de Haas-van Alphen oscillations in the underdoped cuprate YBa$_2$Cu$_3$O$_{6.5}$
利用转矩技术在高达59 T的脉冲磁场中观察到欠掺杂铜氧化物YBa $_2$ Cu $_3$ O $_{6.5}$的de Haas van Alphen效应。在$\sim$ 30 T的不可逆性场以上，磁化强度表现出明显的量子振荡，单频为540 T，回旋质量为自由电子质量的1.76倍，与先前观察到的Shubnikov-de Haas振荡非常一致。振荡遵循费米液体理论的标准Lifshitz-Kosevich公式。这种量子振荡的热力学观测证实了在铜酸盐的赝能隙相中存在一个定义明确、紧密且相干的费米面。
2008-05-13 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Fermi surface and mass enhancement in KFe$_2$As$_2$ from de Haas-van Alphen effect measurements
本文报道了KFe $_2$ As $_2$的能带结构计算和de Haas-van Alphen测量。电子的有效质量为6 ~ 18 $m_e$，其中$m_e$为自由电子的质量。计算的费米表面积和观测的费米表面积之间的显著差异以及大质量增强（$\gtrsim 3$）突出了电子关联在确定铁磷属元素超导体的电子结构中的重要性。
2010-03-16 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
De Haas-van Alphen effect in metals without inversion center
我们展示了如何使用de Haas-van Alphen效应直接测量非中心对称金属（如CePt 3Si和LaPt 3Si）中的自旋轨道耦合的大小。
2005-10-21 cond-mat.supr-con
Phase transition into superconducting mixed state and de Haas - van Alphen effect
导出了超导混合态在上临界场附近的自由能的朗道展开式，它是在Abrikosov格点上平均的序参量的平方模的幂。在Gor'kov框架下，对三维各向同性BCS模型进行了超越准经典近似极限的解析计算，即考虑了准粒子能级的Landau量子化。推导过程是在低温和足够高但晶体纯度有限的条件下进行的。考虑了泡利顺磁项的影响。发现了临界温度、序参量振幅和磁化强度（de Haas-van Alphen效应）在混合态中的量子振荡，并指出了临界涨落（Ginzburg判据）导致的平均场方法对所考虑的相变有效性的局限性.
1999-07-30 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Multiple Quantum Oscillations in the de Haas van Alphen Spectra of the Underdoped High Temperature Superconductor YBa_2Cu_3O_6.5
通过改进实验条件和大量的数据积累，我们对欠掺杂高温超导体$_{2}$ O $_{3}$的de Haas-van Alphen效应的测量取得了很高的精度。我们发现，主振荡，到目前为止被认为是单频，是由三个紧密间隔的频率。我们把这归因于双层分裂和一个单一的准二维费米面的翘曲，表明\emph{c}轴的相干性恢复在低温下在欠掺杂的铜氧化物。我们的结果不支持最近报道的在同一化合物中存在1650 T量级的更大频率[S. E. Sebastian { \it等人}，Nature { \bf 454}，200（2008）]。
2010-01-10 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Numerical extraction of de Haas - van Alphen frequencies from calculated band energies
本文提出了一种从计算的能带能量中提取de Haas-van Alphen频率和有效质量的新算法。该算法创建了一个插值的k空间“超级单元”，该单元被分解为垂直于所需磁场方向的切片。费米面轨道位于每个切片内，并计算了de Haas-van Alphen频率和有效质量。然后在切片上匹配轨道，并确定极值轨道。这种技术已经成功地定位了以前在现有UPt 3能带结构数据的复杂拓扑结构中没有注意到的极端轨道;这些新的轨道与实验de Haas-van Alphen在这种材料上的测量结果一致，并巩固了UPt 3完全巡回模型的情况。
2012-04-05 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con physics.comp-ph
A de Haas-van Alphen study of the Fermi surfaces of superconducting LiFeP and LiFeAs
本文报道了111个铁磷族化合物超导体LiFeAs（T_c ~ 18 K）和LiFeP（T_c~ 5 K）的de Haas-van Alphen（dHvA）振荡研究。我们发现，对于这两种化合物的费米表面拓扑结构是在良好的协议与密度泛函能带结构计算，并显示准嵌套的电子和空穴带。有效质量通常显示出显著的增强，对于LiFeP高达~3，对于LiFeAs高达~5。然而，在LiFeP中的一个空穴费米面显示出非常小的增强，与它的其他片相比。这种差异可能是由于自旋涨落与k相关的耦合所导致的，也可能是LiFeP和LiFeAs中不同节态和无节态超导能隙结构的根源。
