Detection of Gas Molecule using C$_3$N island Single Electron Transistor

非共线单电子自旋阀晶体管输运理论

Theory of transport through noncollinear single-electron spin-valve transistors

本文研究了非共线单电子自旋阀晶体管中的电子输运。它由一个小的金属岛弱耦合到两个非共线磁化方向的铁磁引线。电流受库仑充电和自旋积累的影响。此外，库仑相互作用和隧道耦合到自旋极化的引线的相互作用产生多体交换场，其中累积的岛自旋进动。我们分析了这种交换场在线性和非线性传输制度的影响。特别地，我们发现交换场可以引起岛的自旋取向对栅极电压的高灵敏度。

高质量超导铌岛单电子晶体管

Single electron transistors with high quality superconducting niobium islands

采用电子束阴影蒸发技术制备了深亚微米Al-AlOx-Nb隧道结和铌岛单电子晶体管。使用模板掩模组成的热稳定的聚合物聚醚砜（PES）和锗，高品质的铌图案具有良好的超导性能和高达2Delta = 2.5毫电子伏的铌的能隙。由于单个库珀对的隧穿效应以及超导态和正常态下显著的栅极调制效应，晶体管的I（U）特性表现出特殊的特性。

强耦合超导单电子晶体管电荷谱

Charge spectrometry with a strongly coupled superconducting single-electron transistor

我们使用超导单电子晶体管作为直流静电计，它与另一个晶体管的金属岛强耦合。通过这种设置，可以直接测量岛上的电荷分布。强电容耦合是通过多层制造技术实现的，该技术允许我们使耦合电容大于结电容。使用正统的单电子隧穿理论对该系统进行了模拟，结果与测量结果非常吻合。

单电子晶体管的共振共隧穿

Cotunneling at resonance for the single-electron transistor

我们研究了微扰态下电子输运通过金属小岛的过程。使用最近开发的图解技术，我们计算的岛屿的占领，以及通过晶体管的电导在第四顺序中的隧穿矩阵元素，一个过程称为cotunneling。我们的提法并不要求采用禁产。在共振，我们发现以前的理论和最近的实验很好的协议显着修改。

具有与衬底隔离的岛的铝单电子晶体管

Aluminum Single Electron Transistors with Islands Isolated from a Substrate

比较了传统平面结构和新型叠层结构单电子晶体管（静电计）的低频噪声系数。我们观察到的电荷噪声和晶体管岛的接触面积与位于同一芯片上的一组Al晶体管的电介质基板之间的相关性，并具有几乎相似的电参数。我们已经发现，接触面积越小，晶体管的噪声电平越低。f = 10 Hz时的最低噪声值为8* 10 E-6 e/sqrt（Hz）。在具有与衬底完全隔离的岛的堆叠晶体管中测量。我们的测量已经明确地表明，背景电荷波动的主要来源是与介电基板

单电子晶体管弹性共隧穿热电势的巨介观涨落

Giant mesoscopic fluctuations of the elastic cotunneling thermopower of a single-electron transistor

本文研究了通过隧道结与两个电极弱耦合的小金属岛的热电输运。在库仑阻塞制度，在系统的基态对应于岛上的偶数个电子的情况下，在最低温度下的电子输运的主要机制是弹性共隧穿。在这种情况下，输运系数强烈依赖于实现的随机杂质势或岛的形状。利用随机矩阵理论，我们计算了热电势和热电动力学系数，并研究了它们在弹性共隧穿区的介观涨落统计。热电势的波动比平均值大得多。

铁磁单电子晶体管共隧穿区的自旋积累

Spin accumulation in ferromagnetic single-electron transistors in the cotunneling regime

我们提出了一种新的方法，直接检测自旋积累，克服了以前的测量方案的问题。在具有铁磁电极的单电子晶体管中，自旋相关电流导致金属岛上的自旋积累。所产生的自旋分裂的电化学电位的岛，因为一个额外的移位的充电能量，可以从两个共振之间的电流-电压特性的间距检测。结果得到的框架中的一个实时的图解方法，允许研究高阶（共）隧穿过程中的强非平衡的情况。

