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Pfaffian 分数量子霍尔效应中的类 Andreev 反射

Andreev-like Reflection in the Pfaffian Fractional Quantum Hall Effect

Ryoi Ohashi, Ryota Nakai, Takehito Yokoyama, Yukio Tanaka, Kentaro Nomura

发表信息：
J. Phys. Soc. Jpn. 91, 123703 (2022)
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AI总结：

本文通过强-弱隧穿对偶性论证，研究了 Pfaffian 分数量子霍尔态与整数量子霍尔态边缘间的隧穿输运，发现强隧穿区域出现类 Andreev 反射，并给出了低电压极限下两种区域的电荷电导表达式，指出该现象可在 ν=5/2 与 ν=3 点接触中实验实现。

摘要：

我们研究了 Pfaffian 分数量子霍尔态边缘与整数量子霍尔态边缘之间的隧穿输运。基于强隧穿与弱隧穿之间的对偶性论证，我们发现在强隧穿区域中出现了类 Andreev 反射。我们计算了低电压极限下弱隧穿和强隧穿区域中的电荷电导。在弱隧穿极限下，$dI/dV$ 与偏置电压 $V$ 的 $V^{1/ν}$ 成正比，其中 $ν=1/2$。相比之下，在强隧穿极限下，$dI/dV$ 表示为 $(e^{2}/h)2ν/(1+ν)$ 并带有一个修正项。我们预期这一条件可以在 $ν=5/2$ 分数量子霍尔态与 $ν=3$ 整数量子霍尔态之间的点接触中实验实现。

英文摘要：

We studied the tunnel transport between the edge of a Pfaffian fractional quantum Hall state and that of an integer quantum Hall state. Based on the duality argument between the strong and weak tunnelings, we found that an Andreev-like reflection appeared in the strong tunneling regime. We calculated the charge conductance in the weak and strong tunneling regimes for the low-voltage limit. In the weak tunneling limit, $dI}/dV$ was proportional to $V^{1/ν}$ with bias voltage $V$ and $ν=1/2$. By contrast, in the strong tunneling limit, $dI/dV$ was expressed by $(e^{2}/h)2ν/(1+ν)$ with a correction term. We expect that this condition can be realized experimentally at the point contact between a fractional quantum Hall state with $ν=5/2$ and an integer quantum Hall state with $ν=3$.

机构、总结、中文摘要均由AI分析而来，可能存在错误，请以论文正文为准。

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