VO: A Strongly Correlated Metal Close to a Mott- Hubbard Transition
在这里，我们提出的实验和计算证据，以支持岩盐立方VO是一个强关联的金属与非费米液体热力学和异常强的自旋-晶格耦合。一个意想不到的变化的迹象，金属热电势与组合物是暂时归因于存在的赝能隙的状态密度。这些属性进行了讨论的签名接近磁量子相变。结果总结在一个新的电子相图的三维一氧化物，这类似于其他强关联系统。三维一氧化物的结构和电子简单性使其成为理解高度相关电子系统的理想候选者。
2007-05-09 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
ARPES study of the Kitaev Candidate $α$-RuCl$_3$
$α$ -RuCl $_3$被认为是接近Kitaev自旋液体状态的自旋轨道辅助莫特绝缘体。在这里，我们提出的ARPES测量单晶$α$ -RuCl $_3$在原始状态和电子掺杂状态，并结合LDA+SOC+U计算进行的几个低能量的竞争磁有序状态以及顺磁状态。在测量的原始化合物的能带结构中发现了大的Mott带隙，该带隙持续超过磁有序温度的20倍，尽管顺磁计算显示几乎没有带隙。在电子掺杂时，光谱权重被转移到带隙中，但新的状态仍然保持与费米边缘相当大的带隙。这些发现与莫特绝缘体最一致，莫特绝缘体在温度和掺杂的情况下从莫特态中发生了某种奇异的演化，可能与异常强烈的自旋波动有关。
2016-08-19 cond-mat.str-el
Anisotropic softening of collective charge modes in the vicinity of critical doping in a doped Mott insulator
动量分辨非弹性共振X射线散射被用来映射电子掺杂的莫特绝缘体类Nd $_{2-x}$ Ce $_x$ CuO $_4$中的电荷激发在大范围的能量、动量和掺杂水平上的演化。随着掺杂诱导的AFM-SC（反铁磁-超导）转变的接近，我们观察到一个各向异性软化的集体电荷模式在一个大的能量尺度上沿伽马（π，π）-方向，而模式表现出展宽（$\sim$ 1 eV）与相对较小的软化沿伽马（π，0）相对于父莫特绝缘体（x=0）。我们的研究表明，一个系统的崩溃的间隙一致的情况下，该系统均匀掺杂电子，即使软化的模式涉及一个异常大的能量尺度。
2007-04-24 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Dimensional-Crossover-Driven Mott Insulators in SrVO3 Ultrathin Films
采用脉冲电子束沉积技术在（001）取向的LSAT衬底上生长了不同厚度的高质量SrVO 3（SVO）外延薄膜。厚的SVO膜（~25 nm）表现出金属的行为与电阻率以下的T2定律对应的费米液体系统。在厚度小于6.5nm的SVO薄膜中观察到温度驱动的金属-绝缘体转变（MIT），发现6.5nm薄膜的MIT为50 K，5.7nm薄膜的MIT为120 K，3 nm薄膜的MIT为205 K。所观察到的MIT的出现可以归因于从三维金属到二维莫特绝缘体的维度交叉，因为所导致的有效带宽W的减小在费米能级处打开了带隙。SVO薄膜的磁输运研究也证实了所观察到的MIT是由于电子-电子相互作用而不是局域化。
2013-07-23 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Perfect dc conductance of a finite width Mott insulator sandwiched between metallic leads at zero temperature: a quantum emergent phenomenon in strongly correlated multilayers
使用非均匀动力学平均场论，我们认为，正常金属邻近效应迫使任何有限数量的“障碍”平面（由（顺磁）哈伯德模型描述，夹在半无限金属导致总是费米液体在T=0。这意味着非均匀系统在零频率下恢复晶格周期性，具有良好定义的费米表面，并且应该显示完美的（弹道）导电性或“透明度”。然而，这些结果是脆弱的有限频率，V，T，无序，或磁性，所有这些恢复预期的量子隧穿制度通过有限宽度莫特绝缘体。我们的正式结果补充了数值重整化群研究小厚度的障碍，说明在什么情况下，这种行为可能会出现在真实的实验系统。
2008-09-29 cond-mat.str-el
Origin of anomalous breakdown of Bloch's rule in the Mott-Hubbard insulator MnTe$_2$
我们利用高压中子粉末衍射这一严格可靠的工具重新研究了MnTe $_2$的晶体结构和反铁磁相变的压力依赖性。第一性原理密度泛函理论计算进行，以获得微观的洞察力。测量的MnTe $_2$的Néel温度显示出异常大的$12$ K GPa $^{-1}$的压力依赖性。这导致由$α=\frac{d\log T_N}{d\log V}=-\frac{10}{3} \approx -3.3$给出的布洛赫规则的严重违反，对于MnTe $_2$，$α$值为-6.0 $\pm$ 0.1。对不同压力下测得的MnTe $_2$的电子结构和磁交换相互作用进行了从头计算，得到了Neél温度与压力的关系，$α$为-5.61，与实验结果基本一致.这种行为的微观起源转而由阳离子-阴离子跳跃相互作用强度的距离依赖性决定。
2015-02-27 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Exploring the Charge Density Wave phase of 1$T$-TaSe$_2$: Mott or Charge-transfer Gap?
