Towards visualisation of central-cell-effects in scanning-tunnelling-microscope images of subsurface dopant qubits in silicon
磷施主波函数的原子尺度理解支持硅基量子器件的设计和优化。计算施主波函数的大规模理论方法的准确性取决于中央单元校正的描述，中央单元校正根据经验拟合以匹配实验结合能或与波函数的全局性质相关的其他量。直接理解施主波函数中的这种效应的方法具有很大的意义。在这里，我们应用一个全面的原子理论框架来计算扫描隧道显微镜（STM）图像的亚表面施主波函数与两个中央细胞校正formalisms以前在文献中。基于实空间图像特征和傅里叶变换轮廓的中心单元模型之间的比较表明，在模拟的STM图像中，在硅表面以下的10个单层中，中心单元效应是可见的。我们的研究激发了未来通过STM成像技术对中央细胞效应进行实验研究的潜力，微调理论模型，这可能在可扩展量子计算机架构中基于供体的量子系统的设计中发挥至关重要的作用。
2017-10-02 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.comp-ph
Dynamical suppression of fluctuations in an interacting nuclear spin bath of a self-assembled quantum dot using multiple pulse nuclear magnetic resonance
量子点中的电子自旋量子比特相干性最终受到随机核自旋浴涨落的限制。在这里，我们的目标是消除这种随机性，使纺丝浴演变确定性。我们引入自旋浴控制序列，系统地结合哈恩和固体回声，以抑制非均匀加宽和核-核相互作用。对自组装量子点的实验表明，核自旋相干性增加了五倍。数值模拟表明，这些序列可以用来抑制点缺陷和掺杂自旋系统中通过量子位-量子位相互作用引起的退相干。
2017-11-20 cond-mat.mes-hall
Pauli spin blockade at room temperature in double-quantum-dot tunneling through individual deep dopants in silicon
该研究证明硅场效应晶体管中的两个深掺杂剂可形成室温双量子点，并在直至室温下实现泡利自旋阻塞，支持高灵敏磁传感、磁共振解除和Rabi振荡观测。
2025-07-24 cond-mat.mes-hall quant-ph
Phonon-induced decoherence and dissipation in donor-based charge qubits
研究了在硅基质晶体中注入两个掺杂离子共享一个电子的轨道态所实现的施主电荷量子比特中声子诱导的退相干和耗散。掺杂剂离子取自V族元素Bi、As、P、Sb。过量电子耦合到在Si宿主中占主导地位的变形势声学声子。特定的几何形状定制了声子模式的非单调频率分布。我们确定了精确的量子比特动力学的声子的影响下，采用数值精确的准绝热传播路径积分计划，从而考虑到所有浴诱导的相关性。特别是，我们改进了该计划完全消除了Trotter离散误差的Hirsch-Fye外推。通过比较精确的结果，玻恩-马尔可夫近似，我们发现，后者产生适当的估计的退相干和弛豫率。然而，由于非马尔可夫贡献出现明显的定量校正。
2006-09-07 cond-mat.mes-hall cond-mat.other quant-ph
Roadmap for gallium arsenide spin qubits
砷化镓（GaAs）中的栅极限定的量子点由于制造相对简单和有利的电子性质（诸如单个导带谷、小的有效质量和稳定的掺杂剂）而被广泛用于开创自旋量子位器件。GaAs自旋量子比特在许多实验室中很容易生产，目前正在研究各种应用，包括纠缠，量子非破坏测量，自动调谐，多点阵列，相干交换耦合和隐形传态。即使很多注意力转移到其他材料，GaAs器件可能仍然是概念验证量子信息处理和固态实验的主力。
2020-11-27 cond-mat.mes-hall quant-ph
Stable electroluminescence in ambipolar dopant-free lateral p-n junctions
针对 GaAs/AlGaAs 无掺杂横向 p-n 结的寄生电荷积累问题，提出低温原位栅压重置协议，实现稳定窄线宽电致发光及激子态表征。
2023-08-15 cond-mat.mes-hall
Large-scale atomistic density functional theory calculations of phosphorus-doped silicon quantum bits
