Evolution of electronic structure of doped Mott insulators - reconstruction of poles and zeros of Green's function
本文采用集团扩展的动力学平均场论，在载流子掺杂的二维哈伯德模型中研究了金属从莫特绝缘体中的演化。传统金属的特征仅在于费米面（格林函数G的极点），而在掺杂莫特绝缘体中，G的零点面与极点面的干涉变得至关重要。相互干扰的极点和零表面显着转移的莫特间隙，当轻掺杂的空穴协同放松的doublon-holon绑定。莫特物理学的核心，如赝能隙、空穴、费米弧、能隙内态和Lifshitz跃迁，都是频率空间中这种全局干涉的自然结果。
2008-09-05 cond-mat.str-el
Experimental observation of pseudogap in a modulation-doped Mott insulator: Sn/Si(111)-($\sqrt{3}\times \sqrt{3}$)-R30$^\textrm{o}$
在掺杂莫特绝缘体时，通常会出现不寻常的量子现象。利用低温扫描隧道显微镜结合分子束外延系统，研究了调制掺杂莫特绝缘体Sn/Si（111）-（$\sqrt{3}\times \sqrt{3}$）-R30 $^\textrm{o}$的电子结构.在欠掺杂区，我们观察到一个普遍的赝能隙开放周围的费米能级，它的变化不大的磁场和Sn空位的出现。赝能隙在高温下被涂掉，并随着莫特绝缘相的空间限制而改变大小。我们的研究结果，以及先前观察到的超导性在较高的掺杂水平，是非常令人联想到的掺杂氧化铜化合物的电子相图。
2021-10-04 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Inhomogeneity in doped Mott insulator
我们引入了自然界中存在两类通用莫特绝缘体的概念。他们的区别在于他们对弱兴奋剂的反应。掺杂电荷在I型莫特绝缘体中形成团簇（即不均匀分布），而在II型莫特绝缘体中均匀分布。我们提出我们的意见的作用不均匀性在铜酸盐。
2002-08-26 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Phase separation in doped Mott insulators
受莫特绝缘体远离整数填充的常见观察的启发，我们构建了一个简单的热力学参数的相分离一阶掺杂驱动的莫特转变。我们展示了如何计算临界掺杂所需的驱动莫特过渡使用电子结构计算的钛酸盐家族的钙钛矿，发现与实验良好的协议。该理论预测，过渡是可逆的，应该表现出库仑阻挫。
2014-08-01 cond-mat.str-el
Dynamics of screening in photo-doped Mott insulators
本文利用扩展的动态平均场论的非平衡实现方法研究了光激励莫特绝缘体中的动态屏蔽效应。双光子和空穴的插入增加了低能屏蔽模，并导致莫特能隙的减小。耦合到低能量玻色子模式进一步打开新的弛豫通道，并显着加快热化过程。我们还考虑了掺杂载流子的能量分布对屏蔽的影响。
2015-07-28 cond-mat.str-el
Asymmetry between the electron- and hole-doped Mott transition in the periodic Anderson model
研究了Mott-Hubbard机制下周期性Anderson模型中掺杂驱动的Mott金属-绝缘体相变。发现电子或空穴驱动的跃迁具有明显的不对称性，在较大的U值下，电子掺杂的MIT与单带哈伯德模型中的结果相似，由于溶液的共存，具有一阶特征.与此相反，空穴掺杂的MIT是二阶的，并且可以被描述为Zhang-Rice单线态的离域。
2009-06-25 cond-mat.str-el
Doped Twisted Bilayer Graphene near Magic Angles: Proximity to Wigner Crystallization not Mott Insulation
我们设计了一个模型来解释为什么扭曲的双层石墨烯（TBLG）表现出绝缘行为时，$ν=2,3$电荷占据一个单位莫尔细胞，一个功能归因于莫特，但不是$ν=1$，明显不符合莫特绝缘。我们计算$r_s=E_U/E_K$，其中$E_U$和$E_K$的势能和动能，分别，并表明：（i）莫特标准在于在密度$10^4$高于实验和（ii）过渡到一系列的维格纳晶体状态存在作为$ν$的函数。我们发现，对于$ν=1$，$r_s$未能越过阈值（$r_s = 37$）的三角形晶格和金属输运Entrance。然而，对于$ν=2$和$ν=3$，阈值$r_s=22$和$r_s=17$分别满足向具有蜂窝（$ν=2$）和kagome（$ν=3$）结构的维格纳晶体（WC）的转变。我们相信，这种晶态是分析超导性的正确起点。
