Zero temperature metal-insulator transition in the infinite-dimensional Hubbard model
在动力学平均场论下，研究了哈伯德模型中从顺磁性金属到顺磁性绝缘体的零温转变。用Wilson数值重整化群方法计算了有效杂质Anderson模型（哈伯德模型映射在其上）的自能.讨论了Bethe晶格和超立方晶格的准粒子重量、谱函数和自能的结果。在这两种情况下，金属-绝缘体过渡被发现发生通过消失的准粒子共振，这似乎是孤立的哈伯德带。
1999-02-21 cond-mat.str-el
Thermodynamics of the metal-insulator transition in the extended Hubbard model
与哈伯德模型相比，扩展的哈伯德模型考虑了非局域相互作用，缺乏对金属-绝缘体相变热力学性质的系统研究。利用变分原理，我们进行了这样一个系统的研究，并描述了非局域相互作用屏幕本地相关费米液体和绝缘体不同。热力学揭示了非局域相互作用至少部分地导致了真实材料中的一阶金属-绝缘体相变。
2019-05-29 cond-mat.str-el
Extended crossover from Fermi liquid to quasi-antiferromagnet in the half-filled 2D Hubbard model
在正方晶格上具有最近邻跳跃的哈伯德模型的基态是反铁磁（AFM）带绝缘体的基态。在有限的温度下，长程序的缺乏使得如何实现相互作用驱动的绝缘体的问题变得重要。我们解决这个问题的热力学限制，使用自能图解行列式蒙特卡罗和动态集群近似方法的控制精度，并显示远程AFM相关性的发展驱动一个扩展的交叉从费米液体绝缘行为的参数制度，排除了金属到绝缘体的过渡。中间交叉态最好描述为具有部分带隙费米表面的非费米液体。
2020-02-01 cond-mat.str-el
Doping induced metal-insulator transition in two-dimensional Hubbard, $t-U$, and extended Hubbard, $t-U-W$, models
我们的数值计算表明，掺杂诱导的金属-绝缘体过渡的性质在二维哈伯德模型是从根本上改变了列入一项，$W$，这取决于一个平方的单粒子最近邻跳跃。通过计算绝缘状态下的局域化长度$ξ_l$可得到该结果。在$W$的有限值下，我们发现结果与$ξ_l \sim | μ- μ_c|^{- 1/2} $一致，其中$μ_c$是临界化学势。相比之下，$ξ_l \sim | μ- μ_c|^{-1/4}$为哈伯德模型。在有限的$W$值下，数值结果表明，掺杂反铁磁莫特绝缘体导致$d_{x^2 - y ^2}$超导体。
1997-11-18 cond-mat.str-el
A simple metal-insulator criterion for the doped Mott-Hubbard materials
我们推导出一个简单的金属-绝缘体准则的解析形式的掺杂Mott-Hubbard材料。它的读数与晶胞的基态的轨道和自旋性质密切相关。在顺磁相的可用的标准读数（金属或绝缘体）点的绝缘体状态的掺杂材料与禁止的第一个去除电子状态的可能性。从物理意义上讲，该结果与巡游电子系统中的Wilson判据相似。讨论了该判据在高温铜酸盐中的应用。
2014-11-19 cond-mat.str-el
Symmetry crossover and excitation thresholds at the neutral-ionic transition of the modified Hubbard model
用价键方法计算了均匀间距的N位修正哈伯德模型的基态、电荷密度和激发能。在中性-离子跃迁（NIT）时，基态分别在周期和反周期边界条件下的4 n，4 n +2环中发生对称性交叉.改进的哈伯德模型在成对侧的抗磁性带绝缘体和共价侧的顺磁性莫特绝缘体之间具有连续的NIT。对于有限N的单重态-三重态（ST）、单重态-单重态（SS）和电荷能隙表明，随着U的增加，ST和SS能隙在NIT处闭合，并且电荷能隙仅在那里消失。双N激励将所有奇点约束到对称交叉的约0.1t。NIT被解释为一个本地化的基态（gs）与有限的间隙对侧和扩展的GS与消失的ST和SS的共价侧的间隙。电荷间隙和电荷刚度表明在过渡金属GS，然而，是无条件不稳定的二聚。
2001-05-31 cond-mat.str-el
Orbital selective crossover and Mott transitions in an asymmetric Hubbard model of cold atoms in optical lattices