我们提出了密度泛函理论计算磷掺杂剂在体硅和几个属性有关的使用自旋量子比特的量子计算。而不是一个混合的赝势或海特勒-伦敦的方法，我们已经使用了明确的治疗的磷供体和检查详细的电子结构的系统作为各向同性掺杂分数的函数，包括晶格弛豫由于杂质的存在。掺杂电子密度和自旋密度进行检查，以研究作为各向同性掺杂分数的函数的掺杂剂电子的属性。掺杂电位也计算用于计算的散射截面的磷掺杂剂，这是重要的电检测的磁共振实验的理解。我们发现，掺杂剂周围的电子密度导致掺杂电位的非球形特征，例如在（001）平面中的三角叶，其能量标度为+12 eV靠近核和-700 meV延伸远离掺杂剂。这些特征在有效质量理论中通常被忽略，并且会影响施主电子与磷核之间的耦合。我们的密度泛函计算揭示了掺杂剂的密度和电势的细节，这些掺杂剂在不包括明确处理磷供体原子和晶格弛豫的计算中并不明显。这些细节也可以用于参数化的紧束缚模型的模拟大规模的设备。
2013-07-23 cond-mat.mes-hall quant-ph
Semiconductor Qubits In Practice
近年来，半导体量子比特经历了一个显着的演变，在克服退相干以及可扩展性的前景方面取得了巨大的进步，并已成为大规模量子线路发展的主要竞争者之一。在这篇综述中，我们描述了目前的最先进的半导体电荷和自旋量子比特的基础上的栅极控制的半导体量子点，浅掺杂剂，和宽带隙材料中的色心。我们在量子模拟，计算，传感和网络的背景下，不同的半导体量子比特实现的相对优势。通过强调基本类型的半导体量子比特的现状和未来前景，这篇评论旨在为非专业人士提供技术介绍，并为打算在这一领域工作的科学家提供前瞻性参考。
2020-05-13 cond-mat.mes-hall quant-ph
Characterization of coherent impurity effects in solid state qubits
我们提出了固态量子比特中相干杂质效应的表征。我们引入了一个有效的杂质描述在一个可调的自旋玻色子环境和解决量子比特相干的动力学。确定了表征渐近时间极限的主导速率，并指出了量子杂质在中间时间的非高斯行为的签名。另一种观点认为量子位作为自旋玻色子杂质的测量设备提出。
2008-01-28 cond-mat.mes-hall cond-mat.stat-mech
Superexchange coupling of donor qubits in silicon
本研究提出在硅中线性排列四个磷供体，利用超交换实现相距30-45纳米的端部量子比特自旋耦合，并通过全组态相互作用计算验证其电学可调性，降低噪声与栅极密度。
2023-09-01 cond-mat.mes-hall
Correlated charge detection for read-out of a solid state quantum computer
单电子晶体管（SET）是固态量子计算机中读出量子比特最终态的主要候选器件。这种测量需要在存在随机充电事件的情况下检测子电子电荷运动。我们提出了一种检测方案，其中来自两个SET的信号互相关，以抑制由于电荷噪声而产生的不必要的伪影。通过使用两个SET来检测两个隧道结耦合的金属点的电荷状态，从而模拟两个量子比特系统中的电荷转移和读出，来证明这种技术。这些测量表明，对于可比的掩埋掺杂剂半导体架构，区分两种电荷状态所需的最小测量时间为10 ns的量级。
2002-07-25 cond-mat.mes-hall
Rapid cryogenic characterisation of 1024 integrated silicon quantum dots
该研究将1024个硅量子点与片上数模电子器件集成，利用射频反射测量、模拟多路复用和机器学习实现5分钟低温表征，为大规模量子比特阵列片上寻址奠定基础。
2023-10-31 cond-mat.mes-hall quant-ph
Protecting a diamond quantum memory by charge state control
近年来，固态自旋系统已成为量子信息处理（QIP）的有希望的候选者。突出的例子是金刚石中的氮空位（NV）中心、硅中的磷掺杂剂（Si：P）、固体中的稀土离子和碳化硅（SiC）中的V $_{\text{Si}}$中心。Si：P系统已经证明，通过消除掺杂剂的电子自旋，其核自旋可以产生非常长的自旋相干时间。然而，对于NV中心，尚未确定用于存储核自旋量子比特相干性的适当电荷状态。在这里，我们确定和表征带正电的NV中心作为一个电子自旋和光学非活性状态，利用核自旋量子位作为探针。我们利用纳米尺度的栅电极来控制电子的电荷和自旋。我们实现了延长核自旋相干时间的20倍。令人惊讶的是，新的电荷状态允许切换单个节点的光学响应，从而促进完全的个体寻址能力。