铁磁单电子晶体管中的栅控自旋极化电流

Gate-controlled spin polarized current in ferromagnetic single electron transistors

我们通过使用涉及自旋和电荷自由度的二维状态空间应用主方程计算，从理论上研究了铁磁/正常金属/铁磁单电子晶体管中的自旋相关输运。当铁磁引线的磁化方向反平行排列时，自旋在岛中积累，并且两个自旋的化学势差被建立。这种化学势的变化作为岛中的电荷偏移，并改变自旋电流的栅极依赖性。利用这种效应，可以通过调节栅极电压来控制电流的极化直到铅的极化。

铁磁单电子晶体管中的磁库仑振荡

Magneto-Coulomb Oscillation in Ferromagnetic Single Electron Transistors

从理论上研究了铁磁单电子晶体管（SET）中磁库仑振荡的机理。磁场中的铁磁性岛电极和铁磁性引线电极中的传导电子的化学势的变化引起SET的岛电极的自由能的变化。给出了Ni/Co/Ni铁磁SET中磁库仑振荡的实验结果，并进行了讨论。这种现象的可能应用进行了讨论。

使用门控硅纳米线的平衡三元加法

Balanced ternary addition using a gated silicon nanowire

我们证明了使用硅绝缘体上金属单电子晶体管（SET）的三进制加法器的原理证明。单电子晶体管的栅极相关整流行为导致稳健的三值输出，该输出是SET岛电位的函数。将逻辑三进制输入映射到控制SET岛电位的三个门，使我们能够在单个晶体管上执行复杂的固有三进制运算。

非共线单电子自旋阀晶体管的电流涨落

Current fluctuations of noncollinear single-electron spin-valve transistors

本文从理论上研究了非共线单电子自旋阀晶体管在序贯隧穿极限下的有限频率和零频率电荷电流涨落。所考虑的系统由两个隧道结，连接一个小的中央金属岛的两个非共线磁化的铁磁引线。由于自旋相关的隧道耦合和中心电极上的电子-电子相互作用，存在作用于累积的岛自旋的交换场。我们分析了这种多粒子相互作用效应如何影响电流噪声。详细地说，我们提出，该领域导致减少的子泊松Fano因子。

用直流电检测单电子晶体管的机械谐振

Detection of mechanical resonance of a single-electron transistor by direct current

我们已经暂停了铝基单电子晶体管，其岛可以自由谐振之间的源极和漏极引线形成的钳位。除了常规的侧栅极之外，对SET岛具有更大电容的底栅极被放置在下面，以增加SET与机械运动的耦合。该器件可以看作是一个双夹持的铝梁，它可以将机械振动转化为SET电流的变化。我们的模拟正统模型的基础上，从实验中估计的SET参数，再现所观察到的输运特性的细节。

用单库珀对晶体管定量研究准粒子陷阱

A quantitative study of quasiparticle traps using the single-Cooper-pair-transistor

我们用射频反射法测量了单晶体管中的准粒子隧穿率。研究了在岛附近有和没有准粒子陷阱的器件。一个$10^2$到$10^3$倍减少的准粒子隧穿率到岛上的情况下观察到的准粒子陷阱。在准粒子陷阱样品中，我们还测量到准粒子隧穿率的相应降低。

纳米级磷硅岛的库仑阻塞

Coulomb blockade in a nanoscale phosphorus-in-silicon island

本文研究了硅单电子晶体管的低温电输运特性。岛和引线由通过聚合物抗蚀剂掩模的离子注入实现的图案化的磷掺杂区域限定。在该器件中，一个50 nm直径的岛，含有约600个施主，并具有金属态密度，通过未掺杂的硅隧道势垒与源极和漏极引线分离。中心岛和隧道势垒由场效应晶体管几何形状中的表面栅极覆盖，从而允许控制引线和岛之间的耦合。测量了掺杂岛充电引起的库仑阻塞，观察到振荡周期是恒定的，而充电能量依赖于表面栅电压。我们讨论了在这些结构中接近少数电子制度的可能性，目的是观察和操纵离散的量子力学状态。

