Ab initio structure modeling of complex thin-film oxides: thermodynamical stability of TiC/thin-film alumina
我们提出了一个有效的和一般的方法来确定有前途的候选配置薄膜氧化物和确定（亚稳态）薄膜结构的从头计算的结构特性。该方法的核心是氧化物体结构的复杂性，从该氧化物体结构中可以提取出大量的具有结构构建块的薄膜，即来自亚稳态体氧化物系统的基序。这些跨越一个粗糙的，但定义明确的网络的初始配置，密度泛函理论（DFT）的计算预测和实施戏剧性的原子弛豫在相应的，从而产生薄膜候选人。薄膜候选物的网络（对于各种膜厚度和化学计量）可以根据它们在从头算总能量或从头算平衡吉布斯自由能中的变化来排序。最有利的结构的弛豫原子结构的分析提供了洞察稳定和亚稳薄膜氧化物的性质。我们以TiC上成核的Al_2O_3为模型系统来说明这一方法。
2009-03-06 cond-mat.mtrl-sci
Band engineering of a magnetic thin film rare earth monopnictide
在少数原子层形态中实现量子材料是观察和控制各种奇异量子现象的关键。这包括拓扑电子材料，其中几层材料的可调谐性和维度使得能够检测$Z_2$、陈省身和马约拉纳相。在这里，我们报告的薄膜相关的，拓扑状态的磁性稀土铌酸盐（$RX$）系统GdBi的分子束外延合成的平台的发展。从大块单晶研究中已知该材料是具有尼尔温度$T_N =$ 28 K的半金属反铁磁体，并且是提出具有拓扑表面态的非$f$含电子系统LaBi的磁性类似物。我们的运输和磁化BaF $_2$上外延生长的薄膜的研究表明，半金属性被解除低于约8个晶体晶胞，而磁秩序保持到我们的最小厚度的5个晶体晶胞。第一性原理计算表明，非平凡的拓扑结构被保存到单层极限，量子限制和晶格对称性引起的$C=2$陈绝缘体相。我们进一步证明了这些膜的稳定性，对大气降解使用的组合，无空气的缓冲液和封盖程序。这些结果共同确定薄膜$RX$材料作为工程相关磁性材料中的拓扑电子带的潜在平台。
2019-04-04 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Density and Microstructure of Amorphous Carbon Thin Films
本工作中，我们研究了用直流和高功率脉冲磁控溅射（HiPIMS）技术沉积的非晶碳（$a$ -C）薄膜。两种方法制备的$a$ -C薄膜的微观结构和电学性质存在细微差别.虽然用dcMS沉积的膜具有通常在$a$薄膜中发现的平滑纹理，但用HiPIMS沉积的那些膜由被多孔微结构包围的致密小丘组成。$a$ -C薄膜的密度是判断其质量的决定性参数。通常，X射线反射率（XRR）已被用于测量碳薄膜的密度。从目前的工作中，我们发现，碳薄膜，特别是那些厚度为几十纳米的密度的测定，可能是不准确的XRR由于薄膜和衬底之间的散射对比度差。通过利用飞行时间模式中的中子反射率（NR）（一种不常用于碳薄膜的技术），我们可以精确地测量使用dcMS和HiPIMS沉积的$a$薄膜的密度差异。
2018-01-05 cond-mat.mtrl-sci
Preparation of Cobalt Thin Films by Sputtering Systems and Its Magnetic Characterization
采用磁控溅射沉积技术制备了不同厚度的钴薄膜。用X射线光电子能谱学（XPS）和石英晶体监测（QCM）对薄膜厚度进行了测定。XPS也被用来确定膜的质量。利用铁磁共振技术（FMR）测试了薄膜的磁性能.
