Topological Wannier excitons in bismuth chalcogenide nanosheets I: Single-particle properties
我们分析了铋硫族化物拓扑绝缘体纳米片中的体Wannier激子的拓扑结构和色散。我们的主要发现是，激子也继承的拓扑结构的电子带，量化的组成电子和空穴的赝自旋作为总激子动量的函数的skyrmion缠绕数。我们进一步证明了每个$s$波激子态都是由一个四重态和一个二阶色散的非手征双峰以及一个手征双峰组成的，手征双峰和过渡金属二硫族化物一样具有一个线性色散模式。我们还证明了存在的拓扑边缘态的手征激子所产生的体积边界对应。
2023-02-27 cond-mat.mes-hall
Evidence for the suppression of the hybrid skin-topological effect by fragile topology
本研究通过双层呼吸蜂窝晶格揭示了脆弱拓扑与杂化皮肤-拓扑效应之间的关系，展示了层间耦合对拓扑边缘态和角态转变的影响。
2026-01-07 cond-mat.mes-hall
Fragile Topology and Wannier Obstructions
拓扑相，如陈省身绝缘体，定义在添加剂指数，对平凡的自由度的增加是稳定的。这样的拓扑结构对任何Wannier表示，即用对称的、指数定域的Wannier函数表示电子态，都是一个障碍。在这里，我们解决相反的问题：障碍Wannier表示意味着稳定的带拓扑结构？我们的回答是否定的，指出有些带也可以显示出一种独特的“脆弱拓扑”。具有脆弱拓扑的带本身不允许任何Wannier表示，但是一旦提供了某些额外的平凡自由度，这样的表示就成为可能。我们构建了一个物理模型的脆弱拓扑结构的蜂窝晶格，也有助于解决最近的困惑带理论。该模型提供了一个反例，以假设[Nature 547，298- 305（2017）]中引入的“基本带表示”的分裂导致单独拓扑的带。相反，我们的模型的分裂带的一半实现了一个平凡的带指数本地化对称Wannier函数，而第二半具有脆弱的拓扑结构。我们的工作突出了一个重要的和以前被忽视的能带结构和Wannier函数之间的连接，并预计将有深远的影响，由于Wannier函数在真实材料的建模中发挥的核心作用。
2018-09-18 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Photoexcitation of planar Wannier excitons by twisted photons
该研究推导了半导体薄膜中涡旋光子激发平面Wannier激子的跃迁概率公式与角动量选择定则，分析了两种相互作用势，提出平面激子可作片上涡旋光子源，公式还适用于带电杂质束缚载流子的光激发描述。
2022-09-28 cond-mat.mes-hall physics.optics
Optical second harmonic generation from Wannier excitons
半导体线性光学响应中的激子效应是众所周知的，并且是无数实验和理论研究的主题。然而，对于技术上重要的二阶非线性响应，激子效应的描述已被证明是困难的。在这项工作中，一个简化的三带Wannier激子模型的立方半导体和复杂的二次谐波响应函数包括加宽的封闭形式的表达式推导。我们的计算光谱被发现是在良好的协议与测量的带边附近的响应。此外，一个非常大的增强的非线性响应预测的透明区域。
2007-03-08 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
High harmonic generation in crystals using Maximally Localized Wannier functions
在这项工作中，非线性光学响应，特别是高次谐波产生的半导体解决了使用Wannier规范。半导体布洛赫方程的时间演化中的一个主要问题在于，不同能带之间的偶极耦合可以发散，并且沿着倒易空间具有随机相位，这导致数值不稳定性。为了解决这个问题，我们建议使用的最大局部化的Wannier函数，提供了一个框架，映射从头计算到一个有效的紧束缚哈密顿量具有很高的精度。我们表明，工作在Wannier规范，基组中的布洛赫函数直接从Wannier函数构造，偶极耦合成为顺利沿倒易空间，从而避免了随机相位的问题。作为数值演示，计算了hBN的二维单层的高次谐波产生谱。
2019-09-09 cond-mat.mes-hall quant-ph
Quantum Dot Lattice Embedded in An Organic Medium: Hybrid Exciton State and Optical Response