超导单电子晶体管热电势中的奇偶效应和强增强热电效率

Even-odd effect in the thermopower and strongly enhanced thermoelectric efficiency for superconducting single-electron transistors

具有超导岛和正常导电引线的单电子晶体管（NSN SET）的输运性质可能取决于岛上是否存在单个准粒子。这种宇称效应对线性输运性质有明显的影响。在这里，我们分析了热功率的NSN设置有和没有奇偶效应，完全现实的值的设备参数。除了显着的依赖于超导能隙$Δ$的热电势，我们观察到的宇称制度，这是伴随着热电优值ZT的急剧增加的增强。后者可以解释在一个简单的重新解释ZT的平均值和方差的运输能量。

离子注入硅单电子晶体管

An ion-implanted silicon single-electron transistor

我们报道了一种新型硅单电子晶体管（Si-SET）的制作和在毫开尔文温度下的电学特性。通过将磷离子注入到金属-绝缘体过渡区上方的密度来形成Si-SET的岛和源极-漏极引线，其中隧道结由未掺杂区域产生。每个隧道结上方的表面栅极独立地控制Si-SET岛和引线之间的隧道耦合。该器件显示出具有充电能量e $^2$ /2C $_Σ$ $\sim$ 250 $μ$ eV的周期性库仑阻塞，并展示了使用CMOS加工技术的基于硅的SET的可再现和可控的途径。

Non-Linear Thermovoltage in a Single-Electron Transistor

We perform direct thermovoltage measurements in a single-electron transistor, using on-chip local thermometers, both in the linear and non-linear regimes. Using a model which accounts for co-tunneling, we find excellent agreement with the experimental data with no free parameters even when the temperature difference is larger than the average temperature (far-from-linear regime). This allows us to confirm the sensitivity of the thermovoltage on co-tunneling and to find that in the non-linear regime the temperature of the metallic island is a crucial parameter. Surprisingly, the metallic island…

Correlation-induced refrigeration with superconducting single-electron transistors

A model of a superconducting tunnel junction which refrigerates a nearby metallic island without any particle exchange is presented. Heat extraction is mediated by charge fluctuations in the coupling capacitance of the two systems. The interplay of Coulomb interaction and the superconducting gap reduces the power consumption of the refrigerator. The island is predicted to be cooled from lattice temperatures of 200~mK down to close to 50~mK, for realistic parameters. The results emphasize the role of non-equilibrium correlations in bipartite mesoscopic conductors. This mechanism can be applied …

单电子晶体管的共隧穿和重整化效应

Cotunneling and renormalization effects for the single-electron transistor

我们研究了微扰态下电子输运通过金属小岛的过程。使用一个图形实时技术，我们计算占领的岛，以及通过晶体管的电导在任意温度和偏置电压在四阶的隧穿矩阵元素，一个过程称为cotunneling。我们的提法并不要求采用截止值。在共振，我们发现以前的理论和最近的实验定量协议的重大修改。我们确定了系统参数的重整化，并提取了通常的重整化群分析无法导出的对数项的自变量。此外，我们还执行低温和高温限值。在前者中，我们发现了多通道Kondo模型的一个行为特征。

Andreev or Majorana, Cooper finds out

We study a Cooper pair transistor realized by a mesoscopic superconductor island that couples to a pair of $s$-wave superconducting leads. For a trivial island, the critical supercurrent between the leads exhibits a well-known $2e$-periodicity in the island-gate charge. Here, we show that for an island with spatially separated zero-energy Majorana or Andreev bound states the periodicity of the magnitude of the critical supercurrent transitions to $1e$ in the island-gate charge. Moreover, for Andreev bound states the current-phase relation displays a sign reversal when the parity of the charge …

测量过程对单电子盒中电荷态跃迁的加宽

Broadening of the transition between charge states in the single-electron box by the measurement process