本文研究了半充满时的非对称哈伯德模型作为描述光晶格中两种相互排斥作用的费米子冷原子物理的一般模型。利用动态平均场论得到了该模型的顺磁相图随温度、相互作用强度和跳跃不对称性的变化关系。一个莫特过渡区域的两个共存的解决方案被发现为所有非零值的跳跃不对称性。在低温下，金属相是重费米液体，定性地类似于对称哈伯德模型的费米液体状态。在相干温度以上，发生轨道选择性交叉，其中一种费米子物质有效地局部化，并且所产生的坏金属状态类似于Falicov-Kimball模型的非费米液体状态。我们计算了冷原子系统的双占据、比热和熵等观测量，并描述了它们在不同阶段的行为。
2012-01-10 cond-mat.str-el
Dimensional-crossover-driven Mott transition in the frustrated Hubbard model
研究了半填充时次近邻跳跃的受抑哈伯德模型中的Mott跃迁.相互作用，维数和几何挫折之间的相互作用关闭的一维莫特间隙，并产生一个金属相与费米表面口袋。我们认为，它们出现的后果残余的一维Umklapp散射消失链间跳跃矩阵元素的动量。在这个赝能隙阶段，增强的d-波配对关联是由反铁磁涨落驱动的。在所采用的集团动力学平均场论的$8\times 2$集团和我们的最低温度下，从一维到二维的过渡是连续的。
2012-07-23 cond-mat.str-el
Mott-Hubbard Scenario for the Metal-Insulator Transition in the Two Dimensional Electron Gas
通过比较金属-绝缘体转变（MIT）附近的面内磁场的响应，我们发现，在Si MOSFET中观察到的MIT可以用非微扰Mott-Hubbard方案来描述。通过重新绘制实验数据，揭示并证实了独立可测量之间的相互关系。从实验数据中提取了一个在MIT处消失的普遍的临界能标，并求出了临界指数。
2006-08-01 cond-mat.str-el
Mott-Hubbard Insulator in Infinite Dimensions
计算了Bethe晶格上哈伯德模型的Mott-Hubbard绝缘相在无限配位数极限下的单粒子态密度.我们采用加藤-高桥微扰理论在强耦合极限附近导出格林函数。我们表明，格林函数的较低的哈伯德带可以表示在裸空穴跳跃运营商的多项式。我们检查我们的技术对Falicov-Kimball模型的精确解，并给出明确的结果，包括二阶逆哈伯德相互作用。我们的结果提供了一个严格的测试分析和数值研究的Mott-Hubbard绝缘体和Mott-Hubbard过渡内的动态平均场论。我们发现，Hubbard-III近似是不令人满意的超越最低阶，但本地矩的方法提供了一个很好的描述Mott-Hubbard绝缘体在强耦合。
2001-10-16 cond-mat.str-el
The Mott metal-insulator transition in the 1D Hubbard model in an external magnetic field
研究了在外加磁场中一维哈伯德模型在Mott金属-绝缘体相变过程中的低能行为。特别是，我们计算任意哈伯德排斥和磁化数值和在某些限制情况下，分析的莫特过渡的临界点处的修饰电荷矩阵的元素。结合非微扰有效场论方法，揭示了时间反演对称性破缺对Mott跃迁的影响。
2008-01-08 cond-mat.str-el
Critical properties of the band-insulator-to-Mott-insulator transition in the strong-coupling limit of the ionic Hubbard model
本文利用密度矩阵重整化群和有限尺寸标度，在离子哈伯德模型的基础上处理强耦合有效模型，研究了一维材料中中性到离子的绝缘体-绝缘体相变.有效的模型，制定在自旋一表示，包含一个单一的参数。我们进行了广泛的有限尺寸标度分析的相关差距和兼容性，以表征两个零温度转变。我们发现，从离子带绝缘相过渡到中间自发二聚相是伊辛，从二聚相到莫特绝缘相的过渡是Kosterlitz无，与基于场论的预测一致。
2009-02-06 cond-mat.str-el
Numerically exploring the 1D-2D dimensional crossover on spin dynamics in the doped Hubbard model
利用行列式量子Monte Carlo（DQMC）模拟方法，系统地研究了一维到二维交叉的掺杂依赖性及其对哈伯德模型磁性的影响.使用链的正方形晶格，其中维度可以通过改变链间耦合$t_\perp$来调谐。作为基准，在一维和二维极限下表征了动态自旋结构因子和静态量，如静态自旋磁化率和最近邻自旋关联函数。当维度在这些极限之间调整时，磁特性虽然从一维平稳地演变到二维，但无论掺杂水平如何，都会发生急剧变化。这表明二维哈伯德模型中的自旋激发，即使在重掺杂的情况下，也不能用一维的自旋子图像来解释。DQMC计算的补充集群微扰理论的研究，形成一个更完整的图片如何发生交叉作为一个功能的掺杂和掺杂的空穴如何影响磁序。
