Temporal Oscillation of Conductances in Quantum Hall Effect of Bloch Electrons
研究了二维电子在周期势作用下的量子霍尔效应中电导的非绝热效应。我们发现霍尔电导和纵向电导随时间振荡，由于量子涨落，它们具有很大的频率。
2006-05-23 cond-mat.mes-hall
Spin Hall Conductance in Disordered Two-Dimensional Electron Systems
我们撤回这篇论文，因为结果是错误的。
2004-10-13 cond-mat.mes-hall
Pre-selectable integer quantum conductance of electrochemically fabricated silver point contacts
有序原子尺度金属接触的可控制造是一个非常有趣的问题：实验观察到的电导率为电导量子G_0 = 2e^2/h的非整数倍的简单金属点接触的比例很高，这与制造过程中产生的缺陷有关。在这里，我们展示了一个组合的电化学沉积和退火方法，允许控制制造的点接触与预选整数量子电导。银点接触所产生的电导测量进行比较与紧束缚的电导计算模型的理想化的两个银晶体之间的结的几何形状与预定数量的接触原子。
2008-07-24 cond-mat.mes-hall
Spin Hall Conductance of the Two Dimensional Hole Gas in a Perpendicular Magnetic Field
研究了在垂直磁场中有和没有反转对称破缺项的Luttinger模型中二维空穴气体的电荷和自旋霍尔电导，预言了两个关键现象.自旋霍尔电导的符号被外部磁场周期性地调制，这意味着在未来可能的应用。此外，在典型的磁场下，具有一定空穴密度的二维空穴气中存在共振自旋霍尔电导，这意味着一种可能的方法来牢固地建立本征自旋霍尔效应。电荷霍尔电导不受自旋轨道耦合的影响。
2006-05-02 cond-mat.mes-hall
Electric Conductance of Rh Atomic Contacts under Electrochemical Potential Control
研究了在电化学电位控制下Rh原子接触的电导。Rh原子接触的电导直方图随电化学电位的变化而变化。当接触的电化学电势保持在$Φ_{0}$ = 0.1 V vs. Ag/AgCl（Rh电势）时，电导直方图没有显示任何特征。在$Φ_{0}$ = -0.1 V（低于潜在沉积氢电位）时，电导直方图显示出在2.3 $G_{0}$（$G_{0}$ =2 $e^{2}/h$）附近的特征，这与在低温真空中观察到的清洁Rh原子接触的电导值一致。在$Φ_{0}$ = -0.25 V（过电位沉积氢电位）下，电导直方图显示出0.3和1.0 $G_{0}$附近的特征。Rh原子接触的电导行为进行了讨论，通过比较以前报道的其他金属，Au，Ag，Cu，Pt，Pd，Ni，Co和Fe的结果。金属原子接触的电导行为与氢与金属表面相互作用的强度有关。
2010-03-24 cond-mat.mes-hall
On the half-quantized Hall conductance of massive surface electrons in magnetic topological insulator films
本文通过研究磁性拓扑绝缘体薄膜的晶格模型，揭示了有隙表面能带具有整数量子化霍尔电导、无隙表面能带具有半量子化霍尔电导，并证明单独的有隙表面能带不支持半量子化表面霍尔效应。
2023-04-09 cond-mat.mes-hall
Conductance of single-atom platinum contacts: Voltage-dependence of the conductance histogram
单原子接触的电导对该接触原子与引线中的原子的耦合敏感。值得注意的是，对于过渡金属，这引起了观察到的电导值的相当大的范围。平均电导值和扩展可以从大量接触断开循环记录的电导直方图中的第一峰值获得。与单价金属不同，Pt的平均值强烈依赖于外加偏压和其他实验条件，范围约为2e^2/h的1 ~ 2.5倍。我们建议，不同的结果在一定程度上可以解释的包括氢的接触。另一方面，电导的偏压依赖性是由于在高偏压下使单原子Pt链不稳定的电子电流。