我们报告的测量上的样品组成的两个名义上相同的单电子晶体管的岛屿耦合电容。一次一个晶体管作为电子箱工作。剩余的晶体管用作静电计，测量盒岛上的电荷。当斜升时，盒栅极电压转变周期性地发生在盒岛上的电荷相差元电荷的状态之间。这表现在静电计电流的跳跃上。盒子和测量设备之间的耦合导致过渡宽度的加宽，而隔离盒子的公式中不包括过渡宽度的加宽。这是显而易见的，在我们的数据，以及从一个彻底的分析系统的框架中的顺序隧道模型。

单分子晶体管中的Franck-Condon阻塞

Franck-Condon Blockade in a Single-Molecule Transistor

我们研究了含有单个Fe 4单分子磁体的单分子晶体管中的振动子辅助电子输运。我们观察到一个强大的抑制隧穿电流在低偏置结合振动子辅助激发。在密度泛函理论支持的Franck-Condon模型框架下，用强电子-振子耦合解释了观测到的特征.

基于CVD生长石墨烯纳米岛的量子点晶体管

Quantum dot transistors based on CVD-grown graphene nano islands

本研究采用无催化剂微波等离子体CVD在SiO₂上直接生长石墨烯纳米岛并制备电极，实现量子点晶体管的低温库仑菱形观测与栅极、隧穿耦合调控。

单分子晶体管中通过分子振动的非弹性电子隧穿

Inelastic electron tunneling via molecular vibrations in single-molecule transistors

在单分子晶体管中，我们观察到非弹性cotunneling功能，对应于大力振动激发的分子，确定拉曼光谱和红外光谱。这是单分子的非弹性电子隧穿光谱的一种形式，晶体管的几何形状允许通过栅电极原位调节电子状态。当电子能级在共振附近被调谐时，振动特征移动并改变形状，这表明振动态的显著修改。当分子中含有未成对电子时，我们还观察到近藤共振周围的振动卫星特征。

过热单电子晶体管中的巨电流涨落

Giant current fluctuations in an overheated single electron transistor

在热隔离单电子晶体管中，共隧穿和单电子隧穿的相互作用导致了特殊的过热效应。特别是，有一个有趣的交叉间隔cotunneling和单电子隧穿之间的竞争改变后者的主导地位。在此区间内，电流对晶体管岛的有效电子温度及其波动表现出异常的敏感性。我们提出了一个详细的研究在这个有趣的点的电流和温度波动。实现的方法允许的波动量的分布的一个完整的表征，远远超出了高斯近似。我们揭示和探索的参数范围内，足够小的晶体管岛，电流波动变得巨大。在这种情况下，电流的最优值、期望值和标准差彼此相差很大的参数因子。这种情况对于纳米结构中的传输和一般的电子输运是独特的。这种壮观效应的起源是电流对波动的有效温度的指数敏感性。

单电子晶体管多晶硅栅的不连续充电

Discrete Charging in Polysilicon Gates of Single Electron Transistors

低温电子输运测量的单电子晶体管制造在先进的CMOS工艺与多晶硅栅极不仅表现出明确的库仑阻塞行为，但也显示了大量的额外的电导波动的非线性制度。通过与模拟比较，这些功能定量归因于多晶硅栅极中的离散电荷岛的影响。

用单个原子选通单分子晶体管

Gating a single-molecule transistor with individual atoms

晶体管，无论其尺寸如何，都依赖于电栅极来控制源极和漏极触点之间的电导。在原子尺度的晶体管中，这种电导对通过单个轨道跳跃的单个电子非常敏感。分子晶体管中的单电子输运先前已经使用自上而下的方法进行了研究，例如光刻和断开结。但是，原子级精确的栅极控制--这对晶体管在最小尺寸尺度上的动作至关重要--在这些方法中是不可能的。在这里，我们使用单个带电原子，通过扫描隧道显微镜操纵，为单分子晶体管创建电子门。这种程度的控制使我们能够将分子调整到顺序单电子隧穿的状态，尽管电导间隙比以前观察到的大一个数量级以上。这种意想不到的行为是由于分子存在两种不同的取向构象，这取决于其电荷状态。我们的研究结果表明，这些电荷和构象自由度之间的强耦合导致新的行为超出了原子级晶体管中的单电子输运的既定图片。