2017-02-06 cond-mat.mes-hall quant-ph
Two-electron states of a group V donor in silicon from atomistic full configuration interaction
与硅中的施主结合的双电子态对于双量子位门和自旋读出都很重要。我们提出了一个全组态相互作用技术在原子紧束缚的基础上捕捉多电子交换和相关效应，同时考虑到硅的全能带结构和原子尺度的纳米器件的粒度。发现具有$A_1$ -对称性的类$s$激发态强烈影响负施主中心的充电能量.我们将该技术应用于亚表面掺杂剂进行栅极电场，并显示，绑定三重态出现在光谱中作为一个结果，减少充电能量。在各种限制机制中获得的双电子态的交换能可以实现对施主点混合量子比特中的自旋的工程电控制。
2017-03-12 cond-mat.mes-hall
Hydrogenic Spin-Valley states of the Bromine donor in 2H-MoTe$_2$
本研究通过电子自旋共振和扫描隧道谱，发现2H-MoTe$_2$中的溴掺杂剂具有长纳秒相干时间的自旋，并证明其氢波函数与Q-谷杂化，从而继承锁定自旋-谷特性，为量子比特编码提供新途径。
2023-05-01 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Surface reconstruction induced anisotropic energy landscape of bismuth monomers and dimers on the Si(001) surface
本文使用 ab-initio 方法研究了铋原子在 Si(001) 表面的吸附，发现二聚体行表面重构导致各向异性跃迁路径，并通过沉积模拟预测吸附位点占据，为铋原子作为硅表面量子比特奠定基础。
2023-09-06 cond-mat.mes-hall physics.comp-ph
A Computational Workflow for Designing Silicon Donor Qubits
开发能够可靠、准确地演示叠加和纠缠原理的设备是量子计算界面临的一个持续挑战。建模和仿真提供了测试早期器件设计和建立操作性能预期的有吸引力的方法。然而，量子器件设计所需的复杂集成材料系统无法通过任何单一的现有计算建模方法来捕获。我们研究了多阶段计算工作流程的开发和分析，该工作流程可用于设计和表征硅施主量子比特系统，并进行建模和仿真。我们的方法集成了量子计算化学计算与静电场求解器进行详细的模拟硅中的磷掺杂剂。我们展示了如何原子的细节可以合成到一个操作模型的逻辑门，定义量子计算在这个特定的技术。由此产生的计算工作流程实现了硅施主量子位的设计工具，可以帮助验证和验证当前和近期的实验设备。
2016-08-04 cond-mat.mes-hall cs.ET quant-ph
Optically Controlled Entangling Gates in Randomly Doped Silicon
随机掺杂的硅在量子计算方面具有许多竞争优势;它不仅制造速度快，而且作为掺杂密度的函数，它自然可以包含大量的量子位和逻辑门。我们确定在随机掺杂的硅，包括两个不同的掺杂剂物种的纠缠门的密度。首先，我们定义的条件和绘图的相对位置的掺杂剂必要的，他们形成交换相互作用介导的纠缠门。其次，利用最近邻泊松点过程理论，我们计算了单、双物种栅达到最大密度所需的掺杂浓度。我们发现我们的结果与蒙特卡罗模拟，我们提出的算法，它处理多个施主结构和规模最佳的掺杂剂的数量，并用它来提取施主结构没有捕获我们的泊松点过程理论的协议。第三，使用移动平均集群扩展技术，我们作出预测的原理实验证明，一个物种的控制，由另一个的轨道激发。这些随机分布中密度优化的组合方法可能对其他凝聚态系统以及物理学之外的应用有用。
2019-02-01 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall quant-ph
Extracting quantum work statistics and fluctuation theorems by single qubit interferometry
我们提出了一个利用电流技术验证量子非平衡涨落关系的实验方案。具体地说，我们表明，一般量子系统的非平衡淬火的工作分布的特征函数可以从一个单一的探针量子比特的拉姆齐干涉提取。我们的计划铺平了道路，在各种复杂的量子系统，从单粒子到多体原子系统和自旋链的非平衡过程的充分表征。我们证明了我们的想法，使用一个依赖于时间的淬火的运动状态的被困离子，其中内部的伪自旋提供了一个方便的探针量子位。
