Large linear magnetoresistance and magnetothermopower in layered SrZnSb$_2$
本文报道了具有准二维Sb层的层状SrZnSb $_2$晶体的大线性磁电阻（$\sim 300\%$，9T场，2K）和磁热电势。随着磁场的增加，从半经典抛物型场相关磁电阻到线性场相关磁电阻的过渡被观察到。结合半经典回旋效应和量子极限磁电阻效应可以很好地描述磁电阻效应。磁场也增强了热电势。我们的结果可以很好地理解为狄拉克态在体能带结构中的磁输运。
2016-04-15 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Giant magnetoresistance in quantum magnetic contacts
我们提出了量子化的电导和磁电阻在两个铁磁金属之间的纳米级点接触的计算。当电导仅对一个传导电子自旋投射开放时，磁阻的大小受传导电子自旋反转过程的速率限制。对于两个自旋通道都对电导有贡献的情况，我们分析了点接触截面不对称性对巨磁阻的影响。最新的实验磁点接触的磁阻的发展理论的框架进行了讨论。
2002-08-11 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Magnetic field effects on two-dimensional Kagome lattices
研究了磁场对二维Kagome晶格的单粒子能带（Hofstadter蝶形）、霍尔电导、平带铁磁性和磁阻的影响。当平带在磁场中具有有限色散时，平带铁磁性被破坏。预测了由磁场引起的金属-绝缘体转变（巨负磁电阻）。在强相互作用电子的半充满平带中，在磁场作用下，铁磁-顺磁跃迁和金属-绝缘体跃迁同时发生。所有重要的磁场效应都应该在介观系统如量子点超晶格中观察到。
2001-04-03 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Jump of tunneling magnetoresistance in magnetic nanocontacts with mismatched cross section
我们研究了磁隧道纳米结的横向尺寸对磁电阻大小的影响。在建模过程中，右接触的大小是固定的，而左接触的大小逐渐变化，直到它们重合。我们发现，在隧道磁电阻（TMR）的急剧下降与失配的截面的纳米接触。这可以用电子密度空间分布的特殊性来解释，多数和少数自旋态的电子密度空间分布是不同的。在设计基于TMR的纳米器件时必须考虑到所发现的效应。
2020-12-23 cond-mat.mes-hall
Crossed Andreev reflection-induced magnetoresistance
我们表明，非常大的负磁阻可以得到在磁三层在电流平面几何由于交叉Andreev反射的存在。这种自旋阀由一层薄的超导薄膜夹在两个铁磁层之间组成，铁磁层的磁化可以是顺磁或反磁排列的。对于合适的结构参数和几乎完全自旋极化的铁磁体的选择，磁阻可以超过~ 80%。我们的研究结果是相关的自旋电子器件利用铁磁超导结构的设计和实施。
2006-10-03 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Open-orbit induced low field extremely large magnetoresistance in graphene/h-BN superlattices
研究提出基于零场费米等高线的半经典方法并结合量子模拟，揭示石墨烯/h-BN moiré超晶格中开放轨道导致的室温低场XMR及相关输运异常。
2023-12-12 cond-mat.mes-hall
Roles of Electron-Magnon Cross Diffusion in Unidirectional Magnetoresistance of Metallic Magnetic Bilayers
Department of Physics, Case Western Reserve University（凯斯西储大学物理系）
研究揭示了电子-磁子交叉扩散及自旋角动量转移对金属磁性双层材料单向磁电阻的影响，通过理论框架分析非平衡磁子对单向磁电阻的抑制作用及实验指纹特征。
2026-03-16 cond-mat.mes-hall
Features of Low Temperature Tunnel Magnetoresistance in Pressed Powder of Chromium Dioxide
研究了两种具有纳米颗粒形状各向异性的铁磁半金属CrO_{2}粉末压制样品的电阻和磁阻特性。采用水热合成法制备的粉体为针状颗粒，平均粒径为24-34 nm，平均长度为300 nm。其中一个样品由纯CrO_{2}的压实粉末制成，而另一个样品由置换固溶体Cr_{1-x} Fe_{x} O_{2}制备。研究了Fe杂质对CrO_{2}粉末的隧道电阻和隧道磁电阻的影响。结果表明，Fe杂质的加入导致了粉末矫顽力的增加和隧道磁电阻的降低。我们假设铁杂质的共振隧穿机制。我们发现，在磁化反转过程中的自旋弛豫速率的磁电阻的强烈依赖。讨论了这种依赖性的可能原因。
2016-02-17 cond-mat.mes-hall