单电子晶体管中邻近感生约瑟夫森准粒子过程

Proximity Induced Josephson-Quasiparticle Process in a Single Electron Transistor

我们在超导-正常金属-超导单电子晶体管中进行了第一次实验，其中有一个额外的超导带部分重叠在正常金属岛上，金属与金属接触良好。超导邻近效应在准粒子阈值以下产生电流峰值。我们解释这些峰值的约瑟夫森准粒子过程，并讨论它们与邻近诱导的能隙在正常的金属岛。

单分子晶体管库仑阻塞区的振动吸收边带

Vibrational absorption sidebands in the Coulomb blockade regime of single-molecule transistors

在单分子晶体管中，电流驱动的振动非平衡诱导振动边带，其产生于伴随振动量子吸收的隧穿过程。与传统的边带不同，这些吸收边带发生在电流名义上被库仑阻塞的区域。在这里，我们开发了详细的和分析的吸收边带的理论，包括电流-电压特性以及散粒噪声。我们讨论我们的预测最近的实验的关系。

C_{140}单分子晶体管中的振动辅助电子隧穿

Vibration-assisted electron tunneling in C_{140} single-molecule transistors

我们测量了由C_{140}制成的单分子晶体管中的电子隧穿，C_{140}是一种具有质量-弹簧-质量几何形状的分子，被选为研究电子-振动耦合的模型系统。我们观察到振动辅助隧穿对应的能量的拉伸模式的C_{140}。分子模型提供了解释为什么这种模式比分子的其他内部模式更强烈地耦合到电子隧穿。我们观察到的隧穿率和预期的Franck-Condon模型之间的比较。

单分子晶体管中的自旋耦合双量子点行为

Spin-coupled double-quantum-dot behavior inside a single-molecule transistor

我们报告的观察Kondo和分裂Kondo峰在单分子晶体管含有一个单一的自旋跃迁分子与Fe 2+离子。库仑阻塞特性揭示了双量子点的平行结构，使我们的系统的分子等效的半导体双量子点系统。当栅极电压增加时，第二个点被额外的电子充电引起近藤峰的分裂。我们讨论了这种效应的可能起源，包括自旋转变为高自旋态。

单电子晶体管在岛电荷非平衡态大量子涨落区的噪声

Noise of a single-electron transistor in the regime of large quantum fluctuations of island charge out of equilibrium

本文利用drone-费米子表象和Schwinger-Keldysh方法，计算了非平衡态单电子晶体管在岛电荷量子涨落较大时的电流噪声和电荷噪声.我们的结果介于“正统理论”和“共隧穿理论”之间。我们发现了以前的理论没有处理的下列效应：（i）在零温度T=0和有限的外加偏压$|eV| \gg T_{K}$，其中$T_{K}$是“近藤温度”，我们发现Fano因子的抑制超过库仑相关引起的抑制在库仑阻塞制度和顺序隧穿制度。(ii)对于$T \gg |eV|/2 \gg T_{K}$，在大的电荷起伏的存在下的电流噪声被修改，偏离正统理论的预测。然而，Fano因子与正统理论一致，并且与温度成正比。(iii)对于$eV, T \lesssim T_{K}$，由于电荷的量子涨落引起的系统参数的重整化，电荷噪声被抑制。我们用岛电荷“单位”的修正来解释它。

Vanadyl dithiolate single molecule transistors: the next spintronic frontier?

The role of Chemistry in the road towards quantum devices is the design of elementary pieces with a built-in function. A brilliant example is the use of molecular transistors as nuclear spin detectors, which, up to now, has been implemented only on [TbPc$_2$]$^-$. We argue that this is an artificial constraint and critically discuss the limitations of current theoretical approaches to assess the potential of molecules for their use in spintronics. In connection with this, we review the recent progress in the preparation of highly coherent spin qubits based on vanadium dithiolate complexes and …

单分子晶体管中的输运：近藤物理和负微分电阻

Transport in single-molecule transistors: Kondo physics and negative differential resistance