2018-08-28 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
A simple metal-insulator criterion for the doped Mott-Hubbard materials
我们推导出一个简单的金属-绝缘体准则的解析形式的掺杂Mott-Hubbard材料。它的读数与晶胞的基态的轨道和自旋性质密切相关。在顺磁相的可用的标准读数（金属或绝缘体）点的绝缘体状态的掺杂材料与禁止的第一个去除电子状态的可能性。从物理意义上讲，该结果与巡游电子系统中的Wilson判据相似。讨论了该判据在高温铜酸盐中的应用。
2014-11-19 cond-mat.str-el
Electronic charge reconstruction of doped Mott insulators in multilayered nanostructures
采用动力学平均场论计算了由半无限金属铅层包围强关联材料势垒面（可通过金属-绝缘体Mott跃迁调谐）构成的多层非均匀器件的电荷重构。主要的重点是掺杂的莫特绝缘体的障碍，以及如何的电子电荷重建可以创建良好定义的莫特绝缘区的设备，其厚度是由本征材料的属性，因此可能是能够重现。
2006-12-13 cond-mat.str-el
Rectification by Doped Mott-Insulator Junctions
掺杂莫特绝缘体的结提供了一种在太赫兹范围之外的频率下进行整流的途径。莫特绝缘体具有强的电子相关性，因此电子-电子散射的时间尺度较短。正是这种短的时间尺度允许在高于受载流子的缓慢扩散限制的半导体器件的频率的频率下进行整流的可能性。我们模型的结由一个一维链的电子与p-和n-掺杂的两个半链。两种类型的系统进行了研究：自旋极化电子与最近邻相互作用，和自旋半电子，通过现场排斥（哈伯德模型）。对于短链的多体薛定谔方程可以积分数值精确，当驱动的振荡电磁场，这种理想化的结整流，显示出一个优选的方向电荷转移。较长的链的时间依赖的密度矩阵重整化群方法进行了研究，并纠正。
2012-08-10 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
A heterojunction modulation-doped Mott transistor
提出了一种异质结莫特场效应晶体管（FET），其由表现出电子相关诱导的莫特金属到绝缘体转变的外延沟道材料组成。莫特材料是远程（调制）掺杂的简并掺杂的常规带绝缘体。外加电压调制从掺杂带绝缘体到莫特材料的电子转移，并通过诱导绝缘体到金属的转变来产生晶体管动作。稀土镍酸盐和SrTiO 3的材料参数用于评估“调制掺杂Mott FET”（ModMottFET或MMFET）作为下一代开关的潜力。它表明，MMFET的特点是独特的“电荷增益”的特性，以及竞争性的双稳态，小信号增益和电流驱动。
2011-09-24 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Dynamical mean-field theory of electron-phonon interaction in correlated electron materials: general results and application to doped Mott insulators
动力学平均场方法是用来制定一个计算上容易处理的理论，电子-声子相互作用的系统中的任意本地电子-电子相互作用的物理相关的绝热限制的声子频率小相比，电子带宽或相互作用的规模。作为应用，测定了轻掺杂莫特绝缘体中声子对载流子有效质量的贡献，并讨论了相分离边界。
2002-05-09 cond-mat.str-el
Numerically exact simulation of photo-doped Mott insulators
University of Hamburg（汉堡大学）；University of Michigan（密歇根大学）；Graz University of Technology（格拉茨工业大学）；Tel Aviv University（特拉维夫大学）；The Hamburg Centre for Ultrafast Imaging（汉堡超快成像中心）
