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arXiv 2301.05366cond-mat.str-el
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杂化能隙绝缘体中的 de Haas van Alphen 振荡:作为 Landau 能级抗磁矩的突变

de Haas van Alphen oscillations in hybridization-gap insulators as a sudden change in the diamagnetic moment of Landau levels

S. R. Julian

AI总结:

该研究重新分析杂化能隙绝缘体的量子振荡半经典理论,指出 T=0 K 时振荡源于 Landau 能级穿越价带杂化区域引发的抗磁矩突变。

摘要:

本短评重新审视杂化能隙绝缘体中量子振荡的半经典理论,并表明在 T=0 K 时,这些振荡的物理起源是每个 Landau 能级在穿过价带杂化区域时其抗磁矩发生的突变。

英文摘要:

This note revisits the semi-classical theory of quantum oscillations in hybridization-gap insulators, and shows that the physical origin of the oscillations, at $T=0$ K, is a sudden change in the diamagnetic moment of each Landau level as it crosses the hybridized region of the valence band.

机构、总结、中文摘要均由AI分析而来,可能存在错误,请以论文正文为准。

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