2017-07-05 cond-mat.str-el
Optical signature for distinguishing between Mott-Hubbard, intermediate and charge-transfer insulators
确定过渡金属化合物中带隙的性质仍然具有挑战性。我们提出了第一性原理研究的电子和光学性质的CoO使用混合功能赝势。我们表明，光学吸收光谱可以提供一个明确的指纹，以区分莫特-哈伯德，中间和电荷转移绝缘体。这种区别反映在峰值卫星的定性差异，由于独特的相互作用之间的$d$ - $d$和$p$ - $d$激发，从而允许识别从实验数据单独，不像现有的方法，需要额外的理论解释。我们的结论是，CoO是一个中间体，而不是一个莫特-哈伯德绝缘体，因为最初认为。
2022-12-15 cond-mat.str-el
Ultrafast charge recombination in photoexcited Mott-Hubbard insulator
我们提出了一个计算的基础上的未掺杂的铜氧化物相关的二维模型的激发的holon-doublon对的复合率表明，快的过程，在Pump-probe实验中观察到的Mott-Hubbard绝缘体在皮秒范围内，甚至可以定量地解释与多磁振子发射。前提条件是存在的Mott-Hubbard束缚激子的s型。我们发现，它的衰减是指数依赖于Mott-Hubbard间隙和磁振子的能量，与一个小的前因子，可以追溯到强关联，从而大激子-磁振子耦合。
2012-11-14 cond-mat.str-el
Direct observation of fragile Mott insulators on plaquette Hubbard lattices
利用扩展的胞腔动力学平均场论（CDMFT）和精确对角化杂质求解器，研究了半填充哈伯德模型在1/5耗尽和棋盘格两种格子上的基态相图和非磁性金属-绝缘体跃迁.我们确定三种不同的绝缘体的相图：二聚体绝缘体，反铁磁绝缘体，和plaquette绝缘体。我们证明了格形绝缘体是一种新的脆性莫特绝缘体（FMI），它具有$C_{4v}$晶体点群的非平凡的一维不可约表示，并且不能与任何具有时间反演对称性的能带绝缘体电连接.此外，我们还研究了从金属到FMI的非磁量子相变，发现这种Mott金属-绝缘体相变的特征是由于相互作用效应引起的非相互作用带的分裂。
2014-12-23 cond-mat.str-el
Effect of Particle-Hole Asymmetry on the Mott-Hubbard Metal-Insulator Transition
Mott-Hubbard金属-绝缘体相变是关联电子系统中最重要的问题之一。在过去的十年中，人们用动力学平均场论研究了哈伯德模型中粒子-空穴对称形式的跃迁，并发现电子自能在跃迁处形成一个极点。我们研究了Falicov-Kimball模型中的粒子-空穴非对称金属-绝缘体跃迁，发现当非相互作用态密度具有有限带宽时，许多特征发生了变化。由于一般来说，粒子-空穴对称性在真实材料中被破坏，我们的结果对理解真实材料中的金属-绝缘体转变有影响。
2004-02-05 cond-mat.str-el
Metal-insulator transition and charge ordering in the extended Hubbard model at one-quarter filling
利用精确对角化方法研究了正方形格子上四分之一填充扩展哈伯德模型的零温性质。我们发现，增加的比例的位间库仑排斥，$V$，带宽驱动系统从一个金属的电荷有序绝缘体。随着$V$的增加，光学电导率谱的演变与观察到的具有θ和β“晶体结构的几个层状分子晶体的光学电导率进行比较。
2002-02-13 cond-mat.str-el
One-Particle vs. Two-Particle Crossover in Weakly Coupled Hubbard Chains and Ladders: Perturbative Renormalization Group Approach
在微扰重整化群方法的框架下讨论了弱耦合Hubbard链和梯子中维数交叉的物理性质。这两种情况之间的差异源于相应的孤立系所属的不同普适类。
1997-11-12 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Metal-insulator transition in the Hubbard model: a simple description including the Kondo effect