2003-08-19 cond-mat.mes-hall
Quantum Hall conductance of two-terminal graphene devices
比较了量子霍尔体系中单层和双层石墨烯两端电导的测量和理论。我们检查功能的电导作为栅极电压的函数，允许单层，双层，和有间隙的样品进行区分，包括N形扭曲的量子霍尔高原和电导峰和谷的电荷中性点。一般良好的协议之间的测量和理论。差异的可能来源进行了讨论。
2008-10-20 cond-mat.mes-hall
Hall conductance of Bloch electrons in a magnetic field
在不忽略朗道带耦合的情况下，研究了在垂直磁场作用下二维周期势场中电子的能谱和量子化霍尔电导.值得注意的是，即使是弱的朗道带耦合霍尔电导的显着变化相比，一个带近似的霍夫施塔特的butterfly被发现。的主要偏差是重排的子带和意想不到的子带贡献的霍尔电导。
1997-05-21 cond-mat.mes-hall
Estimating single molecule conductance from spontaneous evolution of a molecular contact
我们提出了一种新颖的方法来估计锚定到纳米尺寸的金属电极的单个分子的电导率，使用在室温下在液体中操作的机械控制断开结（MCBJ）。我们通过金属/分子/金属纳米接触记录电导，同时保持金属电极在固定的距离。利用热扩散和电迁移，我们让接触自然地探索围绕选定电导值的更稳定的配置。单个分子的电导是从包含多达14个分子的分子接触的原始电导和电导标准偏差数据的统计分析来估计的。单分子电导值被解释为在热平衡的构象的合奏的时间平均电导。
2018-02-14 cond-mat.mes-hall
Conductance fluctuations as a tool for investigating the quantum modes in atomic size metallic contacts
最近，人们已经观察到，原子大小的金接触的电导波动被抑制时，电导等于电导量子的整数倍。事实上，这些接触往往只包括完全开放或关闭模式已被认为是这种抑制的起源。在这里，实验已被扩展到广泛的金属元素具有不同的化学价，它们提供了新的信息模式组成和统计学上优选的电导值之间的关系观察到的电导直方图。
1999-08-10 cond-mat.mes-hall
Determining the spin Hall conductance via charge transport
我们提出了一个方案，其中运输测量的电荷电流和它的噪声可以用来确定自旋霍尔电导在一个四端设置。从散射的形式主义，我们表示的自旋电流和自旋霍尔电导的自旋相关的透射系数。这些系数然后表示在充电电流和噪声方面。我们使用该计划来表征自旋注入效率的铁磁/半导体界面。
2005-03-24 cond-mat.mes-hall
Site-dependent evolution of electrical conductance from tunneling to atomic point contact
利用扫描隧道显微镜（STM），我们研究了Pb针尖和Pb（111）表面之间的电导从隧道到原子点接触的演变，该点接触的位置被定义为原子精度。我们发现，电导的演变依赖于接触的网站，例如，在顶部，桥，或空心（hcp和fcc）的铅晶格的网站。在从隧穿到接触制度的过渡中，在顶部站点处测量的电导增强。在点接触状态下，中空位点的电导大于其他位点的电导，并且在中空位点之间，hcp位点的电导大于fcc位点的电导。我们还观察到原子分辨的高电流STM图像中的表观高度的增强和反转，与电导迹线的结果一致。我们的研究结果表明，原子结构的原子结的电导的重要性，并建议有吸引力的化学相互作用有一个显着的作用，接触原子之间的电子输运。
2015-04-21 cond-mat.mes-hall
Surface-edge state and half quantized Hall conductance in topological insulators