2013-02-11 cond-mat.mes-hall cond-mat.stat-mech quant-ph
An electron-spin qubit platform assembled atom-by-atom on a surface
在原子尺度上创建量子相干结构一直是量子科学和纳米技术的一个雄心。这种最终的长度尺度需要使用原子的基本量子特性，例如电子的自旋，这在许多固态环境中自然发生，并允许通过电磁手段进行高保真操作和读出。然而，尽管经过数十年的努力，实现原子尺度的量子架构仍然是一项艰巨的任务，其中多个电子自旋量子比特可以精确组装，可控耦合和相干操作。例如，在半导体中的掺杂剂和绝缘体中的色心中产生的电子自旋量子比特可以很好地单独控制6 -8，但很难耦合到一起形成电路。另一方面，表面上的多个磁性原子和分子可以通过使用扫描隧道显微镜（STM）构建复杂的原子结构来彼此耦合，但是相干操作迄今为止仅限于隧道结中的单个量子位。在这里，我们展示了一个原子尺度的量子位平台，通过显示原子的原子结构，相干操作，并在表面上读出多个电子自旋量子位。为了能够相干控制隧道结外部的远程量子比特，我们用来自附近单原子磁体的局部磁场梯度来补充每个电子自旋。为了实现远程量子比特的读出，我们在隧道结中采用传感器量子比特并实现脉冲双电子自旋共振。使用这些方法，我们展示了快速的单，双，和三个量子比特操作在一个全电的方式。我们的工作标志着一个Angstrom规模的量子位平台的创建，在这个平台上，使用电子自旋阵列的量子功能，在表面上逐个原子地构建，现在已经触手可及。
2022-08-05 cond-mat.mes-hall quant-ph
Vanadium spin qubits as telecom quantum emitters in silicon carbide
具有自旋寄存器的固态量子发射器是量子通信的有前途的平台，但很少在低损耗光纤网络所需的窄电信频带内发射。在这里，我们在碳化硅（SiC）中创建和隔离近表面的单一钒掺杂剂，在O波段（1278-1388 nm）具有稳定和窄的发射，亮度允许在晶圆级CMOS兼容材料中进行无腔检测。在钒系综中，我们表征了4 H-SiC和6 H-SiC中所有五个可用位点的复杂d1轨道物理。光学跃迁对来自局部硅和碳同位素的质量偏移敏感，从而实现光学分辨的核自旋寄存器。在基态和激发轨道态的光学检测磁共振揭示了各种超精细相互作用与钒核自旋和量子存储器的时钟跃迁。最后，我们展示了自旋态的相干量子控制。这些结果为固态电信发射体的量子应用提供了一条途径。
2019-08-26 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci quant-ph
Transport characterization and quantum dot coupling in commercial 22FDX
为推进硅自旋量子比特制造工业化，研究团队对格芯22FDX平台的6种参考工艺开展系统研究，筛选出可双向耦合量子点的器件，结合模拟提出优化方向，验证了预筛选协议与正向体偏压的价值。
2025-01-17 cond-mat.mes-hall quant-ph
Donor spins in silicon for quantum technologies
掺杂原子在半导体技术中无处不在，提供了支持现代数字信息时代的定制电子特性。利用这些原子尺度物体的量子性质代表了一场令人兴奋的新技术革命。在这篇文章中，我们描述了在硅中使用离子注入施主自旋量子技术。我们回顾了如何在硅中制造和操作单原子自旋量子比特，获得一些最相干的固态量子比特，并讨论了扩大这些量子比特以构建大型量子处理器的途径。具有大核自旋的较重的V族供体显示电四极耦合，使得能够实现核电共振、量子混沌和应变传感。施主系综可以耦合到微波腔，以开发混合量子图灵机。单施主的计数、确定性注入，结合精确放置的新方法，将允许将单个施主自旋与行业标准的硅制造工艺相结合，使注入施主成为第二次量子革命的主要物理平台。
2020-09-09 cond-mat.mes-hall quant-ph
Qubit guidelines for solid-state spin defects
固态材料中与电子和核自旋相关的缺陷与量子信息科学有着悠久的历史，可以追溯到20世纪50年代硅掺杂剂的第一次自旋回波实验。自世纪之交以来，该领域已迅速扩展到适用于量子通信，传感和计算的大量缺陷和宿主晶体。从简单的自旋共振到长距离远程纠缠，自旋缺陷的复杂性正在快速发展，需要深入了解它们的自旋，光学，电荷和材料特性。这对于发现专用于特定量子应用的新相关系统尤其重要。因此，在这次审查中，我们扩展了所有的关键组件，重点是缺陷和宿主材料的特性，工程机会和其他改进途径。最后，这篇评论的目的是尽可能的缺陷和材料不可知论，在一定程度上强调光发射器，为量子信息的固态自旋缺陷领域提供了一个广泛的指导方针。