2011-11-22 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
de Haas-van Alphen Oscillations for the Field Along c-axis in UTe2
本研究在UTe2中沿c轴磁场下进行dHvA实验，发现三个大有效质量的圆柱形费米面频率，并排除高频其他频率，但小口袋费米面仍可能存在。
2023-04-24 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Comment on Multiple Quantum Oscillations in the de Haas - van Alphen Spectra of the Underdoped High-Temperature Superconductor YBa2Cu3O6.5 (A. Audouard et al., Phys. Rev. Lett. 103 (2009) 157003)
最近在一些欠掺杂铜氧化物超导体中观察到的慢磁振荡是超导领域中最引人注目的发现之一，因为许多欠掺杂铜氧化物的探针明确地指向非费米液体正常状态。我们发现，一个大的幅度和强磁场的剩余电阻的依赖性无效的磁振荡作为一个正常状态dHvA效应的传统解释。我们认为，这种振荡很可能是由混合超导态中的涡旋和序参量的晶格调制的量子干涉引起的。
2009-11-04 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
A Damping of the de Haas-van Alphen Oscillations in the superconducting state
利用最近发展起来的超导态准粒子半经典理论，我们研究了de Haas-van Alphen效应。我们发现，振荡具有相同的频率，在正常状态下，但其振幅减小。我们发现这种阻尼是由于隧道半经典准粒子轨道之间的解析公式，包括颗粒状和孔状的部分。理论的定量预测与现有的数据是一致的。
2002-03-11 cond-mat.supr-con
A de Haas-van Alphen study of the filled skutterudite compounds PrOs$_4$As$_{12}$ and LaOs$_4$As$_{12}$
在高达40 T的磁场下，对填充方钴矿PrOs $_4$ As $_{12}$和LaOs $_4$ As $_{12}$单晶的磁化率和de Haas-van Alphen效应随磁场方向的变化进行了全面的研究。几个峰值中观察到的低场磁化率的PrOs $_4$作为$_{12}$，对应于级联的变磁性转变分离的低场反铁磁和高场顺磁金属（PMM）相。de Haas-van Alphen实验表明，PMM相的PrOs $_4$ As $_{12}$和LaOs $_4$ As $_{12}$的费米面拓扑结构非常相似.此外，它们与LaOs $_4$ As $_{12}$在PrOs $_4$ As $_{12}$晶格上的能带结构计算的预测也有合理的一致性.这两个观察结果表明，Pr 4 $f$电子的PMM阶段的巡回准粒子的数量贡献不大。然而，虽然LaOs $_4$ As $_{12}$的性质表明一个传统的超导费米液体，直接交换和电子相关的影响被检测到的PMM相的PrOs $_4$ As $_{12}$。例如，准粒子的有效质量在PrOs $_4$作为$_{12}$被发现减少与增加的领域，可能反映了逐渐抑制与接近的低温，低场反铁磁状态的磁波动。
2007-05-18 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Anomalous change in the de Haas-van Alphen oscillations of CeCoIn$_5$ at ultra-low temperatures
我们进行了德哈斯-范阿尔芬（dHvA）测量的重费米子超导体CeCoIn $_5$下降到2 mK以上的上临界场。我们发现，dHvA振幅显示出异常的抑制，伴随着dHvA频率的移位，低于转变温度$T_{\rm n}=20$ mK。我们认为，这种变化是由于磁场诱导的反铁磁（AFM）状态下出现的$T_{\rm n}$引起的磁击穿，揭示了CeCoIn $_5$的场诱导量子临界点（QCP）的起源。$T_{\rm n}$的场依赖性被发现是非常弱的7- 10 T，这意味着通过抑制原子力显微镜QCP附近的临界自旋波动的AFM秩序的增强竞争的AFM相位上的场抑制效应。我们认为，场致原子力显微镜相的外观是一个通用的功能，出现在附近的原子力显微镜QCP，包括CeCoIn $_5$，CeRhIn $_5$，和高- $T_{\rm c}$铜酸盐的非常规超导体。
2018-03-14 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Calculated de Haas-van Alphen quantities of Ce(M)In5 (M=Co, Rh, and Ir) compounds
本文对重费米子超导体CeCoIn $_5$、CeRhIn $_5$和CeIrIn $_5$的电子结构和de Haas-van Alphen（dHvA）量进行了临界分析。电子结构的研究{ \it ab initio}的基础上的全势能带结构计算，采用标量和完全相对论的局部自旋密度近似（LSDA）的框架内的配方。在最近的另一项研究中，由于相对论效应的费米面的显着变化，因此相对论相互作用的超导性的重要性，声称相反，我们发现只有轻微的相对论修改的能带结构在我们的计算。当我们采用离域LSDA描述Ce $4f$态时，CeCoIn $_5$和CeIrIn $_5$的{ \it ab initio}计算的dHvA量与实验数据符合得很好.而对于CeRhIn $_5$，当Ce $4f$电子被视为局域芯电子时，得到了与实验更好的一致性，并讨论了这些材料中$4f$电子局域行为的新图像的含义.我们还比较了我们计算的dHvA量与其他最近的相对论计算，并讨论它们之间的差异。