2009-10-28 cond-mat.mtrl-sci
Synthesis of Perovskite SrIrO3 Thin Films by Sputtering Technique
本文报道了用溅射法制备钙钛矿型SrIrO_3薄膜。在SrTiO 3（001）衬底上外延生长了单相（110）取向的SrIrO $_3$薄膜。利用离轴XRD $θ-2θ$扫描，我们证明这些薄膜具有（1 - 10）面外取向，（001）和（1-10）位于面内。溅射生长的薄膜具有光滑、均匀的表面和与衬底良好的共格界面。
2016-10-13 cond-mat.mtrl-sci
Observation of magnetism in Au thin films
本文介绍了金薄膜的直接磁化测量。这些测量整合了来自所研究的薄膜的信号和薄膜与衬底的界面的磁贡献。对来自体衬底的信号的抗磁性贡献与噪声水平具有相同的量级。我们发现薄的金膜可以表现出正磁化。它们的磁行为具有强烈的衬底依赖性。
2006-06-14 cond-mat.mtrl-sci
Thin Film growth of Solid State materials
磁控溅射也已用于沉积某些材料的薄膜，并且它具有重要的技术重要性。对钇稳定氧化锆（YSZ）外延薄膜的沉积过程进行了模拟，研究了表面吸附原子的扩散。在溅射过程中，等离子体中形成的离子之间存在强相互作用。在Si上沉积Cu薄膜。SiCN纳米复合薄膜呈树枝状生长。
2016-11-17 cond-mat.mtrl-sci
Thin film of Al-Ga-Pd-Mn quasicrystalline alloy
薄膜准晶涂层具有独特的性质，例如非常高的电阻率和热阻率以及非常低的表面能。采用快速蒸发法制备了二十面体Al-Ga-Pd-Mn合金纳米准晶薄膜。本文试图讨论Al-Ga-Pd-Mn合金准晶薄膜形成的微观机制
2021-07-03 cond-mat.mtrl-sci
Defect-induced shift of the Peierls transition in TTF-TCNQ thin films
本文研究了用物理气相沉积法制备的四硫富瓦烯-四氰基醌二甲烷（TTF-TCNQ）薄膜中衬底材料和薄膜厚度对Peierls转变温度的影响。我们的分析表明，衬底材料和生长条件强烈影响薄膜的形貌。特别地，我们证明了在薄膜中的Peierls转变温度低于TTF-TCNQ单晶。我们认为，这种影响是由于缺陷，出现在TTF-TCNQ薄膜在生长过程中。
2010-09-10 cond-mat.mtrl-sci
High-performance chemical-bath deposited CdS thin-film transistors with ZrO2 gate dielectric
我们展示了高性能的化学浴沉积CdS薄膜晶体管TFT使用原子层沉积的ZrO 2基高k栅介质材料。
2015-05-25 cond-mat.mtrl-sci
Novel Layered Iridate Ba7Ir3O13+δ Thin Films with Colossal Permittivity
发现了以薄膜形式存在的Ba_7Ir_3 O_（13 +δ）。这些薄膜的特点是在室温下的巨大介电常数（CP）~104，归因于巨大的内部势垒层电容效应在原子级薄的域边界。这些发现为通过设计原子级薄的畴界来寻找新型CP材料提供了一条新的途径。
2015-08-26 cond-mat.mtrl-sci
Low Symmetry Phase in (001) BiFeO$_3$ Epitaxial Constrained Thin Films
用同步辐射X射线衍射确定了（001）取向的BiFeO $_3$外延薄膜的晶格。通过选择合适的包含固定（001）反射的散射区，我们发现室温下薄膜中存在类似于$M_A$相的低对称相。这些结果表明，在相稳定性的变化，从菱形体在大块单晶，在外延薄膜的修改单斜结构。
2005-01-27 cond-mat.mtrl-sci
Effect of Substrate Temperature on Structural and Magnetic Properties of c-axis Ori-ented Spinel Ferrite Ni0.65Zn0.35Fe2O4 (NZFO) Thin Films
改变衬底温度可以改变尖晶石铁氧体NZFO薄膜的结构和磁性。在不同温度下生长的薄膜的XRD显示只有004反射，没有任何次级峰，显示沿c轴的生长取向。我们发现这些薄膜的结晶质量随着衬底温度的升高而增加。在不同生长温度条件下生长的薄膜的表面形貌显示，这些薄膜是光滑的，具有低粗糙度，然而在800 ℃下生长的薄膜在所有薄膜中表现出最低的平均粗糙度和均方根粗糙度。我们发现铁和镍被更多的氧化，即更大的铁和镍含量的薄膜生长和退火在700 ℃和800 ℃，相比，在较低的温度下生长。磁矩随衬底温度的升高而增大，室温下所有薄膜均具有高的饱和磁化强度和低的矫顽场。在800 ℃下生长的薄膜在室温以上表现出铁磁顺磁相变.在室温以上的NZFO薄膜中观察到的具有软磁行为的大磁化强度表明在存储器、自旋电子学和多功能器件中的潜在应用。