2020-10-30 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci quant-ph
Strong Spin-Orbit Quenching via the Product Jahn-Teller Effect in Neutral Group IV Artificial Atom Qubits in Diamond
金刚石中的人造原子量子比特已经成为一系列固态量子系统的主要候选者，从量子传感器到存储增强量子通信中的中继节点。由Si、Ge、Sn和Pb掺杂剂组成的反转对称的IV族空位中心具有特别的前景，因为它们的中性电荷电子配置导致基态自旋三重态，从而在低温温度以上实现长自旋相干性。然而，尽管对这些缺陷有极大的兴趣，但对这些中心的电子和自旋结构的理论理解仍然难以捉摸。在这种情况下，我们预测的第一原则的中性IV族色心的基态和激发态的属性。我们在电子-声子耦合的二阶激发态流形中捕捉到了积Jahn-Teller效应，并给出了自旋-轨道耦合效应的非微扰处理。重要的是，我们发现，自旋轨道分裂强烈淬火，由于占主导地位的Jahn-Teller效应，与最低的光学活性$^3E_u$状态弱分裂成$m_s$ -解析状态。中性IV族色心的预测复杂的振动光谱是必不可少的实验鉴定，并在量子信息科学中使用这些系统的关键影响。
2020-01-21 cond-mat.mes-hall physics.chem-ph physics.comp-ph
Engineering long spin coherence times of spin-orbit systems
自旋-轨道耦合从根本上改变了自旋量子位，打开了通过由电场、光子或声子介导的长距离耦合来提高量子计算机的可扩展性的途径。它还允许新的工程混合和拓扑量子系统。然而，具有固有自旋-轨道耦合的自旋量子位由于其短（$\sim1~μ$ s）相干时间$T_2$而对于量子技术尚不可行，而具有长$T_2$的量子位具有弱自旋-轨道耦合，使得量子位耦合短范围并且对于放大具有挑战性。在这里，我们表明，一个内在的自旋-轨道耦合“广义自旋”与总角动量$J=\tfrac{3}{2}$，这是由绑定到应变$^{28}\mathrm{Si}$中的硼掺杂剂原子的空穴定义，具有$T_2$抗衡电子自旋的施主和量子点在$^{28}\mathrm{Si}$。利用脉冲电子顺磁共振，我们得到了$0.9~\mathrm{ms}$ Hahn-echo和$9~\mathrm{ms}$的动态退耦$T_2$时间，其中应变起着关键作用，以减少自旋晶格弛豫和纵向电耦合负责退相干由电场噪声.我们的分析表明，横向电偶极子可以用于电操纵和量子比特耦合，同时保持弱的纵向耦合，一个功能的$J=\tfrac{3}{2}$原子系统与应变工程四极自由度。这些结果建立了硅中的单原子空穴自旋，其具有量子化的总角动量，而不是自旋，作为具有可调谐的内在自旋轨道耦合的高度相干平台，有利于构建人工量子系统和长距离耦合量子比特。
2018-10-01 cond-mat.mes-hall quant-ph
Improved placement precision of implanted donor spin qubits in silicon using molecule ions
本文提出用PF$_2^+$分子离子替代单原子进行确定性离子注入，以提高硅中P施主自旋量子比特的放置精度，并证明F在退火后远离有源区且量子比特相干性能保持优异。
2023-08-08 cond-mat.mes-hall quant-ph
Low disorder and high valley splitting in silicon
该研究通过对硅材料堆叠进行协同设计，同时实现低无序、低电荷噪声和高谷分裂，为高性能量子点量子比特处理器提供材料基准。
2024-02-02 cond-mat.mes-hall
Room temperature donor incorporation for quantum devices: arsine on germanium
锗已成为自旋电子学和量子信息应用中非常有前途的材料，与硅相比具有显著的基本优势。然而，使用施主原子作为量子比特来创建原子级器件的努力主要集中在硅中的磷上。以原子级精度在硅中定位磷需要热结合退火，但该步骤的低成功率已被证明是阻止按比例放大到大规模器件的基本限制。在这里，我们提出了一个全面的研究砷（AsH $_3$）的锗（001）表面。我们表明，与任何以前研究的硅或锗掺杂剂前体，砷原子完全纳入替代表面晶格在室温下的网站。我们的研究结果为下一代原子级施主器件铺平了道路，该器件将锗的优越电子特性与砷化氢/锗化学的增强特性相结合，有望扩大到大量确定性放置的量子位。