2004-03-13 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Gap Anisotropy and de Haas-van Alphen Effect in Type-II Superconductors
本文对第二类超导体涡旋态中的de Haas-van Alphen（dHvA）振荡进行了理论研究，重点讨论了带隙各向异性与振荡阻尼之间的关系.三种不同的间隙结构的数值计算清楚地表明，沿极值轨道的平均间隙是相关的额外阻尼的大小，从而提供了一个支持的实验努力，通过dHvA信号探测间隙各向异性。我们还推导出一个解析公式的额外阻尼，这给了一个很好的拟合的数值结果。
2001-10-26 cond-mat.supr-con
Interpretation of the angular dependence of the de Haas-van Alphen effect in MgB_2
本文详细研究了MgB_2费米面类电子$π$片产生的de Haas-van Alphen（dHvA）信号的振幅和场依赖性。我们的数据和分析表明，dHvA振幅的下降时，该领域是接近基面是由两个非常相似的dHvA频率之间的节拍，而不是自旋零效应，如先前所假设的。我们的结果表明，MgB_2中的Stoner增强因子在Sigma和Pi两种层上都很小。
2004-12-14 cond-mat.supr-con
Reply to Comment by Borisenko et al. on article `A de Haas-van Alphen study of the Fermi surfaces of superconducting LiFeP and LiFeAs'
最近，Borisenko等人发表了一篇评论（arXiv：1108.1159），他们对我们在超导体LiFeAs上的de Haas-van Alphen（dHvA）测量提出了另一种解释。在我们最初的论文（arXiv：1107.4375）中，我们得出结论，我们对体费米表面的测量与ARPES迄今为止观察到的表面带不一致。Borisenko等人对此提出异议，并认为如果我们观察到的一些轨道是由于磁击穿造成的，那么这两个测量结果是一致的。我们在这里认为，这种情况是不符合实验数据，因此，我们原来的结论站。
2011-08-19 cond-mat.supr-con
Fermi surface of SrFe$_2$P$_2$ determined by de Haas-van Alphen effect
本文报道了用de Haas-van Alphen效应测量三元磷化物SrFe $_2$ P $_2$的费米面。该化合物的FS与高温超导体的母体化合物SrFe $_2$ As $_2$非常相似。我们的数据表明费米面是由两个电子和两个空穴层组成的，与能带结构的计算结果一致。几个表显示强烈的c轴翘曲强调三维的重要性，在非磁性状态的三元磷属元素。我们发现电子和空穴袋具有不同的拓扑结构，这意味着这种材料不满足嵌套条件。
2009-05-28 cond-mat.supr-con
Determination of the Fermi Surface of MgB$_2$ by the de Haas-van Alphen effect
我们报告的德哈斯-范阿尔芬效应的MgB单晶$_2$，在磁场高达32特斯拉的测量。与我们早期的工作相比，dHvA轨道从费米面的所有四个片被检测到。我们的结果是在良好的整体协议与计算的电子结构和电子-声子质量增强的各种轨道，但也有一些小的定量差异。特别是，费米表面层的相对体积和电子-声子耦合常数的大小的系统差异可能大到足以影响T $_{c}$和其他超导性质的详细计算。
2003-04-18 cond-mat.supr-con
Interpretation of the de Haas - van Alphen experiments in MgB2
最近关于MgB 2量子振荡的报道提供了关于这种材料三个重要方面的有价值的信息：（1）费米能级附近的电子结构，（2）两个能带系统之间的电子-声子相互作用的差异，（3）自旋磁化率的重整化。然而，大多数这种信息的提取需要相关量的高度精确的能带结构计算。在本文中，我们提供这样的计算，并使用它们来分析实验数据。
2002-04-05 cond-mat.supr-con
de Haas-van Alphen effect investigations of the electronic structure of pure and aluminum-doped MgB_2
对MgB_2超导性质的认识主要基于对其电子结构的了解。本文综述了用de Haas-van Alphen（dHvA）效应测量纯MgB_2和掺Al MgB_2费米面参数的实验研究。在一般情况下，测量结果与电子结构的理论预测非常一致，包括每个费米表面片上的电子-声子耦合的强度。对于Al掺杂的样品，我们能够测量能带结构如何随着掺杂而变化，并且这些再次与基于虚晶近似的计算非常一致。我们还回顾了超导状态下的dHvA效应的工作。
2006-12-06 cond-mat.supr-con
de Haas-van Alphen effect in single crystal MgB_2
本文报道了高温超导体MgB_2单晶中的量子振荡现象。三个de Haas-van Alphen频率被清楚地分辨。与能带结构计算的比较强烈地表明，其中两个来自一个单一的扭曲费米表面管沿c方向，第三个来自一个面内蜂窝网络的圆柱形部分。有效质量的测量值为0.44-0.68 m_e。通过与最近三个小组计算的能带质量比较，我们发现c轴管轨道的电子-声子耦合强度λ比面内网络轨道的大3倍，这与最近的微观计算相一致.