本文用多电子表象中的单粒子格林函数来研究半满哈伯德模型中的电子谱结构。一个简单的分析推广的单网站Hubbard-III近似，其中考虑到费米激发（近藤条款）。金属-绝缘体转变的问题进行了研究。讨论了费米能级上包括“近藤”峰在内的三峰态密度结构的出现。与大d计算进行了比较。
2001-06-21 cond-mat.str-el
Metal-Insulator Transition in a Generalized Hubbard Model with Correlated Hopping at Half-Filling
本文研究了半填充零温下具有关联跃迁的广义哈伯德模型中的金属-绝缘体相变。计算了电子系统的单粒子格林函数和能谱。得到了能隙宽度和极性态（空穴或双光子）浓度的表达式。找到了金属态和绝缘态的条件。
1998-11-16 cond-mat.str-el
Superfluid to Mott-insulator transition in Bose-Hubbard models
利用最近提出的变分波函数研究了一维、二维和三维立方晶格中玻色-哈伯德模型的超流-绝缘体相变。在一维，变分的结果符合预期的Berezinskiii-Kosterlitz-无干扰的相互作用驱动的莫特转变的情况。在二维和三维，我们发现的证据表明，在整个过渡，大部分的光谱重量集中在高能量，暗示预形成的莫特-哈伯德边带。这一结果与Stoferle等人的实验数据相一致[Phys.Rev.Lett. 92，130403（2004）]。
2007-05-18 cond-mat.str-el
Extended Metal-Insulator Crossover with Strong Antiferromagnetic Spin Correlation in Half-Filled 3D Hubbard Model
本研究通过数值精确的量子蒙特卡罗方法，定量确定了半填充三维Hubbard模型中金属-绝缘体交叉边界，发现强反铁磁关联存在于扩展交叉区域，并修正了双占据数抑制的传统认知。
2025-01-08 cond-mat.str-el
Doping-dependent metal-insulator transition in a disordered Hubbard model
利用行列式量子蒙特卡罗方法研究了正方晶格上排斥哈伯德模型中无序和掺杂对金属-绝缘体相变的影响。首先，为了使我们的结果可靠，我们计算了各种参数，如温度，无序，现场相互作用和晶格尺寸的符号问题。我们发现，在跳跃元素的随机性的存在下，金属-绝缘体的转变发生，在不同的填充物的临界无序强度不同。我们还证明了掺杂是金属-绝缘体转变背后的驱动力。
2022-01-12 cond-mat.str-el
Detecting phase transitions and crossovers in Hubbard models using the fidelity susceptibility
利用单格位动力学平均场论结合杂化展开连续时间量子Monte Carlo杂质求解器，系统地研究了单带和多轨道哈伯德模型的保真度磁化率.我们发现，保真度的敏感性是非常敏感的系统状态的变化。它可以被用来作为一个数值便宜的工具来检测和表征哈伯德模型中的广泛的相变和交叉，包括（轨道选择性）莫特金属绝缘体的转变，高自旋低自旋的转变，费米液体到非费米液体交叉，和自旋冻结交叉。
2016-07-12 cond-mat.str-el physics.comp-ph
Optical conductivity of one-dimensional doped Hubbard-Mott insulator
利用sine-Gordon模型研究了强关联电子系统在金属-绝缘体相变附近的光学响应。在半经典量子化的情况下，光谱权重分布在Drude峰和呼吸子引起的吸收线之间。我们计算了Drude重量，光学间隙，和呼吸吸收的线形。
2002-08-16 cond-mat.str-el
Neel order in the Hubbard model within spin-charge rotating reference frame approach: crossover from weak to strong coupling
利用量子SU（2）xU（1）转子方法研究了二分立方晶格上最近邻跳跃的二维和三维哈伯德模型的反铁磁相，得到了满足Mermin-Wagner定理的反铁磁态的完全自洽处理.电荷和自旋的集体变量分别以时空涨落U（1）相场和SU（2）对称性支配的旋转自旋量子化轴的形式被隔离。结果，相互作用的电子表现为一个由裸费米子和U（1）、SU（2）规范场组成的复合体。由自旋-电荷转子和费米子场组成的有效作用量是库仑排斥力U和跳跃参数t的函数。我们的理论描述了在零温下从Slater（U <<t）到Mott-Heisenberg（U>> t）反铁磁体的演化。给出了反铁磁哈伯德模型的零温亚晶格磁化强度（2D）和有限温（3D）相图与交叉参数U/t的关系，分析了自旋Berry相在相互作用驱动交叉中的作用.