本文提出利用数值精确的稳态Quantum Monte Carlo技术，结合时间局域分布函数ansatz，计算Mott绝缘体中长寿命光掺杂态的性质，发现Mott能隙对大光掺杂保持稳健且准粒子性质被强重整化。
2023-11-23 cond-mat.str-el
Critical conductance of a one-dimensional doped Mott insulator
本文研究了一维莫特绝缘体的两端电导，该绝缘体经历了从超导体到导电态的无公度量子相变。我们把铅当作液体来处理。在对应于Luther-Emery点的铅的特定可压缩性值处，电导可以用具有电荷e/ \sqrt{2}的非相互作用费米子的自由传播来描述。在这一点上，跨量子相变的电导的温度依赖性由费米函数描述。引线中Luther-Emery点的偏离定性地改变了温度依赖性。在金属状态下，低温电导由引线的性质决定，并由传统的Luttinger液体理论描述。在绝缘状态下，电导通过e/ \sqrt{2}电荷的激活而发生，并且与Luttinger液体的可压缩性无关。
2008-01-23 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
The short-range correlations of a doped Mott insulator
本文介绍了数值研究的单孔tt't“J模型，解决巡游电子的动能和交换能量的局部时刻之间的相互作用，感兴趣的掺杂莫特绝缘体。由于这种相互作用，两种不同的自旋相关共存周围的移动空位。这些本地相关性提供了一个有效的两个波段的图片，解释了两个能带结构中观察到的各种理论和实验研究，掺杂依赖的动量空间各向异性的赝隙现象和空穴和电子掺杂的铜氧化物之间的不对称性。
2006-05-18 cond-mat.str-el
Quantum phases in a doped Mott insulator on the Shastry-Sutherland lattice
本文提出了Shastry-Sutherland晶格上掺杂莫特绝缘体SrCu_2（BO_3）_2的基态为投影BCS波函数。在半填充时，该波函数产生精确的基态。加入可移动的载流子，我们发现电子和空穴掺杂之间存在很强的不对称性。在电子掺杂时，形成具有强价键相关性的不寻常金属。空穴掺杂系统是d波RVB超导体，其中超导电性通过非均匀元格键序的出现而强烈增强。
2007-02-05 cond-mat.str-el
Mott-Hubbard localization in model of electronic subsystem of doped fullerides
考虑到三重轨道简并能态的掺杂富勒烯电子子系统的微观模型被认为是在配置操作的方法。用格林函数方法计算了$n=1$整数带填充时模型的能谱，这种情况对应于$AC_{60}$化合物。讨论了模型中可能存在的关联驱动的金属-绝缘体相变。
2012-01-13 cond-mat.str-el
Strongly enhanced thermal transport in a lightly doped Mott insulator at low temperature
我们展示了轻掺杂的莫特绝缘体如何在低温下极大地增强了电子的热输运。当载流子可以被视为非简并费米子时，它显示出独立于相互作用强度的普遍行为，并且在洛伦兹数增长到大值的非普遍“交叉”区域，同时仍然保持大的热电优值。电子动力学由Falicov-Kimball模型描述，该模型在Bethe晶格上用动力学平均场论算法求解任意大的在位关联。我们展示了这些结果是如何通用的轻掺杂莫特绝缘体，只要重整化费米液体尺度被推到非常低的温度和系统是不是磁有序的。
2012-10-22 cond-mat.str-el
Dynamical spin response of electron doped Mott insulators on a triangular lattice
基于$t-J$模型研究了三角晶格上电子掺杂莫特绝缘体的自旋动力学。研究发现，正方晶格上的掺杂莫特绝缘体所具有的积分动力学自旋结构因子的普遍行为，在三角晶格上的掺杂莫特绝缘体中并不存在，表明存在正常态能隙.结果表明，自旋-晶格弛豫速率1/ $T_{1}$除以$T$在0.2 $J$ $\approx$ 50 K以上随温度的降低而减小，在低于50 K的温度下遵循Curie-Weiss-like行为，与实验观察定性一致.