2018-06-28 cond-mat.mtrl-sci
A Novel Broadband Measurement Method for the Magnetoimpedance of Ribbons and Thin Films
提出了一种新的薄膜和带中MI的宽带测量方法。它基于对装有样品的单元的反射系数的自动测量。与坡莫合金多层薄膜得到的说明性结果，并进行了讨论。
2003-05-12 cond-mat.mtrl-sci
Parameters Influencing the Optical Properties Of SnS Thin Films
硫化锡（SnS）薄膜被认为是太阳能电池的潜在候选材料。许多制造技术已被用于生长SnS薄膜。发现文献中报道的SnS膜的带隙${\rm E_g}$根据膜制造技术在1.2-2.5 eV之间变化。本文报道了室温热蒸发法制备的SnS薄膜的结构、成分、形貌和光学特性。结果表明，对于给定的制造技术/条件，带隙函数依赖于晶格参数和晶粒尺寸。明确定义的变化允许根据要求定制SnS膜。
2013-10-17 cond-mat.mtrl-sci
Epitaxial Ba2IrO4 thin-films grown on SrTiO3 substrates by pulsed laser deposition
用脉冲激光沉积法在SrTiO 3（001）衬底上外延生长了Ba 2 IrO 4（BIO）薄膜，并通过直流输运和光谱实验研究了其电子结构。我们已经观察到，BIO薄膜是绝缘的，但接近的金属绝缘体过渡边界的显着较小的运输和光学带隙能量比它的姐妹化合物，Sr2IrO4。此外，BIO薄膜具有增强的电子带宽和电子相关能。我们的研究结果表明，生物薄膜具有很大的潜力，实现有趣的物理性能预测层状铱酸盐。
2014-02-26 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Evidence of potential sputtering of ultra-thin Pt films due to impact of multi-charged Ar ions
本文研究了20 keV高电荷态$Ar^{q+}$（q = 3 - 8）离子轰击超薄Pt膜的电位溅射现象。结果表明，随着Ar射弹势能的增加，Pt膜的烧蚀增强。
2002-04-10 cond-mat.mtrl-sci
Substrate effect on the resistive switching in BiFeO3 thin films
采用脉冲激光沉积法在Pt/Sapphire和Pt/Ti/SiO2/Si衬底上分别制备了BiFeO 3薄膜。溅射Au作为顶部电极。薄膜的微观结构随底层衬底的改变而变化。Pt/蓝宝石上的薄膜由于在顶部和底部界面处形成肖特基接触而不能反向切换。而Pt/Ti/SiO2/Si上的薄膜在正向偏压下表现出明显的阻变特性。讨论了Pt/Sapphire衬底和Pt/Ti/SiO2/Si衬底上BiFeO 3薄膜的导电机制，以理解不同的阻变行为。
2012-09-26 cond-mat.mtrl-sci
Ferroelectricity in ultra-thin perovskite films
我们报告的铁电性超薄钙钛矿薄膜与现实电极的研究。结果表明，在小于10 μ m厚的薄膜中，铁电态稳定，极化方向垂直于表面。在短路边界条件下，研究了真实电极的屏蔽效应和真实金属/氧化物界面对薄膜极化的影响。我们的研究表明，金属屏蔽从电极的氧化物表面的功函数的差异的影响。我们在铁电PbTiO $_3$和BaTiO $_3$薄膜中证明了这种效应。
2005-05-03 cond-mat.mtrl-sci
Production of Indium Doped Zinc Oxide Thin Films by Pulsed Laser Ablation
提出了一种改进的脉冲激光沉积（PLD）方法，在较低的衬底温度下制备了未掺杂和铟掺杂的氧化锌（ZnO：In）薄膜。该制备方法不需要对生长的膜进行任何进一步的沉积后退火处理。所开发的方法允许在低衬底温度下生长薄膜，这防止了它们的固有电学和光学性质的相当大的损失。分析了沉积参数对未掺杂和铟掺杂ZnO薄膜电学和光学参数的影响。
2005-04-08 cond-mat.mtrl-sci
Infrared properties of micromachined vanadium oxide thin films
本文讨论了钒氧化物的合成和压制成膜材料，用于生产光学薄膜的问题。基于由此产生的成膜材料，已经开发了通过两种制备薄膜的方法（真空蒸发和磁控溅射）从二氧化钒制备涂层的工艺过程。在光学仪器中使用由氧化钒制成的薄膜的问题被认为是。