本文提出了拓扑绝缘体表面态半量子化霍尔电导的表面边缘态理论。证明了在弱磁场中，表面态的单狄拉克锥的能隙开放。我们发现一个新的表面态驻留在表面边缘，并携带手性边缘电流，导致在四端设置的半量子化霍尔电导。我们还给出了半量子化电导的物理解释，表明这种状态是分裂的大质量狄拉克费米子的边界束缚态的电导量子的产品。
2010-12-22 cond-mat.mes-hall
Conductance anomalies in a one-dimensional quantum contact
短长度量子线（量子接触）在电导值接近0.7 \times 2e^2/h时表现出电导结构。这种结构也被称为电导异常。在较长的接触中，该结构演变为较低的电导值。我们证明，这种结构是有关的接触内的电荷密度波的发展。这是维格纳结晶的先驱。多体Hartree-Fock计算电导进行。计算结果与实验数据吻合较好。
2001-04-23 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Room temperature differential-conductance staircase in suspended graphitic quantum point contacts
本文已被作者撤回，由于悬而未决的实验研究，以避免某些潜在的实验不确定性。
2011-06-09 cond-mat.mes-hall
Hall Conductance of a Two-Dimensional Electron Gas with Spin-Orbit Coupling at the Presence of Lateral Periodic Potential
我们计算了在周期势和垂直磁场中，具有Rashba自旋轨道耦合的二维电子气磁子带中的霍尔电导分布。在这种半导体结构中，自旋-轨道耦合混合了不同磁性子带的状态，并且与无自旋粒子的情况相比改变了它们的霍尔电导的分布。计算了具有弱（$AlGaAs/GaAs$）和相对强（$GaAs/InGaAs$）SO和Zeeman相互作用的半导体结构。完全占据的磁子带的霍尔电导取决于系统参数，并且可以在相邻子带彼此接触时改变。结果表明，在具有较强SO耦合的实际半导体结构中，Hall电导的分布不同于\cite{Thoul}等人预言的无自旋轨道耦合系统的量子化规律.在弱SO相互作用和相对大的晶格周期的情况下，磁子带的霍尔电导与无自旋粒子的霍尔电导相同，但随着晶格周期的减小和相邻两个磁子带的相互接触，霍尔电导的分布发生了剧烈的变化。
2007-01-15 cond-mat.mes-hall
Conductance quantization in etched Si/SiGe quantum point contacts
我们通过刻蚀Si/SiGe异质结构制造了强限制的肖特基栅量子点接触，并观察到了有趣的电导量子化，单位约为1 e2/h。非线性电导测量进行耗尽的量子点接触在固定的模式能量分离。我们报告的证据形成的半1 e2/h平台，支持的猜测，绝热传输发生通过1D模式与完全删除谷和自旋简并。
2006-06-21 cond-mat.mes-hall
Resonant spin Hall conductance in quantum Hall systems lacking bulk and structural inversion symmetry
继以前的工作[沈，马，谢和张，物理Rev. Lett。92，256603（2004）]中，我们详细计算了强垂直磁场中二维量子阱中的自旋霍尔电导。在缺乏体反转对称性的阱中，由自旋-轨道相互作用产生的Rashba耦合在一定的磁场下引入了塞曼分裂朗道能级的简并。这种简并，如果发生在费米能量，将诱导自旋霍尔电导共振低于塞曼能量的数量级的特征温度。在非常低的温度下，自旋霍尔电流是高度非欧姆的。由于结构反转对称性的缺乏，Dresselhaus耦合部分或完全抑制了自旋霍尔共振。用微扰法导出了Rashba耦合和Dresselhaus耦合存在下自旋霍尔电导共振的条件。在无序情况下，当费米能级附近的两个塞曼分裂扩展态由于Rashba耦合而发生简并时，会出现共振自旋霍尔电导;当磁场通过共振场时，量子化电荷霍尔电导的变化量为2e^2/h，而不是e^2/h.