2012-12-21 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Hidden Charge 2e Boson in Doped Mott Insulators: Field Theory of Mottness
通过对远离化学势的自由度进行积分，我们建立了掺杂莫特绝缘体（如高温超导体）的低能理论。无论是空穴或电子掺杂，电荷2e玻色子场出现在低能量。电荷2e玻色子介导了动力学光谱重量转移通过莫特间隙，并通过绑定空穴产生新的电荷e激发。结果是在化学势以下的电子色散出现了分叉，正如最近在Pb掺杂的Bi_2Sr_2CaCu_2 O_{8+δ}（Pb 2212）的角分辨光电发射中所观察到的那样。
2007-07-12 cond-mat.str-el hep-th
Theory for Slightly Doped Antiferromagnetic Mott Insulators
从具有反铁磁序的二维Mott绝缘态出发，提出了一种描述轻微掺杂空穴或电子的莫特绝缘体低能态的试探波函数.随着状态的行为像带电准粒子与定义良好的动量，观察到一个刚性带。这些状态的配对相关性比以前研究的少得多。小费米补丁获得的高Tc铜氧化物掺杂轻空穴或电子与最近的实验是一致的。讨论了非相干态和自旋袋态。使用这些波函数，精确计算得到的一些结果被再现。
2002-10-03 cond-mat.str-el
Bad-metal behavior reveals Mott quantum criticality in doped Hubbard models
不良金属（BM）的行为特征的电阻率的线性温度依赖性延伸到远高于Mott-Ioffe-Regel（MIR）限制，通常被视为一个关键的未解决的签名强相关性。在这里，我们通过检查一个完全受挫的哈伯德模型，其中所有的长程磁序被抑制，并通过动态平均场论的莫特问题，可以严格解决的BM行为与莫特量子临界。我们发现，对于掺杂的莫特绝缘体制度，共存圆顶和相关的一阶莫特金属-绝缘体转变被限制在极低的温度下，而清晰的签名莫特量子临界出现在大部分的相图。显着的标度行为被确定为整个家庭的电阻率曲线，量子临界区域覆盖整个BM制度，不仅提供洞察力，而且定量的理解周围的MIR限制，与现有的实验。
2015-06-25 cond-mat.str-el
Photoemission of a doped Mott insulator: spectral weight transfer and qualitative Mott-Hubbard description
用光电子能谱学研究了低维莫特绝缘体TiOCl在碱金属掺杂下的光谱权重演化。我们观察到较低的哈伯德带和一个额外的峰值之间的光谱重量转移后，电子掺杂，在改变单和双占据的网站的数量的原子限制的定量预期。这一观察结果是相关谱带的无条件标志，以前没有报道过。相反，金属准粒子峰的缺失可以追溯到一个简单的单粒子效应。
2011-02-06 cond-mat.str-el
Vortex state in a doped Mott insulator
我们分析了最近在铜氧化物超导体中的涡旋芯光谱实验，并讨论了从中可以学到的关于这些化合物的基态的性质。我们认为，数据是不一致的假设一个简单的金属基态和掺杂的莫特绝缘体的特点。基于U（1）规范场从玻色子模型，发展了这种掺杂莫特绝缘体中涡旋核的理论，并显示出与实验数据定性一致的性质。
2000-10-27 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Mott Gap Excitations and Resonant Inelastic X-Ray Scattering in Doped Cuprates
预测的动量和载流子依赖的Mott间隙的退化后，掺杂在高Tc的铜氧化物，将观察到在铜K边共振非弹性X射线散射（RIXS）。用数值精确对角化方法研究了具有二、三近邻跳跃项的二维哈伯德模型。特别强调的是放置在莫特间隙激发的粒子-空穴的不对称性。我们认为，莫特间隙激发RIXS观察到的显着影响之间的相互作用载流子和反铁磁关联。
2003-09-08 cond-mat.str-el
Nodal/Antinodal Dichotomy and the Two Gaps of a Superconducting Doped Mott Insulator
采用元胞动力学平均场论，以Lanczos方法为杂质求解器，研究了空穴掺杂二维哈伯德模型的超导态。在掺杂不足的制度，我们发现一个自然的分解成两个组件的一个粒子（光电发射）的能隙。在节点区域的间隙，源于异常的自能，减少掺杂。的波腹间隙有一个额外的贡献，从正常状态的赝隙继承的自能的正常分量，它增加的莫特绝缘相接近。
2008-02-04 cond-mat.str-el
Momentum space anisotropy in doped Mott insulators