我们提出了一个新的模型，通过将半导体量子点阵列嵌入到有机介质中来实现有机激子-半导体激子杂化。当每个半导体点中的激子通过多极-多极耦合与阵列中不同dto中的其它激子相互作用时，形成Wannier-Mott转移激子。由于有机分子的Frenkel激子与量子点阵列的Wannier-Mott转移激子之间的强偶极-偶极相互作用，在体系中出现了一种新的混合激子。这种混合激子既有大的振子强度（类Frenkel）又有大的玻尔半径（类Wannier）。在这两种类型的激子之间的共振，光学非线性是非常大的，可以通过改变系统的参数，如点半径和点间距控制。
1999-12-14 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Generalized s-d model for Wannier-Mott excitons in layered magnetic semiconductors
Rheinland-Pfälzische Technische Universität Kaiserslautern-Landau（莱茵兰-普法尔茨技术大学凯泽斯劳滕-兰道校区）；Hanyang University（汉阳大学）
本文提出广义s-d模型，以CrSBr双层为案例，结合自旋与层赝自旋量子数守恒，揭示层状A型反铁磁半导体的亮暗激子态，为相关研究提供指导。
2026-09-04 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.optics
Direct manifestation of band topology in the winding number of the Wannier-Stark ladder
物质的拓扑量子相一直是当代凝聚态物理研究的热点。拓扑物质包括拓扑绝缘体、拓扑超导体和拓扑半金属等，它们的奇异性质一直受到人们的广泛关注。对于拓扑绝缘体来说，通过无间隙螺旋边缘或表面态的无耗散传输应该发挥决定性作用，不幸的是，由于样品边界中不可避免地诱发反向散射，这在实验中被证明很难实现。出于拓扑不变量和Zak相位之间的基本连接，在这里，我们表明，非平凡的二维和三维拓扑绝缘体，其特征在于陈数和$\mathbb{Z}_2$不变量，分别带拓扑，直接表现在绕组数的Wannier-Stark阶梯（WSL）下出现的电场。我们使用Floquet格林函数的形式主义表明，绕组数的WSL是强大的带间干扰，以及非磁性杂质散射。
2015-10-26 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Hidden topology and strong quantum metric bounds in trivial systems
Hefei National Laboratory（合肥国家实验室）；University of Science and Technology of China（中国科学技术大学）；Fudan University（复旦大学）；Westlake University（西湖大学）；Great Bay University（大湾区大学）
研究在二维系统中，传统陈数对量子度量积分（QMI）的界定在某些平凡系统中失效的问题。通过降维框架将二维QMI分解为低维分量，为其建立非零下界，并在多个模型中验证，还研究了高阶拓扑相，推广了量子几何与拓扑的关系。
2026-07-28 cond-mat.mes-hall
Lecture Notes on Berry Phases and Topology
在这些笔记中，我们审查的Berry相位和拓扑结构的作用，在非相互作用的电子系统。主题包括绝热定理，平行输运，和Wannier函数进行了审查，重点是连接到拓扑绝缘体。
2021-11-16 cond-mat.mes-hall
Non-Hermitian Origin of Detachable Boundary States in Topological Insulators
本文揭示拓扑绝缘体中可分离边界态与非厄米拓扑的对应关系，区分内禀与外禀非厄米拓扑的作用，并借助K-理论完成Wannier可局域性和可分离边界态的十重分类。
2025-08-28 cond-mat.mes-hall math-ph math.MP
Binding energies of trions and biexcitons in two-dimensional semiconductors from diffusion quantum Monte Carlo calculations
激子效应在二维（2D）半导体的光电行为中起着特别重要的作用。为了便于解释实验的光吸收和光致发光光谱，我们提供了统计上精确的扩散量子Monte Carlo结合能数据Mott-Wannier模型的激子，trions，和双激子在二维半导体。我们还提供接触对密度，允许使用一阶微扰理论的载流子之间的接触（交换）的相互作用的描述。我们的数据表明，在二维半导体中，三电子的结合能通常大于双激子的结合能。我们提供的插值公式给出的结合能和接触密度的二维半导体作为电子和空穴的有效质量和面内极化率的函数。
