Critical Behavior of Nuclear-Spin Diffusion in GaAs/AlGaAs Heterostructures near Landau Level Filling ν=1
对GaAs/AlGaAs异质结的热测量表明，在朗道能级填充因子ν=1附近，受限二维电子的状态显著影响核自旋扩散。实验提供了定量的证据，表明在ν=1附近的热容的温度依赖性的尖峰是由于增强的核自旋扩散从GaAs量子阱到AlGaAs势垒。我们讨论了这种增强的物理起源中可能的Skyrme固-液相变。
1997-04-24 cond-mat.mes-hall
Optical Study of GaAs quantum dots embedded into AlGaAs nanowires
我们报告的光致发光特性的GaAs量子点嵌入到AlGaAs纳米线。时间积分和时间分辨的光致发光测量从阵列和单个量子点/纳米线的报告。的直径尺寸分布的影响是证明在光谱数据与存在的各种结晶相的AlGaAs纳米线。
2011-04-17 cond-mat.mes-hall
Gate-Controlled Electron Spin Resonance in a GaAs/AlGaAs Heterostructure
本文研究了GaAs/AlGaAs栅异质结中二维电子的电子自旋共振（ESR）。我们发现，ESR共振频率可以通过一个栅极电压。异质结构的前栅极和背栅极产生相反的g因子偏移，表明电子g因子通过将电子波函数的平衡位置从一个外延层偏移到具有不同g因子的另一个外延层而被静电控制。
2001-02-02 cond-mat.mes-hall
Few-hole double quantum dot in an undoped GaAs/AlGaAs heterostructure
我们在未掺杂的GaAs/AlGaAs异质结中发现了空穴双量子点。点间耦合可以在很宽的范围内调谐，从形成一个大的单点到两个隔离良好的量子点。使用电荷传感，我们展示了完全清空孔的点和控制在少孔制度中的电荷占据的能力。该装置应允许控制GaAs中的单量子点和双量子点中的单个空穴自旋。
2013-12-06 cond-mat.mes-hall
Demonstration of a 1/4 cycle phase shift in the radiation-induced oscillatory-magnetoresistance in GaAs/AlGaAs devices
利用二苯基苦基肼的电子自旋共振（ESR）原位磁场标定方法，研究了GaAs/AlGaAs器件中辐射感生的磁化-磁阻效应的相位和周期。结果证实了对于$j \geq 1$，相对于$hf = j\hbarω_{c}$条件的$f$无关的1/4周期相移，并且它们还表明相对于GaAs/AlGaAs器件的标准值，有效质量比$m^{*}/m$的小的（$\approx$ 2%）减小。
2004-04-29 cond-mat.mes-hall
Electric field dependence of spin coherence in (001) GaAs/AlGaAs quantum wells
半导体量子阱中的传导电子自旋寿命（$T_1$）和自旋相干时间（$T_2$）被电场强烈地改变。在室温下的GaAs/AlGaAs量子阱的定量计算表明，在电场的最佳值的自旋寿命的大约四个因素的增强。与以前的计算相比，小得多的增强是由于高估了零场自旋寿命和非线性效应的重要性。
2005-03-02 cond-mat.mes-hall
Exciton bound by distant ionized donor in two-dimensional GaAs/AlGaAs quantum well
在有效质量近似下，采用Hartree方法研究了准二维GaAs/AlGaAs半导体量子阱中远电离施主杂质束缚激子的基态能量.分析和讨论了量子阱面与电离施主的距离、跨量子阱面的磁场以及势垒材料介电常数的变化对电离施主杂质束缚激子稳定性的影响。
2011-11-09 cond-mat.mes-hall
Highly anisotropic commensurability oscillations in two-dimensional holes at the GaAs/AlGaAs (311)A interface
对生长在GaAs（311）A衬底上的GaAs/AlGaAs二维空穴系统的可伸缩性振荡进行了测量，发现了显著的各向异性：沿[ $\bar{2}$ 33]方向的可伸缩性振荡幅度比沿[01 $\bar{1}$ ]方向的可伸缩性振荡幅度大100倍.然而，对于在类似界面处的二维电子系统，我们观察到几乎各向同性的振荡，这表明异常各向异性是GaAs二维空穴在（311）A界面处固有的。