本文通过时间/角分辨光电子能谱与密度泛函理论计算，证明1T-TaSe2中约0.7 eV的能隙和E_F上方态源于CDW相引起的能带结构改变，而非Mott关联效应。
2023-03-10 cond-mat.str-el
Observation of a Slater-type metal-to-insulator transition in Sr$_2$IrO$_4$ from time-resolved photo-carrier dynamics
我们进行了时间分辨光学研究Sr $_2$ IrO $_4$了解磁有序的影响上的低能量电子结构的强自旋轨道耦合$J_{eff}$ =1/2莫特绝缘体。通过研究Mott能隙中光生载流子的恢复动力学，我们发现当系统冷却到Néel温度$T_N$时，系统从具有快速（$\sim$ 50 fs）和与激发密度无关的弛豫动力学的类金属相连续演化到具有较慢（$\sim$ 500 fs）的与激发密度相关的双分子复合动力学的带隙相.的绝缘间隙的发展是伴随着转让的间隙光谱重量远远超过的差距的能量，并发生在一个异常广泛的温度窗口，这表明锶$_2$ IrO $_4$是斯莱特-而不是莫特-哈伯德型绝缘体，自然解释了运输和热力学测量中没有异常的$T_N$。
2012-03-20 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Electronic structure of the Mott insulator LaVO3 in a quantum well geometry
我们用X射线光电子能谱研究了镶嵌在LaAlO3中的莫特绝缘体LaVO3的电子结构。通过将LaAlO3的上层限制为3个晶胞，可以探测下面的LaVO3。V2p芯能级谱同时含有V3+和V4+两种成分，且大于2个晶胞厚度的LaVO3，其结构表现出与体样品相似的谱。原子级平坦表面使得能够研究发射角依赖性，这表明V4+被定位到最顶层。这些结果表明，探测氧化物薄膜的界面电子结构的表面光谱的潜力。
2006-07-21 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Dimensionality Control of d-orbital Occupation in Oxide Superlattices
操纵强关联电子系统中的轨道态对于探索和开发新的电子相具有重要的基础和技术意义。在这里，我们报告了一个明确的演示t2 g和eg多重态之间的轨道占据控制准二维过渡金属氧化物超晶格（SL）组成的莫特绝缘体LaCoO 3和带状绝缘体LaAlO 3。随着LaCoO3亚层厚度接近其基本极限（即一个晶胞厚度），SL的电子状态从莫特绝缘体（其中t2 g和eg轨道都被部分填充）变为完全填充（清空）t2 g（eg）轨道的带状绝缘体。我们发现，降维对电子结构的演化有着深刻的影响，而电子结构的演化对外延应变不敏感。这里所示的显着的轨道可控性提供了一个有前途的新的应用，如催化和光催化，其中d能级的能量是一个重要的参数的途径。
2014-12-22 cond-mat.str-el
Remote hole-doping of Mott insulators on the nanometer scale
在极性和非极性钙钛矿氧化物之间的界面处，由于电子重构，先前已经观察到不寻常的电子掺杂。我们报告远程空穴掺杂的界面组成的极性层，揭示了高分辨率的硬X射线芯级光电子能谱。在LaAlO 3/LaVO 3/LaAlO 3三层中，随着LaAlO 3盖层厚度的减小，钒的价态系统地从V3+的体价演变到更高的氧化态。这些结果提供了一种合成方法，空穴掺杂过渡金属氧化物异质界面，而不调用极性不连续。
2008-06-13 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Positive magnetoconductance in SrVO3 double quantum wells with a magnetic EuTiO3 barrier
本文通过制备具有EuTiO3磁性势垒的SrVO3双量子阱，发现薄势垒下磁场可增强V 3d轨道杂化并产生显著正磁电导，揭示了磁场调控Mott绝缘体态的新机制。
2025-09-20 cond-mat.str-el
Memory in strain-tuned insulator-metal-insulator sequence of transitions after photoexcitation in the Mott material V2O3