2008-11-03 cond-mat.str-el
Interaction-driven Band-insulator--to--Metal transition in bilayer ionic Hubbard model
在离子哈伯德模型（IHM）中，对于中等相互作用的$U$，已经报道了相互作用驱动的绝缘体-金属相变，而其金属相在相图中只占据一个狭窄的区域。为了探索金属制度的扩大，我们扩展了离子哈伯德模型的两个耦合层和研究层间杂化$V$和两种类型的层内交错电位$Δ$的相互作用：一个具有相同的（同相）和其他层之间的$π$ -相移（反相）电位。我们的行列式量子蒙特卡罗（DQMC）模拟在最低的可访问的温度表明，Mott和带绝缘体之间的相互作用驱动的金属相扩展的$Δ-V$相图的双层IHM只有同相离子电位，而反相电位总是诱导的电荷密度顺序的绝缘体。这意味着离子哈伯德模型可能从这里的双层的情况下进一步扩展到现实的三维模型。
2016-04-12 cond-mat.str-el
Spin-$0$ Mott insulator to metal to spin-$1$ Mott insulator transition in the single-orbital Hubbard model on the decorated honeycomb lattice
利用旋转不变的从玻色子研究了装饰蜂窝晶格上单轨道哈伯德模型在三分之二填充时强电子关联和三角形内自旋交换的相互作用.我们发现当自旋- $1$莫特绝缘体、金属和自旋- $0$莫特绝缘体之间的自旋交换是反铁磁的时，自旋交换是调谐的.莫特绝缘体产生于有效的三角形内多轨道相互作用，并与孤立三角形的基态电连接。反铁磁自旋交换，如确定的古德诺-Kanamori规则，可以发生在配位聚合物从动力学交换通过配体。我们的特点的磁性在该政权的自旋三重态占主导地位。对于小的$U$，自旋$1$ Slater绝缘体在三角形之间出现反铁磁序。自旋$1$莫特绝缘体中的磁性由蜂窝晶格上的自旋$1$海森堡模型描述，其基态为Néel有序.
2021-08-05 cond-mat.str-el
Polaron Crossover and Bipolaronic Metal-Insulator Transition in the half- filled Holstein model
本文用动力学平均场论在Holstein模型下分析了有限密度多极子态的形成。无自旋和自旋费米子的情况下进行比较，解开极化子交叉的双极化子形成。动力学平均场论的精确解与弱耦合微扰理论、非交叉（Migdal）和顶点校正近似进行了比较。我们表明，极化子的形成是不相关的金属-绝缘体的转变，这是由于双极化子的形成。
2004-01-06 cond-mat.str-el
Hund's coupling and the metal-insulator transition in the two-band Hubbard model
在动力学平均场论的两带哈伯德模型中研究了Mott-Hubbard金属-绝缘体相变。为此，我们采用Wilson数值重整化群的一个适当的扩展来求解有效双带单杂质Anderson模型。这种方法是非微扰的，特别是，允许考虑到充分交换的一部分，两个轨道之间的洪德规则耦合。我们详细讨论了各种库仑相互作用对热力学和动力学性质的影响，对于杂质和晶格模型。Hund规则耦合的交换部分对两带哈伯德模型的物理性质和Mott跃迁的性质起着重要的作用。
2005-02-25 cond-mat.str-el
Gutzwiller approximation for paramagnetic ionic Hubbard model: Analytic expression for band-Mott insulator transition
International Research Centre MagTop, Institute of Physics, Polish Academy of Sciences（波兰科学院物理研究所磁拓扑国际研究中心）
本文通过Gutzwiller近似推导出离子Hubbard模型中带-莫特绝缘体相变的解析表达式，并揭示金属相源于非相干Hubbard带物理而非费米液体行为。
2025-12-10 cond-mat.str-el
Two-stage metal-insulator transition in the 2D Hubbard model: momentum selectivity in the 8-site dynamical cluster approximation
本文用八动量胞的动力学集团近似研究了二维正方晶格哈伯德模型顺磁相的金属-绝缘体相变。我们发现，相互作用驱动和掺杂驱动的过渡是多阶段和动量部门特定的，费米液态金属和完全带隙绝缘体相分离的中间相，其中布里渊区的一些区域是有间隙的，而其他人则维持无间隙准粒子。我们认为，这是一个逐渐缩小的弧或口袋的粗粒度版本。一个明显的粒子-空穴不对称性被发现。