2000-09-22 cond-mat.mes-hall
AlGaAs/GaAs single electron transistors fabricated without modulation doping
我们制作了基于AlGaAs/GaAs异质结的量子点单电子晶体管，在没有调制掺杂的情况下，它表现出清晰而稳定的库仑阻塞振荡。库仑阻塞峰形的温度依赖性可以用量子区的标准库仑阻塞理论很好地描述。偏置光谱测量使我们能够直接提取充电能量，并显示出激发态传输的明确证据，证实可以分辨点中的单个量子态。
2010-03-01 cond-mat.mes-hall
Magnetic Field Pinning of a Dynamic Electron-Spin-Resonance Line in a GaAs/AlGaAs Heterostructure
用电子自旋共振（ESR）方法研究了GaAs/AlGaAs异质结中二维电子与主晶格原子核的超精细相互作用。在微波和射频双重激发下，我们观察到ESR谱线能被钉扎在一个很窄的磁场范围内，即GaAs晶体核的核磁共振（NMR）附近。我们的观察表明，这种钉扎效应是ESR引起的动态核极化和NMR引起的去极化之间竞争过程的结果。
2001-08-04 cond-mat.mes-hall
Radio-frequency reflectometry on an undoped AlGaAs/GaAs single electron transistor
射频反射仪在亚微米未掺杂的AlGaAs/GaAs器件中演示。无掺杂单电子晶体管（SET）因其电荷稳定性和热循环后稳健的电子性质而成为研究单电子现象的有吸引力的候选者。然而，这些器件需要大的顶栅，这不适合于快速和灵敏的射频反射测量技术。在这里，我们证明射频反射是可能的，在一个未掺杂的SET。
2014-01-08 cond-mat.mes-hall
Evidence for effective mass reduction in GaAs/AlGaAs quantum wells
我们在高迁移率GaAs/AlGaAs量子阱中进行了微波光阻测量，并研究了有效质量的值。令人惊讶的是，有效质量，从微波诱导的电阻振荡的周期，被发现是约12%，低于GaAs，$\mb$的带质量。这一发现提供了强有力的证据，电子-电子相互作用，可以探测微波光电阻在非常高的朗道水平。与此相反，测量的磁等离子体分散揭示了一个有效的质量，这是接近$\mb$，与以前的研究。
2013-05-08 cond-mat.mes-hall
Dresselhaus spin-orbit interaction in the p-AlGaAs/GaAs/AlGaAs structure with a square quantum well: Surface Acoustic Waves Study
采用声学方法研究了高质量方量子阱结构$p$ -AlGaAs/GaAs/AlGaAs中自旋轨道相互作用的影响。在GaAs（100）衬底上生长的结构在量子阱的两侧对称地掺杂碳。测量了二维空穴的交流电导的Shubnikov-de Haas型振荡。在低磁场$B <$ 2 T电导振荡经历由自旋-轨道相互作用引起的拍频。通过对拍频特性的分析，可以将电导贡献从自旋轨道相互作用分裂的两个重空穴子带中分离出来。对于每个子带的有效质量和量子弛豫时间的值已被确定，然后得到的自旋轨道相互作用的能量。量子阱分布，以及小幅度的自旋-轨道相互作用，使我们能够得出结论，自旋-轨道分裂是由Dresselhaus机制。
2021-10-14 cond-mat.mes-hall
Fabrication of undoped AlGaAs/GaAs electron quantum dots
我们制作了一个基于AlGaAs/GaAs异质结构的量子点单电子晶体管，没有任何调制掺杂。从电子学角度来看，我们的器件非常稳定，具有清晰的库仑阻塞振荡，并且当器件被设置为库仑阻塞峰值的中点并保持在恒定的栅极偏置时，电导漂移最小。偏置光谱测量显示典型的库仑“钻石”没有任何显着的电荷波动噪声。我们还观察到激发态输运在我们的设备。
2011-06-29 cond-mat.mes-hall
Quantum corrections to the conductivity and Hall coefficient of a two-dimensional electron gas in a dirty AlGaAs/GaAs/AlGaAs quantum well: from the diffusive to the ballistic regime