2017-01-25 cond-mat.mes-hall
$K$-theory classification of Wannier localizability and detachable topological boundary states
本文利用 K 理论统一了 Wannier 可局域性与拓扑边界态可分离性的分类，证明从边界视角分类内禀和外禀非厄米拓扑与从体视角通过 Altland-Zirnbauer 到 Wigner-Dyson 对称类的同态分类结果一致。
2025-08-28 cond-mat.mes-hall math-ph math.MP
Bloch Oscillation under a Bichromatic Laser: Quasi-Miniband Formation, Collapse, and Dynamical Delocalization and Localization
提出了一种新的半导体超晶格直流和交流驱动结构，其中太赫兹交流驱动由强双色连续激光提供。激光的两个分量，通常在可见光范围内，与带间Wannier-Stark跃迁接近但不完全共振，并且它们的频率差等于Wannier-Stark阶梯间距。导（价）带中间态的多光子过程导致价（导）电子的动态离域和定域，以及相应的准迷你带的形成和坍塌。
1999-06-24 cond-mat.mes-hall
Automated construction of symmetrized Wannier-like tight-binding models from ab initio calculations
Wannier紧束缚模型是利用第一性原理计算构造的有效模型。因此，它们弥补了第一性原理计算的准确性和有效模型的计算简单性之间的差距。在这项工作中，我们通过引入对称化后处理步骤，扩展了现有的从第一性原理计算创建Wannier紧束缚模型的方法，这使得能够生产尊重所考虑的晶体的对称性的Wannier样模型。此外，我们还实现了自动化工作流程，可以为大量化学和结构相似的化合物或受外部影响（如应变）的材料生成大量紧密结合的模型。作为特定说明，这些工作流程应用于应变III-V族半导体材料。这些结果可用于进一步研究III-V族量子阱中的拓扑相变。
2018-10-05 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.comp-ph
Protected Gapless Edge States In Trivial Topology
研究受保护无能隙边缘态是否必然意味着体态拓扑特征，发现一类平凡拓扑绝缘体中边缘态由镜像反对称性保护，可通过纠缠谱谱流表征。
2022-06-10 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Fragile topology on solid grounds: a mathematical perspective
本文从数学角度研究凝聚态物理中的脆弱拓扑，证明非平凡欧拉类是构造对称相容指数局域化万尼尔函数的阻碍，且添加对称布洛赫丛可消除该阻碍，解释了拓扑脆弱性的数学机制。
2025-08-02 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el math-ph
Ab initio quantum approach to electron-hole exchange for semiconductors hosting Wannier excitons
本文用二次量子化和 Bloch 态电子算符提出电子-空穴对交换的从头算量子理论，揭示其源于带间 Coulomb 过程、仅作用于自旋单态，并指出奇异性来自倒格矢零项，同时反驳既有激子与极化激元推论。
2023-08-18 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci quant-ph
Describing Migdal effects in diamond crystal with atom-centered localized Wannier functions
最近的研究从理论上研究了由暗物质（DM）-核散射引起的原子激发和电离，发现突然反冲的原子比预期的更容易激发或失去电子。这种现象被称为“米格达尔效应”。本文在紧束缚近似下，将描述孤立原子中Migdal效应的策略推广到半导体中。由于电子的局域化方面是以Wannier函数（WFs）的形式来考虑的，因此将现有的Migdal方法扩展到孤立原子更加自然，而固体中电子的广泛性质则反映在跳跃积分中。以金刚石靶为例，计算了金刚石探测器的能谱和投影灵敏度。结果表明，该方法作为一种初步的尝试，在实践中是有效的.