2017-03-01 cond-mat.mtrl-sci
Far infrared and terahertz spectroscopy of ferroelectric soft modes in thin films: A review
综述了基片上薄膜铁电体软模和中心模的远红外和太赫兹光谱。除了经典的位移型固有铁电体外，还讨论了初始铁电体、弛豫铁电体和多重铁电体。特别注意的是薄膜和散装材料（陶瓷和单晶）的软模式行为之间的差异和它们对低频介电常数的影响。特别强调了薄膜应变和探测波退极化电场对晶界的影响。软模光谱被证明是一个非常敏感的工具，揭示薄膜的质量。
2016-02-18 cond-mat.mtrl-sci
Er3+-doped Na0.5Bi0.5TiO3 Ferroelectric Thin Films with Enhanced Electrical Properties and Strong Green Up-conversion Luminescence
具有上转换发光（UCL）特性的铁电材料在显示和传感等方面具有潜在的光电应用。在此，我们展示了Er 3+掺杂的Na 0. 5 Bi 0. 5 TiO 3薄膜的强绿色UCL和增强的电学性质。所述薄膜通过使用改进的化学溶液沉积方法来制备。这些薄膜是纯相的，并且以钙钛矿结构结晶。其中，Na_（0.5）Bi_（0.49）Er_（0.01）TiO_3薄膜的剩余极化强度和介电常数最大，分别为0.22 C/m ~ 2和1166。同时，在掺Er 3+薄膜中观察到了525 nm和548 nm的强绿光UCL。它们是由Er ~（3+）离子的~ 2 H ~（11/2）→ ~ 4 I ~（15/2）和~ 4S ~（3/2）→ ~ 4 I ~（15/2）跃迁引起的。这些薄膜在光电器件应用中具有潜力。
2015-02-04 cond-mat.mtrl-sci
Temperature-Dependent Resistivity of Alternative Metal Thin Films
研究了Cu、Ru、Co、Ir和W薄膜的电阻率温度系数（TCR）随薄膜厚度（10 nm以下）的变化。Ru、Co和Ir显示出与厚度无关的块状TCR值，而Cu的TCR随着厚度的减小而强烈增加。薄W膜显示负TCR值，这可能与高度无序有关。结果是定性与温度相关的半经典薄膜电阻率模型，考虑到声子，表面和晶界散射一致。
2020-07-02 cond-mat.mtrl-sci
Ion Beam radiation and temperature effect on Co/Si and CoO/Co/Si thin films
采用磁控溅射法制备了Co和CoO薄膜。用不同能量和注量的Ar和Si离子束辐照它们。研究了其磁性能。
2016-08-18 cond-mat.mtrl-sci
Phase Diagrams of Bi1-xSbx Thin Films with Different Growth Orientations
建立了一个计算二维非抛物载流子袋量子限制引起的带边位移的封闭模型。在此基础上，计算了沿不同晶轴生长的BiSb薄膜的对称性和载流子袋的能带位移。计算并分析了不同生长取向的BiSb薄膜体系的相图。
2012-03-12 cond-mat.mtrl-sci
The study of adsorption behaviour of a laser dye incorporated into ultra thin films
本文报道了水溶性激光染料罗丹明在LB膜上的吸附行为，并不改变其物理化学性质。
2015-03-22 cond-mat.mtrl-sci
Effect of oxygen concentration on the structural and magnetic properties of LaRh1/2Mn1/2O3 thin films
用脉冲激光沉积法在（001）取向的LaAlO 3和SrTiO 3衬底上生长了LaRh 1/2 Mn 1/2 O 3薄膜。优化后的薄膜样品是半导体和铁磁的居里温度接近100 K，矫顽场为1200 Oe，饱和磁化强度为1.7 μ B每公式单位。LaRh_（1/2）Mn_（1/2）O_3薄膜的表面织构、结构、电学和磁学性质随沉积过程中氧浓度的变化而变化。虽然氧浓度升高产生具有最佳磁性能的薄膜，但氧浓度稍低则产生具有改善的织构和结晶度的薄膜。
2008-12-10 cond-mat.mtrl-sci
Synthesis of thin-film black phosphorus on a flexible substrate
我们报告了一种可扩展的方法来合成一个大面积（高达4毫米）的薄黑磷（BP）薄膜上的柔性基板。我们首先在柔性聚酯基底上沉积一层赤磷（RP）薄膜，然后在室温下在高压多砧室中将其转化为BP。拉曼光谱和透射电子显微镜测量证实了形成的纳米晶体BP薄膜的厚度约为40 nm。光学表征表明，在转换BP的带隙约为0.28 eV，在剥离的薄膜中测得的带隙类似。薄膜BP晶体管表现出约0.5 cm 2/Vs的场效应迁移率，这可能会进一步提高在高温下的转换过程的优化。我们的工作为将来大规模、高质量的薄膜黑磷的示范开辟了道路。