2004-10-07 cond-mat.mes-hall
Observation of half-integer thermal Hall conductance
拓扑不变量是物质的拓扑状态的特征，它是物理量，其值是量化的，不依赖于被测系统的细节。其中，在实验中最容易探测的是霍尔电导，它以$e^2/h$为单位表示（$e$是电子电荷，$h$是普朗克常数）。在分数量子霍尔效应中，霍尔电导的分数量子化值证明了拓扑有序状态，这些状态携带具有分数电荷和任意子统计的准粒子。另一个更难测量的拓扑不变量是霍尔热导，单位为$κ_0T=(π^2kB^2/3h)T$（$kB$是玻尔兹曼常数，$T$是温度）。对于量子化的热霍尔电导，一个分数值证明了探测到的物质状态是非阿贝尔的。处于非阿贝尔态的准粒子会导致基态简并，并在编织时进行基态之间的拓扑幺正变换。因此，它们可能对拓扑量子计算有用。在本文中，我们测量了几个量子霍尔态在第一激发朗道能级的热霍尔电导。值得注意的是，我们发现$ν=5/2$态的热霍尔电导是分数的，并且等于$2.5κ_0T$
2017-10-02 cond-mat.mes-hall
Thermal conductance of metallic atomic-size contacts: Phonon transport and Wiedemann-Franz law
受最近实验的启发[Science 355，6330（2017）; Nat. Nanotechnol. 12，430（2017）]，我们在这里提出了对由三种不同金属制成的原子尺寸接触的热导率的广泛理论分析，即金（Au），铂（Pt）和铝（Al）。
2017-11-05 cond-mat.mes-hall
Conductance through a One-Dimensional Correlated System: Relation to Persistent Currents and Role of the Contacts
基于最近的提议[O.P.Sushkov，Phys.Rev.B64，155319（2001）]，我们将通过样品的量子电导与由样品和非相互作用的铅组成的大环的持续电流联系起来，在样品中电子与大环的持续电流强烈相关。电极导线长度的标度律允许外推到一个明确定义的电导值，仅取决于样品的固有特性和样品与电极导线之间接触的性质。对于强无序的样品，电导被发现是由相互作用增强。
2002-09-24 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Measurement of the conductance distribution function at a quantum Hall transition
实验研究了亚微米硅双端MOSFET电导中量子霍尔平台之间的可再现电导波动。对于在绝缘体到第一平台过渡的剧烈波动，我们发现在零和$e^2/h$之间近似均匀的电导分布。我们指出，这是一致的随机$S$矩阵理论的预测与单通道导线在磁场的导体。
1996-10-24 cond-mat.mes-hall
Thermal Conductance of Ballistic Point Contacts
研究了弹道式点接触的导热问题。这些接触被实现为所谓的气隙异质结构（AGH）中的几个纳米长的柱。柱的长度远小于声子的平均自由程，直到室温。由于柱的小尺寸和低密度，AGH的热导率与块体结构相比降低了几个数量级。测量结果与基于玻尔兹曼输运方程的简单模型定量一致。
2011-11-04 cond-mat.mes-hall
Microwave Induced Zero-Conductance State in a Corbino Geometry 2D Electron Gas with Capacitive Contacts
采用Corbino几何模型，在温度T=1.6K，磁场B ≤ 0.5T的条件下，研究了选择性掺杂GaAs/AlAs异质结构中二维电子气的微波诱导光电导。在所研究的样品中观察到零电导状态，类似于具有欧姆接触的样品。结果表明，欧姆接触对微波辐射诱导的零电导态的观察没有明显的作用
2010-07-19 cond-mat.mes-hall
0.4 and 0.7 conductance anomalies in quantum point contacts
基于局域自旋密度理论的自洽模型被用来计算有限温度下量子点接触的电导。总静电势表现出自旋相关的分裂，它持续在温度高达0.5 K，并引起异常在0.4和0.7的电导量子$2e^2/h$同时发生在没有外部磁场。
2007-04-16 cond-mat.mes-hall
Magneto-quantum oscillations of the conductance of a tunnel point-contact in the presence of a single defect
研究了量子化磁场$H$对隧道点接触电导的影响。我们证明电导表现出特定的磁量子振荡，其振幅和周期取决于接触与缺陷之间的距离。我们发现，一个非单调的依赖性的点接触电导的结果从两种类型的振荡的叠加：一个短周期的振荡所产生的电子聚焦的字段$H$和Aharonov-Bohm型的长周期振荡起源于通过封闭的轨道的电子从接触的缺陷和返回到接触的磁通量。