我们报告了两个例子的基础上的有效态密度的分子级晶体管的尖锐功能的运输现象：近藤物理在C $_{60}$为基础的设备，和门调制的负微分电阻（NDR）的“控制”设备，我们归因于吸附污染。我们讨论了需要一种统计方法来表征设备，和必须满足的标准，以推断运输是基于单分子。我们描述了明显的近藤物理在C $_{60}$为基础的单分子晶体管（SMT），包括近藤政权的分子振动的签名。最后，我们报告门调制的NDR在没有故意的分子成分的设备，并讨论了这种属性的可能起源。

声子单分子场效应晶体管的设想

Proposal for a single-molecule field-effect transistor for phonons

我们提出了一个实际实现的声子场效应晶体管。我们的设备是基于一个单一的离子聚合物分子，它给出了调制高达约25%的热导率为可行的温度和电场幅度。这种效果可以通过将所施加的电场耦合到单体的偶极矩而将声学扭转模式可逆地切换到光学模式来实现。该装置可以为纳米级或分子尺度的声子学的未来发展铺平道路。

单分子晶体管输运中的Dzyaloshinskiii-Moriya相互作用

Dzyaloshinskii-Moriya interaction in transport through single molecule transistors

Dzyaloshinskiii-Moriya相互作用的结果表明，在一个单分子晶体管的自旋倾斜。我们预测的非线性传输签名的自旋轨道耦合的分子二聚体的一般情况下，这种效果。使用主方程计算的电导，并发现表现出非平凡的依赖于外部磁场的大小和方向。我们展示了如何三端传输测量允许确定的耦合矢量特征的Dzyaloshinskiii-Moriya相互作用。特别是，我们展示了它的方向，定义分子内的自旋手性，可以探测铁磁电极。

硼镁环单分子晶体管的微分电导峰交换

Differential Conductance Peak Exchange in Borromean Ring Single Molecule Transistors

虽然单分子晶体管已经在实验室研究中使用了很多年，但仍然有许多与电荷传输相关的细节尚未被描述。我们已经使用电迁移技术来创建一个纳米大小的间隙，用于在电子束光刻法定义的金线的最西端部分容纳单个分子。最近合成的Borromean环配合物被用作晶体管器件的活性分子元件。在单分子晶体管中，对于源极-漏极电压的扫描，通常会出现零电导的区域-称为电导间隙-其中心约为V_sd = 0。我们已经观察到这些电导间隙交换位置的相对侧上的差分电导峰作为改变栅极偏压的结果。我们将这种性质与流经分子的大多数载流子的符号变化联系起来。也就是说，当通过分子能级的电流在空穴流和电子流之间移动时，发生微分电导的测量变化。

单分子晶体管中的近藤共振和电子传导的反常门依赖性

Kondo resonances and anomalous gate dependence of electronic conduction in single-molecule transistors

我们报道了基于过渡金属配合物的单分子晶体管的近藤共振。我们发现近藤温度超过50 K，与纯金属系统中的温度相当。所观察到的近藤温度的门依赖性与半导体量子点和简单的单点能级模型的观察结果不一致。我们讨论了这种效应的可能的解释，根据电子结构计算。

单分子蒽醌晶体管中干扰传输路径的电场控制

Electric-field control of interfering transport pathways in a single-molecule anthraquinone transistor

应当理解，分子共轭在通过单分子结的电荷传输中起重要作用。在这里，我们研究电子输运通过蒽醌基单分子三端器件。通过使用由栅电极诱导的电场，分子被还原，导致非谐振微分电导增加十倍。理论计算将微分电导的变化与还原诱导的共轭变化联系起来，从而解除了运输途径的相消干涉。

非共线单电子自旋阀晶体管

Non-collinear single-electron spin-valve transistors

我们研究了通过一个小的金属簇连接到两个铁磁引线（单电子自旋阀晶体管）的“正统模型”的库仑阻塞的相互作用对运输的影响。岛和铁磁引线上的自旋积累之间的非局部交换被示出为影响的传输特性，如电流和自旋转移扭矩作为磁配置，栅极电压和施加的磁场的函数。