2015-08-21 cond-mat.mtrl-sci
Angular factor corrections in thin film x-ray diffraction
由于Kα双峰，在体材料中对较高角度宽峰进行角度（洛伦兹、偏振和吸收（LPA））校正的当前实践是基于Pike（Acta Cryst.，12（1959）87-92）和Ladell（Acta Cryst.14（1961）47-53）。这些结果推广到薄膜X射线衍射。在薄膜研究中，目前的做法是在LPA校正中使用单色辐射的吸收因子，这在对称和掠入射X射线衍射中都是不正确的。导出了吸收修正的正确表达式。此外，一个新的长度尺度，线性政权，示出存在非常薄膜的吸收因子和积分强度是独立的吸收系数。对于非常薄的膜，实际上使用线性区域的表达式比使用薄膜区域的表达式更有利。得到这两个主要结果的程序是普遍有效的，并可推广到几种薄膜衍射技术。
2017-02-22 cond-mat.mtrl-sci
Thin-film based phase plates for transmission electron microscopy fabricated from metallic glasses
薄膜基相位片是透射电子显微镜（TEM）中增强弱相位物体对比度的常用工具。薄膜通常由非晶碳组成，在强电子束照射下，非晶碳会迅速退化。最近的研究集中在寻找具有改进的材料稳定性的替代材料。本工作提出了基于薄膜的相位板制造的金属玻璃合金，其特征在于高导电性和非晶结构。制备了锆基合金Zr 65.0 Al 7.5 Cu 27.5（ZAC）的薄膜，并对其相移特性进行了测试。ZAC合金膜的研究，通过不同的TEM技术，揭示了一系列有益的特性。特别有利的是非弹性等离子体激元散射的小概率，这有望改善相衬TEM中基于薄膜的相板的性能。
2015-10-13 cond-mat.mtrl-sci
Semiconductor to metal transition for Ni doped CdO thin films
在本研究中，电阻率与温度的测量已经进行了溶胶-凝胶法制备的纯和Ni掺杂的CdO（NDO）薄膜。纯CdO薄膜在整个温度范围内的负电阻温度系数（TCR）半导化行为主要归因于载流子浓度依赖的热激活机制。通过晶界、离子杂质、声子散射和载流子激活的综合作用，阐明了NDO薄膜的半导体-金属转变过程。
2019-04-26 cond-mat.mtrl-sci
Kinetically-controlled thin-film growth of layered $β$- and $γ-$Na$_{x}$CoO$_{2}$ cobaltate
报道了用脉冲激光沉积法在（001）蓝宝石衬底上外延生长$β$-Na $_{0.6}$ CoO $_{2}$和$γ$-Na $_{0.7}$ CoO $_{2}$薄膜的特性。降低沉积速率可以使Na $_{x}$ CoO $_{2}$薄膜的结构由岛状生长模式的$β$ -相转变为逐层生长模式的$γ$ -相。与$β$-Na $_{0.6}$ CoO $_{2}$薄膜相比，$β$-Na $_{0.7}$ CoO $_{2}$薄膜表现出具有多台阶岛和高度结晶织构的螺旋表面生长.这种异质外延膜生长可以提供机会的应变效应的物理性质和生长动力学的Na $_{x}$ CoO $_{2}$以及微妙的性质的结构变化。
2005-05-11 cond-mat.mtrl-sci
Sputtering based epitaxial growth and modeling of Cu/Si thin films
采用磁控溅射法制备了外延铜薄膜。沉积过程中的吸附原子受到沉积参数的影响，从而导致薄膜性能的变化。通过XRD和FESEM研究了薄膜的生长机理。对溅射外延薄膜生长过程进行了模拟。对溅射过程中的溅射产额、压强、温度、电流密度、沉积时间等参数进行了关联，并对溅射过程进行了分析。
2015-08-20 cond-mat.mtrl-sci
Prediction of Anisotropic Single-Dirac-Cones in Bi${}_{1-x}$Sb${}_{x}$ Thin Films
Bi ${}_{1-x}$ Sb ${}_{x}$薄膜的电子能带结构可以作为温度、压力、化学计量比、膜厚度和生长取向的函数而变化。我们在这里展示了如何在Bi ${}_{1-x}$ Sb ${}_{x}$薄膜中构造不同的各向异性单狄拉克锥，以用于不同的应用或研究目的。为了预测各向异性单狄拉克锥，我们发展了一个迭代的二维双带模型，得到了一致的反有效质量张量和带隙，它可以用于具有非抛物色散关系的一般二维系统，如Bi ${}_{1-x}$ Sb ${}_{x}$薄膜系统.