本文报道了AlGaAs/GaAs/AlGaAs量子阱中低迁移率、高密度二维电子气在宽温度范围（1.5K -110 K）内的量子电导修正的实验研究。这个温度范围涵盖了我们的样品的扩散和弹道相互作用制度。因此，有可能研究纵向电导率和霍尔效应的这些制度之间的交叉。我们执行一个参数自由比较我们的实验数据的纵向电导率在零磁场，霍尔系数，和磁阻最近的理论相互作用引起的修正的传输系数。这些理论和我们的实验结果之间的定量协议已被发现。
2005-05-19 cond-mat.mes-hall
On the zero-resistance states generated by radiation in GaAs/AlGaAs
所施加的辐射激发“空穴”。在激发通道中形成的凝聚复合（c）玻色子产生具有能隙的超导态。超凝聚态在低温下抑制了非凝聚的c玻色子，但不能抑制基沟道中的c费米子，并且伴随霍尔场的小法向电流产生了B线性霍尔电阻率。
2004-02-05 cond-mat.mes-hall
Decrease of heavy-hole exciton mass induced by uniaxial stress in GaAs/AlGaAs quantum well
实验结果表明，沿GaAs/AlGaAs宽量子阱异质结的二重对称轴施加压力，可以显著改变极化激元反射谱。这种效应被视为应力引起的重空穴激子质量的减少。这种效应的理论模型支持这一假设。在压力P= 0.2 3GPa时，激子质量下降了5%.
2015-05-08 cond-mat.mes-hall
Spin susceptibility of two dimensional hole gases in GaAs/AlGaAs heterostructures
我们测量了限制在GaAs/AlGaAs界面的二维空穴气的自旋磁化率，其密度范围为2.8 × 10^10 ~ 6.5 × 10^10 cm-2。我们采用平行磁场中载流子自旋极化的方法。我们观察到的自旋磁化率的增强体值，增加的密度是减少与量子蒙特卡罗计算的定性协议。测量的增强因子从2.8增加到4.8作为孔密度的减少。
2004-09-21 cond-mat.mes-hall
Temperature and Electron Density Dependence of Spin Relaxation in GaAs/AlGaAs Quantum Well
利用时间分辨克尔旋转技术研究了具有不同结构对称性的GaAs/AlGaAs量子阱的自旋动力学随温度和载流子密度的变化。与非对称GaAs量子阱相比，对称GaAs量子阱的自旋弛豫时间要长得多，表明Rashba自旋轨道耦合对自旋弛豫有很强的影响. D 'yakonov-Perel'（DP）机制是GaAs/AlGaAs量子阱自旋弛豫的主要机制。自旋弛豫时间表现出非单调依赖于温度和光激发载流子密度的行为，揭示了电子-电子库仑散射的非单调温度和密度依赖性的重要作用。我们的实验观察表明，与最近发展的自旋弛豫理论的基础上微观动力学自旋布洛赫方程的方法很好的协议。
2010-10-29 cond-mat.mes-hall
Quasi one-dimensional transport in single GaAs/AlGaAs core-shell nanowires
我们提出了一种新颖的方法来制造单一的GaAs/AlGaAs核壳纳米线具有强大的和可重复的传输性能。核-壳结构被埋在绝缘GaAs覆盖层中，并在使用高掺杂生长衬底和顶部扩散接触的两个探针设置中生长时连接。测得的电导示出了非欧姆行为与温度和电压偏置依赖性遵循幂律，如预期的准一维系统。
2011-01-02 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Photo-excited zero-resistance states in the GaAs/AlGaAs system
微波激发的高迁移率二维电子系统在液氦温度下在$B = [4/(4j+1)] B_{f}$附近表现出电阻消失，其中$B_{f} = 2π\textit{f}m^{*}/e$，m $^{*}$是有效质量，e是电荷，并且\textit{f}是微波频率。在这里，我们总结了一些实验结果。
2005-04-08 cond-mat.mes-hall
Two-dimensional GaAs/AlGaAs superlattice structures for solar cell applications: ultimate efficiency estimation
我们计算了二维GaAs/AlGaAs超晶格的能带结构，并估算了使用这种结构的太阳能电池用于太阳能转换的最终效率。所考虑的超晶格由砷化镓棒组成，形成方形晶格并嵌入砷化铝镓中。最终的效率确定与结构参数，包括填充分数，超晶格常数，棒的几何形状和基体材料中的Al的浓度。超晶格的计算效率证明在很宽的参数值范围内超过单片状态下每个组分材料的效率。
2009-10-02 cond-mat.mes-hall
Tunneling and nonlinear transport in a vertically coupled GaAs/AlGaAs double quantum wire system
我们报道了独立接触垂直耦合量子线系统中的低维隧穿。这种纳米结构是在高质量的GaAs/AlGaAs平行双量子阱异质结构中制备的。使用一种新的倒装芯片技术，使顶部和底部分裂栅极对齐，以形成低维收缩在每个独立接触的量子阱，我们明确地控制子带占用的个别电线。除了预期的2D-2D隧穿结果之外，我们还发现了与1D量子线相关的其他隧穿特征。
2004-11-10 cond-mat.mes-hall
Modulation of Noise in Submicron GaAs/AlGaAs Hall Devices by Gating
我们提出了一个系统的表征，在亚微米霍尔器件的GaAs/AlGaAs二维电子气异质结的基础上，在1.5 K至60 K之间的温度波动。各种各样的噪声谱，从1/f到洛伦兹，通过门控霍尔器件获得。噪声水平可以降低高达几个数量级与0.2 V的适度的栅极电压，而载流子密度增加不到60%，在相同的范围内。霍尔噪声谱对温度和栅电压的显着依赖性的解释在n-AlGaAs中的杂质有关的开关过程。
2004-06-21 cond-mat.mes-hall
Phonon spectral density in a GaAs/AlGaAs double quantum dot
通过对GaAs/AlGaAs双量子点中单个电子隧穿的监测，研究了双量子点中的声子发射。我们准备的系统，使一个已知量的能量在过渡过程中发出。能量被转换成晶格振动，产生的隧穿率强烈依赖于声子散射及其有效声子谱密度。我们能够拟合所测得的跃迁速率，并看到声子与自身干涉的印记，从而导致跃迁速率的振荡。
2019-12-23 cond-mat.mes-hall
Spin Polarization in a AlGaAs/GaAs Quantum Point Contact with in-plane side gates
我们报道了在非对称偏置的AlGaAs/GaAs量子点接触（QPC）中观察到的G = 0.5G0（G 0 = 2 e2/h）附近的异常电导平台，在存在横向自旋轨道耦合的情况下具有面内侧栅.这是QPC窄部分中自旋极化的特征。在T=4.2K时，研究了电导异常的出现和演化，电导异常是边栅间电位不对称性的函数。在侧栅GaAs QPC中观察到的自发自旋极化可能最终导致在几十开尔文度下实现全电动自旋阀。
2012-04-20 cond-mat.mes-hall
Zero-Resistance States Induced by Electromagnetic-Wave Excitation in GaAs/AlGaAs Heterostructures
我们报道了在大填充因子限制下，在低磁场下，在超高迁移率GaAs/AlGaAs异质结构器件中，由电磁波激发引起的新颖零电阻态的检测，$B$。在$B = [4/(4j+1)] B_{f}$附近观察到消失电阻，其中$B_{f} = 2π\textit{f}m^{*}/e$，其中m $^{*}$为有效质量，e为电荷，\textit{f}为微波频率。该效应的依赖性被报告为\textit{f}、温度和功率的函数。
2004-07-14 cond-mat.mes-hall
Hydrodynamic and ballistic transport over large length scales in GaAs/AlGaAs
我们研究了流体动力学和弹道输运制度，通过非局部电阻测量和高分辨率的动力学模拟在一个高迁移率的二维电子系统的GaAs/AlGaAs异质结的介观结构。我们表明集体运输现象的存在，在这两个政权，并证明，负非局部阻力和电流涡是不排他性的，只有流体动力学制度。相结合的实验和模拟突出了设备设计，测量方案和一对一的实验设备的建模来标定各种传输制度的重要性。
2021-02-19 cond-mat.mes-hall
Bloch-Grüneisen nonlinearity of electron transport in GaAs/AlGaAs heterostructures
本文报道了GaAs/AlGaAs异质结中二维电子气的非线性输运测量。在施加直流电时，低温微分电阻率获得正校正，其表现出明显的最大值，随后是平台。随着温度的升高，非线性减小并消失。这些观测结果可以理解为，当电子被直流电加热时，从布洛赫-格吕奈森状态到准弹性散射状态的交叉。考虑电子与声学声子相互作用的计算为我们的实验结果提供了合理的描述。
2017-08-31 cond-mat.mes-hall
In-Plane Magnetolumnescence of Modulation-Doped GaAs/AlGaAs Coupled Double Quantum Wells
一系列GaAs/AlGaAs耦合双量子阱的面内磁场光致发光谱显示出与对称态和反对称态有关的独特的二重态结构。从反对称态的上跃迁的磁场行为强烈地依赖于样品迁移率。在较低的迁移率样本中，跃迁能量显示出具有场的$\cal N$型扭结（即最大值之后是最小值），而较高的迁移率样本具有线性依赖性。前者是由于电子和空穴态的均匀加宽，结果与理论计算符合得很好。
1999-10-20 cond-mat.mes-hall
Single-hole transistor in p-type GaAs/AlGaAs heterostructures
通过AFM氧化光刻在p型、C掺杂的GaAs/AlGaAs异质结构中图案化单孔晶体管。在T=300 mK时观察到明显的库仑阻塞共振。从库仑金刚石测量中提取~ 1.5 meV的充电能量，与点的光刻尺寸一致。在库仑金刚石测量中没有激发态，以及库仑峰高的温度依赖性表明该点处于多能级输运状态。观察到大于估计的平均单粒子水平间距的峰间距的波动。
2005-10-21 cond-mat.mes-hall
Measurements of the density-dependent many-body electron mass in 2D GaAs/AlGaAs Heterostructures
我们确定的密度相关的电子质量，m*，在二维（2D）电子系统的GaAs/AlGaAs异质结进行详细的低温Shubnikov deHaas测量。使用非常高质量的晶体管与可调的电子密度，我们测量m* 在单一的，高迁移率的样品在很宽的范围r_s（6至0.8）。朝向低密度，我们观察到一个快速增加的m* 高达40%。当2>r_s>0.8时，质量值比GaAs的能带质量低约10%.数值计算与我们的数据定性一致，但在细节上有很大的不同。
2004-12-10 cond-mat.mes-hall
Electron Density Dependence of in-plane Spin Relaxation Anisotropy in GaAs/AlGaAs Two-Dimensional Electron Gas
采用时间分辨克尔旋转技术研究了横向磁场下（001）GaAs/AlGaAs异质结构中二维电子的自旋动力学。由于Rashba和Dresselhaus自旋轨道耦合和D 'yakonov-Perel'自旋弛豫的干扰，在150 K以下，面内自旋寿命是各向异性的。面内自旋寿命的比率作为温度和泵浦功率的函数直接测量，显示在2DEG通道中的电子密度强烈影响Rashba自旋轨道耦合。
2012-03-29 cond-mat.mes-hall
Radiation induced oscillatory Hall effect in high mobility GaAs/AlGaAs devices
我们研究了在微波激发下，高迁移率GaAs/AlGaAs器件的霍尔效应的辐射诱导的修改，表现出消失的电阻。照射时霍尔效应的改变的特征在于（a）霍尔电阻曲线相对于暗值的斜率的小的减小，（b）霍尔电阻$R_{xy}$的大小的周期性减小，其与对角电阻$R_{xx}$的增加相关，以及（c）霍尔电阻校正，其随着对角电阻的消失而消失。
2004-05-24 cond-mat.mes-hall
Gate-controlled nuclear magnetic resonance in an AlGaAs/GaAs quantum Hall device
本文研究了带有侧栅的AlGaAs/GaAs量子霍尔器件中的核磁共振（NMR）探测。电子和核自旋之间的超精细相互作用的强度通过使用侧栅极电压相对于极化核自旋调谐二维电子系统的位置来调制。在半导体器件中，通过门调谐技术系统地控制NMR频率。
2006-08-10 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Carbon doped symmetric GaAs/AlGaAs quantum wells with hole mobilities beyond 10^6 cm^2/Vs
利用一种新型的碳掺杂源，在GaAs/AlGaAs异质结中的对称量子阱结构中制备了二维空穴气。在密度为2.3 x 10^11 cm^-2时，GaAs（001）衬底上的低温空穴迁移率高达1.2 x 10^6 cm ^2/Vs。与电子系统相比，空穴迁移率敏感地依赖于量子阱宽度和间隔层厚度的变化。特别地，量子阱宽度从15 nm的最佳值增加到18 nm伴随着空穴迁移率降低35%。超高迁移率电子系统的质量不受所采用的碳掺杂源的影响。
2005-01-20 cond-mat.mes-hall
Gating of high-mobility two-dimensional electron gases in GaAs/AlGaAs heterostructures
我们研究了AlGaAs异质结构中的高迁移率二维电子气，采用肖特基栅相关的测量样品的电子密度和迁移率。令人惊讶的是，我们发现，两种不同的样品配置可以设置在原位的迁移率diering的一个因素超过两个在很宽的密度范围。这一观察结果进行了讨论，在掺杂层之间的电荷重新分布，并为未来的门控高迁移率电子气的设计有关。
2010-02-18 cond-mat.mes-hall
Response of the two-dimensional electron gas of AlGaAs/GaAs heterostructures to parallel magnetic field
本文研究了AlGaAs/GaAs异质结中二维电子气在平行于界面磁场作用下的输运性质。金属相的磁电阻相对于面内磁场和通过样品的电流的取向是正的和弱各向异性的。在低电子密度（$n_s< 5\times 10^{10}$ cm $^{-2}$）下，实验数据可以在自旋相关方法内充分描述，而在高$n_s$下，磁阻机制的变化如从$n_s$ -归一化磁阻的独立性推断的。
2000-09-26 cond-mat.mes-hall
Dynamic nuclear polarization in InGaAs/GaAs and GaAs/AlGaAs quantum dots under non-resonant ultra-low power optical excitation
实验研究了InGaAs/GaAs和GaAs/AlGaAs两种中性半导体量子点的动态核自旋极化与非共振光激发功率的关系。我们表明，最近在InP/GaInP量子点中报道的通过光学禁戒（“暗”）激子态的二级复合的核自旋泵浦机制[Phys.Rev.B83，125318（2011）]与本工作中考虑的材料系统相关。在InGaAs/GaAs点中，这种核自旋极化机制特别明显，导致在光激发功率比使基态激子饱和所需的功率小~1000倍时实现的Overhauser位移高达~80微eV。在界面GaAs/AlGaAs点中在低功率光泵浦下观察到的Overhauser位移通常较小（高达~40微eV）。此外，在GaAs/AlGaAs中，我们观察到点到点的变化，甚至符号反转的Overhauser位移，这是由于暗-亮激子混合起源于电子-空穴交换相互作用的对称性降低的点。在超低功率光抽运下的核自旋极化度与共振光抽运或高功率圆偏振光的隙上抽运等技术所获得的结果相当。通过“暗"激子的二阶复合的动态核极化可能成为单量子点应用中的有用工具，其中需要操纵核自旋环境或电子自旋。
2013-06-03 cond-mat.mes-hall
Intrinsic and extrinsic origins of low-frequency noise in GaAs/AlGaAs Schottky-gated nanostructures
研究了不同层结构和工艺条件下GaAs/AlGaAs异质结量子点接触中电流的低频噪声。与以前的报告相比，有没有门依赖的随机电报噪声（RTN），起源于隧道通过肖特基势垒在使用标准的低损伤工艺制造的设备。栅依赖RTN只出现在与高损伤过程，诱导电荷陷阱网站制造的设备。我们发现，在AlGaAs势垒中插入AlAs/GaAs超晶格有助于抑制陷阱的形成。我们的研究结果使制造抗损伤，从而低噪声设备。
2013-05-29 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Non-monotonic magnetic field and density dependence of in-plane magnetoresistance in dilute two-dimensional holes in GaAs/AlGaAs
本文研究了GaAs/AlGaAs异质结中具有明显金属-绝缘体转变的二维稀空穴系统的低温（T= 50 mK）面内磁电阻效应。我们发现了一个各向异性的磁电阻，它的变化显着在高面内场（$B_{\parallel}\agt$ 5 T）的空穴密度是不同的。在系统在$B_{\parallel}=0$表现为金属的高密度下，横向磁阻大于纵向磁阻。随着空穴密度的降低，该差异逐渐变小，并且在接近“临界”密度和更低的密度处，纵向磁阻变得大于横向磁阻。