2020-08-26 cond-mat.mes-hall hep-ph nucl-th
Dynamical Fragile Topology in Floquet Crystals
虽然脆弱拓扑在静态晶体中的Wannier阻塞方面得到了深入的研究，但如何将这个概念推广到动力学系统还不清楚。在这项工作中，我们推广了脆弱拓扑的概念，并提供了一个定义的脆弱拓扑的非相互作用Floquet晶体，我们称之为动态脆弱拓扑。与Wannier阻塞定义的静态脆弱拓扑不同，动态脆弱拓扑被定义为非平凡量子动力学的静态极限阻塞（OTSL）。具体地说，当且仅当它在以保持相关间隙（RG）的直和方式添加了保密静态哈密顿量之后消失时，Floquet晶体的OTSL是脆弱的。我们进一步提出了一个具体的2+1D例子的动态脆弱拓扑结构，基于一个模型，这是定性相同的动力学模型与反常手性边缘模式[Ruffel等人，X 3，031005（2013）]。在2+1D的例子中，脆弱的OTSL表现出异常的手征边缘模式的自然开边界条件，并不需要任何晶体对称性，除了晶格平移。我们的工作为研究一般量子动力学的脆弱拓扑铺平了道路。
2021-11-09 cond-mat.mes-hall cond-mat.other quant-ph
Mapping the Topological Phase Diagram of Multiband Semiconductors with Supercurrents
我们表明，约瑟夫森结的多带半导体与强自旋轨道耦合进行临界超导$I_c$，其中包含有关系统的非平凡拓扑结构的信息。特别是，我们发现，在结中的Majorana束缚态的出现和湮灭反映在强的奇偶效应在$I_c$在小的结透明度。该效应允许$I_c$与结的拓扑相图之间的映射，从而提供其拓扑的直流测量。
2014-04-21 cond-mat.mes-hall
Response to polarization and weak topology in Chern insulators
本研究证明Chern绝缘体中极化的差异是定义明确且物理有意义的，可解释束缚电荷与绝热电流，并在晶体对称性下导致弱拓扑相，推广至量子自旋霍尔和三维拓扑绝缘体，确立体极化的体-边界对应。
2023-04-25 cond-mat.mes-hall physics.optics
Multicellularity of delicate topological insulators
对于拓扑绝缘体来说，“可万化”并不是故事的结局。我们介绍了一个家庭的拓扑绝缘体，将被认为是平凡的十倍的方式，拓扑量子化学，和方法的基于拓扑的指标设置的范例。尽管具有对称的指数局部化的Wannier表示，但每个Wannier函数不能完全局部化到块体中的单个原始晶胞。这样的多细胞拓扑结构被证明既不稳定，也不脆弱，但微妙的，即，可以通过向价带或导带添加平凡带来使拓扑无效。
2021-06-02 cond-mat.mes-hall math-ph math.MP
$\textit{Ab initio}$ four-band Wannier tight-binding model for generic twisted graphene systems
新出现的扭曲石墨烯体系如扭曲双层石墨烯（TBG）、扭曲双层石墨烯（TDBG）和扭曲三层石墨烯（TTG）引起了广泛的理论关注。因此，建立一个简单、准确的系统模型对于进一步的研究具有重要意义。在这里，我们构造了一般小扭曲角扭曲石墨烯系统的自适应局域Wannier函数和相应的$\textit{ab initio}$最小两谷四带有效紧束缚模型.这种双谷模型避免了单谷模型中脆弱拓扑所造成的Wannier障碍。引入实空间谷算子来明确描述谷$U_{v}\left(1\right)$对称性。每个Wannier轨道都呈现出一种特殊的三峰形式，其最大值位于AA点，中心位于AB或BA点。给出了一个扩展的哈伯德模型，并给出了有关参数的显式表达式。我们提供了一种方法来系统地建立通用扭曲石墨烯系统的Wannier紧束缚模型。我们的模型为进一步研究这些系统中的多体效应提供了坚实的基础。
2020-12-04 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Plasmon-polaritonic quadrupole topological insulators
四极拓扑绝缘体是一种具有Wannier带拓扑结构的高阶拓扑相，但在等离子体超材料中尚未实现。在这里，我们提出了一个晶格的等离子体激元极化激元纳米腔，可以实现四极拓扑绝缘体通过利用菊花状纳米腔之间的耦合的几何依赖的符号反转。所设计的系统表现出各种拓扑和平凡的相位，其特征在于嵌套的Wannier带和拓扑四极矩，可以通过纳米腔之间的距离来控制。我们的研究为具有四极拓扑结构的等离子体拓扑超材料开辟了一条道路。
2019-11-25 cond-mat.mes-hall physics.class-ph physics.optics
Designing topology and fractionalization in narrow gap semiconductor films via electrostatic engineering
该研究提出仅用外部静电超晶格势在窄隙半导体薄膜中构造拓扑平微带，证明其可在零磁场下承载整数与分数量子反常霍尔态及复合费米液体相。