Anisotropic magnetoresistance in antiferromagnetic Sr2IrO4
本文报道了反铁磁（AFM）莫特绝缘体Sr 2 IrO 4单晶的各向异性磁电阻（AMR）的点接触测量。这里使用的点接触技术作为纳米尺度上的磁输运性质的本地探针。在液氮温度下的测量显示负磁阻（MR）（高达28%）的温和的磁场（250 mT）施加在IrO 2的a-b平面和电流垂直于平面流动。MR的角度依赖性示出了响应于增加的磁场的四重对称到二重对称的交叉，其中电阻的角度变化从1- 14%。我们尝试性地将四重对称性归因于AMR的结晶成分，而场致跃迁归因于外加场对Sr 2 IrO 4中AFM耦合矩倾斜的影响。所观察到的AMR是非常大的晶体AMR相比，在3d过渡金属合金/氧化物（0.1-0.5%），并可以与大的自旋轨道相互作用，在这个5d氧化物，而过渡提供的证据之间的相关性的电子传输，磁序和轨道状态。这项工作的发现开辟了一条全新的途径，不仅可以获得与自旋轨道耦合相关的物理学的新见解，还可以以更技术上有利的方式更好地利用自旋电子学的力量。
2014-09-12 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Spin-polarized tunneling through randomly transparent magnetic junctions: Reentrant magnetoresistance approaching the Julliere limit
在Glauber-Eikonal近似范围内研究了具有长程势垒无序的平面磁性隧道结中的电子电导，通过Holtsmark-Markov方法实现了精确的无序系综平均。这使我们能够解决一个迄今未开发的制度的隧道磁阻效应的特征在于从动量守恒的交叉随机隧穿作为缺陷浓度的函数。我们证明，这样的交叉结果在重入磁阻：它通过一个明显的最小值之前达到无序和几何独立的Julliere值在高缺陷浓度。
2008-04-28 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall
3D-2D crossover and phase shift of beats of quantum oscillations of interlayer magnetoresistance in quasi-2D metals
该研究在Kubo公式与自洽玻恩近似框架下，重新分析准二维金属层间电导率Shubnikov振荡拍频的相位，修正了相移预期值，解释了3D-2D交叉中的相位反转并预测强磁场下的振幅下降。
2024-05-16 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Tunnel Magnetoresistance of a Single-Molecule Junction
基于非平衡格林函数（NEGF）技术和Landauer-Büttiker理论，研究了由单个C $_{60}$分子附着在两个具有有限截面的铁磁电极上构成分子自旋电子器件的可能性.通过研究分子能级的自旋相关相干输运，发现分子结的隧道磁电阻（TMR）依赖于外加电压和器件电极与分子的接触点数.通过调整相关参数，获得了大于60%的TMR值。
2008-12-26 cond-mat.mes-hall
Atomistic theory of moiré Hofstadter's butterfly in magic-angle graphene
该研究用基于第一性原理的数百万原子紧束缚模型模拟魔角扭转双层石墨烯，在磁场和 hBN 衬底下计算 Hofstadter 谱、Chern 数及三类电子态的演化。
2024-07-04 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Effect of Interlayer Spin-Flip Tunneling for Interlayer Magnetoresistance in Multilayer Massless Dirac Fermion Systems
本文研究了α-（BEDT-TTF）_2I_3中层间自旋翻转隧穿对磁场作用下层间磁电阻的影响。与层间库仑相互作用相关的自旋翻转关联的平均场使层间自旋翻转隧穿成为可能。在非垂直层间自旋翻转隧穿的假设下，利用Kubo公式计算了层间磁电阻。层间磁电阻由正向负转变的交叉磁场被塞曼能量移动，与实验符合得很好。
2015-02-23 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Extraordinary magnetoresistance in encapsulated monolayer graphene devices
我们报告了一个概念验证的研究非凡的磁阻（EMR）在单层石墨烯封装在六方氮化硼的设备，具有金属边缘接触和中央金属分流。实现了极大的EMR值$MR=(R(B) - R_0) / R_0\sim 10^5$，部分是因为作为栅极电压的函数，$R_0$接近或越过零，超过了在高迁移率体半导体器件中实现的EMR值。我们强调了灵敏度，$dR/dB$，其在双端测量中是EMR设备报道的最高的，特别是超过石墨烯基设备的先前结果20倍。零场传输中的不对称性被追踪到石墨烯-金属分流界面处的$pn$ -结的存在。