我们研究了单空穴tt 't“J模型的数值计算，以解决掺杂莫特绝缘体中发现的动量空间各向异性。提出了一个简单的两带图象，用来理解不同动量态下自旋背景对掺杂空穴的屏蔽作用。在这幅图中，在欠掺杂铜氧化物超导体中通过实验观察到的结区和反结区之间的差异，来自局部能量考虑，并且相当于明确定义的准粒子行为和自旋-电荷分离相关现象之间的区别。
2005-04-22 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Not all doped Mott insulators have a pseudogap: key role of van Hove singularities
母体化合物的Mott绝缘相经常被用作低掺杂高$T_c$铜酸盐超导体的起始点。特别地，赝能隙态通常被认为是源自莫特绝缘体。在本工作中，我们系统地研究了正方形和三角形晶格上不同的弱掺杂莫特绝缘体，以阐明赝能隙和莫特度之间的关系。我们表明，掺杂的二维莫特绝缘体不一定会导致赝隙相。尽管其固有的强耦合的性质，我们发现，存在或不存在的pseudogap敏感地依赖于非相互作用的带参数，并确定系统的范霍夫奇点所发挥的关键作用。受赝能隙态的SU（2）规范理论的启发，我们提出并数值验证了一个简单的方程，该方程控制了电子散射率特征的演化。
2019-12-31 cond-mat.str-el
Carrier localization and electronic phase separation in a doped spin-orbit driven Mott phase in Sr3(Ir1-xRux)2O7
对许多强自旋轨道耦合的5d过渡金属氧化物绝缘体的兴趣源于将它们的电子结构映射到J=1/2 Mott相。希望之一是建立它们的Mott母态，并探索这些系统在载流子掺杂后实现新电子态的潜力。然而，一旦掺杂，很少有人了解他们的库仑相互作用U相对于他们的强相关的3d电子表兄弟的作用。在这里，我们表明，在空穴掺杂的候选人J=1/2莫特绝缘体，载流子保持本地化的纳米级相分离的基态。局部区域和巡回区域之间的相互作用发生了一个双金属-绝缘体转变，稳定了临界区域以外的反铁磁金属相。我们的研究结果表明，掺杂的5d-和3d-电子莫特系统之间的一个令人惊讶的平行，并建议通过附近的电子相或直接的载流子本地化，U是必不可少的，这个掺杂的自旋轨道莫特绝缘体的载流子响应。
2014-03-14 cond-mat.str-el
The Electronic States of Two Oppositely doped Mott Insulators Bilayers
我们研究了两个相反掺杂的低维tJ模型系统之间的库仑相互作用效应。我们精确地证明了，在一维情况下，任意的弱相互作用导致电荷中性的电子-空穴对的形成。然后，我们使用两种不同的平均场论来解决二维的情况下，层间激子也形成和凝聚。我们建议，这将导致新的功能，没有类似的单层，如绝缘自旋液相的出现。我们简单的双层模型可能与掺杂的莫特绝缘体界面和新的四层Ba 2CaCu 4 O 8化合物的物理学有关。
2006-12-09 cond-mat.str-el
Concealed Mott Criticality: Unifying the Kondo Breakdown and Doped Charge-Transfer Insulators
本研究提出隐藏的莫特临界性框架，统一解释重费米子近藤击穿与掺杂铜氧化物的量子临界点，通过玩具模型验证了费米面跳变与两侧质量增强的结论，符合实验观测。
2024-12-27 cond-mat.str-el
Generalizing the Cooper-Pair Instability to Doped Mott Insulators
铜氧化物在掺杂电子空穴后迅速成为超导体，表明基本的配对不稳定性。库珀机制将正常超导解释为费米液体状态的不稳定性，但高温超导体来自莫特绝缘体正常状态，而不是费米液体。我们发现，早熟对凝聚掺杂是一个自然的属性竞争的反铁磁性和d-波超导的单占据晶格，从而推广库珀不稳定性掺杂莫特绝缘体，具有重要意义的高温超导机制。
2008-10-21 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Quantum Ginzburg-Landau theory of doped Mott insulators
通过进一步的对偶变换，改进了掺杂莫特绝缘体的对偶性理论。结果得到了描述库珀对凝聚和自旋凝聚对偶的量子Ginzburg-Landau理论。我们通过掺杂莫特绝缘体来解决超导性，我们称之为莫特超导性。铜氧化物中这种新颖性的一些特征是中子共振能量和超流密度之间的标度，以及由涡旋或Zn杂质引起的{ \it量子化}自旋矩（以及循环电荷超流，有待实验检验）。