本研究通过跨越9个数量级的时间分辨X射线衍射，发现V2O3薄膜光激发后金属-绝缘体转变时间因记忆效应变化5个数量级，遵循极度拉伸指数衰减，揭示了转变势垒的异质性。
2025-09-09 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Gauge-field fluctuations in 3D topological Mott insulators
我们研究了三维拓扑莫特绝缘体的低能性质。莫特绝缘体可以看作是自旋子与三维规范场相互作用的强拓扑绝缘体。这类系统的低能行为主要是由耦合到体规范场的二维（2D）无带隙表面自旋决定的。我们发现当系统的厚度和/或温度变化时，在规范场涨落中可能发生从3D到2D的维度交叉。在薄样品的限制下，规范场的涨落有效地变成了二维的，问题变得类似于标准的二维自旋-规范场理论。在3D的限制，散装规范场的波动导致一个低能量的耦合系统，比纯2D的情况下，更受控制的理论。我们讨论了各种实验签名，如热容量标度为T ln 1/T，以及修改Ruderman-Kittel-Kasuya-Yoshida表面上的相互作用。
2011-01-06 cond-mat.str-el hep-th
Charge transfer in LaVO$_3$/LaTiO$_3$ multilayers: strain-controlled dimensionality of interface metallicity between two Mott insulators
我们用密度泛函理论和动力学平均场论证明了在两个莫特绝缘体LaTiO $_3$和LaVO $_3$之间的界面处出现金属层.金属层是由于电荷转移跨越界面，这改变了接近界面的过渡金属阳离子的价态。与直觉有些相反的是，电荷从具有形式$d^1$电子构型的Ti阳离子转移到具有形式$d^2$构型的V阳离子，从而增加了$t_{2g}$态的占据差异。这可以理解为电荷转移能量或电负性在界面上逐渐过渡的结果。金属层的空间延伸，特别是朝向LaTiO $_3$侧的空间延伸，可以通过外延应变来控制，其中拉伸应变导致仅两个晶胞的厚度内的局部化。我们的结果开辟了一条新的路线，创造一个可调的准二维电子气的材料与强电子关联。
2019-05-01 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Metal to Mott Insulator Transition in Two-dimensional 1T-TaSe$_2$
当电子-电子相互作用超过其他电子能量尺度时，奇异的集体现象往往出现在看似普通的物质中。强相关现象，如量子自旋液体和非常规超导性，代表了一个主要的研究前沿和不断的灵感来源。强关联物理学的核心是莫特绝缘体的概念，从这个概念中衍生出了其他各种关联相。二维材料的出现为二维极限下强关联物理的研究带来了前所未有的机遇。特别是，2D材料增强的相关性和极端的可调性使得能够在未知的参数空间中探索强相关系统。在这里，我们发现了一个有趣的金属莫特绝缘体过渡1 T-TaSe $_2$的材料减薄到原子厚度。具体地说，我们发现，第一次，1 T-TaSe $_2$的体金属丰度来自于带交叉费米能级。降低维度有效地抑制了最初流动电子的动能，并将材料驱动到莫特绝缘状态。尺寸驱动的金属到莫特绝缘体的转变解决了1 T-TaSe $_2$的金属体和绝缘表面之间长期存在的二分法。我们的研究结果还建立了1 T-TaSe $_2$作为一个理想的变量系统，探索各种强相关的现象。
2022-11-15 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Metal-Insulator Transitions and non-Fermi Liquid Behaviors in 5d Perovskite Iridates