2020-02-04 cond-mat.mes-hall
Negative Magnetoresistance in Andreev Interferometers
我们认为在一个扩散的十字形Andreev干涉仪的几何形状，理论和实验运输。发现了电导随超导相的强烈而出乎意料的调制，特别是预测了电阻随相位差的反向变化，其中电阻随相位梯度的减小而减小。我们的准经典计算与实验数据的比较表明，如果我们考虑抗磁屏蔽定量协议。
2002-03-26 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Strongly anisotropic ballistic magnetoresistance in compact three-dimensional semiconducting nanoarchitectures
我们从理论上建立，在半导体双层或多层薄膜系统卷起成紧凑的准一维纳米结构，弹道磁阻是非常各向异性：电导强烈依赖于外部施加的磁场的方向。这种现象源于卷曲纳米管的弯曲开放几何形状，这导致了穿过费米能的准一维磁性子带的数量的可调谐性。这一现象的实验意义是由一个相当大的各向异性，规模与绕组数的倒数，并持续到一个临界温度，可以通过增加外部磁场的强度或曲率曲率半径的特征，强烈增强，并可以达到室温。
2014-12-03 cond-mat.mes-hall
Dephasing time and magnetoresistance of two-dimensional electron gas in spatially modulated magnetic fields
研究了空间调制磁场对二维电子气中弱局域化现象的影响。失相时间$τ_H$和磁阻显示出一个非平凡的行为作为磁场分布的特性的函数。具有相当小的空间尺度$d$和调制幅度$H_0$的磁场分布，使得$H_0d^2\ll\hbar c/e$的特征在于失相速率$τ_H^{-1}\propto H_0^2d^2$。通量值$H_0d^2$的增加导致与标准线性相关性$τ_H^{-1}\propto H_0$的交叉。施加外部均匀磁场$H$，可以改变系统中的局部失相时间，并影响所得的平均输运特性。我们已经调查的依赖性的平均电阻与字段$H$的一些通用系统和预测的可能性，观察到一个积极的磁电阻在不太大的$H$值。由此产生的电阻与$H$的相关性应在磁场值$H\sim H_0$处显示峰值。
2009-11-11 cond-mat.mes-hall
Giant magnetoresistance in weakly disordered non-Galilean invariant conductors
该研究建立弱长程无序下非伽利略不变导体电子磁输运的流体力学理论，揭示非零本征电导率液体中磁摩擦力引发约100%反常强磁电阻的机制，推导动理系数并应用于近电荷中性石墨烯。
2024-01-23 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el physics.plasm-ph
Scaling Projections on Spin Transfer Torque Magnetic Tunnel Junctions
我们调查缩放技术相关的磁性隧道结器件在三层和五层配置通过改变横截面积沿横向使用非平衡格林函数自旋输运形式主义。我们研究的几何形状的依赖，考虑正方形和圆形的横截面。由于在每种情况下的横向尺寸减少，我们表明，横模能量分布起着重要的作用，在电阻面积的产品。这两种类型的设备显示恒定的隧道磁阻在较大的横截面积，但实现超高的磁阻在小的横截面积，同时保持低电阻面积的产品。我们注意到，尽管在三层情况下用于切换自由层纳米磁体的磁化的临界切换电压在较大区域处保持恒定，但在较小区域处切换需要更多能量。在五层的情况下，我们观察到的振荡行为在较小的区域作为双势垒隧穿的结果。我们还描述了这两种器件的开关特性是如何受到缩放的影响。
2017-12-12 cond-mat.mes-hall
Anisotropic linear magnetoresistance in nanoflakes of Dirac semimetal NiTe2
研究揭示NiTe₂纳米薄片中各向异性线性磁电阻的两种物理机制，发现厚度依赖性和非经典效应源于狄拉克点附近的非线性带效应。
2025-12-06 cond-mat.mes-hall
Magnetic-field-induced dimensional crossover in the organic metal $α$-(BEDT-TTF)$_{2}$KHg(SCN)$_{4}$
本文研究了加压（到正常态）层状有机金属$α$ -（BEDT-TTF）$_{2}$ KHg（SCN）$_{4}$的层间磁电阻随场的变化。高准二维各向异性，当层间跳跃时间长于电子的平均自由时间，比回旋周期，导致一个维度的交叉和强烈违反传统的三维磁阻理论。单调场的依赖性被发现改变从常规的行为在低磁场的异常之一，在高磁场。朗道能级的形状由磁量子振荡的阻尼决定，从洛伦兹变为高斯。这表明无序势中的电子动力学从通常的相干三维区域改变到一个新的区域，该区域可以被称为弱相干。
2012-08-20 cond-mat.mes-hall cond-mat.other
