相干理论的假设。
2000-07-21 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall
