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arXiv 2003.070762020-03physics.ins-dethep-exnucl-ex

UFSD中受主去除的实验研究

Experimental Study of Acceptor Removal in UFSD

Y. Jin, H. Ren, S. Christie, Z. Galloway, C. Gee, C. Labitan, M. Lockerby, F. Martinez-McKinney, S. M. Mazza, R. Padilla, H. F. -W. Sadrozinski, B. Schumm, A. S… 展开作者

Y. Jin, H. Ren, S. Christie, Z. Galloway, C. Gee, C. Labitan, M. Lockerby, F. Martinez-McKinney, S. M. Mazza, R. Padilla, H. F. -W. Sadrozinski, B. Schumm, A. Seiden, M. Wilder, W. Wyatt, Y. Zhao, R. Arcidiacono, N. Cartiglia, M. Ferrero, M. Mandurrino, F. Siviero, V. Sola, M. Tornago, V. Cindro, A. Howard, G. Kramberger, I. Mandić, M. Mikuž

备注：: 14 pages, 10 Figs., Sumitted to HSTD12 Hiroshima 2019
DOI：: 10.1016/j.nima.2020.164611

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摘要：

超快硅探测器（UFSD）的性能与中子和质子辐照后，是妥协的结下负责增益的薄层中的受体的去除。这种效果是测试与掺杂浓度的C-V测量和使用带电粒子的电荷收集的测量。我们发现一个完美的线性相关性之间的偏置电压耗尽的增益层确定的C-V和偏置电压收集一个定义的电荷，测量与电荷收集。这种相关性的有用性的一个例子。

英文摘要：

The performance of the Ultra-Fast Silicon Detectors (UFSD) after irradiation with neutrons and protons is compromised by the removal of acceptors in the thin layer below the junction responsible for the gain. This effect is tested both with C-V measurements of the doping concentration and with measurements of charge collection using charged particles. We find a perfect linear correlation between the bias voltage to deplete the gain layer determined with C-V and the bias voltage to collect a defined charge, measured with charge collection. An example for the usefulness of this correlation is presented.

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2017-10-26physics.ins-det

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2017-01-18physics.ins-det

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