单分子晶体管中有机多自由基的操纵

Manipulation of organic polyradicals in a single-molecule transistor

在一个单一的OPE5为基础的分子的自旋态的共隧穿光谱的启发，我们调查的前景，纯有机分子的磁性电控制接触在一个三端几何。使用栅电极，分子在三种不同的氧化还原状态之间可逆地切换，磁谱揭示了分子上的铁磁和反铁磁交换耦合。这些观察结果被证明是由一个有效的低能量海森堡模型，我们证实微观的一个简单的价键描述的分子。这些初步研究结果表明，一个有趣的路线走向功能化的全有机分子磁性。

耗散电磁环境下单电荷晶体管中的库珀对共隧穿

Cooper pair cotunneling in single charge transistors with dissipative electromagnetic environment

我们观察到片上电阻R为R_Q = h/4e^2 = 6.45 kOhm的超导单电荷晶体管的电流-电压特性，并用库珀对共隧穿理论解释了这种特性。晶体管岛上的栅感应电荷对约瑟夫森耦合的有效强度和共隧穿电流都有调制作用。对于电阻R的增加值，我们发现在小的传输电压下的库珀对电流被显著抑制。

基于N \atC 60的磁性单分子晶体管的共隧穿

Cotunneling through a magnetic single-molecule transistor based on N\atC60

我们提出了一种基于N@C60连接到金电极的磁性单分子晶体管的实验和理论研究。特别注意的是支付给中间分子铅耦合，其中cotunneling效应表现在库仑封锁制度的制度。微分电导作为偏置，栅极电压，和外部磁场的函数的实验结果与我们的隧道速率的分析是一致的，并提供证据的磁性签名在单N@C60设备所产生的反铁磁交换之间的相互作用的C60自旋和氮自旋。

C_（60）单分子晶体管中的近藤效应

Kondo effects in a C_60 single-molecule transistor

我们利用电迁移技术制作了$\rm{C_{60}}$单分子晶体管。我们提出了一个完整的实验研究作为温度的函数，下降到35 mK，并作为磁场的函数高达8 T的SMT与奇数个电子，通常的自旋1/2近藤效应发生，与理论符合得很好。在偶数电子的情况下，提供了一个低温磁输运的研究，这表明在远低于近藤尺度的能量的零偏置异常的塞曼分裂。

超导岛-双量子点混合结构中的异原子安德烈夫分子

Heteroatomic Andreev molecule in a superconducting island-double quantum dot hybrid

本文在超导岛-双量子点混合结构中实现了异原子安德烈夫分子，通过DMRG计算定量解释3电子分子态的结合机制，并展示用电学门控驱动反铁磁到铁磁耦合的量子相变。

铁磁/超导/铁磁单电子隧穿晶体管的宇称效应和隧道磁阻

Parity Effect and Tunnel Magnetoresistance of Ferromagnet / Superconductor / Ferromagnet Single-Electron Tunneling Transistors

本文从理论上研究了铁磁/超导/铁磁单电子隧穿晶体管的隧穿磁电阻（TMR）特性，特别考虑了宇称效应。结果表明，在平台区，即使在有限的偏置电压下，岛中也没有自旋积累。然而，注入的自旋的信息由过量电子携带，因此存在TMR。过量电子的自旋弛豫速率可以从TMR估计。我们还表明，TMR的增加而减小的超导岛的尺寸。

铝单电子晶体管中自旋相关的准粒子输运

Spin-Dependent Quasiparticle Transport in Aluminum Single Electron Transistors

研究了塞曼分裂对正常-超导-正常（NSN）铝单电子晶体管（SET）中准粒子输运的影响。在带隙上的输运中，库仑阻塞和塞曼分裂的相互作用导致了序列隧穿的自旋依赖性。这就形成了一种或两种自旋物质都可以隧穿进入或离开岛的机制。在较低的偏压下，自旋依赖的单准粒子状态的研究和操作的设备作为一个双极自旋过滤器的建议。

Orbital hybridization and electrostatic interaction in a double molecule transistor