2003-06-20 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Optical conductivity of one-dimensional doped Hubbard-Mott insulator
利用sine-Gordon模型研究了强关联电子系统在金属-绝缘体相变附近的光学响应。在半经典量子化的情况下，光谱权重分布在Drude峰和呼吸子引起的吸收线之间。我们计算了Drude重量，光学间隙，和呼吸吸收的线形。
2002-08-16 cond-mat.str-el
Orbital-selective Mott Transitions in a Doped Two-band Hubbard Model
我们扩展以前的研究轨道选择性莫特过渡的顺磁状态的半满简并两带哈伯德模型一般掺杂的情况下，使用高精度的量子蒙特卡罗动力学平均场论求解器。对于足够强的强相互作用，轨道选择性莫特跃迁作为总带填充的函数在特定带填充、准粒子权重、双占位和光谱中清晰可见。与单波段模型的结果进行了对比，相似的相关强度。
2009-09-22 cond-mat.other cond-mat.str-el
Spin-gapped incoherent metal with preformed pairing in the doped antiferromagnetic Mott insulator
我们研究了反铁磁莫特绝缘体如何通过空穴掺杂演化为d波BCS超导体。在强耦合方法中考虑自旋涨落，我们发现了一个自旋能隙的非相干金属作为反铁磁莫特绝缘体和d波超导体之间的中间相。这种非费米液态金属在自旋分解规范理论中被认为是红外稳定的固定点，类似于从玻色子规范理论中的自旋液体绝缘体。我们考虑了反常金属相的单粒子能谱和动态自旋极化率，并讨论了其物理意义。
2007-08-13 cond-mat.str-el
Doped Mott insulator as the origin of heavy Fermion behavior in LiV2O4
采用局域密度近似和动力学平均场论相结合的方法，研究了在各种实验中观察到重费米子行为的LiV_2O_4的电子结构.为了在零温度下获得结果，我们采用投影量子蒙特卡罗方法作为杂质求解器。我们的研究结果表明，强相关的a1 g带是一个轻掺杂的莫特绝缘体，在低温下，它在费米能级上方显示出一个尖锐的（重）准粒子峰，这与Shimoyamada等人最近的光电发射实验一致。96 026403（2006）]。
2007-01-22 cond-mat.str-el
Evolution of spectral function in a doped Mott insulator : surface vs. bulk contributions
我们研究了在莫特绝缘体，$x$ = 0.0 - 0.5的$La_{1-x}Ca_xVO_3$中的光谱函数的演变。光谱特征表明，在该系统中的体到表面的金属-绝缘体转变。掺杂相关的变化，在体电子结构被证明是不符合现有的理论预测。基于单参数，$U/W$的经验描述，示出一致的光谱演化描述。
1998-03-11 cond-mat.str-el
Doped Mott phase and charge correlations in monolayer 1T-NbSe$_2$
本研究在单层1T-NbSe$_2$中实现了掺杂Mott相，发现通过邻近效应电子转移形成的半满与全满格点分布受竞争性非局域多体关联控制，确立了该材料作为探索阻挫晶格中高温关联物理的平台。
2024-03-05 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Localized in-gap state in a single electron doped Mott insulator
基于最近在原子尺度扫描隧道显微镜（STM）上对电子掺杂莫特绝缘体中的隙内局域态的观察，我们利用团簇微扰理论计算了正方晶格上哈伯德模型的局域电子态.发现在掺杂剂晶格位置周围的上Hubbard带下方存在带隙态，这与STM测量结果一致。这种局部能隙态的出现伴随着电子双占有率的迅速减少。三角晶格上也存在类似的带隙态。这些结果表明，间隙状态是独立于晶格结构的莫特绝缘体的固有特征。
2014-02-24 cond-mat.str-el
Doping induced spinless collective excitations of charge 2e in doped Mott insulators
基于掺杂莫特绝缘体的哈伯德模型描述，我们证明了在非超导态下，由于掺杂，必然存在电荷$2e$和能量$U-2μ$的无自旋集体激发，能量峰值在动量$(π/a,π/a)$。这种集体激发是由电子对关联引起的。它的存在与近似SU（2）粒子-空穴对称性的破缺有关，由此构造了新激发的有效场论。