过渡金属氧化物，特别是3d或4d钙钛矿，提供了多种涌现的物理学，这些物理学源于各种自由度的耦合，例如自旋、晶格、电荷、轨道以及无序。5d钙钛矿形成了一个独特的类别，因为它们具有强的自旋-轨道耦合，这向系统引入了与带宽和库仑相关相当的附加能量尺度。新物理学包括新的杰夫= 1/2莫特绝缘体，金属-绝缘体转变，自旋液体，和拓扑绝缘体。在突出了Ruddlesden-Popper铱酸盐系列Srn+1 IrnO 3 n +1中出现的一些现象之后，我们专注于钙钛矿SrIrO 3的输运性质。使用各种衬底上的外延薄膜，我们表明，金属-绝缘体转变可以诱导钙钛矿SrIrO 3通过减少其厚度或施加压缩应变。由厚度减小驱动的金属-绝缘体转变是由于无序，但由压缩应变驱动的金属-绝缘体转变伴随着特殊的非费米液体行为，可能是由于关联、无序和自旋-轨道耦合之间的微妙相互作用。我们研究了各种理论框架，以了解非费米液体物理和金属绝缘体的转变，发生在SrIrO 3，并提供莫特-安德森-格里菲斯方案作为一个可能的解决方案。
2016-04-18 cond-mat.str-el
Metal-insulator transition in CaVO$_3$ thin films: interplay between epitaxial strain, dimensional confinement, and surface effects
本文利用密度泛函理论和动态平均场论（DFT+DMFT）研究了$_3$薄膜金属-绝缘体相变（MIT）的多个调控参数。我们专注于分离基板引起的外延应变从那些相关的薄膜厚度减少的影响。我们表明，约3-4%的拉伸外延应变是足够的诱导过渡到一个顺磁莫特绝缘相。这对应于可以在SrTiO $_3$衬底上实现的应变水平。使用独立的平板模型，我们然后证明，减少膜厚度也可以导致MIT在CaVO $_3$，然而，只有厚度小于4钙钛矿单位。我们的计算表明，MIT在这样的超薄膜的结果主要来自表面诱导的晶体场分裂之间的$t_{2g}$ -轨道，有利于形成轨道极化的莫特绝缘体。这种表面诱导的晶场分裂与拉伸外延应变引起的晶场分裂是同一类型的，因此这两种效应也可以合作。此外，我们的计算证实了在膜表面的相关效应的增强，导致在最外层的准粒子的光谱重量减少，而批量样的性能恢复在只有几层远离表面。
2018-01-09 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Strong energy-momentum dispersion of phonon-dressed carriers in the lightly doped band insulator SrTiO$_3$
利用角分辨光电子能谱（ARPES）研究掺杂绝缘体中的电子-声子（el-ph）耦合效应取得了很大进展，为低掺杂铜氧化物中el-ph相互作用的主导作用提供了证据。由于这些研究仅限于掺杂的莫特绝缘体，因此出现了一个重要的问题，即如何将其与掺杂的带状绝缘体进行比较，其中类似的el-ph耦合应该在起作用。典型的情况是钙钛矿SrTiO $_3$（STO），众所周知其在低温下的巨大介电常数为10000，超过La $_2$ CuO $_4$ 500倍。基于这一事实，有人认为掺杂的STO应该是典型的双极化子超导体。在这里，我们报告了轻掺杂SrTiO $_3$的高质量表面的ARPES研究。与轻掺杂的莫特绝缘体相比，我们发现只有适度的电子-声子耦合的特征：与具有$λ'\sim0.3$的低频光学声子相关的色散异常和整体带宽重整化，表明整体$λ'\sim0.7$来自高频声子。此外，我们没有发现明显的签名的大赝隙或小极化子现象。这些研究结果表明，一个大的介电常数本身是不是一个很好的指示el-ph耦合和突出的掺杂莫特绝缘体的el-ph耦合的异常强烈的影响。
2010-02-07 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Superconductor to Mott insulator transition in YBa$_2$Cu$_3$O$_7$/LaCaMnO$_3$ heterostructures
由外部磁场、无序或空间限制等手段诱导的超导体到绝缘体的转变（SIT）是量子相变显著影响超导序参量的生动例证。为了寻求通过界面电荷转移实现SIT的新方法，我们研制了由高$T_c$超导体YBa $_2$ Cu $_3$ O $_7$（YBCO）和巨磁电阻铁磁体La $_{0.67}$ Ca $_{0.33}$ MnO $_3$（LCMO）组成的超薄超晶格。通过使用线性偏振共振X射线吸收光谱和磁性圆二色性，结合硬X射线光电子能谱，我们推导出一个完整的图片的界面载流子掺杂在铜酸盐和锰氧化物原子层，导致从超导过渡到一个不寻常的莫特绝缘状态出现的LCMO层厚度的增加。此外，与通常认为只有过渡金属离子才能对电荷转移过程做出响应相反，我们发现电荷也被界面的稀土和碱土金属离子主动补偿。这种通过纯电子掺杂而没有任何化学取代的阻碍作用的$T_c$的确定性控制是另一种有希望的途径，以解开无序对欠掺杂铜氧化物的赝能隙和电荷密度波相位的作用。