2025-01-10 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Interaction-induced crystalline topology of excitons
本研究将对称性指标拓扑理论应用于中心对称半导体的相互作用激子能带，区分继承与固有拓扑不变量，提出位移激子概念，解释了非相互作用能带平凡时激子谱的非平凡拓扑及边缘态，并在SSH模型中验证且提出实验观测方案。
2024-05-29 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Majorana zero modes in semiconductor-superconductor hybrid structures: Defining topology in short and disordered nanowires through Majorana splitting
Rutgers University（罗格斯大学）；University of Maryland（马里兰大学）
研究短且杂波纳米线中Majorana零模的分裂特性，探讨拓扑保护的限制及实验中定义拓扑性的挑战。
2026-04-20 cond-mat.mes-hall
Dissociation of one-dimensional excitons by static electric field
Universidad Complutense（康普顿斯大学）；Instituto de Ciencia de Materiales de Madrid (ICMM-CSIC)（马德里材料科学研究所）
本研究通过双带模型分析静态电场对一维半导体中电子-空穴对量子态的影响，发现临界电场下激子解离并产生瓦尼尔-斯泰克阶梯特征，为实验探测提供新方法。
2025-07-23 cond-mat.mes-hall
Algebraic localization of generalized Wannier bases implies Roe triviality in any dimension
研究非周期带隙量子系统中广义Wannier基的代数局域化与投影算子拓扑平凡性的关系，得到依赖于维数的衰减率阈值，蕴含Roe意义下的拓扑平凡性，并在二维情形接近最优。
2024-07-19 cond-mat.mes-hall math-ph math.MP
Z2Pack: Numerical Implementation of Hybrid Wannier Centers for Identifying Topological Materials
对拓扑绝缘体和半金属的强烈理论和实验兴趣已经建立了能带结构拓扑作为基本材料性质。因此，识别频带拓扑已成为一个重要的，但往往具有挑战性的问题，目前没有详尽的解决方案。在这项工作中，我们编译了一系列的技术，一些以前已知的，允许解决这个问题的一个大的可能的频带拓扑结构。该方法是基于跟踪混合Wannier电荷中心计算相关的布洛赫状态，它适用于所有级别的材料建模：连续k.p模型，紧束缚模型和从头计算。我们应用该方法来计算和识别陈，Z2和晶体拓扑绝缘体，以及拓扑半金属相，使用真实的材料的例子。此外，我们提供了一个数值实现这种技术（Z2Pack软件包），非常适合高通量筛选的材料数据库的化合物与非平凡的拓扑结构。我们希望我们的工作将使研究人员能够：（a）确定实验探针的最佳拓扑材料，（b）对现有化合物进行分类，（c）揭示具有新的，尚未描述的拓扑状态的材料。
2016-11-22 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Surface plasmons mediated energy transfer from a semiconductor quantum well to an organic overlayer
我们考虑的共振能量转移从一个二维的Wannier激子（施主）的Frenkel激子的分子晶体覆盖层（受体）时，有源介质被分隔的金属层，可能是一个电极。我们表征了表面等离子体对这一过程的影响。使用现实的材料参数的值，我们表明，它是可能的，以改变传输速率通常在一个因素为5（根据几何配置高达44）。然后，我们考虑到由于与金属的接近而导致的有机发光的猝灭。后者是显着的，并产生负面影响的总内部效率，我们讨论不同的几何形状。
2013-06-06 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.other
Localized Wannier function based tight-binding models for two-dimensional allotropes of bismuth
由于其单元素组成，各种晶体形式和固有的强自旋轨道耦合，铋已被视为理想的原型材料，以扩大我们对拓扑电子结构的理解。特别是二维铋薄膜由于在拓扑晶体管和自旋电子学中的潜在应用而吸引了越来越多的兴趣。这就需要一个有效的物理模型来准确解释二维铋所表现出的新颖拓扑现象。然而，传统的半经验的方法，适应散装铋跳跃未能捕捉二维铋同素异形体的拓扑特征，因为电子能带拓扑结构的晶体对称性以及原子间距的影响很大。在这里，我们提供了一个新的参数化使用本地化的Wannier函数从布洛赫态的第一性原理计算。我们构建了三种二维铋同素异形体的新的紧束缚模型：Bi（111）双层，铋烯和Bi（110）双层。我们证明我们的紧束缚模型可以成功地再现这些二维同素异形体的能带结构，对称性和拓扑特征。我们预计，这些模型可以扩展到其他类似的二维拓扑结构，如锑烯和砷烯。此外，这些模型可以作为一个起点，研究电子/自旋输运和低维拓扑器件的电磁响应。