2001-04-12 cond-mat.mes-hall
Charge noise analysis of an AlGaAs/GaAs quantum dot using transmission-type radio-frequency single-electron transistor technique
射频工作的单电子晶体管是一种高灵敏度、快速响应的静电计，它对研究单电荷动力学具有重要的意义。我们使用传输型rf-SET技术研究了AlGaAs/GaAs量子点中的高频（高达1 MHz）电荷噪声。在量子点附近的陷阱上的电子捕获和发射动力学由泊松过程支配。测量单个俘获事件的最大带宽约为1 MHz，这与在可测量电流（~0.1pA）中观察单电子隧穿振荡所需的带宽相同。
2000-06-01 cond-mat.mes-hall
Optical control of energy-level structure of few electrons in AlGaAs/GaAs quantum dots
横向量子限制和限制在nanofabricated GaAs/AlGaAs量子点的电子数的光学控制是通过照明与被吸收在AlGaAs势垒的弱激光束。精确调谐的能级结构和电子布居证明通过监测的电子从最低的量子点能量壳层的共振非弹性光散射的低洼跃迁。这些发现为操纵这些量子点中的单个电子开辟了道路，而无需外部金属栅极。
2008-01-02 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
High-field magneto-excitons in unstrained GaAs/AlGaAs quantum dots
从理论和实验上研究了无应变GaAs/AlGaAs量子点中激子态的磁场依赖性。研究了在不同取向的磁场中基态和激发态的抗磁位移。在理论研究中，我们在单带有效质量近似下进行了计算，包括能带非抛物性、全实验三维点形和电子-空穴库仑相互作用。这些计算结果进行了比较与实验结果的地面和激发态的字段高达50特斯拉。理论与实验结果吻合较好。
2006-05-09 cond-mat.mes-hall
Switching between attractive and repulsive Coulomb-interaction-mediated drag in an ambipolar GaAs/AlGaAs bilayer device
我们目前的测量库仑阻力的双极性GaAs/AlGaAs双量子阱结构，可以配置为电子-空穴双层和空穴-空穴双层，与绝缘势垒之间的两个量子阱只有10 nm。库仑拖曳电阻率是层间颗粒-颗粒相互作用强度的直接量度。我们探讨了强相互作用制度的低载流子密度（二维相互作用参数$r_s$高达14）。我们的双极器件设计允许吸引电子-空穴和排斥空穴-空穴相互作用的影响之间的比较，也显示了不同的电子和空穴在GaAs中的有效质量的影响。
2016-01-03 cond-mat.mes-hall
A study of transport suppression in an undoped AlGaAs/GaAs quantum dot single-electron transistor
本文报道了一种基于非掺杂AlGaAs/GaAs异质结的量子点单电子晶体管的输运阻断特性的研究。我们观察到抑制运输通过基态的点，以及负微分电导在有限的源漏偏置。这些特征的温度和磁场依赖性表明引线和量子点态之间的耦合被抑制。我们将其归因于两种可能的机制：自旋效应，其根据总自旋的变化确定是否允许特定的电荷跃迁，以及点中电子的相干隧穿产生的干涉效应。
2013-10-18 cond-mat.mes-hall
Electric field control of spin-orbit splittings in GaAs/AlGaAs coupled quantum wells
研究了n-i-nGaAs/AlGaAs耦合量子阱中的电子自旋动力学。电子自旋退相时间测量作为一个功能的外部电偏压下的共振激发的1 sHH阱内激子使用时间分辨克尔旋转技术。研究发现，由于结构反转不对称性和体反转不对称性的干扰，电子自旋退相时间各向异性很强。这种各向异性被证明是由电偏压控制。对电子自旋退相时间各向异性进行了理论分析。Rashba和Dresselhaus自旋分裂的比例作为施加偏压的函数进行了研究。
2008-04-09 cond-mat.mes-hall
Fabrication of quantum point contacts by engraving GaAs/AlGaAs-heterostructures with a diamond tip