2016-08-15 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Electronic vs. phononic thermal transport in Cr-doped V2O3 thin films across the Mott transition
该研究通过时域热反射技术测量不同掺杂浓度、氧化学计量比、厚度及相态的铬掺杂V₂O₃热导率，发现晶格贡献主导热输运，晶相也存在强声子散射，为相关器件设计提供依据。
2024-09-16 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Interaction-driven spin-orbit effects and Chern insulating phases in corundum-based $4d$ and $5d$ oxide honeycomb lattices
使用密度泛函理论计算与Hubbard $U$，我们探索拓扑非平凡相在$X_2$ O $_3$蜂窝层与$X=$ $4d$和$5d$阳离子插入带绝缘体$α$ -Al $_2$ O $_3$沿[0001]-方向。确定了几种有希望的量子反常霍尔绝缘体（QAHI）的候选者。特别地，对于$X$ =Tc和Pt，自旋轨道耦合（SOC）分别打开54和59 meV的能隙，导致具有$C$ =-2和-1的Chern绝缘体（CI）。不同的陈氏数的性质与相应的自旋织构有关。陈氏绝缘相对库仑排斥强度敏感：$X$ =Tc经历从Cl到平凡金属态的转变，超过$U_c$ =2.5 eV的临界强度。$X$ =Pd和Pt的等电子亚稳FM相之间的比较强调了电子相关性和SOC之间的复杂平衡：而前者是一个平凡的绝缘体，后者是一个陈绝缘体。此外，$X$ =Os原来是一个FM莫特绝缘体与一个未成对的电子在$t_{2g}$流形，SOC诱导一个异常高的轨道矩为0.34 $μ_{\rm B}$沿$z$轴。平行$3d$蜂窝状的情况下进行了讨论。
2018-11-10 cond-mat.str-el
Metal insulator transitions in perovskite SrIrO3 thin films
强关联系统中由安德森局域化（无序）和/或Mott局域化（关联）驱动的金属绝缘体相变的理解是凝聚态物理中的一个长期存在的问题。普遍存在的基本问题是，这两种机制是如何设法实现突发的异常行为的。在这里，我们生长了高质量的钙钛矿SrIrO 3薄膜，包含一个强的自旋轨道耦合5d元素Ir，在不同的衬底，如GdScO 3（110），DyScO 3（110），SrTiO 3（001），和NdGaO 3（110）与增加晶格失配，以进行系统的研究的输运性质。我们发现，金属绝缘体的转变，可以诱导在这个系统中，通过减少厚度（在最佳晶格匹配的衬底）或改变程度的晶格应变（薄膜和衬底之间的晶格失配）的薄膜。令人惊讶的是，这两种途径寻求两种不同类型的金属绝缘体转变;前者属于无序驱动的Anderson类型，而后者则是非常规的Mott-Anderson类型，具有无序和相关性的相互作用。更有趣的是，在SrIrO 3的金属相，不寻常的非费米液体特性出现在电阻率的电阻率指数从4/5到1到3/2随着晶格应变的增加而演变。我们讨论了这些现象的理论含义，以揭示金属绝缘体转变。
2014-12-04 cond-mat.str-el
Hard x-ray photoemission study of LaAlO3/LaVO3 multilayers
用硬X射线光电子能谱研究了由带绝缘体LaAlO $_3$（LAO）和莫特绝缘体LaVO $_3$（LVO）组成的多层膜的电子结构，探测深度为$\sim 60 Å$ . LVO的Mott-Hubbard能隙在界面处保持开放，表明该界面与LaTiO $_3$ /SrTiO $_3$多层膜不同是绝缘的。我们发现，在LVO中的V的化合价从V $^{3+}$部分转化为V $^{4+}$仅在LVO层的顶侧的界面上，并且V $^{4+}$的量随着LVO层厚度而增加。我们认为，电子重建，以消除极性异质结构中固有的极性突变是起源的高度不对称的价变化在LVO/LAO接口。
