Two-dimensional (2D) chromium-sulfides are synthesized by molecular beam epitaxy using graphene as a substrate. Structure characterization by employing scanning tunneling microscopy and low energy electron diffraction indicates that there are two 2D phases, Cr$_2$S$_3$-2D and Cr$_{2\frac{2}{3}}$S$_4$-2D, which have not been reported before. Cr$_{2\frac{2}{3}}$S$_4$-2D is related to bulk Cr$_5$S$_6$, but thinner than a bulk unit cell. For Cr$_2$S$_3$-2D, an even thinner material, no bulk counterpart exists. Both 2D materials are found to be structurally stable under ambient conditions and exhibit interesting electronic properties. Extensive first-principles calculations provide further insight into the electronic structure of these systems and indicate that they should be magnetic. Although single layers of CrS$_2$ were predicted to be stable by density functional theory calculations and reported in previous experimental studies, we were unable to synthesize CrS$_2$ under our range of experimental conditions.
Sulfur and sulfur-oxide compounds as potential optically active defects on SWCNTs
Department of Electrical and Computer Engineering, Boston University（波士顿大学电气与计算机工程系）；Department of Chemistry, Boston University（波士顿大学化学系）；Center for Nanoscale Materials, Argonne National Laboratory（阿贡国家实验室纳米材料中心）；Consortium for Advanced Science and Engineering, University of Chicago（芝加哥大学先进科学与工程联盟）；Materials Science and NanoEngineering, Rice University（莱斯大学材料科学与纳米工程）；Northwestern Argonne Institute of Science and Engineering（西北-阿贡科学与工程研究所）；Materials Science Division, Boston University（波士顿大学材料科学部）；Department of Physics, Boston University（波士顿大学物理系）
Stability of the In-Plane Room Temperature van der Waals Ferromagnet Chromium Ditelluride and Its Conversion to Chromium-Interleaved CrTe$_2$ Compounds
范德华磁性材料是新型自旋电子器件的基石，也是探索二维极限集体磁性现象的游乐场。铬-碲化合物与此相关。特别地，CrTe $_2$的1 $T$相已经被认为具有高于300 ° K的居里温度，这是层状材料类别中罕见且期望的性质，使其成为实际应用的候选物。然而，最近的文献揭示了一个强大的可变性，在报告的属性，包括磁性。使用电子显微镜，衍射和光谱技术，连同本地和宏观的磁力测量方法，我们的工作揭示了新的光散装1 $T$ -CrTe $_2$剥离的形式，具有从几个到几十个纳米的厚度范围内的薄片的结构，化学和磁性。我们明确地建立了1 $T$ $_2$薄片在室温以上是铁磁性的，具有面内易磁化轴，低磁化率，并且我们确认了它们的拉曼光谱特征是两个模式，$E_{2\text{g}}$（103.5 cm $^{-1}$）和$A_{1\text{g}}$（136.5 cm $^{-1}$）。我们还证明，热退火导致相变的单斜Cr $_5$ Te $_8$，并在较小程度上，三角形的Cr $_5$ Te $_8$。与1 $T$ $_2$形成鲜明对比的是，这些化合物都没有高于室温的居里温度，并且它们都具有垂直磁各向异性.我们的研究结果调和了文献中明显相互矛盾的报道，并为相位工程磁性能提供了机会。
Alloy engineering of Magnetic phases in two-dimensional Chromium Trihalides
Institute of Physics, University of São Paulo（圣保罗大学物理研究所）；Department of Theoretical and Computational Chemistry, National University of Córdoba（科尔多瓦国立大学理论与计算化学系）；Department of Materials Engineering, University of São Paulo（圣保罗大学材料工程系）
Anomalous Hall signatures of nonsymmorphic nodal lines in doped chromium chalcospinel CuCr$_2$Se$_4$
拓扑材料中的一种新兴物质相是节线半金属，在$k$空间中的费米能级处（或接近费米能级）具有受保护的一维无隙线。当节线的$k$色散较弱时，由几乎平坦的节线产生的范霍夫奇点可能倾向于由诸如自旋-轨道耦合或磁性的附加扰动引入的不稳定性。本文采用第一性原理电子结构方法研究了Cr基铁磁硫尖晶石化合物CuCr $_2$ Se $_4$（CCS），揭示了其无耗散反常霍尔电导的真正起源，这一点以前没有得到很好的理解。我们发现，CCS主机节点线保护的非对称对称性，位于附近的费米能级，这样的节点线是起源的异常霍尔签名的存在下，电子掺杂的先前观察到的独特行为。自旋轨道耦合导致的节线分裂产生了较大的Berry曲率，导致了霍尔电导率的显著反常响应。当通过化学取代或门控进行电子掺杂或通过外部磁场旋转磁化时，发生反常霍尔行为的急剧变化，这使得CCS成为低能自旋电子学应用的有希望的化合物。
Visualization of Defect Electronic States in Layered Semiconductor CrSBr
University of Ottawa（渥太华大学）；Radboud University（拉德堡德大学）；Argonne National Laboratory（阿贡国家实验室）；University of Chemistry and Technology Prague（布拉格化工大学）；Bielefeld University（比勒费尔德大学）；Center for Nanoscale Materials, Argonne National Laboratory（阿贡国家实验室纳米材料中心）；University of Illinois（伊利诺伊大学）
研究利用扫描隧道显微镜/光谱探索块状 CrSBr 中两个突出缺陷的结构和电子特征，通过与模拟图像比较，推断常见缺陷为 b 轴对齐的双硫空位，推进了对 CrSBr 本征缺陷塑造电子结构作用的理解。
From ferromagnetic semiconductor to anti-ferromagnetic metal in epitaxial Cr$_x$Te$_y$ monolayers
University of St Andrews（圣安德鲁斯大学）；STFC Central Laser Facility, Research Complex at Harwell（STFC中央激光设施，哈韦尔研究综合体）；Diamond Light Source（钻石光源）；Universität Bonn（波恩大学）