2002-04-15 cond-mat.supr-con
Fermi surface in KFe2As2 determined via de Haas-van Alphen oscillation measurements
我们用de Haas-van Alphen（dHvA）方法完全确定了KFe $_2$ As $_2$的费米面。在KFe $_2$ As $_2$中观察到基频$ε$、$α$、$ζ$和$β$。第一个是由于孔柱附近的布里渊区的X点，而其他的孔柱在$Γ$点。我们还观察到$α$和$ζ$之间的磁击穿频率，并提出了一个合理的解释。实验频率显示偏离带结构计算预测的频率。已经发现$B \parallel c$的有效质量高达19 $m_e$，$m_e$是自由电子质量。计算得到的载流子数和索末菲系数分别为1.01 - 1.03个空穴/分子式单元和82 - 94 mJmol $^{-1}$ K $^{-2}$，与化学计量和直接测量值93 mJmol $^{-1}$ K $^{-2}$一致[H.泽\textit{et al} .，日本物理学会\textbf{80SA}，SA 118（2011）]。索末菲系数在带值上增强了约9倍，表明低能自旋和/或轨道波动的重要性，并将KFe $_2$ As $_2$置于强相关金属中。我们还对Ba $_{0.07}$ K $_{0.93}$ Fe $_2$ As $_2$进行了dHvA测量，并观察了$α$和$β$频率。
2013-06-28 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
de Haas-van Alphen effect investigation of the electronic structure of Al substituted MgB_2
用de Haas-van Alphen（dHvA）方法研究了掺Al的MgB晶体$_2$的电子结构.我们已经测量了具有$\sim 7.5$ % Al的晶体，其具有33.6 K的$T_c$（$\sim 14$ %低于纯MgB $_2$）。掺杂样品中$σ$管轨道的dHvA频率低于纯MgB $_2$中的，这意味着在该费米表面片中空穴数量的$16\pm2%$减少。在较大的$σ$轨道上的准粒子的质量比纯的情况下轻，表明电子-声子耦合常数$λ$减小。这些观察结果与能带结构的计算进行了比较，发现是非常一致的。
2005-07-14 cond-mat.supr-con
The de Haas - van Alphen Effect Study of the Fermi Surface of ZrB12
在磁场高达28 T、温度低至0.35 K的条件下，通过磁矩测量研究了团簇超导体ZrB_（12）中的de Haas - van Alphen（dHvA）效应.探测到了费米面颈截面和“立方盒”轨道引起的dHvA振荡。我们测量了FS颈部的回旋有效质量为0.5m_0。dHvA频率以及回旋加速器有效质量是使用广义梯度近似中的全势线性Muffin-Tin轨道（LMTO）方法计算的。的dHvA频率与带结构计算的角度依赖性的比较意味着与理论模型的总体协议，而一个部分不能明确确定。
2007-10-25 cond-mat.stat-mech cond-mat.supr-con
First Observation of de Haas-van Alphen Effect and Fermi Surfaces in Unconventional Superconductor UTe2
报道了在新型自旋三重态超导体UTe 2中首次观测到的de Haas-van Alphen（dHvA）效应。dHvA频率，命名为α和β，检测c轴和a轴之间的场方向。分支β的频率随着从c向a轴倾斜的场角而迅速增加，而分支α分裂，这是由于来自同一费米表面的最大和最小横截面积。两个dHvA分支，α和β揭示了两种圆柱形费米表面与一个强的π至少分支α。的dHvA频率的角度依赖性是在非常好的协议，通过广义梯度近似（GGA）的方法，考虑到现场库仑排斥U = 2 eV的计算，表明实验检测到的主要费米面。检测到的回旋有效质量是大的范围从32到57 m ~ 0。它们比相应的带质量大10-20倍，这与从索末菲系数和费米能级上计算的态密度得到的质量增强一致。在5f^2定域模型下，用局域密度近似（LDA）方法计算了U4+和U3+的混合价态，结果与实验结果不太一致，表明U4+和U3+在UTe 2中是混合价态。
2022-06-03 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Theoretical de Haas-van Alphen Data and Plasma Frequencies of MgB2 and TaB2
在局域自旋密度近似（LSDA）下，计算了MgB 2和TaB 2在平行于晶体学c轴的磁场作用下的de Haas-van Alphen频率和有效质量.此外，我们分析了等离子体频率计算每个费米面片。我们发现，在不同的近各向同性的行为在TaB 2的MgB 2的费米速度大的各向异性。我们比较了相对论性非全势增强球面波（ASW）方案和标量相对论性全势局域轨道（FPLO）方案的计算结果。与Yelland等人（参考文献19）的de Haas-van Alphen实验数据的比较表明，尽管FPLO预测的截面更接近于实验数据，但在两种L（S）DA方法中计算的电子结构与实验数据存在偏差。阐明标准LDA之外的相关多体效应被认为是理解MgB_2超导电性的一个可能的关键问题。
2002-01-16 cond-mat.supr-con
Damping of the de Haas-van Alphen oscillations in the superconducting state of MgB_2
在$H_{c2}$以下的涡旋态中，观测到了由双能隙超导体MgB $_2$的$π$费米面片上的轨道产生的de Haas-van Alphen（dHvA）信号.由于超导能隙的打开，dHvA信号的额外衰减超出了常规Lifshitz-Kosevich表达式中描述的那些效应。我们的数据表明，$π$带隙仍然存在高达$H_{c2}$。的数据进行比较，目前的理论dHvA的超导状态下的振荡，使我们能够提取估计的$π$带隙的演变与磁场。与其他材料的结果相反，我们发现，最新的理论大大低估了MgB $_2$的阻尼。
2004-05-06 cond-mat.supr-con
Fermi surfaces of the topological semimetal CaSn$_{3}$ probed through de Haas van Alphen oscillations
在寻找拓扑超导体的过程中，确定正常态的费米学与解开超导配对对称性一样重要。特别是，费米面包围的布里渊区中的时间反演不变动量的数量与时间反演不变系统的拓扑类密切相关，并且可以通过实验进行研究。本文报道了在高达35 T的高磁场中，用转矩磁力计对拓扑半金属CaSn $_{3}$单晶中的de Haas van Alphen量子振荡进行了详细的研究。结合基于密度泛函理论的计算，所观察到的量子振荡频率表明，费米面的CaSn $_{3}$包含一个奇数的时间反演不变的动量，满足所提出的标准之一，实现拓扑超导性。从磁振荡中提取的非零Berry相位也支持CaSn $_{3}$的非平凡拓扑性质。
2021-03-14 cond-mat.supr-con
Nontrivial topological states in BaSn5 superconductor probed by de Haas-van Alphen quantum oscillations
本文报道了通过测量磁化强度、比热、de Haas-van Alphen（dHvA）效应和进行第一性原理计算来探测本征II型超导体BaSn 5（Tc ~ 4.4 K）的非平凡拓扑态。第一性原理计算揭示了布里渊区（BZ）在kz = π平面内以H点为中心的拓扑结环结构，该结环结构可以通过自旋轨道耦合（SOC）产生带隙，在费米能级以下和以上分别产生约0.04 eV和0.14 eV的小带隙. SOC还导致沿着Γ-A方向的一对狄拉克点，并且位于费米能级以上约0.2eV。dHvA量子振荡的分析支持的计算，揭示了非平凡的Berry相位起源于三个空穴和一个电子袋相关的带形成的狄拉克锥。因此，我们的研究提供了一个很好的途径，研究超导性和非平凡的拓扑状态之间的相互作用。
2022-02-24 cond-mat.supr-con
The Ground State Lattice Distortion of CsV$_{3}$Sb$_{5}$ Revealed by de Haas-van Alphen Oscillations
本研究结合扭矩磁强计与密度泛函理论，通过德哈斯-范阿尔芬振荡研究CsV₃Sb₅的费米面，发现CDW序中SoD和TrH两种2×2×2畸变模式共存，为理解其电子维度、CDW与超导的相互作用提供关键依据。
2023-11-09 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Localized f electrons in CexLa1-xRhIn5: dHvA Measurements
在CexLa 1-xRhIn 5中的de Haas-van Alphen效应的测量表明，Ce 4f电子对于所有x保持局域化，具有自旋涨落效应导致的de Haas-van Alphen信号的质量增强和一个自旋的逐渐损失。这种行为可能是典型的反铁磁重费米子化合物，尽管事实上，4f电子本地化CeRhIn 5的驱动，部分，由自旋密度波不稳定性。
2001-06-26 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Room temperature de Haas - van Alphen effect in silicon nanosandwiches
半导体量子阱边缘沟道的负U杂质带可以在自旋相关输运过程中实现有效的内部冷却。上述也促进了复合玻色子和费米子的创建，通过捕获的边缘通道上的单个磁通量量子的条件下，低的载子的面密度，从而打开了新的机会登记的量子动力学现象在弱磁场在高温至室温。作为上面提到的某个版本，我们提出了在硅三明治结构中的高温de Haas-van Alphen，300 K和量子Hall，77 K效应的第一个发现，该硅三明治结构代表由在n型Si（100）表面上重掺杂硼的delta势垒限制的超窄的2 nm p型量子阱（Si-QW）。这些数据似乎是由于在p型硅量子阱的边缘沟道中具有小有效质量的低密度的单个空穴，因为由负U偶极硼中心组成的条带的杂质限制，这似乎引起电子-电子相互作用的效率降低。
2016-01-22 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Theory of de Haas-van Alphen Effect in Type-II Superconductors
基于涡旋晶格态的Bogoliubov-de Gennes方程，发展了第二类超导体中的准粒子谱和de Haas-van Alphen（dHvA）振荡理论.随着对势的增长，通过超导转变，每个简并的朗道能级在正常状态下分裂成准粒子带中的磁布里渊区。这导致朗道能级展宽，这反过来又导致额外的dHvA振荡阻尼的涡旋态。我们进行了广泛的数值计算的三维系统与各种间隙结构。结果表明：（i）朗道能级展宽与沿垂直于场H的费米面轨道在H=0处的平均能隙直接相关;（ii）额外的dHvA振荡衰减是由每个极值轨道周围的展宽引起的。这些结果表明，dHvA实验可以是一个独特的探针来检测带和/或角度依赖的间隙振幅。我们推导出一个解析表达式的额外阻尼的基础上的二阶微扰相对于对潜在的Luttinger-Ward热力学势。这个公式很好地再现了我们的所有数值结果，并用于从NbSe_2，Nb_3Sn和YNi_2B_2C的现有数据中估计带特定的带隙振幅。对YNi_2B_2C的测量结果与比热测量结果有很大差别，表明该材料存在带隙各向异性。求解二维Bogoliubov-de Gennes方程的C程序可在http://phys.sci.hokudai.ac.jp/~kita/index-e.html上获得。
2002-08-01 cond-mat.supr-con
Fermi-surface of underdoped LaFeAsO1-xFx as determined by the Haas-van Alphen-effect
在这里，我们提出了一个de Haas-van Alphen（dHvA）效应1研究新发现的LaFeAsO 1-xFx compounds 2，3为了揭示费米表面的地形与反铁磁和超导相，这是必不可少的理解他们的磁性，配对对称性和超导机制。计算4和表面敏感测量5，6，7提供了早期的指导，但导致矛盾的结果，产生了直接实验探测其体费米表面的需要。在反铁磁LaFeAsO 1-xFx 8，9中，我们观察到一个复杂的模式中的傅立叶频谱的振荡分量叠加到揭示重建的费米面的磁矩信号，其几何形状是不完全描述的能带结构计算。令人惊讶的是，几个相同的频率，或费米表面横截面积，也观察到超导LaFeAsO 1-xFx（超导转变温度Tc ~ 15 K）。虽然可以归因于不均匀的F掺杂，但相应的有效质量相对于反铁磁化合物的有效质量大大增强。相反，这意味着在LaFeAsO 1-xFx系列相图的欠掺杂区域中，在同一费米表面上的超导电性和反铁磁性的微观共存。因此，dHvA效应揭示了一种比能带结构计算4所预测的更复杂的费米表面形貌，目前提出的超导配对超导体10，11，12，13是基于该费米表面形貌的，这可能是它们与磷化物类似物相比具有更高Tc的原因。
2010-09-07 cond-mat.supr-con
Fermiology with nodal structures in nonsymmorphic superconductor LaNiGa$_2$: A de Haas-van Alphen study
本研究通过dHvA光谱与第一性原理计算，揭示非对称超导体LaNiGa$_2$的费米学特征，验证其晶格对称性及费米能级处的四重简并节点结构，证实其为原型拓扑晶体超导体，凸显节点准粒子对非常规超导配对的潜在作用。
2024-12-12 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Small and nearly isotropic hole-like Fermi surfaces in LiFeAs detected through de Haas van Alphen-effect
LiFeAs是砷基铁磷族化合物超导体中唯一一种不具有磁有序性的近化学计量比化合物。这与电子结构计算不一致，电子结构计算和一个非常稳定的磁性状态，并预测圆柱形的空穴和电子状费米表面片，其几何形状表明自旋波动和嵌套矢量处可能的长程有序不稳定性。事实上，一个复杂的磁性相图中确实观察到的同构NaFeAs化合物。先前的角分辨光电发射（ARPES）实验揭示了空穴和类电子表面的存在，但具有相当不同的横截面积，并且没有嵌套，这被认为是支撑超导体的pnictide家族中的磁序和超导性。这些ARPES观测结果受到了随后的de Haas van Alphen（dHvA）测量的挑战，该测量检测到了一些与原始能带计算大致一致的电子状费米表面片。在这里，我们展示了一个详细的dHvA研究揭示了额外的，小的和几乎各向同性的费米表面片在LiFeAs单晶，这应该对应于孔状轨道，如先前观察到的ARPES。因此，我们的研究结果调和了ARPES和以前的dHvA结果之间的明显差异。这些费米表面口袋的小尺寸表明在LiFeAs的电子相关性的突出作用。间隙节点的情况下，结合准二维和三维费米表面的共存，有利于LiFeAs的s波配对对称性。但是LiFeAs和LiFeP之间类似的类电子费米面结合非常不同的空穴袋，表明LiFeP的能隙函数中的节点可能位于空穴袋上。
2013-10-01 cond-mat.supr-con
Magnetic breakdown in ortho-II high-temperature cuprates
最近通过de Haas-van Alphen和Shubnikov-de haas振荡证实了高温铜氧化物中的闭合费米面，这就要求对这种振荡的起源进行理论研究。我们研究了德哈斯-范阿尔芬振荡和磁击穿的背景下，ortho-II高温铜氧化物，以了解起源的多个频率。我们发现，磁击穿是高度敏感的，不仅对ortho-II势，而且对费米表面拓扑结构，因此是有用的，以区分各种理论的建议有关的量子振荡。
2010-02-04 cond-mat.supr-con
Magnetic quantum oscillations in doped antiferromagnetic insulators
在任意方向的外磁场中，对二维反铁磁绝缘体中电子（空穴）的能谱进行了量子化。发现了de Haas-van Alphen（dHvA）或Shubnikov-de Haas（SdH）磁振荡振幅与磁化方向的面内方位角和面外方向的极角的特殊关系，该关系可作为掺杂Mott-Hubbard、自旋密度波（SDW）和常规带结构绝缘体中反铁磁序的灵敏探针.
2008-03-17 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Fermi surface of IrTe2 in the valence-bond state as determined by quantum oscillations
我们报告的deHaas-van Alphen效应在IrTe 2测量使用扭矩磁强计在低温下至0.4 K和高磁场高达33 T的观察。IrTe 2经历了一个主要的结构转变约283 K，由于形成的Ir和Te二聚体的平面，通过对角切割的晶格平面，其电子结构预测显着改变，从一个分层系统，主要是三维字符的倾斜准二维费米表面。量子振荡提供了这种不寻常的倾斜费米面的直接确认，也揭示了非常轻的准粒子质量（小于1毫微电子），没有显着的增强，由于电子相关。我们发现观察到的和计算的de Haas-van Alphen频率的角度依赖性之间有很好的一致性，同时考虑到冷却IrTe 2时形成的不同结构域的贡献。
2014-12-12 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Shubnikov - de Haas effect in the quantum vortex liquid state of the organic superconductor $κ$-(BEDT-TTF)$_{2}$Cu(NCS)$_{2}$
本文报道了准二维有机超导体$κ$ -（BEDT-TTF）$_{2}$ Cu（NCS）$_{2}$在涡旋液态下的Shubnikov-de Haas（SdH）振荡。在0.5 K下，可以观察到低至约5 T的SdH振荡，其中磁通流电阻率变得小至正常状态值的约30%。在上临界场$H_{\rm c2}$约为7 T以下，SdH振荡振幅和de Haas-van Alphen（dHvA）振荡振幅相对于标准Lifshitz-Kosevich公式所描述的正常态振幅出现了附加阻尼。$H_{\rm c2}$附近的附加阻尼的大小与dHvA振荡中观察到的相同，并且考虑到热涡旋液态中的波动，通过理论预测很好地解释了这一点。而在低温量子涨落区，只有SdH效应比dHvA振荡的阻尼更大。结合在相同温度和磁场区域下报道的量子涡旋半融态中传输电流对涡旋短程有序的影响，讨论了SdH和dHvA效应之间振幅附加阻尼对磁场的不同依赖性。