2011-10-25 cond-mat.mtrl-sci
Characterization of poly- and single-crystal uranium-molybdenum alloy thin films
用超高真空磁控溅射法在玻璃和蓝宝石衬底上生长了U-Mo合金多晶和单晶薄膜。X射线衍射和电子背散射衍射数据表明，对于单晶U1-xMox合金，当x > 0.22（10 wt.%）时，存在纯立方铀γ相Mo）。低于10重量% Mo浓度时，所得薄膜合金表现出混合的α-γ铀相组成。
2013-11-06 cond-mat.mtrl-sci
Anti-Ferroelectric Thin Films Phase Diagrams
本文研究了反铁电薄膜的相变和极性的尺寸效应。我们改进了Kittel提出的现象学方法。采用直接变分法求解欧拉-拉格朗日方程。导出了重整化系数随膜厚变化的自由能。得到了该系数随膜厚、温度、极化梯度系数和外推长度变化的近似解析表达式。研究了薄膜厚度减小时，反铁电双电滞回线向铁电单电滞回线的转变。提出的理论考虑解释了反铁电PbZrO_3薄膜的实验结果。
2006-08-30 cond-mat.mtrl-sci
Observation of near room temperature thin film superconductivity of atmospherically stable Ag-Au mesoscopic thin film
在注入Ag+的氧化物衬底上热淀积了一定厚度的介观金薄膜，形成了接近室温的超导体。该薄膜在两个不同的阶段中沉积。首先，溶胶-凝胶衍生的离子导电金属氧化物（ICMO）薄膜已通过旋涂沉积。然后，通过化学方法将Ag+引入ICMO薄膜中。在此之后，通过热蒸发在Ag离子注入氧化物的顶部沉积一薄层Au。用四探针法研究了电阻率随温度的变化。在高温到低温扫描期间，在240 K左右，该薄膜样品显示出从0.7欧姆到0.1微欧姆的电阻突然下降。在<0.1K的温度变化范围内，可以立即观察到这种6-7阶的电阻下降。当温度从低向高侧增加时，该转变温度（TC）向高温度移动5-6度。在第二次和第三次温度循环期间，这两个转变相对于较早的转变都向室温移动了约10 K。然而，经过三个连续的温度循环，TC变得稳定，并反复发生接近0 oC的转变。在低电阻阶段，电流水平已经从+100 mA变化到-100 mA，这显示了在10 nV范围内的电压降的随机波动，表明在这种情况下的电阻太低而不能通过Delta模式电测量（0.1微欧姆）来测量。另外，在垂直于薄膜方向施加1特斯拉磁场后，薄膜的相变温度降低了4 K。在致谢部分旁边给出了这种薄膜的温度依赖性电气特性的几个YouTube视频链接。
2023-02-27 cond-mat.mtrl-sci
Unveiling the electrical and thermoelectric properties of highly degenerate indium selenide thin films: Indication of In3Se4 phase
研究了退火和温度变化对电子束蒸发InSe薄膜电学和热电性能的影响。XRD研究表明，沉积态InSe薄膜为非晶，退火后In 3Se 4相的存在使薄膜转变为多晶。SEM显微照片显示，沉积膜的表面是光滑的，但它们变得不均匀，由于退火。对薄膜的加热和冷却循环表明，薄膜的电阻率发生了不可逆相变，在空气中连续热处理3-4次后，薄膜的电阻率趋于稳定。退火的InSe薄膜的电导率显示出高度简并的半导体（金属）行为。热电势分析表明，InSe薄膜是一种高度简并的n型半导体，即金属性的。厚度依赖性热电势服从Fuchs-Sondheimer理论。退火后的薄膜的光学带隙增加相比，作为沉积膜。这些结果表明，InSe薄膜遇到的相变从In 2Se 3到一个新的In 3Se 4金属相的光学带隙约1.8 eV，由于热处理。
2019-07-01 cond-mat.mtrl-sci
Carbon superatom thin films
在表面组装团簇已经成为一种新的方法来生长具有目标特性的薄膜。特别地，从实验发现中已经提出，沉积在表面上的富勒烯可以产生保留入射团簇的键合性质的薄膜。然而，这种薄膜的微观结构仍然不清楚。通过量子分子动力学模拟，我们发现C_28富勒烯可以沉积在表面上形成一层几乎无缺陷的分子薄膜，这些分子充当碳超原子。我们的研究结果有助于澄清无序小富勒烯薄膜的结构，也支持最近提出的固体C_28的超金刚石模型。
1996-11-05 cond-mat.mtrl-sci
Strained substrates, composition inhomogeneities, grain shape and the agglomeration of germanosilicide thin films