2007-03-12 cond-mat.mes-hall
Origin of the 0.25-anomaly in the nonlinear conductance of a quantum point contact
在Hartree近似下，利用非平衡格林函数方法计算了量子点接触的非线性电导。我们定量再现了微分电导中的0.25异常（即最低平台在0.25-0.3*2e^2/h）以及实验中观察到的较高电导半整数平台的向上弯曲，并将这些特征与非线性屏蔽和钉扎效应联系起来。
2009-01-22 cond-mat.mes-hall
Universal Hall conductance scaling in non-Hermitian Chern insulators
我们研究了二维陈氏绝缘体的霍尔电导耦合到一个环境，导致增益和损失。引入一个双正交线性响应理论，我们表明，足够强的增益和损耗导致一个特征的非分析贡献的霍尔电导。在其开始时，这种贡献表现出一个普遍的幂律与幂3/2的狄拉克质量，化学势和增益强度的函数。我们的结果为电子输运实验中非厄米拓扑的研究铺平了道路。
2020-09-22 cond-mat.mes-hall
Conductance fluctuations at the quantum Hall plateau transition
我们分析了电导波动中观察到的量子霍尔制度的散装二维电子系统中的Corbino几何。我们发现，像功率谱密度和温度依赖性的特点同意与简单的期望普遍的金属电导波动，而观察到的幅度减少。此外，退相长度$L_Φ\propto T^{-1/2}$，它支配的波动的温度依赖性，是令人惊讶的不同的缩放长度$L_{sc}\propto T^{-1}$管理的量子霍尔平台过渡的宽度。
2002-04-18 cond-mat.mes-hall
Tunneling Conductance and Coulomb Blockade Peak Splitting of Two Quantum Dots Connected by a Quantum Point Contact
利用玻色化方法和么正变换，给出了无量纲隧穿电导与分数库仑阻塞电导峰分裂之间的一般关系，该关系适用于两个量子点之间的弱传输和强传输，并表明在低能和低温极限下，隧穿电导与温度呈线性关系.
1997-06-06 cond-mat.mes-hall
Towards unified understanding of conductance of stretched monatomic contacts
当单原子接触被拉伸时，它们的电导表现出不同的性质，这取决于它们的组成原子元素。在一个单一的共振形成的假设下，我们表明，各种电导行为可以理解在一个统一的方式在响应的共振拉伸。这种分析阐明了价电子数、电荷中性和轨道形状所起的关键作用。
2003-11-06 cond-mat.mes-hall
Evidence for saturation of channel transmission from conductance fluctuations in atomic-size point contacts
原子尺寸接触的电导具有小的、随机的、依赖于电压的分量，类似于在扩散线（UCF）中观察到的电导波动。在金接触中观察到一种新的效应，当接触的电导接近电导量子的整数倍时，这些波动会受到明显的抑制。使用基于Landauer-Buettiker形式主义的模型，我们将这种效应解释为电导倾向于从完全透射（即，饱和的）信道加上部分传输的单个信道。
1999-07-19 cond-mat.mes-hall
Localization and conductance fluctuations in the integer quantum Hall effect: Real--space renormalization group approach
我们考虑了整数量子霍尔效应跃迁的网络模型。将经典渗流的实空间重整化群方法推广到量子渗流的情形，导出了量子霍尔样品在跃迁处电导普适分布的重整化群封闭方程。我们找到了RG方程的近似解，并用它来计算局域化长度的临界指数和电导分布的中心矩。所得结果与最近的数值模拟结果进行了比较。
1997-01-02 cond-mat.mes-hall
Transport Theory of Half-quantized Hall Conductance in a Semi-magnetic Topological Insulator
最近，在半磁性拓扑绝缘体异质结构中实验观察到半量子化霍尔电导（HQHC）平台。然而，异质结构是金属的，具有非零的纵向电导，这与通常在绝缘体中观察到量子化霍尔电导的观点相矛盾。在本工作中，我们系统地研究了具有带隙和无带隙Dirac表面的半磁性拓扑绝缘体的表面输运。特别地，我们揭示了HQHC与沿强退相金属边缘的半量子化手征电流直接相关。霍尔电导保持一个半量子化的值大的退相强度，而纵向电导随费米能量和退相强度。此外，我们还计算了电导和电阻随温度的变化关系，这与实验结果一致，不仅提供了HQHC的微观输运机制，而且对今后HQHC的研究具有指导意义.