2002-11-05 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Large and homogeneous mass enhancement in the rattling-induced superconductor KOs$_2$O$_6$
我们用de Haas-van Alphen（dHvA）振荡测量和能带结构计算确定了KOs $_2$ O $_6$（$T_c$ = 9.6 K，$B_{c2} \sim$ 32 T）的费米面.我们发现有效质量高达26（1）$m_e$（$m_e$是自由电子质量），这是不寻常的化合物的质量增强主要是由于电子-声子相互作用重。轨道分辨质量增强参数$λ_{dHvA}$很大，但相当均匀，集中在5 - 8的范围内。我们讨论了起源的大均匀的质量增强的K离子的晃动运动。
2012-05-18 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Fermi surfaces and quantum oscillations in underdoped high-Tc superconductors YBa2Cu3O6.5 and YBa2Cu4O8
我们研究欠掺杂的高Tc超导体YBa 2Cu 3 O 6. 5和YBa 2Cu 4 O 8使用第一性原理赝势方法与附加库仑相互作用的Cu原子，并获得费米表面口袋面积密切符合测量Shubnikov-de Haas和de Haas-van Alphen振荡。与反铁磁秩序的CuO 2平面，稳定的计算，小孔口袋附近形成的所谓的费米弧位置的布里渊区再现的低频振荡。一个大的电子口袋，必要的负霍尔系数，也形成在YBa_2Cu_3O_6.5，引起的高频振荡以及。还计算了有效质量和比热，并与测量结果进行了比较。我们的研究结果突出了磁序在欠掺杂高Tc超导体的电子结构中的重要作用。
2009-12-12 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Quantum oscillations from `open' Fermi surface in quasi-one-dimensional lattices: Application to YBa2Cu3O6 cuprates, organic salts, ladder compounds, and related systems
根据著名的Onsagar-Lifshitz范式，Shubnikov de-Haas和de-Haas van Alphen（SdHvA）振荡的观察表明，在体中存在“闭合”轨道费米面。我们提出了一个基于实空间的计算SdHvA振荡在广义准一维晶格放松的准经典近似嵌入在这个几十年的老Onsagar-Lifshitz范式。我们发现，相当大的量子振荡可以产生从'开放'费米表面，只要回旋轨道可以形成在现实空间中有限的，但不一定相等，电子跳跃沿x和y方向。我们的结果定量地解释了各种准一维材料中令人困惑的SdHvA振荡的出现，包括YBa_2Cu_3O_6铜酸盐的链态，有机材料，各种梯形化合物，弱耦合线性链，或量子线，和其他相关系统。
2016-02-17 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Field-induced metal-insulator transition in a two-dimensional organic superconductor
准二维有机超导体β-（BEDT-TTF）_2SF_5CH_2CF_2SO_3（T_c约4.4K）表现出很强的Shubnikov-de Haas（SdH）振荡，该振荡叠加在一个高度反常的稳态背景磁电阻R_b上。通过与deHaas-van Alphen振荡的比较，得到了R_b的可靠估计，这对正确提取SdH信号是至关重要的。在低温和高磁场下，绝缘行为发生变化。磁阻数据违反科勒规则，即，不能在半经典输运理论的框架内描述，但收敛到一个通用的曲线，适合于在金属-绝缘体过渡的动力学标度。
2000-11-21 cond-mat.supr-con
Heavy quasiparticles in the ferromagnetic superconductor ZrZn2
本文研究了铁磁超导体ZrZn_2正常态的de Haas-van Alphen效应。我们的研究结果是一致的LMTO能带结构计算预测四个交换分裂费米面片。准粒子的有效质量提高了约4.9倍，这意味着一个强耦合到磁激发或声子。我们的测量提供了洞察机制的超导性和不寻常的热力学性质的ZrZn 2。
2002-07-11 cond-mat.supr-con