2022-03-16 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci quant-ph
Gate-based spin readout of hole quantum dots with site-dependent $g-$factors
本研究通过栅极反射测量法实验研究硅空穴双量子点，利用磁光谱特征提取位置依赖的g因子，并结合解析与数值计算展示了便捷提取局部g因子信息的前景。
2023-04-17 cond-mat.mes-hall quant-ph
Control of threshold voltages in Si/SiGe quantum devices via optical illumination
University of Wisconsin-Madison（威斯康星大学麦迪逊分校）；Johns Hopkins University Applied Physics Laboratory（约翰斯·霍普金斯大学应用物理实验室）；University of California-Berkeley（加州大学伯克利分校）
本研究通过光学照明在Si/SiGe场效应晶体管中实现对阈值电压的可控调节，并提出了一种解释其可调性的模型。
2024-06-20 cond-mat.mes-hall quant-ph
Electric-field tuning of the valley splitting in silicon corner dots
我们对奈米线场效电晶体中的矽角点进行激发态光谱分析，以评估谷分裂的电场可调性。首先，我们展示了一个单量子点和一个双量子点之间的背栅控制的过渡并联，允许调整设备中的角点形成。我们发现谷分裂对背栅电压的线性依赖性，从$880~μ\text{eV}$到$610~μ\text{eV}$，斜率为$-45\pm 3~μ\text{eV/V}$（或等效地，相对于有效场的斜率为$-48\pm 3~μ\text{eV/(MV/m)}$）。紧束缚模拟，包括表面粗糙度的影响，远程电荷在栅极堆叠和离散掺杂剂在沟道中的实验结果的支持。我们的研究结果展示了一种电调谐基于绝缘体上硅的量子点中的谷分裂的方法，这是实现硅自旋量子比特的全电操纵的要求。
2018-07-23 cond-mat.mes-hall
Automatic tuning of a donor in a silicon quantum device using machine learning
本文提出首个机器学习算法，可自动定位硅器件中离子注入施主的电荷跃迁、调谐单发电荷读出并识别对称隧穿栅压，实现数分钟级自动调谐，速度超越人类专家。
2025-11-06 cond-mat.mes-hall quant-ph
An Exchange-Coupled Donor Molecule in Silicon
硅中的施主在概念上被描述为半导体环境中的氢原子类似物，已经成为许多“摩尔效应”提议的关键成分，例如量子信息处理[1-5]和单掺杂电子学[6，7]。该领域已经达到的成熟水平使得能够制造和演示基于单个杂质原子的晶体管[8，9]，从而允许通过电输运测量来检查预测的单施主能谱。概括这个概念，供体对可以表现为氢分子类似物。然而，分子量子力学的解决方案只带我们到目前为止，详细了解这些分子系统的电子结构是一个挑战，要克服。在这里，我们提出了一个结合的实验-理论演示的能谱的强相互作用的施主对在硅纳米晶体管的通道，并显示可测量的两个施主交换耦合的第一个观察。此外，对三种电荷状态的分析表明，相对于单施主光谱的结合能和充电能同时增强。测量的数据准确匹配的有效质量理论，将在Si中的布洛赫态多重性，一个中心单元校正的施主势和2-电子光谱的全组态相互作用处理得到的结果。我们的数据描述了Kane量子处理方案[1]中的基本2量子比特纠缠元素，即交换耦合，在分子杂交的范围内实现。
2013-12-16 cond-mat.mes-hall
Analog Quantum Simulator of a Quantum Field Theory with Fermion-Spin Systems in Silicon
本文提出利用硅中掺杂原子阵列构建原生费米子-自旋模拟量子模拟器，实现扩展Jackiw-Rebbi模型，并证明在该平台上可模拟动力学质量生成和禁闭-退禁闭相变，为硅基量子场论模拟奠定基础。
2024-07-03 cond-mat.mes-hall hep-lat hep-ph