2007-04-13 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Interaction driven giant thermopower in magic-angle twisted bilayer graphene
魔角扭曲双层石墨烯（MtBLG）是一个非常有前途的新平台，可以实现和研究窄带宽平坦带中强关联产生的大量量子相位。在这方面，除了在技术上令人垂涎之外，热动力等热传输现象对粒子-空穴（PH）不对称性也很敏感，使其成为探测这种材料潜在电子结构的重要工具。我们已经进行了热电势测量MtBLG作为载流子密度，温度和磁场的函数，并报告了一个异常大的热电势达到高达$\sim \bf{100μV/K}$的值在1 K的低温观察。令人惊讶的是，我们观察到的热电势表现出与整数莫尔填充物周围的电阻峰（包括狄拉克点）密切对应的峰状特征，违反了莫特公式。令人惊讶的是，我们观察到的热电势表现出与整数莫尔填充物周围的电阻峰值密切对应的峰状特征，包括狄拉克点，这完全违反了莫特公式。我们发现，大的热电势峰和它们的%非单调依赖于温度和磁场相关的行为产生的紧急高度PH不对称的电子结构，由于狄拉克复苏的级联。此外，热电势显示了一个异常的峰值周围的超导过渡的孔侧和指向MtBLG增强超导波动的可能作用。
2021-09-11 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Effect of charge modulation in (LaVO3)m(SrVO3)n superlattices on the insulator-metal transition
在[001]取向的SrTiO_3衬底上用脉冲激光沉积法生长了一系列与Mott-Hubbard绝缘体La_（6/7）Sr_（1/7）VO_3具有相同名义组成的外延（LaVO_3）_（6 m）（SrVO_3）_m超晶格，并改变了它们的超晶格周期。当m=1时，获得块状的La 6/7Sr 1/7VO 3的绝缘电阻率;然而，周期性的增加（m>=2）导致金属样品。超晶格周期性与钙钛矿氧化物异质结构中载流子的相干长度的比较被用来理解这些观察结果。填充控制的绝缘体-金属的转变，诱导放置一个单一的掺杂剂层的SrVO 3内的LaVO 3层的不同厚度。
2007-10-12 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Zoology of spin and orbital fluctuations in ultrathin oxide films
许多金属过渡金属氧化物在生长成只有几个晶胞厚的薄膜时变成绝缘的。然而，这些厚度引起的金属到绝缘体的转变的微观起源仍然存在争议。在这里，我们模拟了一个不显眼的相关金属单层的极端情况下-锶钒酸盐SrVO $_3$ -沉积在SrTiO $_3$基板。至关重要的是，我们的系统可以具有由SrO或VO $_2$顶层组成的真空终端。虽然我们发现，这两个导致莫特绝缘行为在名义化学计量，出现在掺杂后的相图-化学或通过施加的栅极电压-是定性不同的。事实上，我们的多体计算揭示了一个聚宝盆的非局部波动与（中）相称的反铁磁，铁磁，以及条纹和棋盘轨道有序不稳定性。确定这两种几何形状产生相反的符号的晶体场分裂，我们阐明了随后的阶段，通过镜头的轨道自由度。一般来说，我们的工作强调，界面和表面重建和变形或切断超薄膜中的配位多面体驱动丰富的属性，从根本上不同于材料的体物理。
2022-01-18 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Interfacial doping in LaVO$_3$/SrVO$_3$ multilayers from DFT+DMFT
通过在多层几何结构中插入几层相关金属SrVO $_3$，研究了莫特绝缘体LaVO $_3$的空间掺杂效应.使用密度泛函理论与动态平均场论相结合，我们表明，这导致了一个几何限制和强大的金属层，稳定的金属性SrVO $_3$，即使在层的限制，抑制潜在的维数引起的金属-绝缘体转变。对于一个较厚的SrVO $_3$层，我们发现一个连续的过渡的结构和电子性质跨越两种材料之间的界面，与本体属性重建的长度尺度上的2-3个单元电池远离界面。我们表明，沿生长方向施加的应变调制可以导致在化学对称界面的不对称电荷重建。然而，我们发现，这种影响是相当弱的，这意味着分数占用，从而金属丰度，持续在接口。
2022-12-20 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