锗硅化物薄膜与硅化物和锗化物有很大的不同。锗成分是不均匀的，晶粒具有不同的形状，并且衬底通常是应变的。这影响了晶界开槽，有利于锗硅化物膜的团聚。我们的热力学模型表明，锗硅化物薄膜上形成的应变衬底上的平衡锗成分是不均匀的，这些薄膜更容易团聚比那些形成在松弛的衬底上，与实验一致。颗粒形状也会影响团聚：多边形薄膜，如锗硅化物，比圆形颗粒的薄膜（硅化物，锗化物）更容易团聚。
2006-01-15 cond-mat.mtrl-sci
Pi-Molecular dielectric layer for organic thin film diode
极薄的（1.2-2.5nm）自组装有机电介质单层膜已被集成到有机薄膜二极管中以实现电学特性。通过自组装沉积来制造这些有机硅氧烷，从而产生光滑、强粘附、热稳定的有机硅氧烷薄膜，其具有令人感兴趣的电容（在-3V下约150 nF cm-2）和绝缘性质（在-1V下约10-5 A cm-2的漏电流密度）。
2007-08-10 cond-mat.mtrl-sci
Hystersis like behaviour in Thin Films with heating-cooling cycle
导出了温度沿膜厚分布的表达式，并给出了衬底加热时膜内温度的分布。计算了薄膜电阻随衬底温度的变化，并指出在有限热导率下，薄膜沿厚度方向存在温度梯度，导致加热-冷却薄膜时出现滞后现象。
2004-08-07 cond-mat.mtrl-sci
Polarized neutron channeling as a tool for the investigations of weakly magnetic thin films
提出并应用了一种直接测量薄膜弱磁化强度的新方法。测量了中子束作为微束从薄膜结构边缘射出后的极化。我们已将此方法应用于三层薄膜结构作为极化中子的平面波导。中间引导层是具有约20 mT的低磁化的稀土基亚铁磁材料TbCo5。我们证明了沟道法比镜面中子反射法更灵敏。
2015-11-24 cond-mat.mtrl-sci
Transmission Electron Microscopy Studies on RF Sputtered Copper Ferrite Thin Films
在50W的功率下射频溅射铜铁氧体薄膜。将所沉积的膜在空气中在800°C下退火并缓慢冷却。用透射电子显微镜（TEM）对沉积态和缓冷态薄膜进行了研究。显着更大的缺陷浓度，包括堆垛层错，观察到在50 W的沉积膜比在200 W的更高的射频功率沉积的膜。在800°C下退火然后缓慢冷却的膜显示出不寻常的晶粒生长，对于约240nm的膜厚度，晶粒生长高达180nm。这些颗粒呈菊池型。
2010-12-28 cond-mat.mtrl-sci
Nonconventional magnetic phenomena in neodymium thin film
钕是许多磁性合金中的一种显著的活性成分，用于各种应用。然而，由于缺乏关于裸钕薄膜的电磁性质的信息，其应用受到限制。本文报道了利用极化中子反射计、磁电阻测量和密度泛函理论的实验和理论技术对Nd薄膜的协同研究。与块体Nd不同，薄膜样品是非常差的电导体。此外，在硅衬底上生长的薄膜在零场下不显示任何磁性。然而，适度的面内场应用$H$ = 1.2 T往往会在系统中诱导弱磁性在低温下的$T$ $<$ 18 K，这符合一个不寻常的交叉行为的磁阻。这项研究提供了重要的洞察力的物理特性的钕薄膜是非典型的磁性系统。
2020-05-19 cond-mat.mtrl-sci
Influence of homo-buffer layer on stress control of sputtered (Ba0.45,Sr0.55)TiO3 thin films on Pt-Si
为了实现铂硅衬底上溅射BST薄膜的应变弛豫，采用同质缓冲层法消除铂丘的形成。在室温下沉积薄的BST同质缓冲层，随后在650°C下沉积主BST层，获得了同质缓冲层厚度大于5 nm的无Pt小丘的BST膜。具有15和25 nm同质缓冲层的BST薄膜获得了相对较好的电学性能（在5V下T= 30%，tan δ= 0.018）。
2013-09-06 cond-mat.mtrl-sci
Tribological Behavior of Very Thin Confined Films
本文用一个通用的两表面间相互作用模型和计算机模拟方法研究了两光滑表面间存在薄约束膜时的摩擦学特性。结果表明，在大的正常接触压力，薄膜自动导致两个平面之间的静摩擦-即使表面是不相称的。然而，公度性是理解接触摩擦学行为的关键量。即使在存在薄膜的情况下，相称接触和不相称接触之间的质量差异仍然存在。这些差异主要涉及接触的热扩散以及光滑滑动和粘滑之间的过渡。