2000-10-29 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Mott and Wigner-Mott transitions in doped correlated electron systems: effects of superlattice potential and inter-site correlation
我们引入超结构Mottness的概念来描述掺杂强关联电子系统中的Mott和Wigner-Mott跃迁。我们表明，超结构Mottness出现在一个非均匀的电子系统时，超结构包含一个奇数的电子每个超细胞。我们认为，即使在没有平移对称性破缺的超晶格的超结构Mottness存在，只要扩展或intersite库仑相互作用是强的。在后一种情况下，超结构Mottness为Mott和Wigner物理学提供了一个统一的框架，并对Wigner-Mott跃迁提供了一个非微扰的强耦合描述。我们通过研究一个最小的单带离子Hubbard $t$-$U$-$V$ - $Δ$模型来支持我们的建议，该模型具有最近邻库仑排斥$V$和两个亚晶格离子势$Δ$。该模型被映射到一个哈伯德模型与两个有效的“轨道”代表的两个网站内的超晶胞，轨道内和轨道间的库仑排斥$U$和$U^\prime \sim V$，和一个晶体场分裂$Δ$。原始晶格上的电荷序对应于轨道序。在Gutzwiller近似下，我们研究了四分之一填充时$V$和$Δ$对Mott和Wigner-Mott跃迁的影响及其相互作用.给出了超晶格势增强关联效应的机制和局域矩形成的趋势，在超结构Mottness的统一框架下构造并阐明了相图。
2009-10-01 cond-mat.str-el
Pseudogap in Doped Mott Insulators is the Near-neighbour Analogue of the Mott Gap
我们表明，强耦合物理固有的绝缘Mott状态在2D中导致的化学势的跳跃掺杂和出现的赝隙的单粒子光谱低于一个特征温度。赝能隙的产生是因为任何不直接邻近空穴的单占据位点经历了等于$t^2/U$的最大能垒，其中$t$是最近邻跳跃积分，$U$是原位排斥。平均而言，在每个晶格位置具有至少一个作为近邻的孔之前，所得到的赝隙不能消失。这种效应在所有掺杂莫特绝缘体中的普遍存在表明，铜氧化物中的赝能隙有一个简单的起源。
2003-05-22 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Ultrafast separation of photo-doped carriers in Mott antiferromagnets
利用非均匀非平衡动力学平均场论研究了强内场作用下Mott绝缘异质结构中光激发载流子的传播。反铁磁相关性被发现以一种至关重要的方式影响载流子动力学：反铁磁自旋背景可以在超快时间尺度上从光激发载流子中吸收能量，从而实现不同层之间的快速传输以及电子和空穴类载流子的分离，而在顺磁状态下，载流子在强场中变得局部化。电荷自由度和自旋自由度之间的这种相互作用可以用来控制基于具有极性层的Mott绝缘异质结构的器件的功能，例如，用于光伏应用。
2014-03-06 cond-mat.str-el
Percolative Mott insulator-metal transition in doped Sr$_2$IrO$_4$
尽管许多人努力使掺杂莫特绝缘体中的强关联电子基态合理化，但掺杂诱导的绝缘体到金属转变的性质仍然是一个正在深入研究的主题。在这里，我们探测的莫特绝缘体锶$_2$ IrO $_{4-δ}$与低温扫描隧道显微镜的纳米级电子结构，并发现增强的局域态密度（LDOS）内的莫特间隙在个别顶端氧位点缺陷的位置。我们可视化的路径所产生的缺陷态的重叠，诱导有限的LDOS在费米能级的增强电导。结合这些发现和典型的约2~nm的孤立缺陷的空间扩展，我们表明$_2$ IrO $_{4-δ}$中的绝缘体到金属的转变具有双折射性质。
2019-09-23 cond-mat.str-el
Magnetic Incommensurability in Doped Mott Insulator
在本文中，我们探讨的自旋-自旋关联的非公度空间调制的掺杂莫特绝缘体的本征性质，描述的$t-J$模型。我们表明，这样的不可逆性是一个直接的表现形式的相位弦效应引入掺杂空穴在一维和二维的情况下。在动量空间中动态自旋磁化率的磁无公度峰与铜氧化物超导体的中子散射测量结果在位置和掺杂依赖性方面都是一致的。特别是，这种无公度结构可以自然地调和铜酸盐的中子散射和NMR实验。
1998-09-27 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Critical behaviour near the metal-insulator transition of a doped Mott insulator