Understanding the intermolecular interactions and utilize these interactions to effectively control the transport behavior of single molecule is the key step from single molecule device to molecular circuits1-6. Although many single molecule detection techniques are used to detect the molecular interaction at single-molecule level1,4,5,7,8, probing and tuning the intermolecular interaction all by electrical approaches has not been demonstrated. In this work, we successful assemble a double molecule transistor incorporating two manganese phthalocyanine molecules, on which we probe and tune the …

一种可调谐双模场效应或单电子晶体管，

A tunable, dual mode field-effect or single electron transistor

采用绝缘体上硅金属氧化物半导体工艺，研制了一种既可作为场效应晶体管又可作为单电子晶体管的双模器件。根据背栅极化，电子岛在器件的前栅下积累（SET机制），或者通过用负前栅电压夹断底部沟道来获得场效应晶体管。观察到这两种情况之间的逐渐过渡。这种双重功能在非重叠绝缘体上硅沟道中使用垂直和水平可调电势梯度。

通过具有机械振荡岛的SET的电荷输运

Charge transport through a SET with a mechanically oscillating island

我们考虑一个单电子晶体管（SET），其中心岛是一个纳米机械振荡器。SET的栅极电容取决于机械位移，因此，岛振动的振动可能强烈地影响电流-电压特性、电流噪声和电流的较高累积量。岛的谐波振荡和具有随机振幅的振荡（例如，由于热激活）以不同的方式改变传输特性。噪声频谱在岛振荡的频率处具有峰值;当岛谐波振荡时，峰值减小到$δ$峰值。我们表明，SET输运性质的知识，有助于确定以何种方式的岛屿振荡，估计的振幅，和振荡的频率。

Polaronic effects induced by non-equilibrium vibrons in a single-molecule transistor

Current-voltage characteristics of a single-electron transistor with a vibrating quantum dot were calculated assuming vibrons to be in a coherent (non-equilibrium) state. For a large amplitude of quantum dot oscillations we predict strong suppression of conductance and the lifting of polaronic blockade by bias voltage in the form of steps in $I-V$ curves. The height of the steps differs from the prediction of the Franck-Condon theory (valid for equilibrated vibrons) and the current saturates at lower voltages then for the case, when vibrons are in equilibrium state.

利用单电子晶体管研究电荷运动的电场相关谱

Electric-field-dependent spectroscopy of charge motion using a single-electron transistor

本文观察了氧化硅衬底上Al-AlO_x-Al单电子晶体管附近的背景电荷起伏。该晶体管设计采用了重掺杂衬底和顶栅，允许独立控制衬底和晶体管岛电位。通过对Si/SiO_2界面的控制充电，我们证明了涨落不能存在于Si层或隧道势垒中。结合大的测量信号幅度，这意味着缺陷必须位于非常接近氧化物表面。

双端结构中的单电子晶体管效应

Single-electron transistor effect in a two-terminal structure

单电子晶体管效应的特性使得即使在完全没有栅电极的结构中也可以观察到这种效应。所提出的方法可用于具有限制在隧道势垒之间的极小中心岛（如纳米尺寸的量子点或用隧道显微镜探测的大分子）的结构中的充电效应的实验研究，其中不可能提供用于控制隧道电流的栅电极。

单电子晶体管中$\{Fe_4\}$单分子磁体的电控制

Electric control of a $\{Fe_4\}$ single-molecule magnet in a single-electron transistor

使用第一性原理方法，我们从理论上研究了一个单独的$\{Fe_4\}$单分子磁铁（SMM）连接到金属引线的单电子晶体管的几何形状的属性。我们发现，导电引线不影响中性SMM的自旋有序性和磁各向异性。另一方面，铅对分子的带电状态的各向异性有很强的影响，这在库仑阻塞传输中被探测。此外，我们证明，外部电势，建模的栅电极，可以用来操纵系统的磁性能。对于带电分子，通过使额外电荷与更靠近磁芯的栅极电压局部化，各向异性幅度和自旋排序收敛到针对隔离的$\{Fe_4\}$ SMM发现的值。我们比较这些发现与最近的量子输运实验在三端设备的结果。