2022-01-29 cond-mat.mes-hall
Conductance of a tunnel point-contact of noble metals in the presence of a single defect
在文献[1]（Avotina等人，Phys.Rev.B，74，085411（2006））中，已经从理论上研究了费米表面各向异性对隧道点接触的电导的影响，在隧道点接触附近存在单个点状缺陷。对于一般的费米表面几何形状，电导对接触和缺陷之间的距离的振荡依赖性已被发现。本文将文[1]中的方法应用于贵金属触点的电导计算。一个原始的算法，它使任何参数给定的费米面的电导计算，提出。在此基础上，电导振荡的图案，这可以通过扫描隧道显微镜的方法观察到，得到了不同的贵金属表面的取向。
2007-10-23 cond-mat.mes-hall
Quarter-Filled Honeycomb Lattice with a Quantized Hall Conductance
研究了具有强自旋轨道耦合的蜂窝晶格上的一般二维跳跃模型，其中不要求半填充晶格是拓扑绝缘体。对于四分之一（或四分之三）填充，我们表明，一个量子化的霍尔电导的状态一般出现在存在足够强度的塞曼场。我们讨论了哈伯德相互作用的影响，并认为自发铁磁性（打破时间反转）将发生，导致量子化的反常霍尔效应。
2011-09-22 cond-mat.mes-hall
Zero-bias Anomaly of Quantum Point Contacts in the Low-Conductance Limit
大多数在高迁移率二维电子气中制备的量子点接触（QPC）在夹断附近显示出零偏压电导峰，但该峰的起源仍然是一个谜。以前的实验主要集中在中等电导率下的零偏压峰，范围在（1-2）e^2/h。这里给出的测量结果是零偏峰值，其持续时间低至10^{-4} e^2/h。磁场和温度的依赖性的零偏置峰值在低电导极限是定性不同的类似现象在较高的电导，与现有的理论模型的低密度量子光子晶体中的运输的影响。
2010-07-09 cond-mat.mes-hall
Conductance Quantization and Magnetoresistance in Magnetic Point Contacts
从理论上研究了磁点接触中的电子输运，特别考虑了原子尺度畴壁的影响。在这样的原子尺度DW中，传导电子的自旋进动是被禁止的，并且量子化电导的序列取决于左右电极之间的磁化的相对取向。窄的PC的磁电阻强烈增强，并与电导振荡。
1999-10-22 cond-mat.mes-hall
Point-Contact Conductances from Density Correlations
我们制定并证明了一个精确的关系，表示的时刻的两点电导的开放无序电子系统在相应的封闭系统的某些密度因子。作为该关系的一个应用，我们证明了临界状态下Chalker-Coddington模型的典型两点电导像共形场论中的两点函数一样变换.