本文用线性化形式的动力学平均场论研究了无限维哈伯德模型中掺杂莫特绝缘体在金属-绝缘体相变附近的临界行为。对于大于临界值$U_c$的$U$，从空穴掺杂到电子掺杂的化学势的不连续性已被解析计算，并发现与数值方法的结果吻合良好。我们还推导出的压缩性，准粒子的重量，双占有率和局部自旋磁化率近半填充作为现场库仑相互作用和掺杂的函数的解析表达式。
2001-03-19 cond-mat.str-el
Superconductivity in a doped Mott insulator
本文从Kotliar和Liu的d波RVB平均场论出发，提出了一种新的长波低能规范涨落的精确处理方法。其结果是一个理论的无隙费米子准粒子耦合超导相位波动。我们将讨论的物理含义，和BCS配对与相位波动的理论的相似性/差异。
1999-09-17 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Theory for superconductivity in (Tl,K)Fe$_x$Se$_2$ as a doped Mott insulator
本文从掺杂莫特绝缘体的观点研究了最近发现的（Tl，K）Fe $_x$ Se $_2$化合物的可能超导电性。由于Fe空位的存在，Mott绝缘相在$x=1.5$的母体化合物中被检查为优选的。在Fe位的空位的部分填充引入电子载流子并导致电子掺杂的超导电性。在强耦合极限下，利用双轨道哈伯德模型，我们发现在Hund耦合小的情况下，s波配对更有利，而在Hund耦合大的情况下，d $_{x^2-y^2}$波配对更有利.
2011-05-23 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Competing Orders and Superconductivity in the Doped Mott Insulator on the Shastry-Sutherland Lattice
在几何阻挫晶格上的量子反铁磁体通常允许有许多不寻常的顺磁基态。这些莫特绝缘体掺杂后的命运是一个重要的问题，可能会揭示一些光的高$T_c$铜酸盐的问题。我们采用t-J模型研究了Shastry-Sutherland晶格上掺杂的莫特绝缘体。从玻色子平均场论揭示了不同对称破缺态之间的强竞争。研究发现，在一定的掺杂范围内，存在着具有或不具有交错磁通或二聚化等对称性破缺序的超导相。我们的研究结果将直接关系到SrCu $_2$（BO $_3$）$_2$在未来的材料掺杂。
2003-10-17 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
On the optical conductivity of Electron-Doped Cuprates I: Mott Physics
本文分析了电子掺杂铜氧化物的掺杂和温度效应。动能与掺杂的变化示出暗示的材料是近似的空穴掺杂材料的强相关。的光谱是适合准粒子散射模型，而该模型适合的光学数据，总的不一致与光电发射数据被发现，这意味着存在一个大的，强烈的掺杂依赖朗道参数。
2004-11-06 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Theory of the Lightly Doped Mott Insulator
本文提出了适用于大U/t、远离半填充的小掺杂和短程反铁磁自旋关联的哈伯德模型的理论。尽管没有任何对称性破缺，费米面还是以（π/2，π/2）为中心的椭圆形空穴袋的形式，其体积与空穴浓度成比例。短程反铁磁关联使得最近邻跳跃几乎无效，因此只有第二或第三最近邻跳跃对色散关系有明显的贡献。
2010-05-22 cond-mat.str-el
Signatures of the Fermi surface reconstruction of a doped Mott insulator in a slab geometry
本研究利用动力学团簇近似探讨板状几何中空穴掺杂Mott绝缘体，揭示表面关联增强导致费米面从表层空穴型口袋向内层电子型表面演化，并通过Friedel振荡与Luttinger定理破缺提供可靠拓扑变化指标。
2025-09-09 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Doped Mott insulators are insulators: hole localization in the cuprates
我们证明了轻掺杂空穴的莫特绝缘体即使没有无序，在低温下仍然是绝缘体。空穴局域化是因为化学势位于一个赝能隙中，该赝能隙在零温度下的态密度为零。赝能隙的能量尺度由最近邻的单重态-三重态分裂决定。由于这种能量尺度消失，如果过渡，虚拟的或以其他方式，到上哈伯德带是不允许的，在赝能隙制度的基本长度尺度是双占用网站之间的平均距离。因此，赝能隙与两个极限$U\to\infty$（$U$是原位库仑排斥）和$L\to\infty$（系统尺寸）的非交换性有关。
2005-06-29 cond-mat.str-el