2009-03-17 cond-mat.str-el
Transition from band insulator to Mott insulator and formation of local moment in half-filled ionic SU($N$) Hubbard model
研究了交错离子势下半填充SU（$N$）哈伯德模型中局域磁矩的形成.随着Hubbard $U$的增加，当$U$高于临界值$U_c$时，电荷波动被抑制并最终冻结，这分别标志着A亚晶格上具有整数$m$费米子和B亚晶格上具有$(N-m)$费米子的定义良好的局部矩的发展。在变分Gutzwiller近似和重整化平均场理论下，我们得到了顺磁基态的$U_c$的解析解。对于大的$N$，发现对于固定的$m/N$，$U_c$线性地依赖于$N$，但是对于固定的$m$，次线性地依赖于$N$。局域磁矩的形成伴随着从带绝缘体到莫特绝缘体的特殊相变，其中离子势和准粒子重量同时重整化为零。在Mott相内，低能物理由SU（$N$）海森堡模型共轭表示描述，这是文献中广泛研究的。
2022-12-13 cond-mat.str-el
Metal-insulator transition in the disordered Hubbard model of the Lieb lattice
利用行列式量子Monte Carlo方法，研究了Lieb晶格相互作用无序哈伯德模型中的金属-绝缘体相变，该系统的特征是中心位于费米能级的平带.通过选择合适的电子密度，保证了弱相互作用的符号问题，提高了结果的可靠性。研究发现，无序和原位库仑排斥作用产生有趣的效应，诱导金属-绝缘体转变，这是不可能的半填充的情况下。在热力学极限下，费米能级处的态密度仍然是有限的，这表明该系统是安德森绝缘体而不是莫特绝缘体。此外，这种掺杂系统是顺磁性的，不像半填充系统是亚铁磁性的。
2022-06-08 cond-mat.str-el
Mott and Band Insulator Transitions in the Binary Alloy Hubbard Model
我们使用行列式量子蒙特卡罗模拟和精确对角化，探讨绝缘行为的哈伯德模型与随机定位的本地网站能量的双峰分布。从温度依赖性的压缩性和导电性，我们表明，有间隙的，不可压缩的莫特绝缘相存在远离半填充时，当地网站的能量的方差是足够大的。这个莫特相周围的可压缩区域是金属的，只有当密度的网站与相应的能量超过逾渗阈值，但安德森绝缘体，否则。
2006-07-19 cond-mat.str-el
Generalization of the iterative perturbation theory and metal-insulator transition in multi-orbital Hubbard bands
将动力学平均场论的迭代微扰理论推广到多轨道Hubbard带中任意电子占据的情形。我们给出了简单立方晶格中双简并Eg带的数值结果。光谱显示了不同电子占据的电子电离和亲和力水平。对于足够大的库仑积分，在整数填充的电子和系统成为绝缘体的光谱中打开一个间隙。该方案易于与LSDA电子结构理论相结合。
2002-11-08 cond-mat.str-el
One-Particle Spectral Properties of Mott-Hubbard Insulators
本文用一个精确的描述所有散射级下的holon - spinon相互作用的Landau液体泛函，研究了可积多组分多粒子问题的关联函数，该关联函数同时具有线性和非线性能带.我们考虑的具体情况下，占主导地位的非线性带项是二次和应用我们的研究结果的一维哈伯德模型关联函数的评价超出共形场论。
1999-04-14 cond-mat.str-el
Phase diagram of the frustrated Hubbard model
单能带哈伯德模型的顺磁相的莫特-哈伯德金属-绝缘体转变长期以来一直被用来描述像V $_2$ O $_3$这样的真实材料中的类似特征。在这里，我们表明，这种转变是隐藏在一个相当强大的反铁磁绝缘体，即使在存在比较强的磁挫折。这一结果提出了一个问题的相关性的莫特-哈伯德金属-绝缘体转变的通用相图的单带哈伯德模型。
2003-08-11 cond-mat.str-el
Metal-Insulator transitions in the periodic Anderson model
我们用动力学平均场论求解了Mott-Hubbard区域中的周期Anderson模型。在莫特绝缘体的电子掺杂时，发生金属-绝缘体转变，其在性质上类似于单带哈伯德模型的金属-绝缘体转变，即在有限温度下具有发散的有效质量和一阶特征。令人惊讶的是，在空穴掺杂时，金属-绝缘体转变不是一阶的，并且不显示发散质量。因此，单带哈伯德模型的过渡方案是不通用的周期性安德森模型，即使在莫特-哈伯德制度。