2001-02-27 cond-mat.mes-hall
Topological Description of (Spin) Hall Conductances on Brillouin Zone Lattices : Quantum Phase Transitions and Topological Changes
人们普遍认为拓扑量可以用来描述低维量子液体。（自旋）霍尔电导是典型的例子。它们由陈数表示，陈数是由基态的Berry连接给出的拓扑不变量。我们提出了一个拓扑描述的（自旋）霍尔电导的离散布里渊区。同时，它在混凝土模型的实际数值计算中也是相当有效的。我们证明了它的有效性在一个模型与量子相变。在本晶格公式中还描述了补充过渡的拓扑变化。
2005-07-20 cond-mat.mes-hall
Nonuniversal Critical Conductance Fluctuations of Chiral Surface States in the Bulk Integral Quantum Hall Effect -- An Exact Calculation
体量子霍尔效应中的手征表面电子可能形成第一个扩展系统，在该系统中，可以在存在无序的情况下非微扰地计算电导波动。利用Kubo公式，在适当的边界条件下，用非微扰方法精确计算了电导的方差。我们发现，该系统的电导波动是“非普适的”和电导标度的方差在一个非常特殊的方式。这个结果可以用Landauer-Buttiker公式进行精确计算来检验，两种方法都显示出相同的标度行为。我们还精确地计算了扩散常数的涨落。我们发现，扩散常数的波动消失，从而发挥电导波动没有任何作用。
1996-11-19 cond-mat.mes-hall
Conductance fluctuations and disorder induced $ν=0$ quantum Hall plateau in topological insulator nanowires
暴露在磁场中的干净拓扑绝缘体会产生朗道能级，并伴随着无限平板几何形状的非零霍尔电导率。在这项工作中，我们考虑的情况下，无序的拓扑绝缘体纳米线和发现，相比之下，零霍尔高原出现在一个广泛的能量窗口接近狄拉克点。我们数值计算了无序纳米线统计系综的电导及其分布，并利用电导涨落研究了绝缘相对纳米线长度、无序强度和磁场等系统参数的依赖关系。
2017-01-09 cond-mat.mes-hall
Signatures of spin-orbit coupling in scanning gate conductance images of electron flow from quantum point contacts
利用扫描栅显微镜（SGM）电导映射理论研究了自旋轨道耦合下量子点接触中的电子流。虽然在没有浮栅的自旋轨道耦合不显着改变电导，我们发现，角依赖性的SGM图像的电子流在电导高原的自旋轨道相互作用混合的轨道模式，进入量子点接触，基本上改变。在SGM图中获得的径向干涉条纹在电导步骤基本上被保留的自旋-轨道相互作用的反向散射的尖端保留电子自旋，虽然模式混合的影响是可见的。
2014-06-26 cond-mat.mes-hall
Adatoms in graphene nanoribbons: conductance characteristics and quantum spin Hall effect
利用Kane-Mele模型研究了两端石墨烯纳米管（GNR）中的电荷和自旋输运.比较了两种常用的石墨烯纳米棒，即扶手椅型石墨烯纳米棒（AGNR）和锯齿型石墨烯纳米棒（ZGNR），结果表明：在Au吸附原子存在的情况下，AGNR在费米能为零附近出现了较为稳定的$2e^2/h$电导平台，而ZGNR的电导平台则较为脆弱.我们表明，这个平坦的高原，具有电导值$2e^2/h$，是不是一个拓扑非平凡的量子自旋霍尔（QSH）状态的标志性签名。电导随吸附原子密度的增加而减小。另一方面，自旋极化电导表现出明显的电导率随Au吸附原子浓度增加而增强的特征。此外，自旋极化电导的波动具有与GNRs的电荷电导分布惊人相似的特征。
2017-05-02 cond-mat.mes-hall
Unconventional Features in the Quantum Hall Regime of Disordered Graphene: Percolating Impurity States and Hall Conductance Quantization
我们报告在无序石墨烯中形成临界态，在量子霍尔制度中的变量和非常规输运性质的起源，例如在没有能带隙和朗道能级简并断裂的情况下的零能量霍尔电导平台。通过使用有效的实空间输运方法，我们计算了大尺寸石墨烯片的耗散和霍尔电导率与随机分布的模型单和双空位。通过分析输运系数随缺陷密度、系统尺寸和磁场长度的标度关系，我们阐明了反常量子霍尔特性的起源是磁场依赖的杂质态，它在某些临界能量处发生渗透。这些发现揭示了未识别的状态和量子输运异常实验报告。
2016-02-18 cond-mat.mes-hall
Force and Conductance during contact formation to a C60 molecule
