同构模板层对稳定烧绿石Bi$_2$Rh$_2$O$_7$的影响
Impact of iso-structural template layer on stabilizing pyrochlore Bi$_2$Rh$_2$O$_7$
AI总结：
通过插入同构Eu$_2$Ti$_2$O$_7$模板层实现烧绿石Bi$_2$Rh$_2$O$_7$的外延稳定，揭示同构晶相对界面相控制的关键作用，并发现该薄膜具有低电阻率及温度无关的导电特性。
摘要：
我们通过插入烧绿石Eu$_2$Ti$_2$O$_7$模板层，实现了烧绿石Bi$_2$Rh$_2$O$_7$在Y稳定ZrO$_2$（YSZ）（111）衬底上的外延稳定，否则Bi基层状结构会直接在YSZ（111）衬底上形成。该结果表明，“同构晶相”在界面相控制中起重要作用。Bi$_2$Rh$_2$O$_7$薄膜表现出p型导电性，其纵向电阻率（$ρ_\mathrm{xx}$）在已报道的Rh烧绿石氧化物中最低。$ρ_\mathrm{xx}$、载流子密度和迁移率等参数在2$-$300 K测量范围内几乎无温度依赖性，表明Bi$_2$Rh$_2$O$_7$是导电烧绿石氧化物的罕见实例之一。
英文摘要：
We present an epitaxial stabilization of pyrochlore Bi$_2$Rh$_2$O$_7$ on Y-stabilized ZrO$_2$ (YSZ) (111) substrate by inserting a pyrochlore Eu$_2$Ti$_2$O$_7$ template layer, otherwise Bi-based layered structures being formed directly on YSZ (111) substrate. This result reveals that "iso-structural crystal phase" plays an important role in the interfacial phase control. The Bi$_2$Rh$_2$O$_7$ film exhibits $p$-type electrical conduction with the lowest longitudinal resistivity ($ρ_\mathrm{xx}$) among the reported Rh pyrochlore oxides. Such parameters as $ρ_\mathrm{xx}$, carrier density, and mobility show almost no temperature dependence in the measured range of 2$-$300 K, indicating Bi$_2$Rh$_2$O$_7$ as one of the rare examples of conducting pyrochlore oxides.
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