2000-12-07 cond-mat.mtrl-sci
Characterization of Micro-Roughness Parameters and Optical Properties of Obliquely Deposited HfO2 Thin Films
倾斜角沉积氧化物薄膜通过改变沉积角度来调整其微结构，从而在制造具有沿厚度定制折射率分布的光学干涉器件方面开辟了新的维度。薄膜的微结构对薄膜的表面形貌和光学性能有很大的影响。由于表面形貌对光学或其他应用的薄膜器件的质量起着重要的作用，因此研究表面形貌特性是很重要的。在目前的工作中，HfO2薄膜已被沉积在几个倾斜的角度。这种薄膜的形态统计参数，相关长度、固有粗糙度、分形谱强度等，已通过扩展功率谱密度函数的适当建模确定。内在粗糙度和分形光谱强度显示出一个有趣的行为与沉积角和相同的原子阴影，再发射和扩散的广告原子光进行了讨论。进一步的折射率和这种薄膜的厚度已估计从透射光谱。折射率和晶粒尺寸随沉积角的变化趋势相反，它们的变化可以通过改变柱倾斜角和薄膜孔隙率来解释。
2015-10-26 cond-mat.mtrl-sci
Metal Insulator transition in tin doped indium oxide (ITO) thin films Quantum Correction to the electrical Conductivity
掺锡氧化铟（ITO）薄膜在若干应用中被广泛用作透明导体。本文报道了直流磁控溅射ITO薄膜在低温（25-300 K）下的电输运特性。低温霍尔效应和电阻率测试结果表明，ITO薄膜为中度无序（kfl~1）的简并半导体。载流子在这些无序ITO薄膜中的输运是通过离域态进行的。无序效应导致众所周知的金属-绝缘体转变;在110 K下在ITO薄膜中观察到该转变。的金属绝缘体的行为被解释的量子校正的电导率（QCC），这种方法是基于量子力学干涉效应的无序系统。绝缘行为归因于弱局域化和电子-电子相互作用的综合作用。
2016-10-27 cond-mat.mtrl-sci
Phenomenological approach to a transition into the incommensurate phase for thin films
本文提出了单组分序参量情况下薄膜中无公度相变的唯象理论。在振幅缓变的假设下，得到了薄膜上的序参量分布。考虑了尺寸效应对相变温度的影响。
2003-03-17 cond-mat.mtrl-sci
Modification in structural, dielectric and magnetic properties of La and Nd co-substituted epitaxial BiFeO3 thin films
研究了La和Nd共掺杂对BiFeO 3（BFO）薄膜结构和磁性的影响。采用脉冲激光沉积法在SrRuO 3缓冲单晶SrTiO 3（001）衬底上制备了纯BFO和La、Nd共掺杂BFO的外延薄膜。研究了La和Nd共掺杂BFO薄膜中由于离子半径失配引起晶格力常数变化而引起的结构变化。拉曼光谱研究表明，掺杂BFO薄膜中的结构变化，从菱面体到单斜畸变相，这是由La和Nd的共同取代引起的。室温磁滞曲线表明，饱和磁化强度在20 emu/cm 3的饱和磁化强度的掺杂膜的增强。与纯BFO薄膜相比，BLNFO薄膜的介电和磁性能得到了有效的改善。
2013-06-18 cond-mat.mtrl-sci
Growth of flat SrRuO3(111) thin films suitable as bottom electrodes in heterostructures
在具有缓冲电极的SrTiO 3（111）上生长铁电或多铁性材料的薄膜受到在该极性取向上生长平坦电极的困难的阻碍。本文报道了用脉冲激光沉积法在SrTiO_3（111）衬底上制备SrRu_3薄膜的生长和表征。我们表明，我们的SrRuO3（111）薄膜是外延和显示磁块样性能。发现厚度在20和30 nm之间的膜非常平坦（RMS约为0.5 nm），因此适合作为异质结构中的底部电极。
2008-07-10 cond-mat.mtrl-sci
Refractive Index of p-SnS Thin Films and its Dependence on Defects
在玻璃衬底上生长了p型导电的硫化锡薄膜。的折射率生长的薄膜，使用透射和椭圆偏振数据计算发现遵循Sellmeier色散模型。通过Wemple-Dedomenico（WDD）单振子模型拟合验证了使用椭圆偏振法获得的色散数据的改善。薄膜的光学性质与薄膜的结构性质密切相关。带隙、带隙内的缺陷能级的扩展和外观密切地控制膜的折射率。
2016-01-30 cond-mat.mtrl-sci