我们使用原子力显微镜的全金刚石针尖直接雕刻GaAs/AlGaAs异质结构中的高质量量子点接触。与标准硅针尖相比，加工时间缩短了两个数量级。连同线宽减小到90 nm以下，绝缘线的耗尽长度用金刚石探针减小了两倍。这种制造的无缺陷的弹道收缩显示出良好的解决电导平台和0.7异常的电子输运测量。
2002-09-09 cond-mat.mes-hall
Impact of silicon doping on low frequency charge noise and conductance drift in GaAs/AlGaAs nanostructures
本文测量了调制掺杂GaAs/AlGaAs异质结构的低频电荷噪声和电导漂移，其中硅掺杂浓度从$2.4\times 10^{18} cm^{-3}$（临界掺杂）到$6.0\times 10^{18} cm^{-3}$（过掺杂）变化。量子点接触被用来检测电荷波动。观察到短时间尺度电报噪声和长时间尺度电导漂移随着掺杂浓度的降低而明显减少。这些测量结果表明，{ \it中性}掺杂区在电荷噪声和电导漂移中起着重要作用。
2017-09-18 cond-mat.mes-hall
Experimental Studies of Low-field Landau Quantization in Two-dimensional Electron Systems in GaAs/AlGaAs Heterostructures
在垂直于GaAs/AlGaAs二维电子系统的磁场作用下，研究了热阻尼随温度降低而减小时的低场朗道量子化.磁振荡遵循Shubnikov-de Haas（SdH）公式，即使当它们的振幅如此之大，这样的公式的偏差是预期的。我们的实验结果表明，在无序引起的阻尼作用下，正磁阻效应对SdH公式的推广具有重要意义。
2006-10-29 cond-mat.mes-hall
Scaling flow diagram in the fractional quantum Hall regime of GaAs/AlGaAs heterostructures
本文研究了GaAs/ Al_{x} Ga_{1-x} As异质结中二维电子系统在分数量子霍尔区的温度驱动的霍尔流线和耗散磁导数据（σ xy，σ xx）。最近发展的一个统一标度理论很好地描述了全自旋极化二维电子系统中整数和分数量子霍尔效应的流线，该理论预言一个（σ_{xy}，σ_{xx}）点决定一条完整的流线。
2006-01-10 cond-mat.mes-hall
Dynamic photoconductive gain effect in shallow-etched AlGaAs/GaAs quantum wires
本文报道了在AlGaAs/GaAs量子阱中用浅腐蚀技术光刻制备的量子线的动态光电导增益效应。该效应允许将量子线的一维子带解析为跨量子线的光响应中的最大值。我们解释的结果，在量子阱的价带的光致空穴移动的量子线的化学势。量子线的非线性电流-电压特性还允许检测量子阱的导带中的过量载流子的光响应效应。光电导增益的动态特性受到电子和空穴复合时间的限制。
2008-06-06 cond-mat.mes-hall
In situ reduction of charge noise in GaAs/AlGaAs Schottky-gated devices
我们发现，绝缘静电门可以用来强烈抑制无处不在的背景电荷噪声肖特基栅GaAs/AlGaAs器件。通过一个2-D自洽模拟的导带分布，我们表明，这一观察结果可以解释为减少泄漏的电子从肖特基栅极到半导体通过肖特基势垒，符合“偏置冷却”的效果。在噪声降低时，噪声功率谱通常从洛伦兹型变为$1/f$型。通过比较不同Al含量的晶片，我们排除了DX中心在电荷噪声中起主导作用。
2008-12-03 cond-mat.mes-hall
Terahertz dynamics of a topologically protected state: quantum Hall effect plateaus near cyclotron resonance in a GaAs/AlGaAs heterojunction
我们测量的霍尔电导率的二维电子气形成在GaAs/AlGaAs异质结在太赫兹制度接近回旋共振频率通过采用高灵敏度的法拉第旋转的方法加上电选通的样品来改变电子密度。我们观察到清晰的平台和阶梯状功能的法拉第旋转角与电子密度和磁场（朗道能级填充因子），这是量子霍尔平台的高频表现-拓扑保护的边缘状态的签名。最近的动态标度理论的结果进行了比较。
2013-06-28 cond-mat.mes-hall