利用低温扫描隧道和原子力显微镜同时测量了Cu-C60和C60-C60接触形成过程中的力和电导。用亚分子分辨率控制接触几何形状。两种类型的路口测量的最大吸引力被发现显着不同。我们表明，以前报道的接触电导值对应于最大拉伸应力下的结。
2012-08-14 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Conductance of a quantum point contact in the presence of spin-orbit interaction
发展了一种计算介观结构中自旋相关电导的递推格林函数方法。利用这种方法，我们研究了在Rashba自旋轨道相互作用下量子点接触的自旋相关电子输运。我们观察到量子化电导中的一些振荡是由自旋-轨道相互作用引起的，并指出这种振荡可能源于与多次反射有关的自旋-轨道耦合。同时也指出介观实验中观察到的0.7电导结构并不是由自旋轨道相互作用引起的。
2002-08-27 cond-mat.mes-hall
Structure and conductance histogram of atomic-sized Au contacts
许多实验表明，金属原子尺寸接触的电导直方图呈现出峰值结构，这是相应材料的特征。这些峰值的起源仍然是一个悬而未决的问题。为了阐明这个问题，我们提出了一个理论分析的电导直方图的Au原子接触。我们结合了经典的分子动力学模拟的纳米接触与电导计算的基础上紧束缚模型的断裂。这种组合使我们能够获得关键信息，如接触几何形状，力，最小横截面，总电导和各个传导通道的传输系数。我们的研究结果表明，低温金电导直方图是这些纳米接触的机械和电气性能之间的微妙的相互作用的结果。与文献中的其他建议不同，我们的结果表明，Au电导直方图中的峰值并不是电导量化或存在异常稳定半径的简单结果。我们表明，在直方图中的主峰接近一个量子的电导是由于形成的单原子接触和链的金原子。此外，我们提出了一个详细的比较与实验结果的Au原子接触，其中个别通道传输已被确定。
2005-07-14 cond-mat.mes-hall
Conductance Quantization in Schottky-gated Si/SiGe Quantum Point Contacts
我们报道了肖特基栅强限制Si/SiGe量子点接触（QPC）的制备和电子输运特性。在零磁场和T= 450 mK时，QPC电导作为门电压的函数，以e^2/h为单位进行量化，表明通过似乎缺乏自旋和谷简并的1D模式的输运。
2006-09-06 cond-mat.mes-hall
Magnetic orbital motion and 0.5$e^2/h$ conductance of quantum-anomalous-Hall hybrid strips
准粒子的磁致轨道运动对量子-反常-霍尔混合超导材料的电导特性有影响。我们阐明的情况下，拓扑NSN理想的交界处存在的轨道磁运动，显示它如何导致一个减半的量子化电导$0.5e^2/h$，即使在没有马约拉纳模式。磁轨道效应有利于具有有限波数的费米带电模式，与马约拉纳零模式不同，马约拉纳零模式是波数为零的不带电零能量模式。0.5电导平台的偏置灵敏度允许区分这两种情况。由于背散射干扰电导振荡是不存在的带电费米子的情况下。
2018-11-28 cond-mat.mes-hall
Directional bonding explains high conductance values of atomic contacts in bcc metals
与其他金属相比，由受控断裂产生的原子大小的铁结呈现出异常高的电导值。这一结果是违反直觉的，因为在纳米尺度下，体心立方金属预期表现出比面心立方金属更低的配位。在这项工作中，经典的分子动力学模拟的接触破裂，使用原子间的潜力，占定向键合，产生高度协调的稳定结构破裂前，不像各向同性的键合电位，这导致在预期的稳定的单原子接触。密度泛函理论电子输运计算表明，这些高配位、高稳定结构的电导值，可以解释体心立方原子接触电导的实验测量值，从而揭示了定向成键在这些金属中的重要作用.
2019-08-12 cond-mat.mes-hall
Two parameter scaling of conductance in quantum Hall effect
本文围绕整数量子霍尔效应区域的电导双参数标度问题，梳理相关理论概念，展示二维半导体及石墨烯的多时期实验标度图，并开展实验与计算标度图的对比分析。
2025-10-22 cond-mat.mes-hall
Field Theory on the von Neumann Lattice and the Quantized Hall Conductance of Bloch Electrons
我们在基于冯诺依曼晶格的量子霍尔系统中构造了有用的单粒子态集。利用动量态的集合，我们发展了一种场论形式，并将其应用于周期势作用下的系统。将传播子缠绕数表示的霍尔电导拓扑公式推广到布洛赫电子。阐明了缠绕数与陈数之间的关系。
1998-12-04 cond-mat.mes-hall