2021-02-23 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Theory of x-ray scattering from optically pumped excitons in atomically thin semiconductors
Technische Universität Berlin（柏林工业大学）；Deutsches Elektronen-Synchrotron DESY（德国电子同步辐射中心）；Universität Hamburg（汉堡大学）
本文提出利用非弹性x射线散射研究mesoscopic准粒子内部电荷分布的新框架，探讨光泵激子对过渡金属二硫化物x射线散射光谱的贡献。
2026-03-20 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci quant-ph
BerryEasy: A GPU enabled python package for diagnosis of nth-order and spin-resolved topology in the presence of fields and effects
本文推出支持 GPU 的 Python 包 BerryEasy，可与 PyBinding 协同并兼容 Wannier90 模型，实现含无序、杂质超胞的 n 阶与自旋分辨拓扑诊断。
2024-06-13 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Probing vortex Majorana fermions and topology in semiconductor-superconductor heterostructures
我们调查的局域态密度，谱函数，和超导对振幅签名的Majorana费米子在铁磁和自旋轨道耦合超导体-超导体异质结构的涡旋芯。我们证明了马约拉纳费米子准粒子动量分布总是在高对称点周围的有限半径上对称分布，从而为低能态成为马约拉纳费米子提供了必要条件。在通过涡核的局域态密度的实空间轮廓中，马约拉纳费米子与其他有限能量涡态一起形成了一个特征性的x形结构，该结构只存在于非平凡拓扑中。此外，我们发现拓扑非平凡相的墨西哥帽能带结构特性转化为多个高强度带边和位于局域态密度中超导能隙上方的涡旋芯态.最后，我们发现奇频配对和马约拉纳费米子的出现之间没有很强的相关性，但奇频配对存在的铁磁性。事实上，我们发现，唯一的涡旋超导对振幅直接相关的任何相变，是某些自旋三重态$p$波配对组件的外观在涡核在前拓扑涡核加宽过渡。
2015-04-07 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Excitonic topology and quantum geometry in organic semiconductors
本研究发现有机半导体中存在受反演对称性保护的拓扑非平庸激子态，确定了对应材料家族，揭示其可通过应变、化学功能化及介电环境调控，并基于量子黎曼几何预测激子质心展宽下限，为光电应用开辟新方向。
2025-05-20 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.quant-gas
Spectroscopic evidence of flat bands in breathing kagome semiconductor Nb3I8
戈薇材料已经成为研究几何学、拓扑学、相关性和磁性之间相互作用的坚实基础。最近，半导体Nb3X8（X = Cl，Br，I）已被预测为二维（2D）磁体，重要的是这些材料具有呼吸kagome几何。这些有前途的材料的电子结构研究仍然缺乏。在这里，我们报告的光谱证据，在呼吸kagome半导体Nb 3I 8约500 meV的结合能，这是很好地支持我们的第一性原理计算。这些带起源于铌原子的呼吸kagome晶格，具有Nb d特征。发现它们对入射光子束的偏振敏感。我们的研究提供了深入了解的电子结构和带拓扑结构的可剥离的可果美半导体，从而提供了一个重要的平台，以了解在二维材料的几何形状和电子相关性的相互作用。
2022-12-21 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
A multiband envelope function model for quantum transport in a tunneling diode
我们提出了一个简单的模型电子输运在半导体器件，表现出之间的导带和价带隧穿。该模型是在通常的布洛赫-瓦尼尔形式主义由k-展开，并制定了一组耦合方程的电子包络函数。它与文献中存在的其他模型的连接进行了讨论。作为一个应用，我们考虑的情况下，谐振带间调谐二极管，证明了该模型的能力，以重现预期的行为的电流作为一个功能的应用电压
2006-12-06 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