2008-09-20 cond-mat.str-el
Thermodynamics of the metal-insulator transition in the extended Hubbard model from determinantal quantum Monte Carlo
利用有限温度的量子蒙特卡罗模拟，研究了半满正方形格子上Slater体系中扩展的哈伯德模型在中间耦合下的热力学性质.我们考虑最近邻相互作用和长程库仑相互作用的情况下，耦合强度的存在下，非本地的相互作用仍然允许我们进行无符号问题的量子蒙特卡罗模拟。特别是，我们评估了最近提出的方案变分计算的一阶金属-绝缘体过渡在这种相互作用制度。
2022-10-18 cond-mat.str-el
Strong-coupling approach to the Mott--Hubbard insulator on a Bethe lattice in Dynamical Mean-Field Theory
本文计算了Bethe晶格上的半满哈伯德模型的Hubbard带，该模型具有无限配位数，在逆Hubbard相互作用下，该模型的配位数达到并包括三阶.本文应用Kato-Takahashi微扰理论，解析地求解了多链几何中单杂质Anderson模型的动力学平均场论的自洽方程。次级Hubbard子带的权重是四阶的，因此双链几何对于我们的研究是足够的。即使在Mott-Hubbard跃迁附近，我们对Mott-Hubbard能隙的计算结果也与动力学密度矩阵重整化群（DDMRG）的计算结果吻合得很好.下哈伯德带的态密度也同意非常好的DDMRG数据，除了在上带边的共振贡献，不能在低阶微扰理论再现。
2010-09-21 cond-mat.str-el
Metal-insulator transition in quarter-filled Hubbard model on triangular lattice and its implication for the physics of $Na_{0.5}CoO_{2}$
在平均场水平上研究了三角晶格上四分之一填充哈伯德模型的金属-绝缘体相变。我们发现，准一维金属态的共线磁序与绝缘态的非共面磁序密切竞争的跳跃积分$t$的两个符号。在强关联区（$U/|t|\gg1$），发现系统的金属-绝缘体相变是分两步进行的。具有共线磁序的准一维金属态被发现在顺磁金属相和非共面绝缘相之间的中间温度区域是稳定的。这些结果可能的相关性，在$Na_{0.5}CoO_{2}$的金属-绝缘体转变的物理进行了讨论。
2010-01-05 cond-mat.str-el
Mott metal-insulator transition in the Hubbard model
研究了单格点近似下和单格点近似下的哈伯德模型的基态。在SSA中，基态在临界点n=1和U/W=+infty处是典型的莫特绝缘体，其中n是每个晶胞的电子密度，W是电子的带宽，U是原位排斥，并且除了临界点之外是正常的费米液体。在SSA之外，正常费米液体对非正常费米液体状态是不稳定的，除了U=0的平凡情况，例如二维和更高维度中的磁性或超导状态。为了解释实际观察到的金属-绝缘体相变，除了哈伯德模型外，还应考虑电子-声子相互作用、多带或多轨道效应以及无序效应中的一种或几种效应。
2007-01-05 cond-mat.str-el
Absence of hysteresis at the Mott-Hubbard metal-insulator transition in infinite dimensions
用量子蒙特卡罗模拟研究了无限维哈伯德模型中Mott-Hubbard金属-绝缘体相变的性质，温度T=W/140（W=带宽）。与以前的工作相比，计算精度显着提高，我们表明，滞后低于T_{IPT} \simeq 0.022 W，在早期的研究中报道，消失。因此，过渡被发现是连续的，而不是不连续的至少T=0.325 T_{IPT}。我们还研究了态密度在整个跃迁过程中的变化，这说明费米液体在能隙打开之前就已经分解了。
1999-02-19 cond-mat.str-el
Finite Temperature Effects in One-dimensional Mott-Hubbard Insulator: Angle-Resolved Photoemission Study of Na_{0.96}V_{2}O_{5}
我们对一维Mott-Hubbard绝缘体Na_{0.96} V_{2} O_{5}进行了角分辨光电子能谱研究，发现V3 d低Hubbard带的谱与温度有很强的依赖关系.本文用精确对角化方法计算了有限温度下一维t-J模型的单粒子谱函数，并与实验结果进行了比较。实验和理论得到了很好的一致性。强的有限温度效应被讨论的自旋带的“费米面”的存在。
1999-01-22 cond-mat.str-el
Higher harmonics in Mott-Hubbard insulators as sensors
Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf（德累斯顿罗森多夫亥姆霍兹中心）；Technische Universität Dresden（德累斯顿工业大学）
本研究通过强关联时间依赖微扰理论，揭示了Mott-Hubbard绝缘体在振荡电场下的高阶谐波特性，展示了其作为相关材料探针和驱动场传感器的应用潜力。
2026-03-05 cond-mat.str-el
Single-Particle Dynamics in the Vicinity of the Mott-Hubbard Metal-to-Insulator Transition
研究了由电子间强排斥作用引起的金属-绝缘体相变的单粒子动力学。系统采用半满哈伯德模型描述，模型采用高分辨动态密度矩阵重整化的动态平均场论处理。我们提供的理论光谱的动量分辨率，便于比较光电子能谱学。
2008-02-18 cond-mat.str-el
Breakdown of the Luttinger sum rule within the Mott-Hubbard insulator
在一维相互作用费米子的原型紧束缚模型中研究了Luttinger求和规则的有效性，t-V模型包括次近邻跳跃t'，以打破粒子-空穴对称性。对半充满时有限系统结果的标度分析表明，在V >> t时，大能隙区的求和规则明显失效，而Mott-Hubbard能隙消失时求和规则似乎恢复。
2008-10-10 cond-mat.str-el
Metal-insulator transition in the two-orbital Hubbard model at fractional band fillings: Self-energy functional approach
本文研究了无限维二轨道哈伯德模型在任意能带填充下的性质。利用自能泛函方法，讨论了具有相同和不同带宽的系统中金属态的稳定性。结果发现，莫特绝缘相实现在相称的带填充。此外，它是澄清的轨道选择莫特相位与一个轨道本地化和其他巡回的稳定，即使在分数频带填充系统中具有不同的带宽。
2007-06-27 cond-mat.str-el
Nature of the Peierls- to Mott-insulator transition in 1D
为了阐明从Peierls带绝缘体到关联Mott-Hubbard绝缘体的跃迁物理过程，我们利用准精确数值方法分析了一维半填充Holstein-哈伯德模型的基态和光谱性质.在绝热极限下，该跃迁与离子哈伯德模型的能带到莫特绝缘体的跃迁有关。取决于电子-声子耦合和哈伯德相互作用的强度的过渡是一阶或不断演变的中间阶段与有限的自旋，电荷，和光学激发间隙。
2002-11-11 cond-mat.str-el
Critical Behaviour near the Mott Metal-Insulator Transition in a Two-band Hubbard Model
利用线性化动力学平均场论研究了无限维两带哈伯德模型中的Mott金属-绝缘体相变。从空穴到电子掺杂的变化的化学势的不连续性被解析地计算为在$d$ -轨道处的现场库仑相互作用$U$和在$d$ -和$p$ -轨道之间的电荷转移能量$Δ$的函数。准粒子重量的临界行为也得到解析作为$U$和$Δ$的函数。解析结果与精确对角化方法的数值结果吻合较好。
2001-07-10 cond-mat.str-el
Mott-Hubbard insulators for systems with orbital degeneracy
我们研究了在大库仑相互作用U的极限下，电子跳跃如何减小Mott-Hubbard带隙，并作为轨道简并度N的函数。结果支持这样的结论，即跳跃贡献大致随着\sqrt{N} W而增长，其中W是单粒子带宽，但是在某些模型中，对于足够大的N，发现到\sim NW行为的交叉。
1997-01-21 cond-mat.str-el
Metal-insulator transition in the hybridized two-orbital Hubbard model revisited
本文研究了在最近邻轨道杂化和晶场分裂的情况下正方晶格上的双轨道哈伯德模型。我们采用基于密度矩阵重整化群的高可靠性数值方法求解动力学平均场论自洽杂质问题。我们发现，当至少有一个带是金属带时，轨道混合总是导致在两个轨道的费米能级处的有限局域密度态。当一个带被掺杂，而化学势位于另一个带的Hubbard带之间时，该轨道上的相干准粒子峰与Hubbard相互作用$U$呈指数关系。
2017-12-13 cond-mat.str-el
